CN217062517U - 耦合馈入阻抗匹配系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种耦合馈入阻抗匹配系统。耦合馈入阻抗匹配系统适用于一曲面天线辐射结构,并且曲面天线辐射结构可以设置在一介质物体的一曲面上。耦合馈入阻抗匹配系统包括一耦合馈入结构以及一阻抗频率调整器。耦合馈入结构设置在介质物体上,并且耦合馈入结构与曲面天线辐射结构彼此分离且相互耦合。阻抗频率调整器电性连接于耦合馈入结构,并且阻抗频率调整器可以被配置以用于依据介质物体的材质,以调整曲面天线辐射结构的共振频率。本实用新型的效果在于,通过本技术可以使得耦合馈入阻抗匹配系统以适用于曲面天线辐射结构,并且使得阻抗频率调整器可以被配置以用于依据介质物体的材质而调整曲面天线辐射结构的共振频率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种匹配系统,特别是涉及一种耦合馈入阻抗匹配系统。
背景技术
现有技术中,为了不影响到阻抗频率特性,天线结构必须放置在一特定的介质平面上,以进行讯号能量的接收与发送。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种耦合馈入阻抗匹配系统。
为了解决上述的技术问题,本实用新型所采用的其中一技术方案是提供一种耦合馈入阻抗匹配系统,耦合馈入阻抗匹配系统适用于一曲面天线辐射结构,曲面天线辐射结构设置在一介质物体的一曲面上,耦合馈入阻抗匹配系统包括:一耦合馈入结构以及一阻抗频率调整器。耦合馈入结构设置在介质物体上,且耦合馈入结构与曲面天线辐射结构彼此分离且相互耦合。阻抗频率调整器电性连接于耦合馈入结构,阻抗频率调整器被配置以用于依据介质物体的材质,以调整曲面天线辐射结构的共振频率。
为了解决上述的技术问题,本实用新型所采用的另外一技术方案是提供一种耦合馈入阻抗匹配系统,耦合馈入阻抗匹配系统适用于一曲面天线辐射结构,耦合馈入阻抗匹配系统包括:一耦合馈入结构以及一阻抗频率调整器。耦合馈入结构设置在一介质物体上,且耦合馈入结构与曲面天线辐射结构彼此分离且相互耦合。阻抗频率调整器电性连接于耦合馈入结构与一射频前端模块之间。
在其中一可行实施例中,曲面天线辐射结构是偶极天线、单极天线、环形天线、倒F型天线、贴片天线、微带天线或者数组天线。
在其中一可行实施例中,介质物体具有一上表面以及相对于上表面的一下表面,曲面天线辐射结构设置在介质物体的上表面上,且耦合馈入结构设置在介质物体的下表面上;其中,介质物体的上表面为一非平整表面,且介质物体的下表面为一平整表面。
在其中一可行实施例中,介质物体具有一上表面以及相对于上表面的一下表面,曲面天线辐射结构设置在介质物体的上表面上,且耦合馈入结构设置在介质物体的下表面上;其中,介质物体的上表面与下表面都是非平整表面。
在其中一可行实施例中,耦合馈入结构具有一与曲面天线辐射结构相互匹配的结构形状,且阻抗频率调整器与射频前端模块设置在一电路基板上。
本实用新型的其中一有益效果在于,本实用新型所提供的一种耦合馈入阻抗匹配系统,其能通过“耦合馈入结构设置在介质物体上,且耦合馈入结构与曲面天线辐射结构彼此分离且相互耦合”以及“阻抗频率调整器电性连接于耦合馈入结构”的技术方案,以使得耦合馈入阻抗匹配系统可以适用于曲面天线辐射结构,并且使得阻抗频率调整器可以被配置以用于依据介质物体的材质而调整曲面天线辐射结构的共振频率。
为使能进一步了解本实用新型的特征及技术内容,请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,然而所提供的附图仅用于提供参考与说明,并非用来对本实用新型加以限制。
附图说明
图1为本实用新型第一实施例的耦合馈入阻抗匹配系统的示意图。
图2为本实用新型第一实施例的耦合馈入阻抗匹配系统的功能方块图。
图3为本实用新型第二实施例的耦合馈入阻抗匹配系统的示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本实用新型所公开有关“耦合馈入阻抗匹配系统”的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本实用新型的优点与效果。本实用新型可通过其他不同的具体实施例加以实行或应用,本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用,在不背离本实用新型的构思下进行各种修改与变更。另外,需事先声明的是,本实用新型的附图仅为简单示意说明,并非依实际尺寸的描绘。以下的实施方式将进一步详细说明本实用新型的相关技术内容,但所公开的内容并非用以限制本实用新型的保护范围。另外,本文中所使用的术语“或”,应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[第一实施例]
参阅图1与图2所示,本实用新型第一实施例提供一种耦合馈入阻抗匹配系统S,耦合馈入阻抗匹配系统S适用于一曲面天线辐射结构R,并且曲面天线辐射结构R可以预先设置在一介质物体M的一曲面上。
更进一步来说,配合图1与图2所示,耦合馈入阻抗匹配系统S包括:一耦合馈入结构1以及一阻抗频率调整器2。其中,耦合馈入结构1设置在介质物体M上,并且耦合馈入结构1与曲面天线辐射结构R彼此分离且相互耦合。另外,阻抗频率调整器2电性连接于耦合馈入结构1,并且阻抗频率调整器2可以被配置以用于依据介质物体M的材质而调整曲面天线辐射结构R的共振频率。举例来说,耦合馈入结构1具有一与曲面天线辐射结构R相互匹配的结构形状。另外,阻抗频率调整器2与射频前端模块F可以设置在一电路基板P上,并且阻抗频率调整器2可以电性连接于耦合馈入结构1与一射频前端模块F之间。然而,上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本实用新型。
举例来说,阻抗频率调整器2(或是阻抗频率调整电路)可让曲面天线辐射结构R(或是天线辐射组件)的共振频率点(f0)往较高频率(f0+fH)或者往较低频率(f0-fL)做调整。因为曲面天线辐射结构R在不同的介质环境下,会有不同的共振频率点,此时可借由阻抗频率调整器2的调整,让曲面天线辐射结构R可在曲面天线辐射结构R不做修改的情况下,仍然可以获得所需的共振频率点。
值得注意的是,射频前端模块F主要是在无线电接收器电路中用于处理接收原调频讯号,并且射频前端模块F是射频收发器和天线之间的一系列组件,主要包括功率放大器(PA)、天线开关(Switch)、滤波器(Filter)、双工器(Duplexer和Diplexer)和低噪声放大器(LNA)等,可相互配合以用于协助信号的收发。
举例来说,曲面天线辐射结构R可以是能够呈现曲线外形的偶极天线(DipoleAntenna)、单极天线(Monopole Antenna)、环形天线(Loop Antenna)、倒F型天线(PIFA)、贴片天线(Patch Antenna)、微带天线或者数组天线。然而,上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本实用新型。只要是能够呈现曲线外形并且可以预先设置在任何一种介质物体M的曲面上的任何天线辐射结构都可应用于本实用新型中。
更进一步来说,如图1所示,介质物体M具有一上表面M101以及相对于上表面M101的一下表面M102。举例来说,介质物体M可以是任何一种非导电材料或者介电材料(例如塑料或者陶瓷)。此外,介质物体M的上表面M101可为一非平整表面(也就是任意一种曲面),并且介质物体M的下表面M102为一平整表面(也就是非曲面的表面)。另外,曲面天线辐射结构R可以设置在介质物体M的上表面M101上(也就是设置在非平整表面上),并且耦合馈入结构1可以设置在介质物体M的下表面M102上(也就是设置在平整表面上)。然而,上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本实用新型。
因此,本实用新型可以通过耦合馈入阻抗匹配系统S所提供的耦合馈入结构1的辅助后将能够与曲面天线辐射结构R进行相互耦合,借此以有效地将讯号能量传送至各个曲面结构,而不受曲面结构的影响。另外,本实用新型还可以通过耦合馈入阻抗匹配系统S所提供的阻抗频率调整器2的辅助后将可以依据介质物体M的材质而调整曲面天线辐射结构R的共振频率(例如将曲面天线辐射结构R的原始共振频率进行调升或者调降),借此以使得曲面天线辐射结构R的阻抗频率特性不会受到影响。
[第二实施例]
参阅图3所示,本实用新型第二实施例提供一种耦合馈入阻抗匹配系统S,耦合馈入阻抗匹配系统S适用于一曲面天线辐射结构R,并且曲面天线辐射结构R可以预先设置在一介质物体M的一曲面上。由图3与图1的比较可知,本实用新型第二实施例与第一实施例最主要的差异在于:在第二实施例中,介质物体M的上表面M101与下表面M102都是非平整表面(也就是任意一种曲面)。因此,虽然曲面天线辐射结构R被预先设置在一介质物体M的一曲面上,但是通过耦合馈入阻抗匹配系统S所提供的耦合馈入结构1的辅助后将能够与曲面天线辐射结构R进行相互耦合,并且通过耦合馈入阻抗匹配系统S所提供的阻抗频率调整器2的辅助后将可以依据介质物体M的材质而调整曲面天线辐射结构R的共振频率(例如将曲面天线辐射结构R的原始共振频率进行调升或者调降)。
[实施例的有益效果]
本实用新型的其中一有益效果在于,本实用新型所提供的一种耦合馈入阻抗匹配系统S,其能通过“耦合馈入结构1设置在介质物体M上,且耦合馈入结构1与曲面天线辐射结构R彼此分离且相互耦合”以及“阻抗频率调整器2电性连接于耦合馈入结构1”的技术方案,以使得耦合馈入阻抗匹配系统S可以适用于曲面天线辐射结构R,并且使得阻抗频率调整器2可以被配置以用于依据介质物体M的材质而调整曲面天线辐射结构R的共振频率。
更进一步来说,本实用新型可以通过耦合馈入阻抗匹配系统S所提供的耦合馈入结构1的辅助后将能够与曲面天线辐射结构R进行相互耦合,借此以有效地将讯号能量传送至各个曲面结构,而不受曲面结构的影响。另外,本实用新型还可以通过耦合馈入阻抗匹配系统S所提供的阻抗频率调整器2的辅助后将可以依据介质物体M的材质而调整曲面天线辐射结构R的共振频率(例如将曲面天线辐射结构R的原始共振频率进行调升或者调降),借此以使得曲面天线辐射结构R的阻抗频率特性不会受到影响。
以上所公开的内容仅为本实用新型的优选可行实施例,并非因此局限本实用新型的权利要求书的保护范围,所以凡是运用本实用新型说明书及附图内容所做的等效技术变化,均包含于本实用新型的权利要求书的保护范围内。
Claims (10)
1.一种耦合馈入阻抗匹配系统,其特征在于,所述耦合馈入阻抗匹配系统适用于一曲面天线辐射结构,所述曲面天线辐射结构设置在一介质物体的一曲面上,所述耦合馈入阻抗匹配系统包括:
一耦合馈入结构,所述耦合馈入结构设置在所述介质物体上,且所述耦合馈入结构与所述曲面天线辐射结构彼此分离且相互耦合;以及
一阻抗频率调整器,所述阻抗频率调整器电性连接于所述耦合馈入结构,所述阻抗频率调整器被配置以用于依据所述介质物体的材质,以调整所述曲面天线辐射结构的共振频率。
2.根据权利要求1所述的耦合馈入阻抗匹配系统,其特征在于,所述曲面天线辐射结构是偶极天线、单极天线、环形天线、倒F型天线、贴片天线、微带天线或者数组天线。
3.根据权利要求1所述的耦合馈入阻抗匹配系统,其特征在于,所述介质物体具有一上表面以及相对于所述上表面的一下表面,所述曲面天线辐射结构设置在所述介质物体的所述上表面上,且所述耦合馈入结构设置在所述介质物体的所述下表面上;其中,所述介质物体的所述上表面为一非平整表面,且所述介质物体的所述下表面为一平整表面。
4.根据权利要求1所述的耦合馈入阻抗匹配系统,其特征在于,所述介质物体具有一上表面以及相对于所述上表面的一下表面,所述曲面天线辐射结构设置在所述介质物体的所述上表面上,且所述耦合馈入结构设置在所述介质物体的所述下表面上;其中,所述介质物体的所述上表面与所述下表面都是非平整表面。
5.根据权利要求1所述的耦合馈入阻抗匹配系统,其特征在于,所述耦合馈入结构具有一与所述曲面天线辐射结构相互匹配的结构形状,且所述阻抗频率调整器设置在一电路基板上。
6.一种耦合馈入阻抗匹配系统,其特征在于,所述耦合馈入阻抗匹配系统适用于一曲面天线辐射结构,所述耦合馈入阻抗匹配系统包括:
一耦合馈入结构,所述耦合馈入结构设置在一介质物体上,且所述耦合馈入结构与所述曲面天线辐射结构彼此分离且相互耦合;以及
一阻抗频率调整器,所述阻抗频率调整器电性连接于所述耦合馈入结构与一射频前端模块之间。
7.根据权利要求6所述的耦合馈入阻抗匹配系统,其特征在于,所述曲面天线辐射结构是偶极天线、单极天线、环形天线、倒F型天线、贴片天线、微带天线或者数组天线。
8.根据权利要求6所述的耦合馈入阻抗匹配系统,其特征在于,所述介质物体具有一上表面以及相对于所述上表面的一下表面,所述曲面天线辐射结构设置在所述介质物体的所述上表面上,且所述耦合馈入结构设置在所述介质物体的所述下表面上;其中,所述介质物体的所述上表面为一非平整表面,且所述介质物体的所述下表面为一平整表面。
9.根据权利要求6所述的耦合馈入阻抗匹配系统,其特征在于,所述介质物体具有一上表面以及相对于所述上表面的一下表面,所述曲面天线辐射结构设置在所述介质物体的所述上表面上,且所述耦合馈入结构设置在所述介质物体的所述下表面上;其中,所述介质物体的所述上表面与所述下表面都是非平整表面。
10.根据权利要求6所述的耦合馈入阻抗匹配系统,其特征在于,所述耦合馈入结构具有一与所述曲面天线辐射结构相互匹配的结构形状,且所述阻抗频率调整器与所述射频前端模块设置在一电路基板上。
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