CN217282700U - 输入过压和电磁干扰保护电路 - Google Patents

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王谦
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Abstract

输入过压和电磁干扰保护电路,涉及集成电路技术,本实用新型包括:设置于输入端和参考点之间的动态电阻,动态电阻由第一P沟道JFET管和第二P沟道JFET管构成,第二P沟道JFET管的漏极接输入端,源极接参考点;第一P沟道JFET管的栅极和源极接第二P沟道JFET管的栅极,漏极接参考点;第一二极管正极接参考点,负极接高电平;第二二极管负极接参考点,正极接地;参考点通过低通滤波器接输出端。本实用新型可以防止脉冲电压过大或者电压突变对元器件造成损坏。

Description

输入过压和电磁干扰保护电路
技术领域
本实用新型涉及集成电路技术,特别涉及过压保护电路。
背景技术
电子元器件在使用过程中,有因使用不当而造成的元器件损坏,也有因电压脉冲较大而使元器件损坏的。输入过压保护电路在一定电压范围内可以有效地保护元器件,从而避免元器件损坏。此外,随着集成电路的发展,电子元器件的集成度越来越高,电磁干扰的影响也变得越来越不可忽视,电磁干扰保护电路可以有效地抑制电磁干扰,从而降低电磁干扰对信号的影响。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种输入过压和电磁干扰保护电路
,能够有效地抑制电磁干扰。
本实用新型解决所述技术问题采用的技术方案是,输入过压和电磁干扰保护电路,其特征在于,包括:
设置于输入端和参考点之间的动态电阻,动态电阻由第一P沟道JFET管和第二P沟道JFET管构成,第二P沟道JFET管的漏极接输入端,源极接参考点;第一P沟道JFET管的栅极和源极接第二P沟道 JFET管的栅极,漏极接参考点;
第一二极管,正极接参考点,负极接高电平Vcc;
第二二极管,负极接参考点,正极接地;
参考点通过低通滤波器接地。
本实用新型可以应用在基准、运算放大器、接口、AD/DA等多种电路中,可以防止脉冲电压过大或者电压突变对元器件造成损坏,还能有效地抑制高频电磁干扰信号。
附图说明
图1是本实用新型的原理图。
具体实施方式
本实用新型利用两个PJFET管构成一个大动态电阻,一端与输入相连,另一端连接在两个串联的二极管中间进行钳位,起到输入过压保护的作用。后面直接串联一个RC低通滤波电路,对高频电磁干扰信号进行滤波,可以有效地抑制电磁干扰。
参见图1,本实用新型提供一种输入过压和电磁干扰保护电路,包括:
设置于输入端和参考点X之间的动态电阻,动态电阻由第一P沟道JFET管P1和第二P沟道JFET管P2构成,第二P沟道JFET管P2 的漏极接输入端,源极接参考点X;第一P沟道JFET管P1的栅极和源极接第二P沟道JFET管P2的栅极,漏极接参考点X;
第一二极管D1,正极接参考点X,负极接高电平Vcc;
第二二极管D2,负极接参考点X,正极接地;
参考点X通过低通滤波器接地,所述低通滤波器包括第一电阻R 和电容C,第一电阻R设置于参考点和输出端之间,输出端通过电容 C接地。
工作状态下,两个P沟道JFET管构成一个动态电阻处于常开状态,当输入电压IN低于VCC+VBE且高于VSS-VBE时,输入电压IN传输到参考点X后经RC低通滤波,输出给被保护电路或元器件,使被保护电路或元器件正常工作。第一电阻R和电容C在这里组成一个低通滤波器,对高频电磁干扰信号进行滤波,强烈地抑制电磁干扰,从而减弱电磁干扰对有用信号的影响。
当输入电压IN高于VCC+VBE时,钳位二极管D1正向导通,使X 点的电压钳位在VCC+VBE,随着输入电压IN逐渐升高,直到PJFET 管被击穿前,参考点X的电压将一直被钳位在VCC+VBE;当输入电压 IN低于VSS-VBE时,钳位二极管D2正向导通,使X点的电压钳位在VSS-VBE,随着输入电压IN逐渐降低,直到PJFET管被击穿前,X点的电压将一直被钳位在VSS-VBE;而PJFET管的耐压值|IN-VX|通常能达到30V左右(对30V工艺来说),因此,在输入电压IN超出电源电压较大的一个范围内,被保护电路或元器件都能得到有效地保护。

Claims (2)

1.输入过压和电磁干扰保护电路,其特征在于,包括:
设置于输入端和参考点之间的动态电阻,动态电阻由第一P沟道JFET管(P1)和第二P沟道JFET管(P2)构成,第二P沟道JFET管(P2)的漏极接输入端,源极接参考点;第一P沟道JFET管(P1)的栅极和源极接第二P沟道JFET管(P2)的栅极,漏极接参考点;
第一二极管(D1),正极接参考点,负极接高电平Vcc;
第二二极管(D2),负极接参考点,正极接地;
参考点通过低通滤波器接输出端。
2.如权利要求1所述的输入过压和电磁干扰保护电路,其特征在于,所述低通滤波器包括第一电阻(R)和电容(C),第一电阻(R)设置于参考点和输出端之间,输出端通过电容(C)接地。
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