CN217642684U - 一种单电源大电流可调的过流报警断电保护电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种单电源大电流可调的过流报警断电保护电路，由输入端子、采样电路、驱动电路、反馈电路、开关管、比较电路、限流设定、复位按键、报警电路、输出端子组成；单电源由输入端子输入，经过单电源大电流可调的过流报警断电保护电路后从输出端子输出给后级电路，限流值可以通过多圈精密电位器设定；正常状态时，绿色发光二极管LED2亮起，过流状态时，红色发光二极管LED1亮起、蜂鸣器报警，并控制开关管断开，以实现单电源大电流可调的过流报警断电保护。

Description

一种单电源大电流可调的过流报警断电保护电路

技术领域

本实用新型涉及过流报警断电保护技术领域，尤其涉及一种单电源大电流可调的过流报警断电保护电路。

背景技术

随着社会的飞速发展，电子技术领域也迅速发展，各种新型电子设备与仪器不断问世，但是在实际应用中，经常会因为操作人员的失误、负载的功率过大、器件的老化等因素，出现电流过大或者短路等情况，导致电源出现故障被烧坏，造成一定的经济损失，严重时甚至引发火灾。因此在电子电路设计中，为了避免出现上述情况，应增加过流保护电路的设计，但是目前常用的传统过流保护电路存在以下问题：(1)电路结构设计相对简单的限流值较小；(2)限流值大的结构复杂，需要专用的芯片或者采用有触点继电器才能实现大电流的限制；(3)限流范围有限，实用范围窄；(4)电路没有设计自锁功能，状态会反复切换带来损耗；(5)保护电路的开关管关断不彻底，有漏电流。

因此提供一种能适应多种不同限流值、限流范围大、成本较低、结构简单、器件易购的过流保护电路是十分有必要的。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种单电源大电流可调的过流报警断电保护电路，能适应不同限流值、限流范围大、结果简单、断电干净、无漏电流、带自锁和复位功能，能够实现过流报警、状态指示、快速断电。

为实现上述目的，本实用新型采用的一种单电源大电流可调的过流报警断电保护电路，由输入端子、采样电路、驱动电路、反馈电路、开关管、比较电路、限流设定、复位按键、报警电路、输出端子组成；单电源由输入端子输入，经过所述单电源大电流可调的过流报警断电保护电路后从输出端子输出给相连的后级电路，限流设定通过多圈精密电位器设定；正常状态时，绿色发光二极管LED2亮起，过流状态时，红色发光二极管LED1亮起、蜂鸣器报警，并控制开关管断开，以实现单电源大电流可调的过流报警断电保护。

进一步的，所述单电源大电流可调的过流报警断电保护电路包括采样电阻R1、多圈精密电位器R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电容C、电压比较器U、NPN晶体管Q1、PNP晶体管Q2、NPN晶体管Q3、PNP晶体管Q4、NPN晶体管Q5、MOSFET晶体管Q6、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、红色发光二极管LED1、绿色发光二极管LED2、蜂鸣器BEEP、复位按键RST、输入端子Vin+、输入端子Vin-、输出端子Vout+、输出端子Vout-；

所述采样电阻R1的一端分别与输入端子Vin+、多圈精密电位器R2的一端、电压比较器U的电源正极、电阻R3的一端、蜂鸣器BEEP的一端、PNP晶体管Q2的E极、电阻R9的一端连接，所述采样电阻R1的另一端分别与电压比较器U的反相输入端、PNP晶体管Q4的E极、电阻R11的一端、MOSFET晶体管Q6的S极连接；所述多圈精密电位器R2的一端还分别与输入端子Vin+、电压比较器U的电源正极、电阻R3的一端、蜂鸣器BEEP的一端、PNP晶体管Q2的E极、电阻R9的一端连接，所述多圈精密电位器R2的另一端分别与输入端子Vin-、电压比较器U的电源负极、电容C的一端、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、电阻R8的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、电阻R12的一端、输出端子Vout-连接，所述多圈精密电位器R2的可调端与电压比较器U的同相输入端连接；所述电阻R3的一端还分别与输入端子Vin+、电压比较器U的电源正极、蜂鸣器BEEP的一端、PNP晶体管Q2的E极、电阻R9的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与电压比较器U的输出端、电阻R4的一端、电容C的另一端连接；所述电阻R4的一端还分别与电压比较器U的输出端、电容C的另一端连接，所述电阻R4的另一端与二极管D1的阳极连接；所述电阻R5的一端与NPN晶体管Q1的B极连接，所述电阻R5的另一端分别与PNP晶体管Q2的C极、电阻R6的一端、电阻R8的另一端连接；所述电阻R6的一端还分别与PNP晶体管Q2的C极、电阻R8的另一端连接，所述电阻R6的另一端分别与二极管D1的阴极、复位按键RST的另一端、NPN晶体管Q3的B极连接；所述电阻R7的一端与PNP晶体管Q2的B极连接，所述电阻R7的另一端与二极管D2的阳极连接；所述电阻R8的一端还分别与输入端子Vin-、电压比较器U的电源负极、电容C的一端、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、电阻R12的一端、输出端子Vout-连接，所述电阻R8的另一端还与PNP晶体管Q2的C极连接；所述电阻R9的一端还分别与输入端子Vin+、电压比较器U的电源正极、蜂鸣器BEEP的一端、PNP晶体管Q2的E极连接，所述电阻R9的另一端分别与二极管D3的阳极、二极管D4的阳极连接；所述电阻R10的一端与发光二极管LED1的阳极连接，所述电阻R10的另一端与PNP晶体管Q4的B极连接；所述电阻R11的一端还分别与电压比较器U的反相输入端、PNP晶体管Q4的E极、MOSFET晶体管Q6的S极连接，所述电阻R11的另一端分别与PNP晶体管Q4的C极、NPN晶体管Q5的C极、MOSFET晶体管Q6的G极、电阻R12的另一端连接；所述电阻R12的一端分别与输入端子Vin-、电压比较器U的电源负极、电容C的一端、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接，所述电阻R12的另一端分别与PNP晶体管Q4的C极、NPN晶体管Q5的C极、MOSFET晶体管Q6的G极连接；

所述电容C的一端还分别与输入端子Vin-、电压比较器U的电源负极、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接，所述电容C的另一端还与电压比较器U的输出端连接；所述电压比较器U的电源正极还分别与输入端子Vin+、蜂鸣器BEEP的另一端、PNP晶体管Q2的E极连接，所述电压比较器U的电源负极还分别与输入端子Vin-、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接；所述电压比较器U的反相输入端还分别与PNP晶体管Q4的E极、MOSFET晶体管Q6的S极连接；

所述NPN晶体管Q1的C极与蜂鸣器BEEP的另一端连接，所述NPN晶体管Q1的E极还分别与输入端子Vin-、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接；所述PNP晶体管Q2的E极分别与输入端子Vin+、蜂鸣器BEEP的一端连接；所述NPN晶体管Q3的C极分别与二极管D2的阴极、发光二极管LED1的阴极、二极管D3的阴极连接，所述NPN晶体管Q3的B极分别与二极管D1的阴极、复位按键RST的另一端连接，所述NPN晶体管Q3的E极分别与输入端子Vin-、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接；所述PNP晶体管Q4的E极与MOSFET晶体管Q6的S极连接，所述PNP晶体管Q4的C极分别与NPN晶体管Q5的C极、MOSFET晶体管Q6的G极连接；所述NPN晶体管Q5的C极与MOSFET晶体管Q6的G极连接，所述NPN晶体管Q5的B极与发光二极管LED2的阴极连接，所述NPN晶体管Q5的E极分别与输入端子Vin-、复位按键RST的一端、输出端子Vout-连接；所述MOSFET晶体管Q6的D极还与输出端子Vout+连接；

所述二极管D1的阴极还与复位按键RST的另一端连接；所述二极管D2的阴极分别与发光二极管LED1的阴极、二极管D3的阴极连接；所述二极管D3的阳极与二极管D4的阳极连接，所述二极管D3的阴极与发光二极管LED1的阴极；所述二极管D4的阴极与发光二极管LED2的阳极连接；

所述蜂鸣器BEEP的一端还与输入端子Vin+连接，所述复位按键RST的一端还分别与输入端子Vin-、输出端子Vout-连接。

本实用新型的有益效果体现在：

(1)限流值可通过多圈精密电位器进行设定，精度高、范围大、操作方便；

(2)开关管采用MOSFET，可以实现大电流的控制；

(3)电源的适用范围宽，选择合适的电压比较器即可；

(4)采样电阻可以根据具体应用电路的功率大小选择；

(5)当电路出现过流情况时，不仅可以通过蜂鸣器发出报警，而且还可以通过LED灯指示电路的状态；

(6)当电路进入保护状态并排除故障后，可通过复位按键对电路进行复位工作；

(7)整个电路反应灵敏、断电干净、成本低廉、器件易购。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型的设计框图。

图2是本实用新型的电路原理图。

1-输入端子、2-采样电路、3-驱动电路、4-反馈电路、5-开关管、6-比较电路、7-限流设定、8-复位按键、9-报警电路、10-输出端子。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

请参阅图1和图2，本实用新型提供了一种单电源大电流可调的过流报警断电保护电路，由输入端子1、采样电路2、驱动电路3、反馈电路4、开关管5、比较电路6、限流设定7、复位按键8、报警电路9、输出端子10组成，所述输入端子1、采样电路2、驱动电路3、反馈电路4、开关管5、比较电路6、限流设定7、复位按键8、报警电路9、输出端子10单元之间采用电性连接

单电源由输入端子1输入，经过单电源大电流可调的过流报警断电保护电路后从输出端子2输出，限流值可以通过多圈精密电位器设定，正常状态时，绿色发光二极管LED2，过流状态时，发光二极管LED1灯亮起、蜂鸣器报警，并控制开关管断开，以实现单电源大电流可调的过流报警断电保护。

所述单电源大电流可调的过流报警断电保护电路包括采样电阻R1、多圈精密电位器R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电容C、电压比较器U、NPN晶体管Q1、PNP晶体管Q2、NPN晶体管Q3、PNP晶体管Q4、NPN晶体管Q5、MOSFET晶体管Q6、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、红色发光二极管LED1、绿色发光二极管LED2、蜂鸣器BEEP、复位按键RST、输入端子Vin+、输入端子Vin-、输出端子Vout+、输出端子Vout-；

所述采样电阻R1的一端分别与输入端子Vin+、多圈精密电位器R2的一端、电压比较器U的电源正极、电阻R3的一端、蜂鸣器BEEP的一端、PNP晶体管Q2的E极、电阻R9的一端连接，所述采样电阻R1的另一端分别与电压比较器U的反相输入端、PNP晶体管Q4的E极、电阻R11的一端、MOSFET晶体管Q6的S极连接；所述多圈精密电位器R2的一端还分别与输入端子Vin+、电压比较器U的电源正极、电阻R3的一端、蜂鸣器BEEP的一端、PNP晶体管Q2的E极、电阻R9的一端连接，所述多圈精密电位器R2的另一端分别与输入端子Vin-、电压比较器U的电源负极、电容C的一端、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、电阻R8的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、电阻R12的一端、输出端子Vout-连接，所述多圈精密电位器R2的可调端与电压比较器U的同相输入端连接；所述电阻R3的一端还分别与输入端子Vin+、电压比较器U的电源正极、蜂鸣器BEEP的一端、PNP晶体管Q2的E极、电阻R9的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与电压比较器U的输出端、电阻R4的一端、电容C的另一端连接；所述电阻R4的一端还分别与电压比较器U的输出端、电容C的另一端连接，所述电阻R4的另一端与二极管D1的阳极连接；所述电阻R5的一端与NPN晶体管Q1的B极连接，所述电阻R5的另一端分别与PNP晶体管Q2的C极、电阻R6的一端、电阻R8的另一端连接；所述电阻R6的一端还分别与PNP晶体管Q2的C极、电阻R8的另一端连接，所述电阻R6的另一端分别与二极管D1的阴极、复位按键RST的另一端、NPN晶体管Q3的B极连接；所述电阻R7的一端与PNP晶体管Q2的B极连接，所述电阻R7的另一端与二极管D2的阳极连接；所述电阻R8的一端还分别与输入端子Vin-、电压比较器U的电源负极、电容C的一端、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、电阻R12的一端、输出端子Vout-连接，所述电阻R8的另一端还与PNP晶体管Q2的C极连接；所述电阻R9的一端还分别与输入端子Vin+、电压比较器U的电源正极、蜂鸣器BEEP的一端、PNP晶体管Q2的E极连接，所述电阻R9的另一端分别与二极管D3的阳极、二极管D4的阳极连接；所述电阻R10的一端与发光二极管LED1的阳极连接，所述电阻R10的另一端与PNP晶体管Q4的B极连接；所述电阻R11的一端还分别与电压比较器U的反相输入端、PNP晶体管Q4的E极、MOSFET晶体管Q6的S极连接，所述电阻R11的另一端分别与PNP晶体管Q4的C极、NPN晶体管Q5的C极、MOSFET晶体管Q6的G极、电阻R12的另一端连接；所述电阻R12的一端分别与输入端子Vin-、电压比较器U的电源负极、电容C的一端、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接，所述电阻R12的另一端分别与PNP晶体管Q4的C极、NPN晶体管Q5的C极、MOSFET晶体管Q6的G极连接；

所述电容C的一端还分别与输入端子Vin-、电压比较器U的电源负极、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接，所述电容C的另一端还与电压比较器U的输出端连接；所述电压比较器U的电源正极还分别与输入端子Vin+、蜂鸣器BEEP的另一端、PNP晶体管Q2的E极连接，所述电压比较器U的电源负极还分别与输入端子Vin-、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接；所述电压比较器U的反相输入端还分别与PNP晶体管Q4的E极、MOSFET晶体管Q6的S极连接；

所述NPN晶体管Q1的C极与蜂鸣器BEEP的另一端连接，所述NPN晶体管Q1的E极还分别与输入端子Vin-、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接；所述PNP晶体管Q2的E极分别与输入端子Vin+、蜂鸣器BEEP的一端连接；所述NPN晶体管Q3的C极分别与二极管D2的阴极、发光二极管LED1的阴极、二极管D3的阴极连接，所述NPN晶体管Q3的B极分别与二极管D1的阴极、复位按键RST的另一端连接，所述NPN晶体管Q3的E极分别与输入端子Vin-、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接；所述PNP晶体管Q4的E极与MOSFET晶体管Q6的S极连接，所述PNP晶体管Q4的C极分别与NPN晶体管Q5的C极、MOSFET晶体管Q6的G极连接；所述NPN晶体管Q5的C极与MOSFET晶体管Q6的G极连接，所述NPN晶体管Q5的B极与发光二极管LED2的阴极连接，所述NPN晶体管Q5的E极分别与输入端子Vin-、复位按键RST的一端、输出端子Vout-连接；所述MOSFET晶体管Q6的D极还与输出端子Vout+连接；

所述二极管D1的阴极还与复位按键RST的另一端连接；所述二极管D2的阴极分别与发光二极管LED1的阴极、二极管D3的阴极连接；所述二极管D3的阳极与二极管D4的阳极连接，所述二极管D3的阴极与发光二极管LED1的阴极；所述二极管D4的阴极与发光二极管LED2的阳极连接；

所述蜂鸣器BEEP的一端还与输入端子Vin+连接，所述复位按键RST的一端还分别与输入端子Vin-、输出端子Vout-连接。

本实用新型的工作原理是：利用电压比较器U对采样电阻R1两端的电压进行比较，假设电路中的电流为I，则采样电阻R1的一端为输入端子Vin+，通过多圈精密可调电位器R2与电压比较器U的同相输入端连接，采样电阻R2的另一端为(Vin+-I*R2)，直接与电压比较器的U反相输入端和开关管连接；当I<Iset时，电压比较器U反相输入端电压uN大于同相输入端电压uP，此时电压比较器U输出低电平，进而控制驱动电路将开关管使能开通，此状态为电路正常状态；当I≥Iset时，电压比较器U反相输入端电压uN小于同相输入端电压uP，此时电压比较器U输出高电平，进而控制驱动电路将开关管使能关闭，此状态为电路保护状态；当电路达到限流值后电路将进入保护状态，并发出警报声，待后级电路故障排除后，可通过复位按键RST给驱动电路一个复位信号将电路恢复正常状态。

本实用新型的工作过程是：首先通过多圈精密可调电位器R2对限流值进行设定，电路正常工作时，电路中的发光二极管LED2亮起，发光二极管LED1熄灭；其次，当电路的工作电流达到设定值后，电路将通过蜂鸣器BEEP发出警报声，并且电路中的发光二极管LED1亮起，发光二极管LED2熄灭，此时应该对后级电路进行检查并排除故障，当故障排除后，可以通过复位按键RST对电路进行复位，使电路恢复到正常状态。若后级电路故障并未查出或排除，保护电路将快速再次进入保护状态，此时应当继续对后级电路进行检查并排除故障，直至电路恢复到正常状态。

综上所述：本实用新型根据后级电路的工作电流实现过流报警断电保护；实现不同限流值、限流范围大的过流保护，适用于绝大多数电子设计电路、电子设备与仪器等场合；本实用新型实现大电流的过流保护，保证了后级电路的可靠工作，适用于功率较大的电路或仪器设备；本实用新型带自锁功能设计、简单可调、适用范围广，并且有报警和状态指示功能，当达到电流设定值的时候，会同时通过蜂鸣器发声和LED状态指示，以达到保护和提示的功能。本实用新型反应灵敏、断电干净、没有漏电流，可靠的保护电路，适用于各种电子设计电路；本实用新型结构简单、容易实现，且所述构成元件均为市售元件且成本低。

以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属于实用新型所涵盖的范围。

Claims (2)

1.一种单电源大电流可调的过流报警断电保护电路，其特征在于，

由输入端子、采样电路、驱动电路、反馈电路、开关管、比较电路、限流设定、复位按键、报警电路、输出端子组成；单电源由输入端子输入，经过所述单电源大电流可调的过流报警断电保护电路后从输出端子输出给相连的后级电路，限流设定通过多圈精密电位器设定；正常状态时，绿色发光二极管LED2亮起，过流状态时，红色发光二极管LED1亮起、蜂鸣器报警，并控制开关管断开，以实现单电源大电流可调的过流报警断电保护。

2.如权利要求1所述的一种单电源大电流可调的过流报警断电保护电路，其特征在于，

所述单电源大电流可调的过流报警断电保护电路包括采样电阻R1、多圈精密电位器R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电容C、电压比较器U、NPN晶体管Q1、PNP晶体管Q2、NPN晶体管Q3、PNP晶体管Q4、NPN晶体管Q5、MOSFET晶体管Q6、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、红色发光二极管LED1、绿色发光二极管LED2、蜂鸣器BEEP、复位按键RST、输入端子Vin+、输入端子Vin-、输出端子Vout+、输出端子Vout-；

所述采样电阻R1的一端分别与输入端子Vin+、多圈精密电位器R2的一端、电压比较器U的电源正极、电阻R3的一端、蜂鸣器BEEP的一端、PNP晶体管Q2的E极、电阻R9的一端连接，所述采样电阻R1的另一端分别与电压比较器U的反相输入端、PNP晶体管Q4的E极、电阻R11的一端、MOSFET晶体管Q6的S极连接；所述多圈精密电位器R2的一端还分别与输入端子Vin+、电压比较器U的电源正极、电阻R3的一端、蜂鸣器BEEP的一端、PNP晶体管Q2的E极、电阻R9的一端连接，所述多圈精密电位器R2的另一端分别与输入端子Vin-、电压比较器U的电源负极、电容C的一端、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、电阻R8的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、电阻R12的一端、输出端子Vout-连接，所述多圈精密电位器R2的可调端与电压比较器U的同相输入端连接；所述电阻R3的一端还分别与输入端子Vin+、电压比较器U的电源正极、蜂鸣器BEEP的一端、PNP晶体管Q2的E极、电阻R9的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与电压比较器U的输出端、电阻R4的一端、电容C的另一端连接；所述电阻R4的一端还分别与电压比较器U的输出端、电容C的另一端连接，所述电阻R4的另一端与二极管D1的阳极连接；所述电阻R5的一端与NPN晶体管Q1的B极连接，所述电阻R5的另一端分别与PNP晶体管Q2的C极、电阻R6的一端、电阻R8的另一端连接；所述电阻R6的一端还分别与PNP晶体管Q2的C极、电阻R8的另一端连接，所述电阻R6的另一端分别与二极管D1的阴极、复位按键RST的另一端、NPN晶体管Q3的B极连接；所述电阻R7的一端与PNP晶体管Q2的B极连接，所述电阻R7的另一端与二极管D2的阳极连接；所述电阻R8的一端还分别与输入端子Vin-、电压比较器U的电源负极、电容C的一端、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、电阻R12的一端、输出端子Vout-连接，所述电阻R8的另一端还与PNP晶体管Q2的C极连接；所述电阻R9的一端还分别与输入端子Vin+、电压比较器U的电源正极、蜂鸣器BEEP的一端、PNP晶体管Q2的E极连接，所述电阻R9的另一端分别与二极管D3的阳极、二极管D4的阳极连接；所述电阻R10的一端与发光二极管LED1的阳极连接，所述电阻R10的另一端与PNP晶体管Q4的B极连接；所述电阻R11的一端还分别与电压比较器U的反相输入端、PNP晶体管Q4的E极、MOSFET晶体管Q6的S极连接，所述电阻R11的另一端分别与PNP晶体管Q4的C极、NPN晶体管Q5的C极、MOSFET晶体管Q6的G极、电阻R12的另一端连接；所述电阻R12的一端分别与输入端子Vin-、电压比较器U的电源负极、电容C的一端、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接，所述电阻R12的另一端分别与PNP晶体管Q4的C极、NPN晶体管Q5的C极、MOSFET晶体管Q6的G极连接；

所述电容C的一端还分别与输入端子Vin-、电压比较器U的电源负极、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接，所述电容C的另一端还与电压比较器U的输出端连接；所述电压比较器U的电源正极还分别与输入端子Vin+、蜂鸣器BEEP的另一端、PNP晶体管Q2的E极连接，所述电压比较器U的电源负极还分别与输入端子Vin-、NPN晶体管Q1的E极、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接；所述电压比较器U的反相输入端还分别与PNP晶体管Q4的E极、MOSFET晶体管Q6的S极连接；

所述NPN晶体管Q1的C极与蜂鸣器BEEP的另一端连接，所述NPN晶体管Q1的E极还分别与输入端子Vin-、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q3的E极、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接；所述PNP晶体管Q2的E极分别与输入端子Vin+、蜂鸣器BEEP的一端连接；所述NPN晶体管Q3的C极分别与二极管D2的阴极、发光二极管LED1的阴极、二极管D3的阴极连接，所述NPN晶体管Q3的B极分别与二极管D1的阴极、复位按键RST的另一端连接，所述NPN晶体管Q3的E极分别与输入端子Vin-、复位按键RST的一端、NPN晶体管Q5的E极、输出端子Vout-连接；所述PNP晶体管Q4的E极与MOSFET晶体管Q6的S极连接，所述PNP晶体管Q4的C极分别与NPN晶体管Q5的C极、MOSFET晶体管Q6的G极连接；所述NPN晶体管Q5的C极与MOSFET晶体管Q6的G极连接，所述NPN晶体管Q5的B极与发光二极管LED2的阴极连接，所述NPN晶体管Q5的E极分别与输入端子Vin-、复位按键RST的一端、输出端子Vout-连接；所述MOSFET晶体管Q6的D极还与输出端子Vout+连接；

所述二极管D1的阴极还与复位按键RST的另一端连接；所述二极管D2的阴极分别与发光二极管LED1的阴极、二极管D3的阴极连接；所述二极管D3的阳极与二极管D4的阳极连接，所述二极管D3的阴极与发光二极管LED1的阴极；所述二极管D4的阴极与发光二极管LED2的阳极连接；

所述蜂鸣器BEEP的一端还与输入端子Vin+连接，所述复位按键RST的一端还分别与输入端子Vin-、输出端子Vout-连接。

Images