CN218121045U - 一种集成温度传感器的涡街传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种集成温度传感器的涡街传感器，包括中性轴组件和外壳，所述中性轴包括前后面、左右侧面和底面，所述中性轴的前后面安装有压电晶体，压电晶体的引线位于前后面上，所述中性轴的底面安装有温度传感器，所述温度传感器的引线从中性轴的左右侧面引出；所述压电晶体、中性轴和温度传感器封装在外壳内。本实用新型，将温度传感器集成到中性轴尾端，使其浸入流体，从而能实时检测出流体温度；同时，由于温度传感器体积很小且集成到中性轴的尾端，并不影响到涡街传感器本来的流量检测功能。

Description

一种集成温度传感器的涡街传感器

技术领域

本实用新型涉及涡街传感器技术领域，具体是一种集成温度传感器的涡街传感器。

背景技术

涡街流量计主要用于管道中流体介质的流量测量，如气体，液体，蒸汽等多种介质。涡街流量计的特点是压力损失小，量程范围宽，精度高，无可动部件，可靠性高，维护量小。但是，在气态流体介质的情况下需要知道流体的温度和压力，才能够准确地测量介质的质量流量。

传统上，温度和压力是通过独立的传感器获取的，用户需要在管道上安装独立的温度和压力传感器。这种方式成本高，安装复杂。除了安装涡街传感器外，管道上还需要安装独立的温度传感器及压力传感器。每种传感器都需要破壁安装，安装成本高，使用和维修很不方便，因此，现有申请号为CN201420144326.7设计温压一体化的涡街流量计。该实用新型中，将温度传感器和压力传感器以一体化的方式，制作到涡街流量计中，但其集成度并不高，温度传感器和压力传感器仍为独立部件。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种集成温度传感器的涡街传感器，以解决现有技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种集成温度传感器的涡街传感器，包括中性轴和外壳，所述中性轴包括前后面、左右侧面和底面，所述中性轴的前后面安装有压电晶体，压电晶体的引线位于前后面上，所述中性轴的底面安装有温度传感器，所述温度传感器的引线从中性轴的左右侧面引出；所述压电晶体、中性轴和温度传感器封装在外壳内。

优选的，所述中性轴的前后面上的压电晶体设置有一对或两对。

优选的，所述温度传感器封装在壳体以后需要确保温度传感器的位置能浸没到流体内。

优选的，所述中性轴的底面开设有供温度传感器嵌入安装的凹槽或者温度传感器通过胶粘的方式固定在中性轴的底面。

优选的，所述中性轴的左右侧面为平面或弧面。

优选的，还包括固定板，所述外壳共设置有两个，两个所述外壳均固定在固定板上，两个所述外壳内均封装有压电晶体、中性轴和温度传感器。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：将温度传感器集成到中性轴尾端，使其浸入流体，从而能实时检测出流体温度；同时，由于温度传感器体积很小且集成到中性轴的尾端，并不影响到涡街传感器本来的流量检测功能；

外壳为中空结构，压电晶体固定于中性轴上，带有压电体的中性轴插入外壳中空段内，然后用固化胶一体固化；通过改进中性轴的形状或引线布局方式，将温度传感器固定于中性轴尾端并从侧面引线，从而使压电通道和温度通道可以各自独立制作，大大降低了温度传感器一体化封装的技术难度和成本。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是本实用新型一对压电晶体时中性轴组件结构示意图；

图2是本实用新型一对压电晶体的壳体的结构示意图；

图3为本实用新型两对压电晶体时中性轴组件结构示意图；

图4是本实用新型两对压电晶体的壳体的结构示意图；

图5为本实用新型两个壳体时的结构示意图；

图6是本实用新型中性轴左右侧面为平面的结构示意图；

图7为本实用新型中性轴的左右侧面为弧面的结构示意图。

图中：1、压电晶体；2、中性轴；3、温度传感器；4、外壳；5、固定板；21、前后面；22、左右侧面；23、底面。

具体实施方式

为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-7，本实用新型实施例中，一种集成温度传感器的涡街传感器，包括中性轴2和外壳4，所述中性轴2包括前后面21、左右侧面22和底面23，所述中性轴2的前后面21安装有压电晶体1，压电晶体1的引线位于前后面21上，所述中性轴2的底面23安装有温度传感器3，所述温度传感器3的引线从中性轴2的左右侧面22引出；所述压电晶体1、中性轴2和温度传感器3封装在外壳4内；所述中性轴2的前后面21上的压电晶体1设置有一对或两对；所述温度传感器3封装在壳体以后需要确保温度传感器3的位置能浸没到流体内；所述中性轴2的底面23开设有供温度传感器3嵌入安装的凹槽或者温度传感器3通过胶粘的方式固定在中性轴2的底面23；所述中性轴2的左右侧面22为平面或弧面；还包括固定板5，所述外壳4共设置有两个，两个所述外壳4均固定在固定板5上，两个所述外壳4内均封装有压电晶体1、中性轴2和温度传感器3。

外壳4为中空结构，压电晶体1固定于中性轴2上，带有压电体1的中性轴2插入外壳4的中空段内，然后用固化胶一体固化；通过改进中性轴2的形状或引线布局方式，将温度传感器3固定于中性轴2尾端并从侧面引线，从而使压电通道和温度通道可以各自独立制作，大大降低了温度传感器一体化封装的技术难度和成本；

如图1、2所示，这种外壳4对应流量检测功能，中性轴2的底面23集成温度传感器，然后在该中性轴2上固定好一组压电晶体1，最后一体化封装，引线为两组，一组对应流量检测，另一组对应温度测量。

如图3、4所示，这种外壳4对应流量检测和振动检测两种功能，中性轴底面23集成温度传感器，然后在该中性轴2上固定好两组压电晶体1，最后一体化封装，引线为三组，一组对应流量检测，一组对应振动检测，另一组对应温度检测。

如图5所示，这种外壳4对应流量检测和振动检测功能，采用两根中性轴2，温度检测只需集成到其中一根中性轴2上，当然也可以两根中性轴2都集成温度传感器3，然后在两根中性轴2上分别固定好各自的压电晶体1，最后封装；中性轴同图1所示。

如图6、7中所示的中性轴2，其整体轮廓的形状可以是图6中的扁形长方体，或者切出一组对侧平面的柱形长杆如图7，如图2、4、5中所示外壳4上的法兰，主要起固定作用，其形状可以变化，外壳壳体形状也可以变化；中性轴侧面可以抠槽，底部可以抠孔或槽。

本实用新型的工作原理是：将温度传感器3集成到中性轴2尾端，使其浸入流体，从而能实时检测出流体温度；同时，由于温度传感器3体积很小且集成到中性轴2的尾端，并不影响到涡街传感器本来的流量检测功能。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种集成温度传感器的涡街传感器，包括中性轴(2)和外壳(4)，其特征在于：所述中性轴(2)包括前后面(21)、左右侧面(22)和底面(23)，所述中性轴(2)的前后面(21)安装有压电晶体(1)，压电晶体(1)的引线位于前后面(21)上，所述中性轴(2)的底面(23)安装有温度传感器(3)，所述温度传感器(3)的引线从中性轴(2)的左右侧面(22)引出；所述压电晶体(1)、中性轴(2)和温度传感器(3)封装在外壳(4)内。

2.根据权利要求1所述的一种集成温度传感器的涡街传感器，其特征在于：所述中性轴(2)的前后面(21)上的压电晶体(1)设置有一对或两对。

3.根据权利要求1所述的一种集成温度传感器的涡街传感器，其特征在于：所述温度传感器(3)封装在壳体以后需要确保温度传感器(3)的位置能浸没到流体内。

4.根据权利要求1、2或3所述的一种集成温度传感器的涡街传感器，其特征在于：所述中性轴(2)的底面(23)开设有供温度传感器(3)嵌入安装的凹槽或者温度传感器(3)通过胶粘的方式固定在中性轴(2)的底面(23)。

5.根据权利要求1所述的一种集成温度传感器的涡街传感器，其特征在于：所述中性轴(2)的左右侧面(22)为平面或弧面。

6.根据权利要求1所述的一种集成温度传感器的涡街传感器，其特征在于：还包括固定板(5)，所述外壳(4)共设置有两个，两个所述外壳(4)均固定在固定板(5)上，两个所述外壳(4)内均封装有压电晶体(1)、中性轴(2)和温度传感器(3)。

Images