CN218089888U - 内管双面焊接单晶炉副炉室 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及单晶炉技术领域的内管双面焊接单晶炉副炉室，包括副炉室本体和固定块以及内管本体，所述固定块设置在副炉室本体的两端，所述内管本体设置在副炉室本体内，所述内管本体的表面两端固定有法兰，两个所述法兰的相向面设有与副炉室本体内壁固定连接的法兰。通过设置法兰，当副炉室本体在使用时可通过法兰套设在内管本体的表面增加密封性，且由于法兰与副炉室本体内壁之间焊接长时间使用可能会出现缝隙，此时下挡板可配合上挡板对法兰贴合增加密封性，实现了提高密封性的效果，防止出现副炉室本体在使用时密封性不佳，导致单晶拉动成型时，质量受到影响。
Description
技术领域
本实用新型涉及单晶炉技术领域，特别是涉及内管双面焊接单晶炉副炉室。
背景技术
单晶炉是一种在惰性气体环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化, 用直拉法生长无错位单晶的设备，单晶炉分别有提拉头，副炉室，炉盖，炉筒等结构构成，在单晶生产时，需要将物料配合放置如单晶炉内加热，随后物料可通过拉动成型。
如授权公开号为CN209759637U所公开的应用于单晶炉的副炉室，其虽然解决了增加副炉室长度，可以达到增长单晶长度的作用，提高产能、降低生产成本，又能保证质量稳定性，但仍未解决现有的副炉室在使用时密封性不佳的情况，由于副炉室需要在加热环境使用，密封性不佳将会导致单晶在拉动成型环节时出现质量不佳的情况，从而影响使用效果与使用寿命，为此我们提出内管双面焊接单晶炉副炉室。
实用新型内容
针对上述问题，本实用新型提供了内管双面焊接单晶炉副炉室，具有密封性提高的效果，防止出现单晶在加工时由于密封性不佳，导致单晶质量不佳，影响使用效果，同时具有提高强度稳定性的效果，防止出现强度稳定性不佳，导致单晶在拉动成型时带动副炉室受损，影响使用寿命。
本实用新型的技术方案是：内管双面焊接单晶炉副炉室，包括副炉室本体和固定块以及内管本体，所述固定块设置在副炉室本体的两端，所述内管本体设置在副炉室本体内，所述内管本体的表面两端固定有法兰，两个所述法兰的相向面设有与副炉室本体内壁固定连接的下挡板。
在进一步的技术方案中，所述内管本体的外表面固定有两个呈对称设置的套板，所述套板的外表面固定有至少四个对称设置的固定杆。
在进一步的技术方案中，两个所述法兰互相远离的一侧设有上挡板，且上挡板用于配合下挡板对法兰限位。
在进一步的技术方案中，所述上挡板分别位于固定块的一侧，所述上挡板的外表面与副炉室本体的内壁呈贴合状。
在进一步的技术方案中，所述固定杆远离套板的一端与副炉室本体的内壁固定连接，所述固定杆用于配合套板防止内管本体在使用时错位。
在进一步的技术方案中，所述固定杆呈圆柱状分别位于两个所述法兰的相向面之间，所述套板呈中空环形状。
本实用新型的有益效果是：
1、通过设置法兰，当副炉室本体在使用时可通过法兰套设在内管本体的表面增加密封性，且由于法兰与副炉室本体内壁之间焊接长时间使用可能会出现缝隙，此时下挡板可配合上挡板对法兰贴合增加密封性，实现了提高密封性的效果，防止出现副炉室本体在使用时密封性不佳，导致单晶拉动成型时，质量受到影响；
2、通过设置套板，当内管本体在使用时可通过套板增加稳定性与强度，随后套板可通过固定杆与副炉室本体连接增加稳固性，此时套板可防止内管本体内单晶拉动成型时受到拉力移动，实现了提高稳固与强度的效果。
附图说明
图1是本实用新型实施例的整体结构示意图；
图2是本实用新型实施例的副炉室本体侧剖结构示意图；
图3是本实用新型实施例的上挡板结构示意图；
图4是本实用新型实施例的套板结构示意图。
附图标记说明：
1、副炉室本体；2、固定块；3、内管本体；4、法兰；5、下挡板；6、上挡板；7、套板；8、固定杆。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的实施例作进一步说明。
实施例：
如图1-图4所示，内管双面焊接单晶炉副炉室，包括副炉室本体1和固定块2以及内管本体3，固定块2设置在副炉室本体1的两端，内管本体3设置在副炉室本体1内，内管本体3的表面两端固定有法兰4，两个法兰4的相向面设有与副炉室本体1内壁固定连接的下挡板5。
上技术方案的工作原理如下：
当副炉室本体1在使用时可通过法兰4套设在内管本体3的表面增加密封性，且由于法兰4与副炉室本体1内壁之间焊接长时间使用可能会出现缝隙，此时下挡板5可配合上挡板6对法兰4贴合增加密封性，随后可将上挡板6放置在法兰4的表面与下挡板5相互配合，此时下挡板5与上挡板6将对法兰4 相抵增加密封效果。
在另外一个实施例中，如图2所示，内管本体3的外表面固定有两个呈对称设置的套板7，套板7的外表面固定有至少四个对称设置的固定杆8。
当内管本体3在使用时可通过套板7增加稳定性与强度，随后套板7可通过固定杆8与副炉室本体1连接增加稳固性，且由于套板7呈环形状设置有两个可对内管本体3进行限位，增加了内管本体3的稳定性，此时套板7可防止内管本体3内单晶拉动成型时受到拉力移动。
在另外一个实施例中，如图3所示，两个法兰4互相远离的一侧设有上挡板6，且上挡板6用于配合下挡板5对法兰4限位。
通过设置上挡板6，有效的增加了使用效果，防止出现下挡板5在配合对法兰4使用时，密封性不佳，可通过上挡板6与下挡板5相抵增加了稳固性。
在另外一个实施例中，如图3所示，上挡板6分别位于固定块2的一侧，上挡板6的外表面与副炉室本体1的内壁呈贴合状。
通过设置上挡板6，有利于增加了使用效果，防止出现下挡板5在使用时受拉力时脱位或错位的情况。
在另外一个实施例中，如图2和图4所示，固定杆8远离套板7的一端与副炉室本体1的内壁固定连接，固定杆8用于配合套板7防止内管本体3在使用时错位。
通过设置套板7，有效的增加了内管本体3的稳定性，防止出现单晶物料在拉动时带动内管本体3脱位，影响使用效果，可通过套板7的限位增加稳固性。
在另外一个实施例中，如图2所示，固定杆8呈圆柱状分别位于两个法兰4 的相向面之间，套板7呈中空环形状。
通过设置固定杆8，有利于增加了使用效果，防止出现套板7在使用时错位或脱位的情况。
以上实施例仅表达了本实用新型的具体实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.内管双面焊接单晶炉副炉室，包括副炉室本体(1)和固定块(2)以及内管本体(3)，所述固定块(2)设置在副炉室本体(1)的两端，所述内管本体(3)设置在副炉室本体(1)内，其特征在于：所述内管本体(3)的表面两端固定有法兰(4)，两个所述法兰(4)的相向面设有与副炉室本体(1)内壁固定连接的下挡板(5)。
2.根据权利要求1所述的内管双面焊接单晶炉副炉室，其特征在于：所述内管本体(3)的外表面固定有两个呈对称设置的套板(7)，所述套板(7)的外表面固定有至少四个对称设置的固定杆(8)。
3.根据权利要求1所述的内管双面焊接单晶炉副炉室，其特征在于：两个所述法兰(4)互相远离的一侧设有上挡板(6)，且上挡板(6)用于配合下挡板(5)对法兰(4)限位。
4.根据权利要求3所述的内管双面焊接单晶炉副炉室，其特征在于：所述上挡板(6)分别位于固定块(2)的一侧，所述上挡板(6)的外表面与副炉室本体(1)的内壁呈贴合状。
5.根据权利要求2所述的内管双面焊接单晶炉副炉室，其特征在于：所述固定杆(8)远离套板(7)的一端与副炉室本体(1)的内壁固定连接，所述固定杆(8)用于配合套板(7)防止内管本体(3)在使用时错位。
6.根据权利要求2所述的内管双面焊接单晶炉副炉室，其特征在于：所述固定杆(8)呈圆柱状分别位于两个所述法兰(4)的相向面之间，所述套板(7)呈中空环形状。
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- 2022-07-02 CN CN202221701687.8U patent/CN218089888U/zh active Active
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