CN218124669U - 功率放大器 - Google Patents
功率放大器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN218124669U CN218124669U CN202221762476.5U CN202221762476U CN218124669U CN 218124669 U CN218124669 U CN 218124669U CN 202221762476 U CN202221762476 U CN 202221762476U CN 218124669 U CN218124669 U CN 218124669U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- inductor
- triode
- circuit
- capacitor
- amplifying circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 15
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种功率放大器，包括：第一级放大电路、与所述第一级放大电路的输出端连接的第二级放大电路、以及与所述第二级放大电路的输出端连接的第三级放大电路；其中，所述第一级放大电路包括：第一三极管Q1、与所述第一三极管Q1发射极连接的第一电感L1、与所述第一三极管Q1的集电极连接的第二电感L2、与所述第二电感L2串联的第一电容C1、以及与所述第一电容C1串联的第一可变电容VC1；所述第一三极管Q1的基极连接一输入匹配电路以及第一偏置电路Bias1，所述第二电感L2的输入端接电源VCC，所述第一电感L1、第一可变电容VC1接地设置。本实用新型可以改善杂散作用。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种功率放大器。
背景技术
随着无线通信的快速发展和广泛普及，无线通信系统标准对移动通信终端收发机的性能要求越来越高。功率放大器作为射频前端的关键模块，它的性能指标对收发机的总体性能起着重要的作用，而功率放大器的杂散指标是通信系统的关键性能指标，他的性能好坏决定了PA工作时候是否会对其他信道的信号产生干扰。一般如果出现了带外杂散指标不好，要么需要重新修改设计，要么需要额外再射频通路上增加抑制电路去改善杂散指标，重新修改设计改动较大，增加抑制电路会额外增加模组的面积，同时现代移动通信终端的小型化趋势，对于功率放大器模组的尺寸也提出了更高的要求。
实用新型内容
针对以上现有技术的不足，本实用新型提出一种抑制和衰减非谐振频段信号并减少非谐振频段信号的增益的功率放大器和射频芯片。
为了解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供了一种功率放大器，包括：第一级放大电路、与所述第一级放大电路的输出端连接的第二级放大电路、以及与所述第二级放大电路的输出端连接的第三级放大电路；
其中，所述第一级放大电路包括：第一三极管Q1、与所述第一三极管Q1发射极连接的第一电感L1、与所述第一三极管Q1的集电极连接的第二电感L2、与所述第二电感L2串联的第一电容C1、以及与所述第一电容C1串联的第一可变电容VC1；所述第一三极管Q1的基极连接一输入匹配电路以及第一偏置电路Bias1，所述第二电感L2的输入端接电源VCC，所述第一电感L1、第一可变电容VC1接地设置。
优选的，所述第一级放大电路还包括：与所述第二电感L2串联的第三电感L3，通过所第三电感L3的输入端接入所述电源VCC。
优选的，所述第一可变电容VC1通过一第一控制电压U1进行控制。
优选的，所述第二级放大电路包括：第二三极管Q2、与所述第二三极管Q2的集电极连接的第四电感L4、与所述第四电感L4串联的第二电容C2、以及与所述第二电容C2串联的第二可变电容VC2；
所述第二三极管Q1的基极连接所述第一三极管Q1的集电极以及第二偏置电路Bias2，所述第四电感L4的输入端接电源VCC，所述第二三极管Q2的发射极、第二可变电容VC2接地设置。
优选的，与所述第四电感L4串联的第五电感L5，通过所述第五电感L5的输入端接入所述电源VCC。
优选的，所述第二可变电容VC2通过一第二控制电压U2进行控。
优选的，所述第三级放大电路包括：第三三极管Q3、与所述第三三极管Q3的集电极连接的第六电感L6、与所述第六电感L6串联的第三电容C3；
所述第三三极管Q3的基极连接所述第二三极管Q2的集电极以及第三偏置电路Bias3，所述第六电感L6的输入端接电源VCC，所述第三三极管Q3的发射极、第三电容C3接地设置。
优选的，所述第一级放大电路与所述第二级放大电路之间通过第一级间匹配电路进行匹配连接。
优选的，所述第二级放大电路与所述第三级放大电路之间通过第二级间匹配电路进行匹配连接。
优选的，所述第三级放大电路中，第三三极管Q3的集电极与一输出匹配电路连接进行匹配输出。
与相关技术相比，本实用新型的功率放大器中，不需要增加额外的电路去抑制低频增益改善杂散，只是利用第一级放大电路上的集电极去耦电容的自谐振特性去抑制低频增益，这种方法经济实惠，效果明显。
附图说明
下面结合附图详细说明本实用新型。通过结合以下附图所作的详细描述，本实用新型的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中,
图1为本实用新型实施例的功率放大器电路结构图；
图2为本实用新型实施例的功率放大器的S参数仿真曲线；
图3为本实用新型实施例的功率放大器的功率仿真曲线。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本实用新型的具体实施方式。
在此记载的具体实施方式/实施例为本实用新型的特定的具体实施方式，用于说明本实用新型的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本实用新型实施方式及本实用新型范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本实用新型的保护范围之内。
如图1所示为本实用新型提供一种功率放大器，包括：第一级放大电路11、与所述第一级放大电路11的输出端连接的第二级放大电路12、以及与所述第二级放大电路12的输出端连接的第三级放大电路13。
其中，所述第一级放大电路11包括：第一三极管Q1、与所述第一三极管Q1发射极连接的第一电感L1、与所述第一三极管Q1的集电极连接的第二电感L2、与所述第二电感L2串联的第一电容C1、以及与所述第一电容C1串联的第一可变电容VC1；所述第一三极管Q1的基极连接一输入匹配电路以及第一偏置电路Bias1，所述第二电感L2的输入端接电源VCC，所述第一电感L1、第一可变电容VC1接地设置。
进一步的，所述第一级放大电路11还包括：与所述第二电感L2串联的第三电感L3，通过所第三电感L3的输入端接入所述电源VCC。
本实施例中，所述第一可变电容VC1通过一第一控制电压U1进行控制。
本实施例中，所述第二级放大电路12包括：第二三极管Q2、与所述第二三极管Q2的集电极连接的第四电感L4、与所述第四电感L4串联的第二电容C2、以及与所述第二电容C2串联的第二可变电容VC2；所述第二三极管Q1的基极连接所述第一三极管Q1的集电极以及第二偏置电路Bias2，所述第四电感L4的输入端接电源VCC，所述第二三极管Q2的发射极、第二可变电容VC2接地设置。
进一步的，与所述第四电感L4串联的第五电感L5，通过所述第五电感L5的输入端接入所述电源VCC。
本实施例中，所述第二可变电容VC2通过一第二控制电压U2进行控。
本实施例中，所述第三级放大电路13包括：第三三极管Q3、与所述第三三极管Q3的集电极连接的第六电感L6、与所述第六电感L6串联的第三电容C3；所述第三三极管Q3的基极连接所述第二三极管Q2的集电极以及第三偏置电路Bias3，所述第六电感L6的输入端接电源VCC，所述第三三极管Q3的发射极、第三电容C3接地设置。
进一步的，所述第一级放大电路与所述第二级放大电路之间通过第一级间匹配电路进行匹配连接。
进一步的，所述第二级放大电路与所述第三级放大电路之间通过第二级间匹配电路进行匹配连接。
进一步的，所述第三级放大电路中，第三三极管Q3的集电极与一输出匹配电路连接进行匹配输出。
请继续参考图1，以第一放大电路的第一电容C1和第一可变电容VC1为例进行说明，第一电容C1和第一可变电容VC1串联，因此其等效电容大小C＝C1*VC1/(C1+VC1)＝VC1/(1+VC1/C1)，从公式我们可以看出来，C1如果趋于无穷大，那么第一电容C1和第一可变电容VC1串联的电容的大小就取决于第一可变电容VC1的电容大小。其实在PA电路结构中，第二电感L2、第一电容C1、第一可变电容VC1和第四电感L4第二电容C2、第二可变电容VC2组成电路也参与了一部分简单的匹配，对于射频而言，他们其实是组成了一个LC谐振滤波。利用这一点，通过减小第一可变VC1和第二可变电容VC2的电容值，我们就可以很容易得到一个LC谐波。通过对低频滤波作用从而减小对低频信号的增益，从而达到改善杂散的作用。
如图2和图3所示，较粗曲线是第一控制电压U1为10V,第二控制电压U2为15V时候的PA的S参数仿真曲线，红色曲线是传统PA电路结构的仿真曲线，可以看出，通过控制U1 U2的电压，分别在570MHz和1GHz频点上产生2个谐振陷波，从而抑制了570MHz和1GHz的信号增益，其中570MHz的曲线陷波效果是由L4 C2 VC2联合产生，1GHz的陷波效果是第二电感L2、第一电容C1以及第一可变电容VC1联合产生。图中显示570MHz的增益为2.1dB，相较于传统PA增益降低了5dB增益，1GHz的增益为-2dB，相较于传统PA结构的增益降低了26dB，低频增益抑制十分明显，而且右图的功率没有发现明显变化，依然是32.7dBm-32.3dBm的功率范围。
与相关技术相比本实用新型的功率放大器中，不需要增加额外的电路去抑制低频增益改善杂散，只是利用第一级放大电路上的集电极去耦电容的自谐振特性去抑制低频增益，这种方法经济实惠，效果明显。
需要指出的是，本实用新型采用的相关电容、电感、电阻及电路模块均为本领域常用的电路模块和元器件，对应的具体的指标和参数根据实际应用进行调整，在此，不作详细赘述。
需要说明的是，以上参照附图所描述的各个实施例仅用以说明本实用新型而非限制本实用新型的范围，本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离本实用新型的精神和范围的前提下对本实用新型进行的修改或者等同替换，均应涵盖在本实用新型的范围之内。此外，除上下文另有所指外，以单数形式出现的词包括复数形式，反之亦然。另外，除非特别说明，那么任何实施例的全部或一部分可结合任何其它实施例的全部或一部分来使用。
Claims (10)
1.一种功率放大器，其特征在于，包括：第一级放大电路、与所述第一级放大电路的输出端连接的第二级放大电路、以及与所述第二级放大电路的输出端连接的第三级放大电路；
其中，所述第一级放大电路包括：第一三极管Q1、与所述第一三极管Q1发射极连接的第一电感L1、与所述第一三极管Q1的集电极连接的第二电感L2、与所述第二电感L2串联的第一电容C1、以及与所述第一电容C1串联的第一可变电容VC1；
所述第一三极管Q1的基极连接一输入匹配电路以及第一偏置电路Bias1，所述第二电感L2的输入端接电源VCC，所述第一电感L1、第一可变电容VC1接地设置。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一级放大电路还包括：与所述第二电感L2串联的第三电感L3，通过所第三电感L3的输入端接入所述电源VCC。
3.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一可变电容VC1通过一第一控制电压U1进行控制。
4.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第二级放大电路包括：第二三极管Q2、与所述第二三极管Q2的集电极连接的第四电感L4、与所述第四电感L4串联的第二电容C2、以及与所述第二电容C2串联的第二可变电容VC2；
所述第二三极管Q1的基极连接所述第一三极管Q1的集电极以及第二偏置电路Bias2，所述第四电感L4的输入端接电源VCC，所述第二三极管Q2的发射极、第二可变电容VC2接地设置。
5.根据权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，与所述第四电感L4串联的第五电感L5，通过所述第五电感L5的输入端接入所述电源VCC。
6.根据权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，所述第二可变电容VC2通过一第二控制电压U2进行控。
7.根据权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，所述第三级放大电路包括：第三三极管Q3、与所述第三三极管Q3的集电极连接的第六电感L6、与所述第六电感L6串联的第三电容C3；
所述第三三极管Q3的基极连接所述第二三极管Q2的集电极以及第三偏置电路Bias3，所述第六电感L6的输入端接电源VCC，所述第三三极管Q3的发射极、第三电容C3接地设置。
8.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一级放大电路与所述第二级放大电路之间通过第一级间匹配电路进行匹配连接。
9.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第二级放大电路与所述第三级放大电路之间通过第二级间匹配电路进行匹配连接。
10.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第三级放大电路中，第三三极管Q3的集电极与一输出匹配电路连接进行匹配输出。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202221762476.5U CN218124669U (zh) | 2022-07-06 | 2022-07-06 | 功率放大器 |
| PCT/CN2023/093517 WO2024007727A1 (zh) | 2022-07-06 | 2023-05-11 | 功率放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202221762476.5U CN218124669U (zh) | 2022-07-06 | 2022-07-06 | 功率放大器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN218124669U true CN218124669U (zh) | 2022-12-23 |
Family
ID=84518304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202221762476.5U Active CN218124669U (zh) | 2022-07-06 | 2022-07-06 | 功率放大器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN218124669U (zh) |
| WO (1) | WO2024007727A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024007727A1 (zh) * | 2022-07-06 | 2024-01-11 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 功率放大器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11323079B2 (en) * | 2020-02-28 | 2022-05-03 | Qualcomm Incorporated | Stability improvement circuit for radio frequency (RF) power amplifiers |
| CN112968678B (zh) * | 2021-02-10 | 2024-06-28 | 广州慧智微电子股份有限公司 | 一种射频功率放大器及通信终端 |
| CN114142818A (zh) * | 2021-10-14 | 2022-03-04 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 应用于5G-Sub6G频段通信系统的射频功率放大器 |
| CN114094953B (zh) * | 2021-11-03 | 2022-09-13 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 功率放大器和射频芯片 |
| CN218124669U (zh) * | 2022-07-06 | 2022-12-23 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 功率放大器 |
-
2022
- 2022-07-06 CN CN202221762476.5U patent/CN218124669U/zh active Active
-
2023
- 2023-05-11 WO PCT/CN2023/093517 patent/WO2024007727A1/zh unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024007727A1 (zh) * | 2022-07-06 | 2024-01-11 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 功率放大器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2024007727A1 (zh) | 2024-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100481714C (zh) | 使用多路选通晶体管具有改良线性和频带的放大器电路 | |
| CN218124669U (zh) | 功率放大器 | |
| CN113381713A (zh) | 一种基于可重构电感的双频段低噪声放大器 | |
| CN216390924U (zh) | 超宽带通信标准的低噪声放大器和射频芯片 | |
| CN115765634A (zh) | 一种功率放大电路 | |
| CN116248052A (zh) | 低噪声放大器和射频芯片 | |
| CN116827274A (zh) | 一种宽带低噪声放大电路 | |
| CN210297678U (zh) | 一种uhf频段机载发射射频电路 | |
| CN115664349A (zh) | 一种有源差分低噪声放大电路和射频接收前端系统 | |
| CN116032219A (zh) | 一种高线性度的低噪声放大器、芯片及电子设备 | |
| CN216162675U (zh) | 一种差分功率放大器 | |
| CN113242024B (zh) | 一种射频功率放大器 | |
| CN113098403A (zh) | 基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器 | |
| CN117713702A (zh) | 一种低功耗低增益变化稳定性增强的低噪声放大器 | |
| CN115622519A (zh) | 基于LC谐振技术的带陷低噪声放大器及其带外输入1dB压缩点的提升方法 | |
| CN219268826U (zh) | 功率放大器和差分功率放大器电路 | |
| CN114172476B (zh) | 一种宽带负反馈放大器 | |
| CN113904635B (zh) | 一种高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器 | |
| CN110086441A (zh) | 功率放大器 | |
| CN214675077U (zh) | 接收机及其放大器 | |
| CN217522806U (zh) | 一种射频驱动放大器 | |
| CN112003574A (zh) | 一种k波段cmos高效射频功率放大器电路 | |
| CN117728780B (zh) | 功率放大器以及射频前端模组 | |
| CN220798222U (zh) | 基于巴特沃兹带通滤波器的低噪声放大器 | |
| CN214799423U (zh) | 一种超宽带低电流驱动放大器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |