CN217938435U - 一种上颌窦内提升装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种上颌窦内提升装置，包括依次连接的柄部及工作部，所述柄部包括有弯曲区和直柄区，所述工作部沿远离柄部方向依次设有连接区及钻头，所述弯曲区一端与直柄区相连接，所述弯曲区另一端与连接区相连接，所述连接区设有刻度段，所述钻头顶面内凹。本实用新型提供的一种上颌窦内提升装置，具有简化操作步骤，提升操作安全性等优势，可以在患者的骨量不足的上颌窦后牙区进行快速、安全及有效的填入骨粉或植入种植体。

Description

一种上颌窦内提升装置

技术领域

本实用新型属于医疗器械的技术领域，涉及一种上颌窦内提升装置。

背景技术

上颌后牙缺失后，会发生牙槽骨吸收及上颌窦气化，上颌窦底壁会下降，导致牙槽骨高度不足。此时如果要种植修复缺失牙，需要将上颌窦底提升至一定高度，然后植入骨粉或不植入骨粉，才可以保证种植体在上颌骨内，行使正常功能。上颌窦内提升术是从种植窝内将上颌窦底黏膜推向上与骨面分离后，填入骨粉或不植入骨粉后提升上颌窦底，然后植入种植体，完成种植修复。针对牙槽骨高度≥4mm时，目前临床上多采用敲击法，首先备洞，保留窦底1mm骨壁厚度，然后将内提升装置放入所备种植窝内，将窦底骨敲击顶入上颌窦内。该方法操作简单，快捷，可以获得理想骨增量效果。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种上颌窦内提升装置，用于解决现有技术中缺乏操作简单、安全的上颌窦内提升装置的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种上颌窦内提升装置，包括依次连接的柄部及工作部，所述柄部包括有弯曲区和直柄区，所述工作部沿远离柄部方向依次设有连接区及钻头区，所述弯曲区一端与直柄区相连接，所述弯曲区另一端与连接区相连接，所述连接区设有刻度段，所述钻头顶面内凹。

优选地，所述直柄区沿靠近弯曲区方向依次设有敲击柄段、连接柄段。

更优选地，所述敲击柄段的横截面积沿靠近弯曲区方向逐渐变小。

更优选地，所述连接柄段呈圆柱形。

优选地，所述弯曲区沿远离直柄区方向依次设有第二过渡连接段、弯曲连接段。

更优选地，所述第二过渡连接段的横截面积沿靠近弯曲连接段方向逐渐变小。

更优选地，所述第二过渡连接段呈圆台形。

更优选地，所述弯曲连接段呈圆柱形且所述弯曲连接段延伸方向呈S型。

更优选地，所述弯曲连接段的直径小于连接柄段的直径；所述弯曲连接段的直径大于所述平滑段和刻度段的直径。

优选地，所述连接区沿远离柄部方向依次设有第一过渡连接段、平滑段、刻度段。

更优选地，所述第一过渡连接段的横截面积沿远离弯曲区方向逐渐变小。

更优选地，所述第一过渡连接段呈圆台形。

更优选地，所述平滑段和刻度段呈圆柱形。

优选地，所述刻度段上设有多道刻度，多道所述刻度平行且间隔距离相等。

更优选地，所述第一过渡连接段与平滑段连接面的直径为2-4mm。

优选地，所述钻头的横截面积沿远离连接区5方向逐渐变小。

优选地，所述钻头呈圆台形。

优选地，所述钻头的下凹深度为1-2mm。

优选地，所述钻头顶面内凹为内缩进的弧形凹面。

如上所述，本实用新型提供的一种上颌窦内提升装置，具有以下有益效果：

(1)本实用新型提供的一种上颌窦内提升装置，具有简化操作步骤，提升操作安全性等优势。

(2)本实用新型提供的一种上颌窦内提升装置，可以在患者的骨量不足的上颌窦后牙区进行快速、安全及有效的填入骨粉或植入种植体。

(3)本实用新型提供的一种上颌窦内提升装置，设计巧妙，结构简单，操作方便，成本低廉，非常值得推广应用。

附图说明

图1显示为本实用新型的一种上颌窦内提升装置的主视图。

图2显示为本实用新型的一种上颌窦内提升装置中钻头为凹头时工作部结构图。

附图标记

1 柄部

2 工作部

3 弯曲区

31 第二过渡连接段

32 弯曲连接段

4 直柄区

41 敲击柄段

42 连接柄段

5 连接区

51 第一过渡连接段

52 平滑段

53 刻度段

6 钻头

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。

请参阅图1至图2。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。

另外，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

此外，在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

本实用新型提供一种上颌窦内提升装置，如图1-2所示，包括依次连接的柄部1及工作部2，所述柄部1包括有弯曲区3和直柄区4，所述工作部2沿远离柄部1方向依次设有连接区5及钻头6，所述弯曲区3一端与直柄区4相连接，所述弯曲区3另一端与连接区5相连接，所述连接区5设有刻度段53，所述钻头6顶面内凹。

上述上颌窦(maxillary sinus)为上颌骨体内的锥形空腔。

在上述装置中，如图1所示，所述直柄区4沿靠近弯曲区3方向依次设有敲击柄段41、连接柄段42。

在一个实施方式中，如图1所示，所述敲击柄段41的横截面积沿靠近弯曲区3方向逐渐变小。具体来说，所述敲击柄段41呈纺锤形。利于锤子敲击。所述敲击柄段41表面设有防滑纹。

在一个实施方式中，如图1所示，所述连接柄段42呈圆柱形。

在上述装置中，如图1所示，所述弯曲区3沿远离直柄区4方向依次设有第二过渡连接段31、弯曲连接段32。

在一个实施方式中，如图1所示，所述第二过渡连接段31的横截面积沿靠近弯曲连接段32方向逐渐变小。所述第二过渡连接段31有利于在上颌窦后牙区中进行临床操作。

在一个实施方式中，如图1所示，所述第二过渡连接段31呈圆台形。

在一个实施方式中，如图1所示，所述弯曲连接段32呈圆柱形且所述弯曲连接段32延伸方向呈S型。便于在上颌窦后牙区中进行临床操作。

在一个实施方式中，如图1所示，所述弯曲连接段32的直径小于连接柄段42的直径。

在一个实施方式中，如图1所示，所述弯曲连接段32的直径大于所述平滑段52和刻度段53的直径。

在一个实施方式中，如图1所示，所述弯曲连接段32的直线部分与弯曲部分之间的夹角＞90°且＜180°。

在上述装置中，如图1所示，所述工作部(2)与直柄区(4)的中轴线不呈一直线。两者可以平行或错开。

在上述装置中，如图1所示，所述工作部2的长度为20-28mm。

在上述装置中，如图1所示，所述连接区5沿远离柄部1方向依次设有第一过渡连接段51、平滑段52、刻度段53。

在一个实施方式中，如图1所示，所述第一过渡连接段51的横截面积沿远离弯曲区3方向逐渐变小。第一过渡连接段51能够有效控制受力点。

在一个实施方式中，如图1所示，所述第一过渡连接段51呈圆台形。

在一个实施方式中，如图1所示，所述平滑段52和刻度段53呈圆柱形。

在上述装置中，如图1所示，所述刻度段52上设有多道刻度，多道所述刻度平行且间隔距离相等。上述刻度可用于提示上颌窦内提升装置的工作部2提升深度。

在一个实施方式中，相邻所述刻度之间的间隔距离为1-3mm，优选为2mm。

在一个实施方式中，如图1所示，所述刻度相对于两侧内缩进。

在一个实施方式中，所述第一过渡连接段51与平滑段52连接面的直径为2-4mm。

在一个优选实施方式中，所述第一过渡连接段51与平滑段52连接面的直径选自2mm、3mm、4mm中的一种。以满足不同直径的种植体植入。

在上述装置中，所述钻头6的长度为6-14mm。

在上述装置中，如图1所示，所述钻头6的横截面积沿远离连接区5方向逐渐变小。

在上述装置中，如图1所示，所述钻头6呈圆台形。

在上述装置中，如图2所示，所述钻头6的下凹深度为1-2mm。

在上述装置中，如图2所示，所述钻头6顶面内凹为内缩进的弧形凹面。

在一个实施方式中，如图2所示，所述钻头6顶面内凹的凹壁上端开刃。可对骨有较高穿透力，易于控制穿透方向及提升牙槽骨。

本实用新型中一种上颌窦内提升装置的各部分可为一体设计，也可为各部分分拆设计。

下面结合图1-2，说明本实用新型中一种上颌窦内提升装置的具体使用过程。

使用者在获得如图1-2所示的一种上颌窦内提升装置时，首先临床上将上颌窦内提升装置消毒后供临床使用。临床上运用时，在患者的骨量不足的上颌窦后牙区，切开黏膜，充分暴露骨面后，先备孔，保留窦底1mm左右骨壁。然后采用工作部2中第一过渡连接段51与平滑段52连接面的直径由细到粗的上颌窦内提升器进行处理。在种植区域预备好种植窝时，首选选择最细的上颌窦内提升器(例如工作部2中第一过渡连接段51与平滑段52连接面的直径为2mm)的钻头6放入孔内，垂直敲击直柄区4的敲击柄41，受到敲击力后达到提升效果。然后，逐步换粗一级的上颌窦内提升器(例如工作部3中第一过渡连接段51与平滑段52连接面的直径为3mm、4mm)的钻头6放入孔内，垂直敲击直柄区4的敲击柄段41，受到敲击力后达到提升效果。完成提升后，如果需要植骨时，将窦底骨壁与周围牙槽骨分离上抬，通过骨粉输送器把骨粉植入种植窝洞内；如果不需要植骨可以直接植入种植体。最后，关闭创口。使用完成后，清洗消毒备用。

所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种上颌窦内提升装置，其特征在于，包括依次连接的柄部(1)及工作部(2)，所述柄部(1)包括有弯曲区(3)和直柄区(4)，所述工作部(2)沿远离柄部(1)方向依次设有连接区(5)及钻头(6)，所述弯曲区(3)一端与直柄区(4)相连接，所述弯曲区(3)另一端与连接区(5)相连接，所述连接区(5)设有刻度段(53)，所述钻头(6)顶面内凹。

2.根据权利要求1所述的一种上颌窦内提升装置，其特征在于，所述直柄区(4)沿靠近弯曲区(3)方向依次设有敲击柄段(41)、连接柄段(42)；和/或，所述弯曲区(3)沿远离直柄区方向依次设有第二过渡连接段(31)、弯曲连接段(32)；和/或，所述连接区(5)沿远离柄部(1)方向依次设有第一过渡连接段(51)、平滑段(52)、刻度段(53)。

3.根据权利要求2所述的一种上颌窦内提升装置，其特征在于，所述敲击柄段(41)的横截面积沿靠近弯曲区(3)方向逐渐变小；和/或，所述第二过渡连接段(31)呈圆台形，所述第二过渡连接段(31)的横截面积沿靠近弯曲连接段(32)方向逐渐变小。

4.根据权利要求2所述的一种上颌窦内提升装置，其特征在于，所述连接柄段(42)呈圆柱形；和/或，所述弯曲连接段(32)呈圆柱形且所述弯曲连接段(32)延伸方向呈S型；和/或，所述平滑段(52)和刻度段(53)呈圆柱形。

5.根据权利要求4所述的一种上颌窦内提升装置，其特征在于，所述弯曲连接段(32)的直径小于连接柄段(42)的直径；和/或，所述弯曲连接段(32)的直径大于所述平滑段(52)和刻度段(53)的直径。

6.根据权利要求2所述的一种上颌窦内提升装置，其特征在于，所述刻度段(53)上设有多道刻度，多道所述刻度平行且间隔距离相等。

7.根据权利要求2所述的一种上颌窦内提升装置，其特征在于，所述第一过渡连接段(51)呈圆台形，所述第一过渡连接段(51)的横截面积沿远离弯曲区(3)方向逐渐变小。

8.根据权利要求2所述的一种上颌窦内提升装置，其特征在于，所述第一过渡连接段(51)与平滑段(52)连接面的直径为2-4mm。

9.根据权利要求1所述的一种上颌窦内提升装置，其特征在于，所述钻头(6)呈圆台形，所述钻头(6)的横截面积沿远离连接区(5)方向逐渐变小。

10.根据权利要求1所述的一种上颌窦内提升装置，其特征在于，所述钻头(6)的下凹深度为1-2mm。

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