CN217240343U - 一种不断电检测负载的电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种不断电检测负载的电路，包括连接在电池与负载之间的负载检测使能电路单元、负载信号检测电路单元、负载检测限压反馈电路单元。本实用新型可以作为依靠电流检测的补充，当负载很小，电流低于系统检测的最小电流时，可以用此方法检测小电流的负载。

Description

一种不断电检测负载的电路

技术领域

本实用新型属于电池领域，涉及负载检测技术，尤其是一种不断电检测负载的电路。

背景技术

目前锂电池应用非常广泛，在使用过程中有时需要知道负载是不是接入电池了，回路控制开关在负极的，检测方法目前有的是用电流检测，或者关闭输出检测负极P-电压以确定是否有负载接入，这两种方式都有弊端，通过电流检测要求电流精度极高，当负载电流非常小时不能准确检测负载是否在，通过关闭输出检测负极P-电压会导致正常负载断电。

如图1所示，电池的主回路由MOS管Q1控制开关，当负载R4接入P+P-，关闭MOS管Q1，则P-电压等于P+，以B-为参考点的电路可以采集到电压判断负载接入，但关断MOS管Q1会使负载断电，如果让MOS管Q1工作在半导通状态，MOS管Q1会表现为阻值很大的电阻使MOS管Q1可以分到较高电压，即P-电压，通过测量这个电压就可以知道负载是否在。这种方式不会断电，但需要实时调整MOS的导通状态，以满足MOS管Q1分压不会过高，导致负载电压不够或者MOS管Q1功率过大。

针对这一问题我们设计了一个电路解决不断电还能检测负载。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足之处，提供一种不断电检测负载的电路，当负载很小，电流低于系统检测的最小电流时，可以用本实用新型电路检测小电流的负载。

本实用新型解决技术问题所采用的技术方案是：

一种不断电检测负载的电路，包括连接在电池与负载之间的负载检测使能电路单元、负载信号检测电路单元、负载检测限压反馈电路单元。

而且，所述的负载信号检测电路单元包括三极管Q6、电阻R3、电阻R5，所述三极管Q6的C级连接MCU的LDCK引脚，三极管Q6的B级连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接放电口负极P-，三极管Q6的E级接地，在三极管Q6的E级与B级之间连接电阻R5。

而且，所述负载检测使能电路单元包括MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q2、电阻R1、电阻R2，所述MOS管Q4的G极连接MCU的ENV引脚，MOS管Q4的S极连接电池负极B-，MOS管Q4的D极连接MOS管Q2的G极，MOS管Q2的S极连接MCU的MOSG引脚，在MOS管Q4的D极与MOS管Q2的S极之间连接电阻R2，MOS管Q2的D极连接MOS管Q1的G极，MOS管Q1的D极连接放电口负极P-，MOS管Q1的S极连接电池负极B-，MOS管Q5的G极连接MCU的ENLDCK引脚，MOS管Q5的S极连接电池负极B-，MOS管Q5的D极连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接MOS管Q1的G极。

而且，所述负载检测限压反馈电路单元包括MOS管Q3、二级管D1，所述MOS管Q3的G级连接MCU的MOSG引脚，MOS管Q3的D级连接二级管D1的一端，二级管D1的另一端连接放电口负极P-。

而且，所述的MCU的型号优选GD32F303。

本实用新型的优点和积极效果是：

1、本实用新型可以作为依靠电流检测的补充，当负载很小，电流低于系统检测的最小电流时，可以用此方法检测小电流的负载。

2、本实用新型在检测小电流时可以瞬时通过较大电流，当负载突然变大时不会因功率不足出现不稳定状态。

附图说明

图1为现有技术电路图；

图2为本实用新型电路图。

具体实施方式

下面通过具体实施例对本实用新型作进一步详述，以下实施例只是描述性的，不是限定性的，不能以此限定本实用新型的保护范围。

一种不断电检测负载的电路，如图2所示，包括负载检测使能电路单元1、负载信号检测电路单元2、负载检测限压反馈电路单元3。

所述的负载信号检测电路单元2包括三极管Q6、电阻R3、电阻R5，所述三极管Q6的C级连接MCU的LDCK引脚，三极管Q6的B级连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接放电口负极P-。三极管Q6的E级接地，在三极管Q6的E级与B级之间连接电阻R5。

所述三极管Q6，电阻R3，电阻R5作为电压检测，通过连接LDCK的引脚接MCU的IO上拉，当P-电压为0时，三极管Q6关闭，LDCK为高电平，当P-电压较高时三极管Q6导通，LDCK为低电平。

所述负载检测限压反馈电路单元3包括MOS管Q3、二级管D1，所述MOS管Q3的G级连接MCU的MOSG引脚，MOS管Q3的D级连接二级管D1的一端，二级管D1的另一端连接放电口负极P-。

所述MOS管Q3，二级管D1为P-的电压反馈，当MOSG高电平(12V)时，MOS管Q3的G极电压为12V，当MOS管Q1的G极电压变低时MOS管Q3导通，可以通过二级管D1，MOS管Q3把P-电压反馈给MOS管Q1的G极。

所述负载检测使能电路单元1包括MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q2、电阻R1、电阻R2，所述MOS管Q4的G极连接MCU的ENV引脚，MOS管Q4的S极连接电池负极B-，MOS管Q4的D极连接MOS管Q2的G极，MOS管Q2的S极连接MCU的MOSG引脚，在MOS管Q4的D极与MOS管Q2的S极之间连接电阻R2，MOS管Q2的D极连接MOS管Q1的G极，MOS管Q1的D极连接放电口负极P-，MOS管Q1的S极连接电池负极B-。MOS管Q5的G极连接MCU的ENLDCK引脚，MOS管Q5的S极连接电池负极B-，MOS管Q5的D极连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接MOS管Q1的G极。

所述MOS管Q2，MOS管Q4，MOS管Q5，电阻R1，电阻R2，为负载检测的使能电路，MOS管Q4的G极连接MCU IO脚ENV，电源电压应该与MOS管Q5的驱动电压相同，可以设为5V或者3.3，电压要确保MOS管Q4，MOS管Q5可以导通。

检测过程，MOS管Q1的G极驱动MOSG电压为低时，MOS管Q1关闭，MOS管Q3关闭，如有负载，P-电压为高，LDCK引脚输出低电平。如没有负载，P-被电阻R3，电阻R5拉低，LDCK引脚输出高电平。

MOS管Q1的G极驱动MOSG电压为高，当使能引脚ENLDCK为低ENV引脚为高时，MOS管Q5关闭，MOS管Q4开启，MOS管Q2开启，MOS管Q1开启，P-电压等于B-等于0。当需要检测负载时，设置ENLDCK电压为高电平，ENV引脚为低电平，则MOS管Q5导通，MOS管Q4关闭，MOS管Q2关闭，MOS管Q3开启，这时如果有负载则当P-电压升高时，P-电压会通过二级管D1，MOS管Q3，电阻R1，MOS管Q5反馈给MOS管Q1的G极，如果MOS管Q1电压高于MOS管Q1启动电压，则MOS管Q1导通，MOS管Q1导通会降低P-电压，P-降低又会使MOS管Q1导通下降，形成一个反馈电路，最终MOS管Q1的G极电压稳定在半导通开启电压附近，P-会稍高，这个电压会使LDCK变为低电平。负载移除后，P-降为0电压。LDCK输出高电平。

此电路电阻R1电阻决定了可以采集到的最小负载。

以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。

Claims (1)

1.一种不断电检测负载的电路，其特征在于：包括连接在电池与负载之间的负载检测使能电路单元(1)、负载信号检测电路单元(2)、负载检测限压反馈电路单元(3)，

所述的负载信号检测电路单元(2)包括三极管Q6、电阻R3、电阻R5，所述三极管Q6的C级连接MCU的LDCK引脚，三极管Q6的B级连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接放电口负极P-，三极管Q6的E级接地，在三极管Q6的E级与B级之间连接电阻R5；

所述负载检测使能电路单元(1)包括MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q2、电阻R1、电阻R2，所述MOS管Q4的G极连接MCU的ENV引脚，MOS管Q4的S极连接电池负极B-，MOS管Q4的D极连接MOS管Q2的G极，MOS管Q2的S极连接MCU的MOSG引脚，在MOS管Q4的D极与MOS管Q2的S极之间连接电阻R2，MOS管Q2的D极连接MOS管Q1的G极，MOS管Q1的D极连接放电口负极P-，MOS管Q1的S极连接电池负极B-，MOS管Q5的G极连接MCU的ENLDCK引脚，MOS管Q5的S极连接电池负极B-，MOS管Q5的D极连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接MOS管Q1的G极；

所述负载检测限压反馈电路单元(3)包括MOS管Q3、二级管D1，所述MOS管Q3的G级连接MCU的MOSG引脚，MOS管Q3的D级连接二级管D1的一端，二级管D1的另一端连接放电口负极P-；

所述的MCU的型号为GD32F303。

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