CN217544641U - 一种高压Mini LED发光器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种高压Mini LED发光器件，仅需要制备连接电极即能够实现大量的子发光元件的串联，无需额外进行打线而避免高压Mini LED发光器件短路的风险，不仅提高了高压Mini LED发光器件的可靠性，还有效降低了高压Mini LED发光器件的封装成本。

Description

一种高压Mini LED发光器件

技术领域

本实用新型涉及半导体发光器件技术领域，更为具体地说，涉及一种高压MiniLED(Mini Light-Emitting Diode，次毫米发光二极管)发光器件。

背景技术

随着发光二极管的快速发展，LED的应用日新月异，特别是LED在显示技术的发展。随着LED显示屏的分辨率越做越高，LED芯片的间距越来越小，芯片尺寸也越来越小。LED的电极及打线变成技术难点，其随着芯片尺寸变小和芯片间距变小。如Mini LED器件，尺寸介于50-200μm之间，对其电极进行打线尤为困难，目前常规芯片都采用倒装芯片电极结构结合键合技术。倒装芯片电极结构，虽然出光效率高，但在小尺寸芯片下，且在LED间距越来越小，打线和键合都变得不容易，而且短路风险也加大，使得LED的可靠性降低。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种高压Mini LED发光器件，有效解决现有技术存在的问题，仅需要制备连接电极即能够实现大量的子发光元件的串联，无需额外进行打线而避免高压Mini LED发光器件短路的风险，不仅提高了高压Mini LED发光器件的可靠性，还有效降低了高压Mini LED发光器件的封装成本。

为实现上述目的，本实用新型提供的技术方案如下：

一种高压Mini LED发光器件，包括：

发光元件，所述发光元件包括依次叠加的透光基板、第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电层；其中，所述发光元件在所述透明导电层一侧包括依次贯穿所述透明导电层至所述第一半导体层、且将所述发光元件分割为依次相邻的第一子发光元件至第N子发光元件的至少一个隔离槽，N为大于或等于2的整数；任意一个子发光元件在所述透光基板一侧包括贯穿所述透光基板的第一通孔，及依次贯穿所述透光基板至所述第二半导体层的第二通孔；

第一电极、第二电极和第一连接电极至第N-1连接电极，所述第一电极通过所述第一通孔与所述第N子发光元件的第一半导体层接触电连接，所述第二电极通过所述第二通孔与所述第一子发光元件的透明导电层接触电连接，及第i连接电极通过所述第一通孔与第i子发光元件的第一半导体层接触电连接，且所述第i连接电极通过所述第二通孔与第i+1子发光元件的透明导电层接触电连接，i为小于或等于N-1的正整数。

可选的，所述高压Mini LED发光器件还包括：

位于所述透明导电层背离所述透光基板一侧的保护层，且所述保护层填充所述隔离槽；

以及，位于所述透光基板与所述第一半导体层之间的缓冲层，其中，所述隔离槽贯穿至少部分所述缓冲层，及所述第一通孔和所述第二通孔贯穿所述缓冲层。

可选的，还包括：

位于所述透光基板背离所述第一半导体层一侧的反射结构，且所述第一通孔和所述第二通孔贯穿所述反射结构；

其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第i连接电极均位于所述反射结构背离所述透光基板一侧。

可选的，所述反射结构包括：

靠近所述透光基板的反射镜；

以及，位于所述反射镜背离所述透光基板一侧的绝缘层，且所述绝缘层延伸覆盖所述第一通孔和所述第二通孔的侧壁。

可选的，所述反射结构包括：位于所述透光基板背离所述第一半导体层一侧的绝缘DBR反射层。

可选的，第i子发光元件的第一通孔与第i+1子发光元件的第二通孔相邻。

可选的，所述第一电极和所述第二电极背离所述透光基板一侧表面位于同一水平面。

可选的，所述透光基板背离第一半导体层一侧包括凹槽部和环绕所述凹槽部的凸起部，其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第i连接电极均位于所述凹槽部。

可选的，所述凹槽部占用面积小于或等于所述透光基板背离所述第一半导体层表面的面积的95％；

以及，所述凹槽部背离所述第一半导体层一侧的第一表面与所述凸起部背离所述第一半导体层一侧的第二表面之间高度差为大于或等于2μm且小于或等于20μm。

可选的，所述第一电极、所述第二电极和所述第i连接电极背离所述第一半导体层一侧的表面，位于所述凹槽部背离所述第一半导体层一侧的第一表面与所述凸起部背离所述第一半导体层一侧的第二表面之间。

相较于现有技术，本实用新型提供的技术方案至少具有以下优点：

本实用新型提供了一种高压Mini LED发光器件，包括：发光元件，所述发光元件包括依次叠加的透光基板、第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电层；其中，所述发光元件在所述透明导电层一侧包括依次贯穿所述透明导电层至所述第一半导体层、且将所述发光元件分割为依次相邻的第一子发光元件至第N子发光元件的至少一个隔离槽，N为大于或等于2的整数；任意一个子发光元件在所述透光基板一侧包括贯穿所述透光基板的第一通孔，及依次贯穿所述透光基板至所述第二半导体层的第二通孔；第一电极、第二电极和第一连接电极至第N-1连接电极，所述第一电极通过所述第一通孔与所述第N子发光元件的第一半导体层接触电连接，所述第二电极通过所述第二通孔与所述第一子发光元件的透明导电层接触电连接，及第i连接电极通过所述第一通孔与第i子发光元件的第一半导体层接触电连接，且所述第i连接电极通过所述第二通孔与第i+1子发光元件的透明导电层接触电连接，i为小于或等于N-1的正整数。

由上述内容可知，本实用新型提供的技术方案，仅需要制备连接电极即能够实现大量的子发光元件的串联，无需额外进行打线而避免高压Mini LED发光器件短路的风险，不仅提高了高压Mini LED发光器件的可靠性，还有效降低了高压Mini LED发光器件的封装成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种高压Mini LED发光器件的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的另一种高压Mini LED发光器件的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的又一种高压Mini LED发光器件的结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的又一种高压Mini LED发光器件的结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的又一种高压Mini LED发光器件的结构示意图；

图6为本实用新型实施例提供的又一种高压Mini LED发光器件的结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的一种高压Mini LED发光器件的制作方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

正如背景技术所述，目前常规芯片都采用倒装芯片电极结构结合键合技术。倒装芯片电极结构，虽然出光效率高，但在小尺寸芯片下，且在LED间距越来越小，打线和键合都变得不容易，而且短路风险也加大，使得LED的可靠性降低。

基于此，本实用新型实施例提供了一种高压Mini LED发光器件及其制作方法，有效解决现有技术存在的问题，仅需要制备连接电极即能够实现大量的子发光元件的串联，无需额外进行打线而避免高压Mini LED发光器件短路的风险，不仅提高了高压Mini LED发光器件的可靠性，还有效降低了高压Mini LED发光器件的封装成本。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图7对本实用新型实施例提供的技术方案进行详细的描述。

参考图1所示，为本实用新型实施例提供的一种高压Mini LED发光器件的结构示意图，其中，下面以N为2为例进行说明，高压Mini LED发光器件包括：

发光元件，所述发光元件包括依次叠加的透光基板110、第一半导体层120、有源层130、第二半导体层140和透明导电层150；其中，所述发光元件在所述透明导电层150一侧包括依次贯穿所述透明导电层150至所述第一半导体层120、且将所述发光元件分割为依次相邻的第一子发光元件至第N子发光元件(如第一子发光元件101和第二子发光元件102)的至少一个隔离槽160，N为大于或等于2的整数；任意一个子发光元件在所述透光基板110一侧包括贯穿所述透光基板110的第一通孔170，及依次贯穿所述透光基板110至所述第二半导体层140的第二通孔180。

第一电极210、第二电极220和第一连接电极至第N-1连接电极(如图1所圈示出的第一连接电极231)，所述第一电极210通过所述第一通孔170与所述第N子发光元件(如第二子发光元件102)的第一半导体层110接触电连接，所述第二电极220通过所述第二通孔180与所述第一子发光元件101的透明导电层150接触电连接，及第i连接电极通过所述第一通孔170与第i子发光元件的第一半导体层110接触电连接，且所述第i连接电极通过所述第二通孔180与第i+1子发光元件的透明导电层150接触电连接，i为小于或等于N-1的正整数。

如图1所述，本实用新型实施例提供的第一连接电极231通过第一通孔170与第一子发光元件101的第一半导体层110接触电连接，且第一连接电极231通过第二通孔180与第二子发光元件102的透明导电层150接触电连接，第一连接电极231将第一子发光元件101和第二子发光元件102串联，且第一子发光元件101的第二电极220为高压Mini LED发光器件的输入端口(或输出端口)，及第二子发光元件102的第一电极210的高压Mini LED发光器件的输出端口(或输入端口)。

需要说明的是，本实用新型实施例提供的第一半导体层和第二半导体层中之一为N型半导体层，而另一个为P型半导体层。以及，本实用新型实施例提供的第一电极、第二电极和第i连接电极均与各自相应的通孔的内壁之间绝缘。

可以理解的，本实用新型实施例提供的技术方案，仅需要制备连接电极即能够实现大量的子发光元件的串联，无需额外进行打线而避免高压Mini LED发光器件短路的风险，不仅提高了高压Mini LED发光器件的可靠性，还有效降低了高压Mini LED发光器件的封装成本。

如图2所示，为本实用新型实施例提供的另一种高压Mini LED发光器件的结构示意图，其中，所述高压Mini LED发光器件还包括：

位于所述透明导电层150背离所述透光基板110一侧的保护层191，且所述保护层191填充所述隔离槽160，其中，保护层191为绝缘材料；以及，位于所述透光基板110与所述第一半导体层120之间的缓冲层192，其中，所述隔离槽160贯穿至少部分所述缓冲层192(即隔离槽160贯穿该缓冲层192，或者，隔离槽160仅贯穿部分缓冲层192，对此本实用新型不做具体限制)，及所述第一通孔170和所述第二通孔180贯穿所述缓冲层192。

可以理解的，本实用新型实施例提供的高压Mini LED发光器件还包括有位于透光基板与第一半导体层之间的缓冲层，提高了发光外延的制备质量。并且，通过保护层覆盖透明导电层和隔离槽，不仅能够起到避免器件磨损等作用，还能够进一步提高隔离槽对相邻子发光元件之间的绝缘隔离效果。需要说明的是，本实用新型提供的高压Mini LED发光器件还可以包括更多用于优化器件发光效率、可靠性等效果的结构层，对此本实用新型不做具体限制。

如图3所示，为本实用新型实施例提供的又一种高压Mini LED发光器件的结构示意图，其中，高压Mini LED发光器件还包括：

位于所述透光基板110背离所述第一半导体层120一侧的反射结构300，且所述第一通孔170和所述第二通孔180贯穿所述反射结构300。其中，所述第一电极210、所述第二电极220和所述第i连接电极均位于所述反射结构300背离所述透光基板110一侧。

可以理解的，本实用新型实施例提供的高压Mini LED发光器件，通过有源层的发光结构、透光基板和反射结构形成了ODR(Omnidirectional Reflector，全方位反射镜)的反射结构，进而能够提高高压Mini LED发光器件的出光效率。

在本实用新型一实施例中，本实用新型提供的反射结构可以由反射镜形成。如图4所示，为本实用新型实施例提供的又一种高压Mini LED发光器件的结构示意图，其中，本实用新型实施例提供的所述反射结构包括：

靠近所述透光基板110的反射镜310；以及，位于所述反射镜310背离所述透光基板110一侧的绝缘层320，且所述绝缘层320延伸覆盖所述第一通孔170和所述第二通孔180的侧壁，其中，本实用新型实施例提供的反射镜310可以为金属反射镜。

或者，本实用新型实施例提供的反射结构可以由DBR(Distributed BraggReflection，分布式布拉格)反射层形成。如图5所示，为本实用新型实施例提供的又一种高压Mini LED发光器件的结构示意图，其中，本实用新型实施例提供的所述反射结构包括：位于所述透光基板110背离所述第一半导体层120一侧的绝缘DBR反射层330。其中，本实用新型实施例提供的第一通孔170和第二通孔180侧壁的绝缘隔离结构可以与绝缘DBR反射层330同时制备，即所述绝缘DBR反射层330延伸覆盖所述第一通孔170和所述第二通孔180的侧壁。或者，本实用新型实施例提供的第一通孔170和第二通孔180侧壁的绝缘隔离结构可以是与绝缘DBR反射层330相独立的绝缘隔离层，对此本实用新型不做具体限制。

在本实用新型一实施例中，本实用新型提供的第i子发光元件的第一通孔与第i+1子发光元件的第二通孔相邻。如图1-5中任意一个所示，本实用新型实施例提供的第一子发光元件101的第一通孔170和第二子发光元件102的第二通孔180相邻，进而能够便于第一连接电极231通过该相邻的第一通孔170和第二通孔180将第一子发光元件101和第二子发光元件102串联。

可选的，本实用新型实施例提供的所述第一电极210和所述第二电极220背离所述透光基板110一侧表面位于同一水平面，且连接电极背离透光基板110一侧表面与第一电极210(或第二电极220)背离透光基板110一侧表面位于同一水平面或低于该水平面(其中低于该水平面即连接电极背离透光基板一侧表面位于第一电极或第二电极背离透光基板一侧表面与透光基板背离第一半导体层一侧表面之间)，以便于后续高压Mini LED发光器件与电路基板之间固定连接。

如图6所示，为本实用新型实施例提供的又一种高压Mini LED发光器件的结构示意图，其中，本实用新型实施例提供的所述透光基板110背离第一半导体层120一侧包括凹槽部1101和环绕所述凹槽部1101的凸起部1102，其中，所述第一电极210、所述第二电极220和所述第i连接电极均位于所述凹槽部1101，且凸起部1102背离第一半导体层120一侧的表面为裸露表面。进而，通过将第一电极210、第二电极220和连接电极设置于凹槽部1101，能够保证高压Mini LED发光器件在与电路基板固定键合时不易倾倒，提高器件的可靠性和成品率。

在本实用新型一实施例中，本实用新型提供的所述凹槽部1101占用面积小于或等于所述透光基板110背离所述第一半导体层120表面的面积的95％；以及，所述凹槽部1101背离所述第一半导体层120一侧的第一表面与所述凸起部1102背离所述第一半导体层120一侧的第二表面之间高度差d为大于或等于2μm且小于或等于20μm。其中，本实用新型实施例提供的透光基板的厚度小于或等于50μm。

可选的，本实用新型实施例提供的所述第一电极210、所述第二电极220和所述第i连接电极背离所述第一半导体层120一侧的表面，位于所述凹槽部1101背离所述第一半导体层120一侧的第一表面与所述凸起部1102背离所述第一半导体层120一侧的第二表面之间。

本实用新型还提供了一种高压Mini LED发光器件的制作方法，下面通过制作方法对本实用新型实施例提供的高压Mini LED发光器件进行更详细的描述。制作方法用于制作上述任意一实施例提供的高压Mini LED发光器件，如图7所示，为本实用新型实施例提供的一种高压Mini LED发光器件的制作方法的流程图，其中，制作方法包括：

S1、在透光基板上依次外延形成第一半导体层、有源层和第二半导体层；

S2、在所述第二半导体层背离所述透光基板一侧表面上形成透明导电层得到发光元件；

S3、自所述透明导电层起形成贯穿所述透明导电层、所述第二半导体层、所述有源层和所述第一半导体层的至少一个隔离槽，所述隔离槽将所述发光元件分割为依次相邻的第一子发光元件至第N子发光元件，N为大于或等于2的整数；

S4、在任意一个子发光元件中，自所述透光基板起形成贯穿所述透光基板的第一通孔，及依次贯穿所述透光基板至所述第二半导体层的第二通孔；

S5、在所述透光基板背离第一半导体层一侧形成第一电极、第二电极和第一连接电极至第N-1连接电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述第N子发光元件的第一半导体层接触电连接，所述第二电极通过所述第二通孔与所述第一子发光元件的透明导电层接触电连接，及第i连接电极通过所述第一通孔与第i子发光元件的第一半导体层接触电连接，且所述第i连接电极通过所述第二通孔与第i+1子发光元件的透明导电层接触电连接，i为小于或等于N-1的正整数。

在本实用新型一实施例中，为了改善器件磨损和短接的风险，本实用新型可以形成绝缘的保护层对透明导电层和隔离层进行保护。即，在所述步骤S3之后和步骤S4之前，还包括：在所述透明导电层背离所述透光基板一侧形成保护层，且所述保护层填充所述隔离槽。

以及，为了保证发光元件的外延制备质量，在所述步骤S1形成所述第一半导体层之前，还包括：在所述透光基板与所述第一半导体层之间形成缓冲层，其中，所述隔离槽贯穿至少部分所述缓冲层，及所述第一通孔和所述第二通孔贯穿所述缓冲层。

可以理解的，本实用新型实施例提供的高压Mini LED发光器件还包括有位于透光基板与第一半导体层之间的缓冲层，提高了发光外延的制备质量。并且，通过保护层覆盖透明导电层和隔离槽，不仅能够起到避免器件磨损等作用，还能够进一步提高隔离槽对相邻子发光元件之间的绝缘隔离效果。需要说明的是，本实用新型提供的高压Mini LED发光器件还可以包括更多用于优化器件发光效率、可靠性等效果的结构层，对此本实用新型不做具体限制。

为了提高高压Mini LED发光器件的发光亮度，本实用新型实施例提供的所述步骤S4还包括：在所述透光基板背离所述第一半导体层一侧形成反射结构，且在任意一个子发光元件中，自所述透光基板起形成贯穿所述反射结构和所述透光基板的第一通孔，及依次贯穿所述反射结构至所述第二半导体层的第二通孔，其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第i连接电极均位于所述反射结构背离所述透光基板一侧。

可以理解的，本实用新型实施例提供的高压Mini LED发光器件，通过有源层的发光结构、透光基板和反射结构形成了ODR的反射结构，进而能够提高高压Mini LED发光器件的出光效率。

在本实用新型一实施例中，本实用新型提供的反射结构可以由反射镜形成，其中，本实用新型实施例提供的所述反射结构的制作包括：在所述透光基板背离第一半导体层一侧形成反射镜，及在任意一个子发光元件中，自所述透光基板起形成贯穿所述反射镜和所述透光基板的第一通孔，及依次贯穿所述反射镜至所述第二半导体层的第二通孔；在所述反射镜背离所述透光基板一侧的绝缘层，且所述绝缘层延伸覆盖所述第一通孔和所述第二通孔的侧壁。

或者，本实用新型实施例提供的反射结构可以由DBR反射层形成，其中，本实用新型实施例提供的所述反射结构的制作包括：在所述透光基板背离第一半导体层一侧形成绝缘DBR反射层，及在任意一个子发光元件中，自所述透光基板起形成贯穿所述绝缘DBR反射层和所述透光基板的第一通孔，及依次贯穿所述绝缘DBR反射层至所述第二半导体层的第二通孔。

进一步的，为了保证高压Mini LED发光器件在与电路基板固定键合时不易倾倒，提高器件的可靠性和成品率，本实用新型实施例提供的制作方法，在所述步骤S3之后和所述步骤S4之前，还包括：在所述透光基板背离第一半导体层一侧形成凹槽部和环绕所述凹槽部的凸起部，其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第i连接电极均位于所述凹槽部。

为了更清楚描述本实用新型实施例提供的技术方案，下面对本实用新型实施例提供的制作方法进行总结描述，其中，本实用新型实施例提供的制作方法包括：

S11、在透光基板上依次外延形成缓冲层、第一半导体层、有源层和第二半导体层。

S12、在第二半导体层表面上蒸镀形成透明导电层。

S13、采用光刻及刻蚀工艺自透明导电层起，形成贯穿透明导电层、第二半导体层、有源层和第一半导体层的至少一个隔离槽，其中，隔离槽还可以贯穿至少部分缓冲层。

S14、在透明导电层表面及隔离槽内设置绝缘的保护层。

S15、研磨或刻蚀透光基板背离第一半导体层一侧的表面，减薄透光基板至预设厚度。

S16、采用光刻及刻蚀工艺在透光基板背离第一半导体层一侧形成凹槽部和环绕凹槽部的凸起部。

S17、采用光刻及刻蚀工艺在透光基板一侧形成第一通孔和第二通孔，而后在第一通孔和第二通孔的内壁形成绝缘隔离层；或者，在凹槽部的透光基板上蒸镀反射镜，而后采用光刻及刻蚀工艺在反射镜一侧形成第一通孔和第二通孔，最后形成绝缘层覆盖反射镜且延伸覆盖至第一通孔和第二通孔的侧壁；或者，采用光刻及刻蚀工艺在透光基板一侧形成第一通孔和第二通孔，而后在凹槽部的透光基板上形成绝缘DBR反射层及在第一通孔和第二通孔的侧壁形成绝缘隔离层。

S18、蒸镀金属材料形成第一电极、第二电极和相应连接电极。

S19、采用裂片工艺分离形成独立的多个高压Mini LED发光器件。

本实用新型实施例提供了一种高压Mini LED发光器件及其制作方法，包括：发光元件，所述发光元件包括依次叠加的透光基板、第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电层；其中，所述发光元件在所述透明导电层一侧包括依次贯穿所述透明导电层至所述第一半导体层、且将所述发光元件分割为依次相邻的第一子发光元件至第N子发光元件的至少一个隔离槽，N为大于或等于2的整数；任意一个子发光元件在所述透光基板一侧包括贯穿所述透光基板的第一通孔，及依次贯穿所述透光基板至所述第二半导体层的第二通孔；第一电极、第二电极和第一连接电极至第N-1连接电极，所述第一电极通过所述第一通孔与所述第N子发光元件的第一半导体层接触电连接，所述第二电极通过所述第二通孔与所述第一子发光元件的透明导电层接触电连接，及第i连接电极通过所述第一通孔与第i子发光元件的第一半导体层接触电连接，且所述第i连接电极通过所述第二通孔与第i+1子发光元件的透明导电层接触电连接，i为小于或等于N-1的正整数。

由上述内容可知，本实用新型实施例提供的技术方案，仅需要制备连接电极即能够实现大量的子发光元件的串联，无需额外进行打线而避免高压Mini LED发光器件短路的风险，不仅提高了高压Mini LED发光器件的可靠性，还有效降低了高压Mini LED发光器件的封装成本。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，如出现术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，如出现术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，如出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本实用新型中，如出现术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种高压Mini LED发光器件，其特征在于，包括：

发光元件，所述发光元件包括依次叠加的透光基板、第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电层；其中，所述发光元件在所述透明导电层一侧包括依次贯穿所述透明导电层至所述第一半导体层、且将所述发光元件分割为依次相邻的第一子发光元件至第N子发光元件的至少一个隔离槽，N为大于或等于2的整数；任意一个子发光元件在所述透光基板一侧包括贯穿所述透光基板的第一通孔，及依次贯穿所述透光基板至所述第二半导体层的第二通孔；

第一电极、第二电极和第一连接电极至第N-1连接电极，所述第一电极通过所述第一通孔与所述第N子发光元件的第一半导体层接触电连接，所述第二电极通过所述第二通孔与所述第一子发光元件的透明导电层接触电连接，及第i连接电极通过所述第一通孔与第i子发光元件的第一半导体层接触电连接，且所述第i连接电极通过所述第二通孔与第i+1子发光元件的透明导电层接触电连接，i为小于或等于N-1的正整数。

2.根据权利要求1所述的高压Mini LED发光器件，其特征在于，所述高压Mini LED发光器件还包括：

位于所述透明导电层背离所述透光基板一侧的保护层，且所述保护层填充所述隔离槽；

以及，位于所述透光基板与所述第一半导体层之间的缓冲层，其中，所述隔离槽贯穿至少部分所述缓冲层，及所述第一通孔和所述第二通孔贯穿所述缓冲层。

3.根据权利要求1所述的高压Mini LED发光器件，其特征在于，还包括：

位于所述透光基板背离所述第一半导体层一侧的反射结构，且所述第一通孔和所述第二通孔贯穿所述反射结构；

其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第i连接电极均位于所述反射结构背离所述透光基板一侧。

4.根据权利要求3所述的高压Mini LED发光器件，其特征在于，所述反射结构包括：

靠近所述透光基板的反射镜；

以及，位于所述反射镜背离所述透光基板一侧的绝缘层，且所述绝缘层延伸覆盖所述第一通孔和所述第二通孔的侧壁。

5.根据权利要求3所述的高压Mini LED发光器件，其特征在于，所述反射结构包括：位于所述透光基板背离所述第一半导体层一侧的绝缘DBR反射层。

6.根据权利要求1所述的高压Mini LED发光器件，其特征在于，第i子发光元件的第一通孔与第i+1子发光元件的第二通孔相邻。

7.根据权利要求1所述的高压Mini LED发光器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极背离所述透光基板一侧表面位于同一水平面。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的高压Mini LED发光器件，其特征在于，所述透光基板背离第一半导体层一侧包括凹槽部和环绕所述凹槽部的凸起部，其中，所述第一电极、所述第二电极和所述第i连接电极均位于所述凹槽部。

9.根据权利要求8所述的高压Mini LED发光器件，其特征在于，所述凹槽部占用面积小于或等于所述透光基板背离所述第一半导体层表面的面积的95％；

以及，所述凹槽部背离所述第一半导体层一侧的第一表面与所述凸起部背离所述第一半导体层一侧的第二表面之间高度差为大于或等于2μm且小于或等于20μm。

10.根据权利要求8所述的高压Mini LED发光器件，其特征在于，所述第一电极、所述第二电极和所述第i连接电极背离所述第一半导体层一侧的表面，位于所述凹槽部背离所述第一半导体层一侧的第一表面与所述凸起部背离所述第一半导体层一侧的第二表面之间。

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