CN216929585U - 复合器件全模型防雷模块 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及防雷模块技术领域，且公开了复合器件全模型防雷模块，包括差模芯片，所述差模芯片的正面设有PCB板，所述差模芯片的背面设有N级引脚，所述PCB板的正面设有共模芯片，所述PCB板的正面设有位于共模芯片右侧的放电管，所述PCB板的正面设有位于共模芯片和放电管上方的电阻和TVS，所述TVS位于电阻的右侧，所述共模芯片和放电管的正面分别设有PE模引脚和L级引脚。该复合器件全模型防雷模块，具备安全性高的优点，解决了现有体积较小的防雷模块在遇到雷击时，高电压经由防雷模块泄压后，后端残压平峰值较高，自身降压能力较差，容易引发安全事故的问题。

Description

复合器件全模型防雷模块

技术领域

本实用新型涉及防雷模块技术领域，具体为复合器件全模型防雷模块。

背景技术

众所周知，雷雨天气中的雷电是非常危险的，雷电会对我们的生产和生活造成很大的影响，那我们怎么能将这个“危险”化险为夷呢，在通信电源里，我们要用到一种保护装置，这位保护装置叫“防雷模块”，当遭遇雷击时，防雷模块会将瞬间大电流引入大地释放掉，以保证用电设备的安全。

现有体积较小的防雷模块在遇到雷击时，高电压经由防雷模块泄压后，后端残压平峰值较高，自身降压能力较差，容易引发安全事故，故而提出复合器件全模型防雷模块来解决上述所提的问题。

实用新型内容

（一）解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了复合器件全模型防雷模块，具备体安全性高的优点，解决了现有体积较小的防雷模块在遇到雷击时，高电压经由防雷模块泄压后，后端残压平峰值较高，自身降压能力较差，容易引发安全事故的问题。

（二）技术方案

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：复合器件全模型防雷模块，包括差模芯片，所述差模芯片的正面设有PCB板，所述差模芯片的背面设有N级引脚，所述PCB板的正面设有共模芯片，所述PCB板的正面设有位于共模芯片右侧的放电管，所述PCB板的正面设有位于共模芯片和放电管上方的电阻和TVS，所述TVS位于电阻的右侧，所述共模芯片和放电管的正面分别设有PE模引脚和L级引脚。

本实用新型的有益效果是：在电流流通过程中，由于GDT加设有旁路，GDT的辉光状态因为GDT旁路的分流，使GDT内的电流减少，加速GDT熄弧，使GDT在工作电压以下熄弧，整个回路恢复高阻，因此，这个回路使用的芯片在同等工作电压可以比GMOV降一个电压档次，压敏电压降一个档次也就降低了残压平峰。

该复合器件全模型防雷模块，具备了体积小且降压效果好的优点。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

进一步，所述PCB板的外部开设有导锡槽孔。

采用上述进一步方案的有益效果是，导锡槽孔能够便于后续设备的焊接。

进一步，所述放电管、TVS、电阻和共模芯片均通过导锡槽及导锡孔锡焊固定于PCB板的正面。

采用上述进一步方案的有益效果是，焊接固定结构牢靠不易脱落。

进一步，所述PE模引脚、L级引脚和N级引脚均通过锡焊焊接分别固定连接在共模芯片、放电管和差模芯片的背面。

采用上述进一步方案的有益效果是，焊接固定结构牢靠不易脱落。

进一步，所述L级引脚至放电管、N级引脚至差模芯片和PE模引脚至共模芯片为串联，所述放电管、差模芯片、共模芯片在PCB板的正反两面为并联且为非对称结构。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型N级引脚与差模芯片连接结构示意图；

图3为本实用新型共模芯片与PCB板连接结构示意图；

图4为本实用新型电路图;

图5为本实用新型爆炸图。

图中：1、差模芯片；2、PCB板；3、N级引脚；4、共模芯片；5、放电管；6、TVS；7、电阻；8、L级引脚；9、PE模引脚。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例中，由图1-5给出复合器件全模型防雷模块，包括差模芯片1，差模芯片1的正面设有PCB板2，差模芯片1的背面设有N级引脚3，PCB板2的正面设有共模芯片4，PCB板2的正面设有位于共模芯片4右侧的放电管5，PCB板2的正面设有位于共模芯片4和放电管5上方的电阻7和TVS6，TVS6位于电阻7的右侧，共模芯片4和放电管5的正面分别设有PE模引脚9和L级引脚8，TVS6和电阻7组成辅助旁路且与放电管5并联；

其中，在GDT上并联了TVS6串电阻7的旁路，差摸芯片1和共模芯片4是存在电容的，浪涌来的时候会通过放电管5的旁路给芯片的寄生电容充电，当芯片寄生电容的电压达到放电管5导通电压时，放电管5导通，芯片继而导通，也就是说这个结构是让芯片和放电管5在不同的时间段导通，在一定的电压上升斜率下它的导通电压会低于纯GDT串压敏；

在GMOV断续模式下，GDT串压敏结构是压敏电压高于工作电压才能完整断开放电管续流，它的过程是浪涌过后，压敏根据电流情况逐步恢复高阻状态，GDT也同时从弧光状态逐步上升到辉光状态，直至GDT完全熄弧；

PCB板2的外部开设有导锡槽孔；

导锡槽孔能够便于后续设备的焊接；

放电管5、TVS6、电阻7和共模芯片4均通过导锡槽及导锡孔锡焊固定于PCB板2的正面；

焊接固定结构牢靠不易脱落；

PE模引脚9、L级引脚8和N级引脚3均通过锡焊焊接分别固定连接在共模芯片4、放电管5和差模芯片1的背面；

焊接固定结构牢靠不易脱落；

L级引脚8至放电管5、N级引脚3至差模芯片1和PE模引脚9至共模芯片4为串联，放电管5、差模芯片1、共模芯片4在PCB板2的正反两面为并联且为非对称结构；

其中，通流能力使用非对称结构，按IEC61000-4-5、IEC64643及GB18802、GB17626.5中规定的T3类实验要求，差模2欧阻抗，共模12欧阻抗，差摸芯片1阻抗小所以同等电压要求通流大，共模芯片4因阻抗大所以通流较小。因此L-N差摸间使用通流较大的差模芯片1（MOV1）做为主通流器件，共模L-PE、N-PE间使用通流较小的共模芯片4（MOV2）作为主通流器件。

工作原理：

在电路中通流较大时，L-N差摸间使用差模芯片1（MOV1）做为主通流器件；

在电路中通流较小时，共模L-PE、N-PE间使用共模芯片4（MOV2）作为主通流器件；

其中，在电流流通过程中，由于GDT加设有旁路，GDT的辉光状态因为GDT旁路的分流，使GDT内的电流减少，加速GDT熄弧，使GDT在工作电压以下熄弧，整个回路恢复高阻，因此，这个回路使用的芯片在同等工作电压可以比GMOV降一个电压档次，压敏电压降一个档次也就降低了残压平峰。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.复合器件全模型防雷模块，包括差模芯片（1），其特征在于：所述差模芯片（1）的正面设有PCB板（2），所述差模芯片（1）的背面设有N级引脚（3），所述PCB板（2）的正面设有共模芯片（4），所述PCB板（2）的正面设有位于共模芯片（4）右侧的放电管（5），所述PCB板（2）的正面设有位于共模芯片（4）和放电管（5）上方的电阻（7）和TVS（6），所述TVS（6）位于电阻（7）的右侧，所述共模芯片（4）和放电管（5）的正面分别设有PE模引脚（9）和L级引脚（8）。

2.根据权利要求1所述的复合器件全模型防雷模块，其特征在于：所述PCB板（2） 的外部开设有导锡槽孔。

3.根据权利要求1所述的复合器件全模型防雷模块，其特征在于：所述放电管（5）、TVS（6）、电阻（7）和共模芯片（4）均通过导锡槽及导锡孔锡焊固定于PCB板（2）的正面。

4.根据权利要求1所述的复合器件全模型防雷模块，其特征在于：所述PE模引脚（9）、L级引脚（8）和N级引脚（3）均通过锡焊焊接分别固定连接在共模芯片（4）、放电管（5）和差模芯片（1）上。

5.根据权利要求1所述的复合器件全模型防雷模块，其特征在于：所述L级引脚（8）至放电管（5）、N级引脚（3）至差模芯片（1）和PE模引脚（9）至共模芯片（4）为串联，所述差模芯片（1）、共模芯片（4）在PCB板（2）的正反两面为并联且为非对称结构。

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