CN217883372U - 一种毫米波上变频装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种毫米波上变频装置，包括中频输入模块、射频输出模块、上变频模块和本振源模块；其中，所述中频输入模块、上变频模块和射频输出模块依次连接，所述本振源模块与所述上变频模块连接。本实用新型提供的一种毫米波上变频装置在结构上进行集成化设计，上变频子模块通过变压器及三极管配合工作，提高了上变频模块的输出功率，且各级变频通道层层设置，布局合理，通过衰减器和滤波器的设置，能够使变频后的输出信噪比较高，提高了毫米波变频装置的输出相噪。
Description
技术领域
本实用新型属于微波电路技术领域，具体涉及一种毫米波上变频装置。
背景技术
在所有的卫星通信系统中，上变频和下变频器件都很关键，其技术参数对整个系统的性能有极大影响。由于在毫米波通信系统中，一般将信号的编解码、调制/解调、滤波等功能在中频或较低的频率进行，然后通过上变频器搬移到毫米波频段上传输，所以上变频组件是通信发射机系统中的关键部件。为了实现系统的小型化，低功耗、和宽频带，毫米波上变频装置只能向高度集成的方向发展。
实用新型内容
针对现有技术中的上述不足，本实用新型提供的一种毫米波上变频装置解决了现有的毫米波变频装置功耗低和体积大的问题。
为了达到上述发明目的，本实用新型采用的技术方案为：一种毫米波上变频装置，包括中频输入模块、射频输出模块、上变频模块和本振源模块；
其中，所述中频输入模块、上变频模块和射频输出模块依次连接，所述本振源模块与所述上变频模块连接。
进一步地：所述中频输入模块均包括依次连接的带通滤波器、低失真放大器和第一低通滤波器；所述低失真放大器的型号具体为THAT2180CL08-U，所述带通滤波器的型号具体为ACPF-W060，所述第一低通滤波器的型号具体为SCLF-420。
进一步地：所述上变频模块包括第一放大器、上变频子模块和第一滤波器；
其中，所述第一放大器的输入端与本振源模块的输出端连接，所述第一放大器的输出端与所述上变频子模块的第一输入端连接，所述第一低通滤波器的输出端与所述上变频子模块的第二输入端连接，所述上变频子模块的输出端与第一滤波器的输入端连接。
进一步地：所述上变频子模块包括变压器T1、变压器T2、变压器T3、变压器T4、NPN型三极管Q1、NPN型三极管Q2、NPN型三极管Q3、NPN型三极管Q4、NPN型三极管Q5、NPN型三极管Q6、NPN型三极管Q7和NPN型三极管Q8；
其中，所述变压器T1原边的一端作为上变频子模块的第二输入端，所述变压器T1原边的另一端接地，所述变压器T1副边的一端分别与所述NPN型三极管Q1的基极和NPN型三极管Q6的基极连接，所述变压器T1副边的另一端分别与所述NPN型三极管Q2的基极和NPN型三极管Q5的基极连接，所述NPN型三极管Q1的发射极分别与所述NPN型三极管Q2的发射极和NPN型三极管Q3的集电极连接，所述NPN型三极管Q3的基极与所述变压器T2副边的一端连接，所述变压器T2副边的另一端分别与所述NPN型三极管Q4的基极连接，所述变压器T2原边的一端作为上变频子模块的第一输入端，所述变压器T2原边的另一端接地，所述NPN型三极管Q3和NPN型三极管Q4的发射极接地，所述NPN型三极管Q4的集电极分别与所述NPN型三极管Q5的发射极和NPN型三极管Q6的发射极连接，所述NPN型三极管Q1的集电极分别与所述NPN型三极管Q5的集电极和变压器T3原边的一端连接，所述NPN型三极管Q2的集电极分别与所述NPN型三极管Q6的集电极和变压器T3原边的另一端连接；
所述变压器T3副边的一端与所述NPN型三极管Q7的基极连接，所述变压器T3副边的另一端与所述NPN型三极管Q8的基极连接，所述NPN型三极管Q7的发射极和NPN型三极管Q8的发射极均接地，所述NPN型三极管Q7的集电极与所述变压器T4原边的一端连接，所述NPN型三极管Q8的集电极与所述变压器T4原边的另一端连接，所述变压器T4副边的一端作为上变频子模块的输出端，所述变压器T4副边的另一端接地。
进一步地：所述本振源模块具体为恒温晶振。
进一步地：所述射频输出模块包括相互连接的第二低通滤波器和放大器，所述第二低通滤波器的输入端与所述第一滤波器的输出端连接；
所述第二低通滤波器的型号具体为SCLF-420。
本实用新型的有益效果为：本实用新型提供的一种毫米波上变频装置在结构上进行集成化设计，上变频子模块通过变压器及三极管配合工作，提高了上变频模块的输出功率，且各级变频通道层层设置，布局合理，通过衰减器和滤波器的设置，能够使变频后的输出信噪比较高，提高了毫米波变频装置的输出相噪。
附图说明
图1为本实用新型的结构框图。
图2为上变频子模块的电路原理图。
具体实施方式
下面对本实用新型的具体实施方式进行描述，以便于本技术领域的技术人员理解本实用新型，但应该清楚，本实用新型不限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本实用新型的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本实用新型构思的发明创造均在保护之列。
如图1所示，在本实用新型的一个实施例中，一种毫米波上变频装置，包括中频输入模块、射频输出模块、上变频模块和本振源模块；
其中，所述中频输入模块、上变频模块和射频输出模块依次连接，所述本振源模块与所述上变频模块连接。
中频输入模块用于处理接收的中频信号，上变频模块用于将处理后的中频信号与本振信号混合，输出混合后的信号，本振源模块用于提供本振信号，射频输出模块用于输出射频信号。
所述中频输入模块均包括依次连接的带通滤波器、低失真放大器和第一低通滤波器；所述低失真放大器的型号具体为THAT2180CL08-U，所述带通滤波器的型号具体为ACPF-W060，所述第一低通滤波器的型号具体为SCLF-420。
所述上变频模块包括第一放大器、上变频子模块和第一滤波器；
其中，所述第一放大器的输入端与本振源模块的输出端连接，所述第一放大器的输出端与所述上变频子模块的第一输入端连接，所述第一低通滤波器的输出端与所述上变频子模块的第二输入端连接，所述上变频子模块的输出端与第一滤波器的输入端连接。
所述上变频子模块包括变压器T1、变压器T2、变压器T3、变压器T4、NPN型三极管Q1、NPN型三极管Q2、NPN型三极管Q3、NPN型三极管Q4、NPN型三极管Q5、NPN型三极管Q6、NPN型三极管Q7和NPN型三极管Q8；
其中，所述变压器T1原边的一端作为上变频子模块的第二输入端，所述变压器T1原边的另一端接地，所述变压器T1副边的一端分别与所述NPN型三极管Q1的基极和NPN型三极管Q6的基极连接，所述变压器T1副边的另一端分别与所述NPN型三极管Q2的基极和NPN型三极管Q5的基极连接，所述NPN型三极管Q1的发射极分别与所述NPN型三极管Q2的发射极和NPN型三极管Q3的集电极连接，所述NPN型三极管Q3的基极与所述变压器T2副边的一端连接，所述变压器T2副边的另一端分别与所述NPN型三极管Q4的基极连接，所述变压器T2原边的一端作为上变频子模块的第一输入端，所述变压器T2原边的另一端接地，所述NPN型三极管Q3和NPN型三极管Q4的发射极接地，所述NPN型三极管Q4的集电极分别与所述NPN型三极管Q5的发射极和NPN型三极管Q6的发射极连接，所述NPN型三极管Q1的集电极分别与所述NPN型三极管Q5的集电极和变压器T3原边的一端连接，所述NPN型三极管Q2的集电极分别与所述NPN型三极管Q6的集电极和变压器T3原边的另一端连接；
所述变压器T3副边的一端与所述NPN型三极管Q7的基极连接，所述变压器T3副边的另一端与所述NPN型三极管Q8的基极连接，所述NPN型三极管Q7的发射极和NPN型三极管Q8的发射极均接地，所述NPN型三极管Q7的集电极与所述变压器T4原边的一端连接，所述NPN型三极管Q8的集电极与所述变压器T4原边的另一端连接，所述变压器T4副边的一端作为上变频子模块的输出端，所述变压器T4副边的另一端接地。
所述本振源模块具体为恒温晶振。
所述射频输出模块包括相互连接的第二低通滤波器和放大器，所述第二低通滤波器的输入端与所述第一滤波器的输出端连接；
所述第二低通滤波器的型号具体为SCLF-420。
本实用新型的工作过程为：中频输入模块将输入的中频信号依次通过带通滤波器、低失真放大器和第一低通滤波器进行低失真放大和滤波处理，将处理后的中频信号发送至上变频模块，上变频模块将处理后的中频信号与本振源模块提供的本振信号混合，输出混合后的信号，射频输出模块将混合后的信号通过第二低通滤波器滤除掉杂余信号后进行放大处理，输出最终的射频信号。
本实用新型的有益效果为：本实用新型提供的一种毫米波上变频装置在结构上进行集成化设计，上变频子模块通过变压器及三极管配合工作，提高了上变频模块的输出功率，且各级变频通道层层设置，布局合理，通过衰减器和滤波器的设置，能够使变频后的输出信噪比较高，提高了毫米波变频装置的输出相噪。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“厚度”、“上”、“下”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“径向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明的技术特征的数量。因此，限定由“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或隐含地包括一个或者更多个该特征。
Claims (6)
1.一种毫米波上变频装置，其特征在于，包括中频输入模块、射频输出模块、上变频模块和本振源模块；
其中，所述中频输入模块、上变频模块和射频输出模块依次连接，所述本振源模块与所述上变频模块连接。
2.根据权利要求1所述的毫米波上变频装置，其特征在于，所述中频输入模块均包括依次连接的带通滤波器、低失真放大器和第一低通滤波器；所述低失真放大器的型号具体为THAT2180CL08-U，所述带通滤波器的型号具体为ACPF-W060，所述第一低通滤波器的型号具体为SCLF-420。
3.根据权利要求2所述的毫米波上变频装置，其特征在于，所述上变频模块包括第一放大器、上变频子模块和第一滤波器；
其中，所述第一放大器的输入端与本振源模块的输出端连接，所述第一放大器的输出端与所述上变频子模块的第一输入端连接，所述第一低通滤波器的输出端与所述上变频子模块的第二输入端连接，所述上变频子模块的输出端与第一滤波器的输入端连接。
4.根据权利要求3所述的毫米波上变频装置，其特征在于，所述上变频子模块包括变压器T1、变压器T2、变压器T3、变压器T4、NPN型三极管Q1、NPN型三极管Q2、NPN型三极管Q3、NPN型三极管Q4、NPN型三极管Q5、NPN型三极管Q6、NPN型三极管Q7和NPN型三极管Q8；
其中，所述变压器T1原边的一端作为上变频子模块的第二输入端，所述变压器T1原边的另一端接地，所述变压器T1副边的一端分别与所述NPN型三极管Q1的基极和NPN型三极管Q6的基极连接，所述变压器T1副边的另一端分别与所述NPN型三极管Q2的基极和NPN型三极管Q5的基极连接，所述NPN型三极管Q1的发射极分别与所述NPN型三极管Q2的发射极和NPN型三极管Q3的集电极连接，所述NPN型三极管Q3的基极与所述变压器T2副边的一端连接，所述变压器T2副边的另一端分别与所述NPN型三极管Q4的基极连接，所述变压器T2原边的一端作为上变频子模块的第一输入端，所述变压器T2原边的另一端接地，所述NPN型三极管Q3和NPN型三极管Q4的发射极接地，所述NPN型三极管Q4的集电极分别与所述NPN型三极管Q5的发射极和NPN型三极管Q6的发射极连接，所述NPN型三极管Q1的集电极分别与所述NPN型三极管Q5的集电极和变压器T3原边的一端连接，所述NPN型三极管Q2的集电极分别与所述NPN型三极管Q6的集电极和变压器T3原边的另一端连接；
所述变压器T3副边的一端与所述NPN型三极管Q7的基极连接，所述变压器T3副边的另一端与所述NPN型三极管Q8的基极连接，所述NPN型三极管Q7的发射极和NPN型三极管Q8的发射极均接地，所述NPN型三极管Q7的集电极与所述变压器T4原边的一端连接，所述NPN型三极管Q8的集电极与所述变压器T4原边的另一端连接，所述变压器T4副边的一端作为上变频子模块的输出端，所述变压器T4副边的另一端接地。
5.根据权利要求3所述的毫米波上变频装置，其特征在于，所述本振源模块具体为恒温晶振。
6.根据权利要求3所述的毫米波上变频装置，其特征在于，所述射频输出模块包括相互连接的第二低通滤波器和放大器，所述第二低通滤波器的输入端与所述第一滤波器的输出端连接；
所述第二低通滤波器的型号具体为SCLF-420。
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