CN217010327U - 用于小电流驱动的元器件的保护电路 - Google Patents
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Abstract
一种用于小电流驱动的元器件的保护电路,包括PNP型三极管,NPN型三极管,PNP型三极管的发射极用于连接电源,PNP型三极管的基极通过电阻R1与NPN型三极管的集电极连接,PNP型三极管的集电极与电阻R2的一端电连接,电阻R2的另一端与二极管D1的阴极电连接,二极管D1的阳极通过电阻R3与NPN型三极管的基极电连接,NPN型三极管的发射极接地,二极管D1的阳极用于连接MCU的电平信号输出端,二极管D1的阴极用于连接元器件的输入端,在元器件出现短接地故障时,不需要软件控制,直接通过硬件回路直接切断元器件和MCU电源供电端的连接,进行断路保护,避免了元器件因为反复电流冲击导致的烧毁,保证了回路的安全性和可靠性,并且还精简了电路元件的数量,减少了制造成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及汽车电子控制领域,具体涉及一种用于小电流驱动的元器件的保护电路。
背景技术
随着时代的飞速发展,电子控制领域的技术及要求也不断的更新和进步,人们对电子控制的安全性及合理性的要求也越来越严苛。在日常生活中,比如我们的手机、电脑、电视、洗衣机,甚至汽车、游轮、飞机等等,它们通过MCU外接若干电子元器件来完成各种不同的功能,而MCU外接的大多数元器件能承受的电流都比较小,通常为霍尔传感器、发光二极管、蜂鸣器等小电流元器件。例如,汽车ECU中用于小电流元器件的保护电路如图2所示,一PNP型三极管的发射极用于连接电源,该PNP型三极管的基极通过电阻R10与第一NPN型三极管NPN-1的集电极连接,所述第一NPN型三极管NPN-1的发射极接地,所述第一NPN型三极管NPN-1的基极用于连接MCU的电平信号输出端,所述PNP型三极管的集电极通过电阻R20与第二NPN型三极管NPN-2的集电极连接,所述第二NPN型三极管NPN-2的基极与集电极之间设有一电阻R30,所述第二NPN型三极管NPN-2的发射极通过电阻R40与MCU的反馈信号输入端,用于供MCU采集信号;第三NPN型三极管NPN-3的基极连接在电阻R40与第二NPN型三极管NPN-2的发射极之间,该第三NPN型三极管NPN-3的集电极与第二NPN型三极管NPN-2的基极相连,第三NPN型三极管NPN-3的发射极与MCU的反馈信号输入端连接,小电流元器件与MCU的反馈信号输入端连接。
MCU只需要通过控制第一NPN型三极管NPN-1的基极的电平来控制第一NPN型三极管NPN-1的导通,电流从PNP型三极管流向电阻R20依次经过第二NPN型三极管NPN-2、第三NPN型三极管NPN-3给小电流元器件供电工作。
而元器件的输入端与第三NPN型三极管NPN-3的发射极连接,一旦元器件的输入端对地短路,第三NPN型三极管NPN-3的发射极的电压为零,这时第三NPN型三极管NPN-3完全饱和导通,电路将受到大电流冲击;此时,第二NPN型三极管NPN-2的基极变为低电平,则第二NPN型三极管NPN-2关断,从而使第二NPN型三极管NPN-2的发射极的电压为零,则导致第三NPN型三极管NPN-3被关断,断开电路,起到保护作用;然而,与电阻R30相连的第二NPN型三极管NPN-2的基极的电平此时又变为高电平,第二NPN型三极管NPN-2、第三NPN型三极管NPN-3均为导通状态,由于元器件的输入端仍然对地短路,还是会产生大电流冲击。而第三NPN型三极管NPN-3的发射极由于对地短接为低电平后,又重复上述过程,周而复始,直到通过软件控制MCU不再对第一NPN型三极管NPN-1的基极输出电压才会停止,若没有及时通过软件对MCU进行控制,切断第一NPN型三极管NPN-1的基极的输入电压,而电子控制回路的电流承受能力不足,极易导致元器件发热融化,使整个电路产生故障或者烧毁,甚至造成重大事故,对人民的生命财产造成损失。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术对应的不足,提供一种用于小电流驱动的元器件的保护电路,与MCU连接的元器件出现短接地故障时,不需要软件控制,直接通过硬件回路切断MCU输出给元器件的控制信号,从而断开控制回路中电源的输入,进行断路保护,避免了元器件因为反复电流冲击导致的烧毁,保证了回路的安全性和可靠性,并且还精简了电路元件的数量,减少了制造成本。
本实用新型的目的是采用下述方案实现的:一种用于小电流驱动的元器件的保护电路,包括一PNP型三极管,一NPN型三极管,所述PNP型三极管的发射极用于连接电源,所述PNP型三极管的基极通过电阻R1与NPN型三极管的集电极连接,所述PNP型三极管的集电极与一电阻R2的一端电连接,所述电阻R2的另一端与一二极管D1的阴极电连接,所述二极管D1的阳极通过一电阻R3与NPN型三极管的基极电连接,所述NPN型三极管的发射极接地,所述二极管D1的阳极用于连接MCU输出端,所述二极管D1的阴极用于连接元器件的输入端。
优选地,所述电阻R1的阻值为1~5KΩ,所述电阻R2的阻值为10~100KΩ,所述电阻R3的阻值为5~10KΩ。
优选地,所述二极管D1的导通电流为1A,导通压降为0.7~1V,反向击穿电压大于400V。
优选地,所述NPN型三极管、PNP型三极管的导通电流均为500mA,耐压值均为50V。
优选地,所述元器件为由小电流驱动的元器件。
优选地,所述元器件包括霍尔传感器、发光二极管、蜂鸣器。
本实用新型包含如下有益效果:采用极少的电路元件,在MCU控制NPN型三极管导通时,使PNP型三极管导通,电源的电流通过PNP型三极管从电阻R2流向元器件,给元器件供电,一旦元器件对地短路,不需要软件控制,硬件回路会直接切断元器件和MCU电源供电端的连接,进行断路保护,避免了由小电流驱动的元器件因为反复的电流冲击导致烧毁。
附图说明
图1为本实用新型的电路图;
图2为现有的汽车ECU中用于小电流元器件的保护电路原理图。
具体实施方式
如图1所示,一种用于小电流驱动的元器件的保护电路,包括一PNP型三极管,一NPN型三极管,所述PNP型三极管的发射极用于连接电源,所述PNP型三极管的基极通过电阻R1与NPN型三极管的集电极连接,所述PNP型三极管的集电极与一电阻R2的一端电连接,所述电阻R2的另一端与一二极管D1的阴极电连接,所述二极管D1的阳极通过一电阻R3与NPN型三极管的基极电连接,所述NPN型三极管的发射极接地,所述二极管D1的阳极用于连接MCU的电平信号输出端,所述二极管D1的阴极用于连接元器件的输入端,所述元器件为由小电流驱动的元器件,即所述元器件均为承受电流小的元器件,只能通过小电流,否则会烧毁。
本实施例中,所述元器件包括霍尔传感器、发光二极管、蜂鸣器,电源为9V~16V的直流电源,电阻R1的阻值为1~5KΩ,电阻R2的阻值为10~100KΩ,电阻R3的阻值为5~10KΩ;所述二极管D1的导通电流为1A,导通压降为0.7~1V,反向击穿电压大于400V;所述NPN型三极管、PNP型三极管的导通电流均为500mA,当三极管在电路中作为开关管使用时,耐压值必须是实际工作电压的8至10倍,否则会击穿损坏,本实施例中,所述NPN型三极管、PNP型三极管的耐压值均为50V。
MCU的电平信号输出端通过电阻R3给NPN型三极管的基极输入高电平,使NPN型三极管导通,此时,由于NPN型三极管的发射极接地,故NPN型三极管的集电极也为低电平,此时PNP型三极管的发射极的电平高于PNP型三极管的基极的电平,即PNP型三极管也处于导通状态,电源的电流通过PNP型三极管从电阻R2流向元器件,给元器件供电,并通过二极管D1对电路进行保护,一旦元器件的输入端对地短路,由于电阻R3的阻值远大于MCU到二极管D1的回路电阻值,此时的电阻R3起到了限流的作用,电流直接由MCU的输出端通过二极管D1流向地,NPN型三极管基极的输入电压为低电平,即NPN型三极管未导通,此时NPN型三极管的集电极处于高阻态,故PNP型三极管的基极也无法产生低电平,PNP型三极管为断开状态,电源的电流无法由PNP型三极管通过电阻R2流向元器件,不需要软件控制就可以使整个回路处于断路保护状态,直到元器件对地短路的状态解除为止,才会自动恢复正常工作。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并不用于限制本实用新型,本领域的技术人员在不脱离本实用新型的精神的前提下,对本实用新型进行的改动均落入本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种用于小电流驱动的元器件的保护电路,其特征在于,包括一PNP型三极管,一NPN型三极管,所述PNP型三极管的发射极用于连接电源,所述PNP型三极管的基极通过电阻R1与NPN型三极管的集电极连接,所述PNP型三极管的集电极与一电阻R2的一端电连接,所述电阻R2的另一端与一二极管D1的阴极电连接,所述二极管D1的阳极通过一电阻R3与NPN型三极管的基极电连接,所述NPN型三极管的发射极接地,所述二极管D1的阳极用于连接MCU输出端,所述二极管D1的阴极用于连接元器件的输入端。
2.根据权利要求1所述用于小电流驱动的元器件的保护电路,其特征在于:所述电阻R1的阻值为1~5KΩ,所述电阻R2的阻值为10~100KΩ,所述电阻R3的阻值为5~10KΩ。
3.根据权利要求1所述用于小电流驱动的元器件的保护电路,其特征在于:所述二极管D1的导通电流为1A,导通压降为0.7~1V,反向击穿电压大于400V。
4.根据权利要求1所述用于小电流驱动的元器件的保护电路,其特征在于:所述NPN型三极管、PNP型三极管的导通电流均为500mA,耐压值均为50V。
5.根据权利要求1所述用于小电流驱动的元器件的保护电路,其特征在于:所述元器件为由小电流驱动的元器件。
6.根据权利要求1所述用于小电流驱动的元器件的保护电路,其特征在于:所述元器件包括霍尔传感器、发光二极管、蜂鸣器。
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