CN218039193U - 一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管，包括半导体晶体外壳与半导体晶体件，半导体晶体件的外部固定安装有外罩层，外罩层的外部粘接有碳纤维层，碳纤维层的外壁上固定安装有铜层，铜层的顶部焊接有外接板，外接板的两侧均开设有凹陷槽，凹陷槽的内壁上焊接有弹簧，弹簧的一端固定安装有挤压板，挤压板的外壁一侧固定安装有弹性件，半导体晶体件的外壁两侧均焊接有安装板，本实用新型的碳纤维层安装在半导体晶体件的外部，碳纤维层能够降低电磁辐射，其防腐性也较好，碳纤维层外铜层的导电性好，电磁辐射依靠导电材质能得到降低，进而碳纤维层及铜层使半导体晶体件进行双层的防护。

Description

一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管

技术领域

本实用新型涉及半导体晶体管技术领域，具体涉及一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管。

背景技术

晶体管是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流，半导体晶体管因为它的响应速度快，准确性高，所以它一般被独立包装或在一个非常小的的区域。

半导体晶体管安装在指定区域使用时，电磁辐射在半导体晶体管使用时造成了一定的困扰，使半导体晶体管的响应速度等受到影响，半导体晶体管安装不稳，也会影响到半导体晶体管的具体使用，因此，亟需设计一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管来解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管，以解决现有技术中的上述不足之处。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管，包括半导体晶体外壳与半导体晶体件，所述半导体晶体件的外部固定安装有外罩层，所述外罩层的外部粘接有碳纤维层，所述碳纤维层的外壁上固定安装有铜层，所述铜层的顶部焊接有外接板，所述外接板的两侧均开设有凹陷槽，所述凹陷槽的内壁上焊接有弹簧，所述弹簧的一端固定安装有挤压板，所述挤压板的外壁一侧固定安装有弹性件，所述半导体晶体件的外壁两侧均焊接有安装板，所述半导体晶体外壳的内壁两侧均焊接有插接板，所述安装板和插接板的内部之间螺纹连接有螺纹杆。

优选的，所述半导体晶体外壳底部内壁的两侧均固定安装有限制件，所述半导体晶体外壳的内部设置有若干个挤压件。

优选的，所述半导体晶体外壳的底部两侧均开设有安装槽，所述半导体晶体外壳的底部两侧均螺纹连接有螺纹塞。

优选的，所述螺纹塞的底端固定安装有盖板，所述盖板的底部两侧均开设有竖直孔。

优选的，所述外接板的外壁上开设有通孔，所述半导体晶体件的底部固定安装有若干个引脚。

优选的，所述半导体晶体外壳靠近挤压件的内部设置有倾斜件，半导体晶体外壳的外壁两侧均通过螺栓安装有侧板。

优选的，所述螺纹杆通过螺栓安装在安装板和插接板的内部，所述半导体晶体外壳的外壁上通过螺栓安装有固定板。

在上述技术方案中，本实用新型提供的一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管，通过设置的铜层与碳纤维层，碳纤维层安装在半导体晶体件的外部，碳纤维层能够降低电磁辐射，其防腐性也较好，碳纤维层外铜层的导电性好，电磁辐射依靠导电材质能得到降低，进而碳纤维层及铜层使半导体晶体件进行双层的防护；通过设置的弹性件与安装板，弹性件利用弹簧和挤压板使半导体晶体件的上方限制在半导体晶体外壳中，安装板利用螺纹杆和螺栓固定在插接板上，半导体晶体件能在两个插接板之间限位；通过设置的倾斜件与螺纹塞，盖板在转动后使其上方的螺纹塞稳定转动插至倾斜件中，倾斜件和挤压件能稳定贴紧，挤压件按在半导体晶体件的引脚上，引脚能得到竖直稳定的安装。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管实施例提供的立体结构示意图。

图2为本实用新型一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管实施例提供的半导体晶体外壳局部剖面示意图。

图3为本实用新型一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管实施例提供的挤压件和倾斜件剖面示意图。

图4为本实用新型一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管实施例提供的挤压件和倾斜件结构示意图。

附图标记说明：

1半导体晶体外壳、2外接板、3引脚、4凹陷槽、5弹簧、6挤压板、7弹性件、8通孔、9铜层、10碳纤维层、11半导体晶体件、12外罩层、13安装板、14插接板、15螺纹杆、16侧板、17固定板、18限制件、19挤压件、20倾斜件、21螺纹塞、22盖板、23竖直孔、24安装槽。

具体实施方式

为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面将结合附图对本实用新型作进一步的详细介绍。

如图1-4所示，本实用新型实施例提供的一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管，包括半导体晶体外壳1与半导体晶体件11，半导体晶体件11的外部固定安装有外罩层12，外罩层12的外部粘接有碳纤维层10，碳纤维层10的外壁上固定安装有铜层9，防电磁辐射的主要成分便是导电材质，铜层9的导电性好，可大大降低电磁辐射的功率，铜层9的顶部焊接有外接板2，外接板2的两侧均开设有凹陷槽4，凹陷槽4的内壁上焊接有弹簧5，弹簧5的一端固定安装有挤压板6，挤压板6的外壁一侧固定安装有弹性件7，半导体晶体件11的外壁两侧均焊接有安装板13，半导体晶体外壳1的内壁两侧均焊接有插接板14，安装板13和插接板14的内部之间螺纹连接有螺纹杆15。

具体的，本实施例中，包括半导体晶体外壳1与半导体晶体件11，半导体晶体件11的外部固定安装有外罩层12，外罩层12将半导体晶体件11进行覆盖，外罩层12的外部粘接有碳纤维层10，碳纤维层10可降低电磁辐射，且防腐性较好，碳纤维层10的外壁上固定安装有铜层9，铜层9的顶部焊接有外接板2，外接板2的两侧均开设有凹陷槽4，凹陷槽4的内壁上焊接有弹簧5，弹簧5的一端固定安装有挤压板6，弹簧5具有一定的弹力，弹簧5的一端将挤压板6推动，挤压板6的外壁一侧固定安装有弹性件7，挤压板6外部的弹性件7能抵在半导体晶体外壳1的内部，使半导体晶体件11的上方固定，半导体晶体件11的外壁两侧均焊接有安装板13，半导体晶体外壳1的内壁两侧均焊接有插接板14，安装板13和插接板14的内部之间螺纹连接有螺纹杆15，螺纹杆15插进安装板13和插接板14之间，使半导体晶体件11固定于插接板14内。

本实用新型提供的一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管，通过设置的铜层9与碳纤维层10，碳纤维层10安装在半导体晶体件11的外部，碳纤维层10能够降低电磁辐射，其防腐性也较好，碳纤维层10外铜层9的导电性好，电磁辐射依靠导电材质能得到降低，进而碳纤维层10及铜层9使半导体晶体件11进行双层的防护。

本实用新型提供的另一个实施例中，如图1和图3所示的，半导体晶体外壳1底部内壁的两侧均固定安装有限制件18，半导体晶体外壳1的内部设置有若干个挤压件19，引脚3设于限制件18和挤压件19之间。

本实用新型提供的另一个实施例中，如图1、图3和图4所示的，半导体晶体外壳1的底部两侧均开设有安装槽24，半导体晶体外壳1的底部两侧均螺纹连接有螺纹塞21，螺纹塞21转动后插进半导体晶体件11的底部。

本实用新型提供的另一个实施例中，如图1、图3和图4所示的，螺纹塞21的底端固定安装有盖板22，盖板22使螺纹塞21快速的转动，盖板22的底部两侧均开设有竖直孔23，操作人员通过竖直孔23将盖板22转动设置。

本实用新型提供的另一个实施例中，如图1、图2和图3所示的，外接板2的外壁上开设有通孔8，通孔8便于外接板2的拿取，半导体晶体件11的底部固定安装有若干个引脚3，引脚3插设在半导体晶体外壳1的内部。

本实用新型提供的另一个实施例中，如图1、图3和图4所示的，半导体晶体外壳1靠近挤压件19的内部设置有倾斜件20，盖板22转动后使螺纹塞21也进行转动，则螺纹塞21能将倾斜件20挤压，倾斜件20得以按动挤压件19，挤压件19可使引脚3进行固定，引脚3能竖直安装，半导体晶体外壳1的外壁两侧均通过螺栓安装有侧板16，侧板16在取出后使弹性件7进行更换操作。

本实用新型提供的另一个实施例中，如图1和图2所示的，螺纹杆15通过螺栓安装在安装板13和插接板14的内部，螺纹杆15使安装板13和插接板14进行固定贴合，半导体晶体外壳1的外壁上通过螺栓安装有固定板17，固定板17在打开后使半导体晶体件11进行检修处理。

工作原理：半导体晶体件11的外部装有碳纤维层10，碳纤维层10能降低电磁辐射，且防腐性较好，碳纤维层10的外部设置有铜层9，铜层9的导电性好，而防电磁辐射的主要成分便是导电材质，碳纤维层10和铜层9能对半导体晶体件11进行双层的防护，外接板2底部的弹簧5将挤压板6和弹性件7推出凹陷槽4的内部，使弹性件7限制在半导体晶体外壳1的顶部内壁，将半导体晶体件11的上方进行固定，且安装板13通过螺纹杆15安装插进插接板14的内部，使半导体晶体件11固定在两个插接板14之间，操作人员转动盖板22后，盖板22上方的螺纹塞21可转动插进倾斜件20之间，倾斜件20能抵在挤压件19的外部，倾斜件20受压后挤压件19被压，挤压件19压在半导体晶体件11的引脚3外，将引脚3竖直的设置，人员将固定板17打开后，可对半导体晶体件11进行检修，而侧板16便于凹陷槽4中部件的更换处理。

以上只通过说明的方式描述了本实用新型的某些示范性实施例，毋庸置疑，对于本领域的普通技术人员，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下，可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此，上述附图和描述在本质上是说明性的，不应理解为对本实用新型权利要求保护范围的限制。

Claims (7)

1.一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管，包括半导体晶体外壳（1）与半导体晶体件（11），其特征在于，所述半导体晶体件（11）的外部固定安装有外罩层（12），所述外罩层（12）的外部粘接有碳纤维层（10），所述碳纤维层（10）的外壁上固定安装有铜层（9），所述铜层（9）的顶部焊接有外接板（2），所述外接板（2）的两侧均开设有凹陷槽（4），所述凹陷槽（4）的内壁上焊接有弹簧（5），所述弹簧（5）的一端固定安装有挤压板（6），所述挤压板（6）的外壁一侧固定安装有弹性件（7），所述半导体晶体件（11）的外壁两侧均焊接有安装板（13），所述半导体晶体外壳（1）的内壁两侧均焊接有插接板（14），所述安装板（13）和插接板（14）的内部之间螺纹连接有螺纹杆（15）。

2.根据权利要求1所述的一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管，其特征在于，所述半导体晶体外壳（1）底部内壁的两侧均固定安装有限制件（18），所述半导体晶体外壳（1）的内部设置有若干个挤压件（19）。

3.根据权利要求1所述的一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管，其特征在于，所述半导体晶体外壳（1）的底部两侧均开设有安装槽（24），所述半导体晶体外壳（1）的底部两侧均螺纹连接有螺纹塞（21）。

4.根据权利要求3所述的一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管，其特征在于，所述螺纹塞（21）的底端固定安装有盖板（22），所述盖板（22）的底部两侧均开设有竖直孔（23）。

5.根据权利要求1所述的一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管，其特征在于，所述外接板（2）的外壁上开设有通孔（8），所述半导体晶体件（11）的底部固定安装有若干个引脚（3）。

6.根据权利要求2所述的一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管，其特征在于，所述半导体晶体外壳（1）靠近挤压件（19）的内部设置有倾斜件（20），半导体晶体外壳（1）的外壁两侧均通过螺栓安装有侧板（16）。

7.根据权利要求1所述的一种可降低电磁辐射功率半导体晶体管，其特征在于，所述螺纹杆（15）通过螺栓安装在安装板（13）和插接板（14）的内部，所述半导体晶体外壳（1）的外壁上通过螺栓安装有固定板（17）。

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