CN217586976U - 实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置,其特征在于:其中光学装置的光路方向上依次设置有相机、远心成像镜头、四面合像复合棱镜组件、四组转像棱镜组件、半导体晶粒和玻璃载物转盘,所述四面合像复合棱镜组件位于远心成像镜头的光轴上;该检测装置与方法简化了筛选机系统的结构复杂性,降低了筛选机系统的成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置。
背景技术
半导体致冷器件晶粒表面缺陷的检测是半导体制冷器生产制造过程必要的质量管控手段,现有公布专利提出了多种实现半导体晶粒双面等光程成像检测方法,但是迄今已提出的专利方法(如专利申请号201911369257.3、202010133044.7、202010250856.X、202021124017.5)只适用于半导体晶粒的相邻两侧面或相对两侧面成像检测,如果需要实现半导体晶粒四个侧面的检测,需要采用两个检测工位、两套检测设备才能获得半导体晶粒四个侧面的成像检测。
实用新型内容
鉴于现有技术的上述问题,本实用新型提供一种实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置,该检测装置与方法简化了筛选机系统的结构复杂性,降低了筛选机系统的成本。
本实用新型实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置,其特征在于:在光学装置的光路方向上依次设置有相机、远心成像镜头、四面合像复合棱镜组件、四组转像棱镜组件、半导体晶粒和玻璃载物转盘,所述四面合像复合棱镜组件位于远心成像镜头的光轴上;
四组转像棱镜组件分别是第一组转像棱镜组件、第二组转像棱镜组件、第三组转像棱镜组件和第四组转像棱镜组件,其中第一组转像棱镜组件与第三组转像棱镜组件关于第一对称中心面对称,其中第二组转像棱镜组件与第四组转像棱镜组件关于第二对称中心面对称,第一对称中心面与第二对称中心面的相交线与光轴重合;
其中第一组转像棱镜组件与第三组转像棱镜组件均包括上、下相邻设置的第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜,所述第一直角转像棱镜的第一直角面平行于远心成像镜头的光轴且靠近四面合像复合棱镜组件的成像输入面,所述第一直角转像棱镜的第二直角面垂直于远心成像镜头的光轴,第一直角转像棱镜的斜面背向远心成像镜头光轴并与其形成45度夹角,第一直角转像棱镜的斜面为全反射面;
所述第二直角转像棱镜的第一直角面垂直于远心成像镜头的光轴且靠近第一直角转像棱镜的第二直角面,所述第二直角转像棱镜的第二直角面平行且靠近远心成像镜头的光轴,第二直角转像棱镜的斜面背向远心成像镜头光轴并与其形成45度夹角,第二直角转像棱镜的斜面为全反射面;
其中第二组转像棱镜组件与第四组转像棱镜组件均包括上、下相邻设置的第三直角转像棱镜和第四直角转像棱镜,所述第三直角转像棱镜的第一直角面平行于远心成像镜头的光轴且靠近四面合像复合棱镜组件的成像输入面,所述第三直角转像棱镜的第二直角面垂直于远心成像镜头的光轴,第三直角转像棱镜的斜面背向远心成像镜头光轴并与其形成45度夹角,第三直角转像棱镜的斜面为全反射面;
所述第四直角转像棱镜的第一直角面垂直于远心成像镜头的光轴且靠近第三直角转像棱镜的第二直角面,所述第四直角转像棱镜的第二直角面平行且远离远心成像镜头的光轴,第四直角转像棱镜的斜面靠近远心成像镜头光轴并与其形成45度夹角,第四直角转像棱镜的斜面为全反射面;
所述四面合像复合棱镜组件呈长方体状,在其下部体内设有呈正四面体状的凹槽,所述凹槽的壁面为全反射面,四面合像复合棱镜的四个侧壁面为成像输入面,四面合像复合棱镜的天面为成像输出面;
所述半导体晶粒由玻璃载物转盘支撑并随之转动,并在第四直角转像棱镜的下方且垂直于光轴的方向移动。
进一步的,上述第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜自转一个角度θ,θ=1-45度,使所述第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜的斜面与远心成像镜头光轴形成45-θ的夹角。
进一步的,上述四面合像复合棱镜组件由4个的转像棱镜拼合而成,所述转像棱镜均由三棱镜裁切形成,裁切面穿过三棱镜第一个棱边上的一个点和三棱镜另外两个棱边的下端点,4个转像棱镜的第一个棱边相互贴近形成四面合像复合棱镜组件。
进一步的,上述第二直角转像棱镜或第四直角转像棱镜的下端与半导体晶粒天面的距离d=0.5-1.0mm,所述第二直角转像棱镜或第四直角转像棱镜的下端与半导体晶粒的距离WD=42-65mm。
进一步的,上述θ=1-5度。
进一步的,上述相机是CMOS相机或CCD相机。
进一步的,上述直角面、成像输入面和成像输出面可透光,各斜面和凹槽的壁面通过贴覆全反射膜或是镀全反射膜层实现其全反射功能。
进一步的,上述四面合像复合棱镜组件和四组转像棱镜组件在光轴长度方向上位置可调。
本实用新型实现半导体晶粒两端面与两侧面等光程非同步成像检测的方法,
当半导体晶粒位于检测装置的左侧时,其在行进方向上的前端面离一组第四直角转像棱镜的距离为给定工作距离WD时,前端面经该组第四直角转像棱镜、第三直角转像棱镜及四面合像复合棱镜组件转像后在相机传感器上成像,该成像为第一图像;
当半导体晶粒运动到远心成像镜头光轴正下方视场中心时,半导体晶粒的两个侧面分别经两组相对设置的第二直角转像棱镜、第一直角转像棱镜和四面合像复合棱镜组件转像后在相机传感器上成像,该成像为第二图像;
当半导体晶粒位于检测装置的右侧时,其在行进方向上的后端面离另一组第四直角转像棱镜的距离为给定工作距离WD时,后端面分别经第四直角转像棱镜、第三直角转像棱镜及四面合像复合棱镜组件转像后在相机传感器上成像,该成像为第三图像;
通过将第一图像、第二图像和第三图像层叠拼合即形成导体晶粒的行进方向上的前后端面和两个侧面的成像,即实现半导体晶粒的两端面与两侧面的成像检测。
进一步的,上述第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜自转一个角度θ,θ=1-45度,使所述第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜的斜面与远心成像镜头光轴形成45-θ的夹角。
本实用新型实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置的优点:
1)本实用新型通过使用四面合像复合棱镜组件与四组转像棱镜组件实现了一个检测工位用于检测运动中的晶粒的两个端面与两个侧面,简化了系统的结构复杂性,提高了系统的检测效率,降低了检测系统的成本;
2)本检测装置使用的第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜安装在玻璃转盘及待测晶的上方,无需与待测晶粒表面接触,可实现待测晶粒两端面与两个侧面的动态检测;
3)本检测装置加上一个检测晶粒相对两个面(天面与底面)的工位,可以实现一台筛选机上完成晶粒六个面的同时成像检测,有效减少漏检比例。
附图说明
图1、2是现有半导体晶粒相对两表面检测装置的结构示意图;
图3、4是现有半导体晶粒相邻面检测装置的结构示意图;
图5是本实用新型装置一种实施例的立体结构示意图;
图6是图5第二对称中心面Y的剖面构造示意图;
图7是图6的局部视图;
图8是图5第一对称中心面X的剖面构造示意图;
图9是图8的局部视图;
图10是图9另一种实施例的构造示意图(即相对于图9第四直角转像棱镜自转一个角度θ);
图11是图7另一种实施例的构造示意图(即即相对于图7第二直角转像棱镜自转一个角度θ);
图12是四面合像复合棱镜组件的立体构造示意图;
图13是图12中一转像棱镜的立体构造示意图;
图14是相机靶面采集到的半导体晶粒的第一图像。
图15是相机靶面采集到的半导体晶粒的第二图像。
图16是相机靶面采集到的半导体晶粒的第三图像。
图17是拼合三张图像形成的半导体晶粒两端面与两侧面的图像。
具体实施方式
下面参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
如图5-17,本实用新型实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置,在光学装置的光路方向上依次设置有相机1、远心成像镜头2、四面合像复合棱镜组件3、四组转像棱镜组件K、半导体晶粒6和玻璃载物转盘7,所述四面合像复合棱镜组件3位于远心成像镜头的光轴A上。
其中半导体晶粒6呈长方体状或正方体状,其包括前端面6a、后端面6b、两侧面6c6d、天面和底面,本申请可针对半导体晶粒前端面6a、后端面6b和两侧面6c 6d的检测;半导体晶粒6由玻璃载物转盘7支撑并随之转动,该玻璃载物转盘7可以通过电机等驱动持续或间隙性的转动,相机1可以是CMOS相机或CCD相机等;四面合像复合棱镜组件和四组转像棱镜组件在光轴长度方向上位置可调。
四组转像棱镜组件K分别是第一组转像棱镜组件K1、第二组转像棱镜组件K2、第三组转像棱镜组件K3和第四组转像棱镜组件K4,其中第一组转像棱镜组件K1与第三组转像棱镜组件K3关于第一对称中心面X对称,其中第二组转像棱镜组件K2与第四组转像棱镜组件K4关于第二对称中心面Y对称,第一对称中心面与第二对称中心面的相交线与光轴A重合。
其中第一组转像棱镜组件K1与第三组转像棱镜组件K3均包括上、下相邻设置的第一直角转像棱镜4a和第二直角转像棱镜4b(如图6、7所示),所述第一直角转像棱镜4a的第一直角面401平行于远心成像镜头的光轴且靠近四面合像复合棱镜组件的成像输入面301(四面合像复合棱镜组件呈正方体状,其具有四个成像输入面301,该四个成像输入面301相对的两个面也关于第一对称中心面X或第二对称中心面Y对称,该第一直角面401与一成像输入面301平行),所述第一直角转像棱镜的第二直角面402垂直于远心成像镜头的光轴,该第二直角面402也垂直于前述的一成像输入面301,第一直角转像棱镜的斜面403背向远心成像镜头光轴并与其形成45度夹角,第一直角转像棱镜的斜面403为全反射面。
所述第二直角转像棱镜4b的第一直角面404垂直于远心成像镜头的光轴且靠近、平行于第一直角转像棱镜的第二直角面402,所述第二直角转像棱镜的第二直角面405平行且靠近远心成像镜头的光轴,该第二直角面405也垂直于前述第一直角面404,第二直角转像棱镜的斜面406背向远心成像镜头光轴并与其形成45度夹角,第二直角转像棱镜的斜面为全反射面。
其中第二组转像棱镜组件K2与第四组转像棱镜组件K4均包括上、下相邻设置的第三直角转像棱镜5a和第四直角转像棱镜5b(如图8、9所示),所述第三直角转像棱镜5a的第一直角面501平行于远心成像镜头的光轴且靠近、平行于四面合像复合棱镜组件的一成像输入面301,所述第三直角转像棱镜的第二直角面502垂直于远心成像镜头的光轴,第三直角转像棱镜的斜面503背向远心成像镜头光轴并与其形成45度夹角,第三直角转像棱镜的斜面为全反射面。
所述第四直角转像棱镜5b的第一直角面504垂直于远心成像镜头的光轴且靠近、平行于第三直角转像棱镜的第二直角面502,所述第四直角转像棱镜的第二直角面505平行且远离远心成像镜头的光轴,该第二直角面505也垂直于前述第一直角面504,第四直角转像棱镜的斜面506靠近远心成像镜头光轴并与其形成45度夹角,第四直角转像棱镜的斜面为全反射面。
所述四面合像复合棱镜组件呈长方体状或正方体状,在其下部体内设有呈正四面体状的凹槽302,所述凹槽的壁面303为全反射面,四面合像复合棱镜的四个侧壁面为成像输入面301,该四个成像输入面301相对的两个面也关于第一对称中心面X或第二对称中心面Y对称,四面合像复合棱镜的天面304为成像输出面,该四面合像复合棱镜的天面304垂直于光轴A。
所述半导体晶粒由玻璃载物转盘支撑并随之转动,并在第四直角转像棱镜5b的下方且垂直于光轴的方向移动。
上述各直角面、成像输入面、成像输出面可透光,各斜面或凹槽的壁面可通过贴覆全反射膜或是镀全反射膜层等方式实现其全反射功能。
上述第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜、第三直角转像棱镜和第四直角转像棱镜上、下布置,在左右方向上可以是平齐,也可以是错位,图7所示的第一直角转像棱镜与第二直角转像棱镜在左右方向错位,图9所示的第三直角转像棱镜与第四直角转像棱镜在左右方向无错位(允许错位一定距离),具体相对位置以调试实现半导体晶粒6的两个端面和两个侧面能够在相机传感器上采集获得图像。
另一种实施例,为了更好的将轴外物体转换为轴上物体,以便在相机传感器中心区域获得成像,上述第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜相对于前述实施例(即图6-9所示的实施例)可自转一个角度θ,上述θ可以在1-45度,较佳采用θ=1-5度,使所述第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜的斜面与远心成像镜头光轴形成45-θ的夹角,如θ=3度,第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜的斜面与远心成像镜头光轴形成42度的夹角。
上述实施例中四面合像复合棱镜组件3呈长方体状或正方体状,在其下部体内设有呈正四面体状的凹槽302,所述凹槽的壁面303为全反射面,四面合像复合棱镜的四个侧壁面为成像输入面301,四面合像复合棱镜的天面304为成像输出面;具体的四面合像复合棱镜组件3可以由4个的转像棱镜305拼合而成(如图12、13所示),当四面合像复合棱镜组件为正方体时,较佳采用四个相同的转像棱镜拼合而成,四个相同的转像棱镜均由直角三棱镜裁切形成,裁切面(也即后面形成的凹槽的壁面303)穿过三棱镜第一个棱边上的一个点306和三棱镜另外两个棱边的下端点307,4个转像棱镜的第一个棱边和棱面相互贴近粘接形成四面合像复合棱镜组件3(如图12、13所示)。
所述半导体晶粒6由玻璃载物转盘7支撑并随之转动,该玻璃载物转盘7可以通过电机等驱动转动,半导体晶粒6在第二和第四直角转像棱镜的下方且垂直于光轴的方向移动。
上述第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜的下端与半导体晶粒天面的距离d(包括图示的d1、d2)=0.5-1.0mm,在测量工位时,一种实施例是,第二直角转像棱镜、第四直角转像棱镜的下端与半导体晶粒的距离WD(包括WD1、WD2)=42-65mm,其中如图10所示的WD1=65mm,该WD1为半导体晶粒距离第四直角转像棱镜的下端等于65mm时,相机启动拍摄半导体晶粒端面图像,如图11所示的WD2=42mm,该WD2为半导体晶粒位于相机正下方时,第二直角转像棱镜的下端与半导体晶粒侧面的距离。
本申请通过上下调节该装置的合像复合棱镜组件3的位置来调整两个端面与两个侧面的像离CMOS相机1的成像传感器中心的距离,以便将轴外点成像到接近相机传感器面的视场中心区域。
其中光路走向为:
如图5-13所示,当半导体晶粒位于检测装置的左侧时,半导体晶粒在行进方向上的前端面6a离一组第四直角转像棱镜的距离为给定工作距离WD1=65mm时,前端面6a经该组第四直角转像棱镜5b(从第四直角转像棱镜5b的第二直角面505入射,经第四直角转像棱镜5b的斜面506反射,从第四直角转像棱镜5b的第一直角面504出射)、第三直角转像棱镜5a(从第三直角转像棱镜5a的第二直角面502入射,经第三直角转像棱镜5a的斜面503反射,从第三直角转像棱镜5a的第一直角面501出射)及四面合像复合棱镜组件3(从一成像输入面301入射,经壁面303反射,从天面304出射)转像后再经远心成像镜头2,最后在相机传感器上成像,该成像为第一图像(如图14所示);
如图5-13所示,当半导体晶粒运动到远心成像镜头光轴正下方视场中心时,半导体晶粒的两个侧面6c、6d分别经两组相对设置的第二直角转像棱镜4b(从第二直角转像棱镜4b的第二直角面405入射,经第二直角转像棱镜4b的斜面406反射,从第二直角转像棱镜4b的第一直角面404出射)、第一直角转像棱镜4a(从第一直角转像棱镜4a的第二直角面402入射,经第一直角转像棱镜4a的斜面403反射,从第一直角转像棱镜4a的第一直角面401出射)和四面合像复合棱镜组件3(从一成像输入面301入射,经壁面303反射,从天面304出射)转像后再经远心成像镜头2,最后在相机传感器上成像,该成像为第二图像(如图15所示),半导体晶粒在该工位一个图像形成两个侧面的成像;
如图5-13所示,当半导体晶粒位于检测装置的右侧时,半导体晶粒在行进方向上的后端面6b离一组第四直角转像棱镜的距离为给定工作距离WD1=65mm时,后端面6b同样经该组第四直角转像棱镜5b(从第四直角转像棱镜5b的第二直角面505入射,经第四直角转像棱镜5b的斜面506反射,从第四直角转像棱镜5b的第一直角面504出射)、第三直角转像棱镜5a(从第三直角转像棱镜5a的第二直角面502入射,经第三直角转像棱镜5a的斜面503反射,从第三直角转像棱镜5a的第一直角面501出射)及四面合像复合棱镜组件3(从一成像输入面301入射,经壁面303反射,从天面304出射)转像后再经远心成像镜头2,最后在相机传感器上成像,该成像为第三图像(如图16所示);
通过将第一图像、第二图像和第三图像层叠拼合即形成导体晶粒的行进方向上的前后端面和两个侧面的成像(如图17所示),即实现半导体晶粒的两端面与两侧面的成像检测。
当上述第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜自转3度(如图10、11所示),使所述第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜的斜面与远心成像镜头光轴形成42的夹角;其中光路走向为,也如前所述;通过将第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜自转一个角度,可使轴外物体转换为轴上物体,从而可更好的在相机传感器中心区域获得成像。
本实用新型实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置的优点:
4)本实用新型通过使用四面合像复合棱镜组件与四组转像棱镜组件实现了一个检测工位用于检测运动中的晶粒的两个端面与两个侧面,简化了系统的结构复杂性,提高了系统的检测效率,降低了检测系统的成本;
5)本检测装置使用的第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜安装在玻璃转盘及待测晶的上方,无需与待测晶粒表面接触,可实现待测晶粒两端面与两个侧面的动态检测;
6)本检测装置加上一个检测晶粒相对两个面(天面与底面)的工位,可以实现一台筛选机上完成晶粒六个面的同时成像检测,有效减少漏检比例。
最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其限制;尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明,所属领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本实用新型的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换;而不脱离本实用新型技术方案的精神,其均应涵盖在本实用新型请求保护的技术方案范围当中。
Claims (9)
1.一种实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置,其特征在于:在光学装置的光路方向上依次设置有相机、远心成像镜头、四面合像复合棱镜组件、四组转像棱镜组件、半导体晶粒和玻璃载物转盘,所述四面合像复合棱镜组件位于远心成像镜头的光轴上;
四组转像棱镜组件分别是第一组转像棱镜组件、第二组转像棱镜组件、第三组转像棱镜组件和第四组转像棱镜组件,其中第一组转像棱镜组件与第三组转像棱镜组件关于第一对称中心面对称,其中第二组转像棱镜组件与第四组转像棱镜组件关于第二对称中心面对称,第一对称中心面与第二对称中心面的相交线与光轴重合;
其中第一组转像棱镜组件与第三组转像棱镜组件均包括上、下相邻设置的第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜,所述第一直角转像棱镜的第一直角面平行于远心成像镜头的光轴且靠近四面合像复合棱镜组件的成像输入面,所述第一直角转像棱镜的第二直角面垂直于远心成像镜头的光轴,第一直角转像棱镜的斜面背向远心成像镜头光轴并与其形成45度夹角,第一直角转像棱镜的斜面为全反射面;
所述第二直角转像棱镜的第一直角面垂直于远心成像镜头的光轴且靠近第一直角转像棱镜的第二直角面,所述第二直角转像棱镜的第二直角面平行且靠近远心成像镜头的光轴,第二直角转像棱镜的斜面背向远心成像镜头光轴并与其形成45度夹角,第二直角转像棱镜的斜面为全反射面;
其中第二组转像棱镜组件与第四组转像棱镜组件均包括上、下相邻设置的第三直角转像棱镜和第四直角转像棱镜,所述第三直角转像棱镜的第一直角面平行于远心成像镜头的光轴且靠近四面合像复合棱镜组件的成像输入面,所述第三直角转像棱镜的第二直角面垂直于远心成像镜头的光轴,第三直角转像棱镜的斜面背向远心成像镜头光轴并与其形成45度夹角,第三直角转像棱镜的斜面为全反射面;
所述第四直角转像棱镜的第一直角面垂直于远心成像镜头的光轴且靠近第三直角转像棱镜的第二直角面,所述第四直角转像棱镜的第二直角面平行且远离远心成像镜头的光轴,第四直角转像棱镜的斜面靠近远心成像镜头光轴并与其形成45度夹角,第四直角转像棱镜的斜面为全反射面;
所述四面合像复合棱镜组件呈正方体状,在其下部体内设有呈正四面体状的凹槽,所述凹槽的壁面为全反射面,四面合像复合棱镜的四个侧壁面为成像输入面,四个侧壁面中的两个相对面关于第一对称中心面或第二对称中心面对称,四面合像复合棱镜的天面为成像输出面;
所述半导体晶粒由玻璃载物转盘支撑并随之转动,并在第四直角转像棱镜的下方且垂直于光轴的方向移动。
2.根据权利要求1所述的一种实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置,其特征在于:所述第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜自转一个角度θ,所述θ=1-45度,使所述第二直角转像棱镜和第四直角转像棱镜的斜面与远心成像镜头光轴形成45-θ度的夹角。
3.根据权利要求1或2所述的一种实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置,其特征在于:所述四面合像复合棱镜组件由4个的转像棱镜拼合而成。
4.根据权利要求3所述的一种实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置,其特征在于:所述转像棱镜均由三棱镜裁切形成,裁切面穿过三棱镜第一个棱边上的一个点和三棱镜另外两个棱边的下端点,4个转像棱镜的第一个棱边相互贴近形成四面合像复合棱镜组件。
5.根据权利要求4所述的一种实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置,其特征在于:所述第二直角转像棱镜或第四直角转像棱镜的下端与半导体晶粒天面的距离d=0.5-1.0mm,在半导体晶粒位于四面合像复合棱镜组件正下方时,所述第二直角转像棱镜的下端与半导体晶粒的距离WD=42mm。
6.根据权利要求2所述的一种实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置,其特征在于:所述θ=1-5度。
7.根据权利要求1所述的一种实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置,其特征在于:所述相机是CMOS相机或CCD相机。
8.根据权利要求1所述的一种实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置,其特征在于:所述直角面、成像输入面和成像输出面可透光,各斜面和凹槽的壁面通过贴覆全反射膜或是镀全反射膜层实现其全反射功能。
9.根据权利要求1所述的一种实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置,其特征在于:所述四面合像复合棱镜组件和四组转像棱镜组件在光轴长度方向上位置可调。
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CN202221132642.3U CN217586976U (zh) | 2022-05-12 | 2022-05-12 | 实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN217586976U true CN217586976U (zh) | 2022-10-14 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202221132642.3U Active CN217586976U (zh) | 2022-05-12 | 2022-05-12 | 实现半导体晶粒两端面与两侧面非同步等光程的检测装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN217586976U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN115561128A (zh) * | 2022-12-06 | 2023-01-03 | 泉州师范学院 | 实现半导体晶粒两端面非同步成像检测装置与方法 |
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- 2022-05-12 CN CN202221132642.3U patent/CN217586976U/zh active Active
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CN115561128A (zh) * | 2022-12-06 | 2023-01-03 | 泉州师范学院 | 实现半导体晶粒两端面非同步成像检测装置与方法 |
CN115561128B (zh) * | 2022-12-06 | 2023-03-24 | 泉州师范学院 | 实现半导体晶粒两端面非同步成像检测装置与方法 |
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