CN217388576U - 一种多晶硅还原炉电源系统及多晶硅还原炉 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种多晶硅还原炉电源系统及多晶硅还原炉，主要涉及光伏发电领域。该电源系统包括调压柜；调压柜包括主调压器、副调压器、升压模块和硅芯；主调压器的输出端与硅芯连接；副调压器的输出端通过第一开关与升压模块的输入端连接；硅芯包括14个串联的硅芯电阻，首个硅芯电阻的两端通过开关分别与升压模块的第一输出端和第二输出端连接。初始启动时，闭合第一开关及首个硅芯电阻两端开关启动副调压器进行打压运行，再启动主调压器维持运行，并采用同样方式启动剩余硅芯电阻，全部启动完成后，由主副调压器先并联运行，待硅芯电阻的阻值下降后转为主调压器串联硅芯运行，使得每相调压柜可带14对棒运行，提高了调压柜的带负载能力。

Description

一种多晶硅还原炉电源系统及多晶硅还原炉

技术领域

本实用新型涉及光伏发电领域，特别是涉及一种多晶硅还原炉电源系统及多晶硅还原炉。

背景技术

随着国家绿色发展战略，为实现碳达峰、碳中和目标，光伏发电得到大规模发展与应用，带动光伏全产业链蓬勃发展，尤其是近年来光伏原材料多晶硅的生产规模越来越大。大规模多晶硅生产，对核心装置还原炉及其配套电源设备提出更高的要求。

图1为传统的多晶硅还原炉电源系统的布置示意图，在该多晶硅还原炉电源系统中，将还原炉硅芯分为6组，对应地，每炉需配置1台低压侧6相线圈的变压器，且每相线圈采用5挡抽头。如图1所示，还原炉电源系统共设置6台调压柜102，其中，调压柜102包括图1中的A1、A2、B1、B2、C1和C2，还需要1台接地保护柜103以及1台用于系统控制的可编程逻辑控制器(Programmable Logic Controller，PLC)柜104，共需8台柜。

图2为传统的多晶硅还原炉电源系统的调压电路的电路图，如图2所示，该调压电路的工作原理如下：由于8对棒硅芯电阻R1-R8在运行初期的电阻值较高，因此需要较高的运行电压维持8对棒运行，为此，闭合开关K1和K3，调压器V11-V15经过开关K1、硅芯电阻R1-R4、开关K3连接至变压器105的0V端，启动R1-R4这4对棒运行，再闭合开关K2，调压器V21-V23经过开关K2、硅芯电阻R5-R8、开关K3连接至变压器105的0V端，启动R5-R8这4对棒运行。此时，R1-R4、R5-R8两组4对棒并联运行，待硅芯电阻R1-R8的阻值下降后，且维持运行的电压下降至低于U1后，断开开关K1、K2和K3，闭合断路器QF1和QF2，使得调压器V11-V15通过断路器QF1、硅芯电阻R1-R8、断路器QF2连接至变压器105的0V端，转为调压器V11-V15串联硅芯电阻R1-R8这8对棒运行。然而，使用图2所示的调压电路由于受调压功率元器件参数限制，每相调压柜102所带负载硅芯最多8对棒，因此，对于24对棒以上多对棒多晶硅还原炉电源系统不得不采用六相供电系统才能满足要求，具体参见图1，这就造成多晶硅还原炉电源系统的接线复杂、占地面积过大、设备投资过大。

由此可见，如何提高多晶硅还原炉电源系统的带载能力是本领域技术人员亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种多晶硅还原炉电源系统及多晶硅还原炉，用于提高多晶硅还原炉电源的带载能力。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种多晶硅还原炉电源系统，包括：三相供电的变压器、3个调压柜，其中，变压器与调压柜连接，调压柜与还原炉连接；调压柜包括主调压器、副调压器、汇流排、升压模块、第一开关、第二开关、第三开关、第一断路器、第二断路器和硅芯；变压器的输出端设有4挡抽头，各抽头分别与一个调压器的输入端连接以组成主调压器，主调压器的输出端与汇流排连接，汇流排通过并联的第一断路器和第三开关连接至硅芯；变压器的其中3个抽头分别与一个调压器的输入端连接以组成与主调压器并联的副调压器，副调压器的输出端通过第一开关与升压模块的输入端连接，并通过与第一开关并联的第二开关连接至硅芯，升压模块的第一输出端与第二开关和硅芯的公共端连接；硅芯通过第二断路器与升压模块的第二输出端和变压器的输出端连接；硅芯包括14个串联的硅芯电阻，其中，首个硅芯电阻的两端通过开关分别与升压模块的第一输出端和第二输出端连接，剩余硅芯电阻中至少存在一个硅芯电阻的两端通过开关分别与升压模块的第一输出端和第二输出端连接。

优选地，变压器为20kV三相四抽头干式变压器。

优选地，还包括多个互感器，变压器的各抽头分别通过各互感器与主调压器中的各调压器连接。

优选地，主调压器的高压挡和副调压器的高压挡均包括多个串联的调压器。

优选地，汇流排通过互感器与并联的第一断路器和第三开关连接。

优选地，硅芯通过第四开关和辅助调压器与变压器的其中一个抽头连接。

优选地，调压柜的布置宽度设置在4米以内。

为解决上述技术问题，本实用新型还提供一种多晶硅还原炉，包括上述多晶硅还原炉电源系统，效果同上。

本实用新型所提供的多晶硅还原炉电源系统，由于采用上述连接方式，因此当初始启动时，可通过闭合第一开关以及首个硅芯电阻两端开关启动副调压器进行打压运行，此时升压模块、该硅芯电阻以及该硅芯电阻两端开关组成回路；在首个硅芯电阻击穿后，断开该硅芯电阻与升压模块的第一输出端连接的一端的开关，再闭合第三开关，启动主调压器维持运行，并采用同样方式启动剩余硅芯电阻；由于剩余硅芯电阻中至少存在一个硅芯电阻与升压模块的第二输出端连接，因此，可将14个硅芯电阻分为两组以实现主调压器和副调压器并联运行两组硅芯电阻，待硅芯电阻的阻值下降后可转为主调压器串联14个硅芯电阻运行，使得每相调压柜可带14对棒运行，提高了调压柜的带负载能力。另外，采用变压器4挡抽头轮换运行的方式，能够提高变压器抽头的利用率，减少变压器装机容量。

此外，本实用新型所提供的多晶硅还原炉，包括上述多晶硅还原炉电源系统，效果同上。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为传统的多晶硅还原炉电源系统的布置示意图；

图2为传统的多晶硅还原炉电源系统的调压电路的电路图；

图3为本实用新型提供的一种多晶硅还原炉电源系统的布置示意图；

图4为本实用新型提供的一种优选的多晶硅还原炉电源系统的调压电路的电路图；

图5为本实用新型提供的一种优选的多晶硅还原炉的布置示意图。

附图标记如下：101为还原炉、102为调压柜、103为接地保护柜、104为PLC柜、105为变压器、106为接地保护PLC柜、107为主调压器、108为汇流排、109为副调压器、110为升压模块、111为硅芯、112为夹层地板、113为母线。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护范围。

本实用新型的核心是提供一种多晶硅还原炉电源系统及多晶硅还原炉，用于提高多晶硅还原炉电源的带载能力。

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。

图3为本实用新型提供的一种多晶硅还原炉电源系统的布置示意图，图4为本实用新型提供的一种优选的多晶硅还原炉电源系统的调压电路的电路图。如图3和图4所示，多晶硅还原炉电源系统，包括：3个调压柜102和三相供电的变压器105，其中，变压器105与调压柜102连接，调压柜102与还原炉101连接；调压柜102包括主调压器107、汇流排108、副调压器109、升压模块110、第一开关CJ1、第二开关CJ2、第三开关CJ3、第一断路器QF10、第二断路器QF20和硅芯111；变压器105的输出端设有4挡抽头，各抽头分别与一个调压器的输入端连接以组成主调压器107，主调压器107的输出端与汇流排108连接，汇流排108通过并联的第一断路器QF10和第三开关CJ3连接至硅芯111；变压器105的其中3个抽头分别与一个调压器的输入端连接以组成与主调压器107并联的副调压器109，副调压器109的输出端通过第一开关CJ1与升压模块110的输入端连接，并通过与第一开关CJ1并联的第二开关CJ2连接至硅芯111，升压模块110的第一输出端与第二开关CJ2和硅芯111的公共端连接；硅芯111通过第二断路器QF20与升压模块110的第二输出端和变压器105的输出端连接；硅芯111包括14个串联的硅芯电阻，其中，首个硅芯电阻的两端通过开关分别与升压模块110的第一输出端和第二输出端连接，剩余硅芯电阻中至少存在一个硅芯电阻的两端通过开关分别与升压模块110的第一输出端和第二输出端连接。

如图3所示，在本实用新型所提供的多晶硅还原炉电源系统中，变压器105为降压变压器，其高压侧与电源连接，低压侧与调压柜102连接。另外，该电源系统采用3+1的组合模式，即3台调压柜102与1台接地保护PLC柜106，其中，调压柜102包括图3中的A、B、C，共3台，并且接地保护PLC柜106由图1中的接地保护柜103和PLC柜104集成得到，相较于传统技术需要使用六相供电变为三相供电，能够大幅节约铜排投资。可以理解的是，集成接地保护柜103和PLC柜104为现有技术，本实施例对此不做特异性说明。

如图4所示，变压器105的输出端共设有4档抽头，即T1-T4抽头，与各抽头连接的调压器V110、V120、V130、V140和V150组成主调压器107，用于维持已启动完成的硅芯电阻运行，与主调压器107中的各调压器并联的调压器VB11、VB12、VB2和VB3组成3档位的副调压器109，用于启动升压兼并运行。在具体实施中，主调压器107和副调压器109中的各调压器可采用可控硅组成的晶闸管调压器，也可以采用自耦调压器，本实施例对此不做限制。汇流排108是一种进线的连接方式，增加接触面积的同时有效减少了耗能，在本实施例中，采用汇流排108的连接方式汇集主调压器107的电能以在启动硅芯电阻后，能够维持硅芯电阻运行。另外，该调压电路设有2级断路器QF10和QF20进行启动高压隔离，并设有升压模块110进行独立启动打压，其中，升压模块110由单相升压变压器及续流器组成，可采用续流二极管作为续流器，用于提供耗电通路，以防止电压在升压变压器作用下突变。

在图4所示的调压电路中，变压器105设有专门的高电压(4000V)抽头档即T1抽头，主调压器107和副调压器109的电源取自变压器105低压侧，其中，升压模块110的电源引自变压器105低压侧T1-T3抽头。在高启模式下，闭合第一开关CJ1，升压模块110的输入端与变压器105低压侧T1-T3抽头之间形成通路，变压器105低压侧为升压模块110提供电源，由升压模块110进行升压处理并输出高电压以启动运行。可以理解的是，由于硅芯电阻在运行初期的电阻值较高，为防止启动电压不足以在运行初期支持启动多个硅芯电阻，因此，可逐一启动各硅芯电阻。具体地，从硅芯111中首个硅芯电阻R10开始，闭合第一开关CJ1、开关K11和K21，启动副调压器109，此时升压模块110的第一输出端(L端)、开关K11、硅芯电阻R10、开关K21和升压模块110的第二输出端(N端)组成回路，由升压模块110的第一输出端(L端)输出高电压进行打压运行，在硅芯电阻R10被击穿后断开开关K11，闭合第三开关CJ3，启动主调压器107，此时主调压器107、第三开关CJ3、硅芯电阻R10、开关K21和升压模块110的第二输出端(N端)组成回路维持运行。再闭合开关K12，此时升压模块110的第一输出端(L端)、开关K12、硅芯电阻R11、开关K21和升压模块110的第二输出端(N端)组成回路，在硅芯电阻R11被击穿后，闭合开关K22并断开开关K21，此时主调压器107、第三开关CJ3、硅芯电阻R10和R11、开关K22和升压模块110的第二输出端(N端)组成回路维持运行。同样地，可采用相同方法继续启动硅芯电阻R12和R13，另外，由于随着时间推移，还原炉101内温度上升所需启动电压的要求降低，为提高硅芯电阻的启动效率，可同时启动硅芯电阻R14、R15和R16，在R14-R16被击穿后，主调压器107经过第三开关CJ3、硅芯电阻R10-R16、开关K25维持7个硅芯电阻即7对棒运行。

在硅芯电阻R10-R16启动完成后，同时启动硅芯电阻R17-R20，在R17-R20被击穿后，闭合第二开关CJ2和第四开关CJ4，此时副调压器109、第二开关CJ2、开关K15、硅芯电阻R17-R20、第四开关CJ4、调压器VF1组成回路，由调压器VF1进行续流以支持R17-R20运行。再启动硅芯电阻R21-R23，在硅芯电阻R21-R23被击穿后，断开第四开关CJ4，使得副调压器109经第二开关CJ2、开关K17、硅芯电阻R17-R23、开关K25、升压模块110的第二输出端(N端)以维持7对棒运行。此时调压电路为升流并联模式，并联的两条支路中的一条支路为主调压器107-第三开关CJ3-硅芯电阻R10、R11、R12、R13、R14、R15和R16-开关K25-升压模块110的第二输出端(N端)，另一条支路为副调压器109-第二开关CJ2-开关K17-硅芯电阻R23、R22、R21、R20、R19、R18和R17-开关K25-升压模块110的第二输出端(N端)。

在所有硅芯电阻启动完成后，两组7对棒由主调压器107和副调压器109先并联运行，通过并联方式减少运行时串联的棒对数，以降低变压器105高压侧电源输出电压的要求。待硅芯电阻的阻值下降后转为主调压器107串联硅芯电阻R10-R23运行，具体为闭合第一断路器QF10和第二断路器QF20并断开其它开关，使得主调压器107经第一断路器QF10、硅芯电阻R10-R23、第二断路器QF20至变压器105的输出端以维持14对棒运行。

需要说明的是，在具体实施中，硅芯111可以采用图4所示的电路，使得在启动时，先逐一启动硅芯电阻R10、R11、R12和R13，然后同时启动硅芯电阻R14-R16，接着同时启动硅芯电阻R17-R20，再启动硅芯电阻R21-R23，也可以逐一启动各硅芯电阻，本实施例对此不做限制，只要满足启动电压能够支持启动各硅芯电阻以及在硅芯电阻的阻值下降之前，全部启动后的硅芯电阻在并联模式下运行即可。此外，由于变压器105的输出电压在0-4000V范围内，经主调压器107调节后的输出电压约为3600V并且每对棒启动完成后所需要的维持电压约为500V，因此，图4所示的调压电路在并联模式下，每条支路最多能维持7对棒运行，即说明待硅芯电阻的阻值下降后，主调压器最多串联14对棒运行。

通过上述描述可知，本实用新型提供的上述多晶硅还原炉电源系统，由于采用上述连接方式，因此当初始启动时，可通过闭合第一开关以及首个硅芯电阻两端开关启动副调压器进行打压运行，此时升压模块、该硅芯电阻以及该硅芯电阻两端开关组成回路；在首个硅芯电阻击穿后，断开该硅芯电阻与升压模块的第一输出端连接的一端的开关，再闭合第三开关，启动主调压器维持运行，并采用同样方式启动剩余硅芯电阻；由于剩余硅芯电阻中至少存在一个硅芯电阻与升压模块的第二输出端连接，因此，可将14个硅芯电阻分为两组以实现主调压器和副调压器并联运行两组硅芯电阻，待硅芯电阻的阻值下降后可转为主调压器串联14个硅芯电阻运行，使得每相调压柜可带14对棒运行，相较于传统的多晶硅还原炉电源系统中每相调压柜只能带8对棒运行，有效提高了调压柜的带负载能力，极大地简化了电源系统配置，减少了变压器与调压柜之间的连接铜排及调压柜与炉盘之间的连接铜排，节约了设备和材料投资。另外，采用变压器四挡抽头轮换运行的方式，能够提高变压器抽头的利用率，减少变压器装机容量，并且由于设有升压模块，因此能够实现多相同时自启动，有效提高了生产效率。

在上述实施例的基础上，为减小变压器105启动涌流，在本实施例中，变压器105选用20kV三相四抽头干式变压器。

相较于传统技术中高压侧电压采用10kV供电，本实施例中变压器105高压侧电压采用20kV供电，能够减小变压器105启动涌流，提高电源系统运行稳定性，节约供电电缆投资并且减小电源系统对地电容的电流，进一步提高电源系统的安全性。另外，变压器105低压侧采用4抽头，相较于常规的5抽头的变压器而言，减少了1个抽头，有效降低了变压器105铜材用量，从而提高了变压器的经济性，减少了调压柜102元器件用量以及变压器105输出铜排用量。

在上述实施例的基础上，为防止电源电压过大而影响调压电路的正常运行，在本实施例中设置多个互感器，其中，变压器105的各抽头分别通过各互感器与主调压器107中的各调压器连接，以通过互感器的电气隔离作用保护调压电路。

可以理解的是，为避免变压器105的输出电压过大，互感器应采用电压互感器，在具体实施中，可以使用电磁式电压互感器，也可以使用电容式电压互感器，本实施例对此不做限制。另外，在具体实施中，互感器个数应与变压器105的抽头数一致，在图4所示的调压电路中，变压器105抽头数为4个，故互感器也为4个，分别与变压器105的各抽头连接。

在上述实施例的基础上，由于调压电路中设有高电压抽头档，因此，为提高电源器件的耐压水平，本实施例设置主调压器107的高压挡和副调压器109的高压挡均包括多个串联的调压器。

在本实施例中，主调压器107和副调压器109中的各调压器选用可控硅组成的晶闸管调压器，采用可控硅串联技术来提高电源器件的耐压水平，从而提高了还原炉电源输出电压范围，即从传统技术中0-2800V的输出电压范围提高至0-4000V，如图4所示，在主调压器107中，调压器V110与V120串联，在副调压器109中，调压器VB11与VB12串联。可以理解的是，在具体实施中，为提高电源器件的耐压性，主调压器107和副调压器109的高压挡可串联多个调压器，另外，为保障调压电路的经济性，所串联的调压器的个数不宜过多，根据具体情况设置即可。

本实施例设置主调压器的高压挡和副调压器的高压挡均包括多个串联的调压器，通过可控硅串联技术以提高电源器件的耐压水平。

在上述实施例的基础上，为防止主调压器107维持运行的电压过大，本实施例设置汇流排108通过互感器与并联的第一断路器QF10和第三开关CJ3连接。

具体地，在首个硅芯电阻启动完成后，闭合第三开关CJ3，此时主调压器107会启动以维持硅芯电阻运行。由于汇流排108能够汇集主调压器107的电能，因此，汇流排108输出的电能较大，为防止汇流排108输出的电能过大而烧坏硅芯111，本实施例在汇流排108与硅芯111之间设置互感器。在图4所示的调压电路中，互感器T5即用于对汇流排108汇聚的电能进行打压处理以保护硅芯111，可以理解的是，互感器T5应采用电压互感器，可以是电磁式电压互感器，也可以是电容式电压互感器，本实施例对此不做限制。

在上述实施例的基础上，本实施例设有专门的辅助调压器进行启动续流，如图4所示，调压器VF1即为用于启动续流的辅助调压器，硅芯111通过第四开关CJ4和该辅助调压器与变压器105的其中一个抽头连接。

在图4所示的调压电路中，同时启动硅芯电阻R17-R20，硅芯电阻R17-R20在被击穿后，副调压器109、第二开关CJ2、开关K15、硅芯电阻R17-R20、第四开关CJ4和辅助调压器VF1之间形成通路。为便于在运行初期实现由主副调压器先并联运行，此时在硅芯电阻R17-R20击穿后，不再由主调压器107维持硅芯电阻R17-R20运行，而是由辅助调压器VF1进行续流以维持硅芯电阻R17-R20运行。

本实施例设有专门的辅助调压器进行启动续流，硅芯通过第四开关和辅助调压器与变压器的其中一个抽头连接，以便在运行初期实现并联运行。

在上述实施例的基础上，为减小厂房跨度、提高厂房抗震能力，本实施例设置调压柜102的布置宽度设置在4米以内。

图5为本实用新型提供的一种优选的多晶硅还原炉的布置示意图，如图5所示，变压器105与调压柜102之间采用母线113连接，其中，变压器105为三相供电的变压器105，其每相对应一个调压柜102以便实现启动硅芯111以及并、串联运行功能。另外，在图5所示的多晶硅还原炉中，调压柜102输出区布置在还原炉101正下方，由于每个调压柜102需要2根输出铜排，因此，电源输出主母排需采用6组，减少了连接铜排。

在本实施例中，设置调压柜102的布置宽度在4米以内，减小了厂房跨度，提高了厂房的抗震能力，并且减小了电源设备的占地面积，有效节约了厂房空间。

上述实施例对本实用新型提供的多晶硅还原炉电源系统进行了详细说明，最后，本实用新型实施例还提供一种多晶硅还原炉，该多晶硅还原炉包括上述实施例中描述的多晶硅还原炉电源系统。

可以理解的是，除多晶硅还原炉电源系统外，该多晶硅还原炉还包括还原炉101，用于产出多晶硅。通常情况下，还原炉101采用不锈钢还原炉。

此外，多晶硅还原炉还包括夹层地板112，可将还原炉101放置在夹层地板112上，具体参见图5。

本实施例所提供的多晶硅还原炉包括多晶硅还原炉电源系统，由于多晶硅还原炉电源系统采用上述连接方式，因此当初始启动时，可通过闭合第一开关以及首个硅芯电阻两端开关启动副调压器进行打压运行，此时升压模块、该硅芯电阻以及该硅芯电阻两端开关组成回路；在首个硅芯电阻击穿后，断开该硅芯电阻与升压模块的第一输出端连接的一端的开关，再闭合第三开关，启动主调压器维持运行，并采用同样方式启动剩余硅芯电阻；由于剩余硅芯电阻中至少存在一个硅芯电阻与升压模块的第二输出端连接，因此，可将14个硅芯电阻分为两组以实现主调压器和副调压器并联运行两组硅芯电阻，待硅芯电阻的阻值下降后可转为主调压器串联14个硅芯电阻运行，使得每相调压柜可带14对棒运行，相较于传统的多晶硅还原炉电源系统中每相调压柜只能带8对棒运行，有效提高了调压柜的带负载能力，极大地简化了电源系统配置，减少了变压器与调压柜之间的连接铜排及调压柜与炉盘之间的连接铜排，节约了设备和材料投资。另外，采用变压器4挡抽头轮换运行的方式，能够提高变压器抽头的利用率，减少变压器装机容量。

以上对本实用新型所提供的多晶硅还原炉电源系统及多晶硅还原炉进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。

还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (8)

1.一种多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，包括：3个调压柜(102)和三相供电的变压器(105)，其中，所述变压器(105)与所述调压柜(102)连接，所述调压柜(102)与还原炉(101)连接；所述调压柜(102)包括主调压器(107)、汇流排(108)、副调压器(109)、升压模块(110)、第一开关、第二开关、第三开关、第一断路器、第二断路器和硅芯(111)；所述变压器(105)的输出端设有4挡抽头，各所述抽头分别与一个调压器的输入端连接以组成所述主调压器(107)，所述主调压器(107)的输出端与所述汇流排(108)连接，所述汇流排(108)通过并联的所述第一断路器和所述第三开关连接至所述硅芯(111)；所述变压器(105)的其中3个所述抽头分别与一个所述调压器的输入端连接以组成与所述主调压器(107)并联的所述副调压器(109)，所述副调压器(109)的输出端通过所述第一开关与所述升压模块(110)的输入端连接，并通过与所述第一开关并联的所述第二开关连接至所述硅芯(111)，所述升压模块(110)的第一输出端与所述第二开关和所述硅芯(111)的公共端连接；所述硅芯(111)通过所述第二断路器与所述升压模块(110)的第二输出端和所述变压器(105)的输出端连接；所述硅芯(111)包括14个串联的硅芯(111)电阻，其中，首个所述硅芯(111)电阻的两端通过开关分别与所述升压模块(110)的第一输出端和第二输出端连接，剩余所述硅芯(111)电阻中至少存在一个所述硅芯(111)电阻的两端通过所述开关分别与所述升压模块(110)的第一输出端和第二输出端连接。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，所述变压器(105)为20kV三相四抽头干式变压器。

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，还包括多个互感器，所述变压器(105)的各所述抽头分别通过各所述互感器与所述主调压器(107)中的各所述调压器连接。

4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，所述主调压器(107)的高压挡和所述副调压器(109)的高压挡均包括多个串联的所述调压器。

5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，所述汇流排(108)通过互感器与并联的所述第一断路器和所述第三开关连接。

6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，所述硅芯(111)通过第四开关和辅助调压器与所述变压器(105)的其中一个所述抽头连接。

7.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电源系统，其特征在于，所述调压柜(102)的布置宽度设置在4米以内。

8.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括权利要求1至7任意一项所述的多晶硅还原炉电源系统。

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