CN216851375U - 一种移动电源 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种移动电源，移动电源包括主电路板、第一放电口、第二放电口和第三放电口；主电路板上设置有第一控制模块、充放电管理芯片和扩展电路；第一控制模块与充放电管理芯片连接，充放电管理芯片包括第一电压输出引脚和第二电压输出引脚；第一放电口与第一电压输出引脚连接；第二放电口与第二电压输出引脚连接；第三放电口通过扩展电路与第二电压输出引脚连接。本实用新型提供的移动电源，利用扩展电路，将仅支持2个对外充电口的充放电管理芯片，扩展出3个对外充电接口，解决了在不增加充放电管理芯片的支持的对外充电口数量的基础上，对移动电源的充电口的数量进行拓展增加的问题。

Description

一种移动电源

技术领域

本实用新型涉电源技术领域，特别是涉及一种移动电源。

背景技术

现有移动电源根据移动电源的充放电管理芯片支持的充放电口数量，决定了移动电源的充电口的数量，基于现有的充放电管理芯片无法对移动电源的充电口的数量进行拓展增加。

实用新型内容

有鉴于此，有必要提供一种移动电源，以解决现有技术中无法对移动电源的充电口的数量进行拓展增加的问题。

本实用新型提供一种移动电源，移动电源包括主电路板、第一放电口、第二放电口和第三放电口；主电路板上设置有第一控制模块、充放电管理芯片和扩展电路；

第一控制模块与充放电管理芯片连接，充放电管理芯片包括第一电压输出引脚和第二电压输出引脚；

第一放电口与第一电压输出引脚连接；第二放电口与第二电压输出引脚连接；第三放电口通过扩展电路与第二电压输出引脚连接。

在其中一个实施例中，扩展电路包括，场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4；

场效应晶体管Q1的源极与第二电压输出引脚连接，场效应晶体管Q1的漏极与场效应晶体管Q2的栅极连接，场效应晶体管Q2的源极与第二电压输出引脚连接，场效应晶体管Q2的漏极与第三放电口的电源管脚连接，场效应晶体管Q2的栅极与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端接地；

电阻R1的一端与主电路板提供的第一电压端连接，场效应晶体管Q1的栅极与电阻R1的另一端连接，电阻R1的另一端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端接地；

场效应晶体管Q3的源极与主电路板提供的第二电压端连接，场效应晶体管Q3的栅极与场效应晶体管Q1的漏极连接，场效应晶体管Q3的漏极与电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端与场效应晶体管Q2的漏极。

在其中一个实施例中，扩展电路还包括电压检测电路，电压检测电路包括电阻R5和电容C1；

电阻R5的一端与场效应晶体管Q2的漏极连接，另一端与电容C1的一端连接，电容C1的另一端接地。

在其中一个实施例中，电容C1的一端与第一控制模块连接。

在其中一个实施例中，扩展电路还包括电流检测电路，电流检测电路包括电阻R6，电阻R6的一端与第三放电口的接地管脚连接，电阻R6的另一端接地。

在其中一个实施例中，电阻R6的一端与第一控制模块连接。

在其中一个实施例中，电流检测电路还包括，电阻R7和电容C3；

电阻R7的一端与电阻R6的一端连接，电阻R7的另一端与电容C3的一端连接，电容C3的另一端接地；

电容C3的一端与第一控制模块连接。

在其中一个实施例中，扩展电路还包括电容C2，电容C2的一端与场效应晶体管Q2的漏极连接，另一端接地。

在其中一个实施例中，移动电源还包括转换电路，第一放电口通过转换电路与第一电压输出引脚连接。

在其中一个实施例中，转换电路包括第二控制模块、解密芯片和场效应晶体管Q4；

解密芯片与第二控制模块连接，解密芯片与第一放电口的识别控制管脚连接；

场效应晶体管Q4的栅极与第二控制模块连接，场效应晶体管Q4的源极与第一电压输出引脚连接，场效应晶体管Q4的漏极与第一放电口的电源管脚连接；

第一放电口的配置通道管脚与第二控制模块和主电路板提供的配置通道信号端口连接。

本实用新型提供的移动电源，利用扩展电路，将仅支持2个对外充电口的充放电管理芯片，扩展出3个对外充电接口，解决了在不增加充放电管理芯片的支持的对外充电口数量的基础上，对移动电源的充电口的数量进行拓展增加的问题；通过转换电路的设置，第一放电口仅需要主电路板提供3根信号线，即可实现设备的快速充电，节约了线缆成本，方便焊接和装配。

附图说明

图1是本实用新型提供的一种移动电源的示意图；

图2是本实用新型提供的另一种移动电源的示意图；

图3是本实用新型提供的扩展电路的示意图；

图4是本实用新型提供的另一种移动电源的示意图；

图5是一种连接线与主电路板信号线连接的示意图；

图6是本实用新型提供的另一种移动电源的示意图；

图7是本实用新型提供的一种转换电路的示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，当元件被称为“设于”另一个元件，它可以直接设在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“设置于”另一个元件，它可以是直接设置在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被认为是“固定于”另一个元件，它可以是直接固定在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

图1是本实用新型提供的一种移动电源的示意图，如图1所示，该移动电源包括主电路板、第一放电口3、第二放电口4和第三放电口5，该主电路板上设置有第一控制模块1、充放电管理芯片2和扩展电路6。

第一控制模块1与充放电管理芯片2信号连接，用于控制充放电管理芯片的输出电压。其中，第一控制模块1可以为MCU。充放电管理芯片2包括第一电压输出引脚VBUS1和第二电压输出引脚VBUS2，第一电压输出引脚VBUS1和第二电压输出引脚VBUS2与对外的充电口连接，为充电口提供电压，第一电压输出引脚VBUS1和第二电压输出引脚VBUS2可以提供相同的电压，也可以提供不同的电压，例如，第一电压输出引脚VBUS1提供的电压为5V、9V或12V，第二电压输出引脚VBUS2提供的电压为5V、9V或12V。第一放电口3与第一电压输出引脚VBUS1电连接，第二放电口4与第二电压输出引脚VBUS2电连接，第三放电口5通过扩展电路6与第二电压输出引脚VBUS2连接。通过扩展电路6将第三放电口5与第二电压输出引脚VBUS2连接，当第一控制模块1检测到第三放电口5上有设备插入时，第一控制模块1根据插入的设备类型，控制充放电管理芯片2第二电压输出引脚VBUS2输出的电压值，通过扩展电路6为第三放电口5提供设备需要的充电电压。其中，第一放电口3、第二放电口4、第三放电口5为对外提供的充电接口，可以为USB-C接口、Micro-B接口和lightning接口中的一种或多种，例如，第一放电口3可以为lightning接口，第二放电口4可以为Micro-B接口，第三放电口5可以为Micro-B接口。其中USB-C、lightning可支持普遍通用的快充协议，Micro-B为扩展接口，支持5V电压充电。其中，充放电管理芯片2可以为SW6106，SW6201，SW6206等充放电管理芯片，在此不做具体限定。

现有快充方案根据充放电管理芯片支持的充放电口数量，决定了移动电源的充电口的数量，无法进行拓展增加。而充放电口数量较多的芯片成本较高，面积更大，不利于移动电源设计。本实施例中，提供了一种低成本的支持快充的移动电源，利用扩展电路，将仅支持2个对外充电口的充放电管理芯片，扩展出3个对外充电接口，解决了在不增加充放电管理芯片的支持的对外充电口数量的基础上，对移动电源的充电口的数量进行拓展增加的问题。

图2是本实用新型提供的另一种移动电源的示意图，如图2所示，该移动电源包括主电路板，该主电路板上设置有第一控制模块1、充放电管理芯片2、第一放电口3、第二放电口4、第三放电口5和扩展电路6。该移动电源还包括电源充电口7和电池8。电源充电口7与充放电管理芯片2连接，用于为移动电源提供充电接口。其中，电源充电口7可以为USB-C接口。电池8与充放电管理芯片2连接，用于为移动电源提供电源。

第一控制模块1与充放电管理芯片2连接，用于控制充放电管理芯片的输出电压。其中，第一控制模块1可以为MCU。充放电管理芯片2包括第一电压输出引脚VBUS1和第二电压输出引脚VBUS2，第一电压输出引脚VBUS1和第二电压输出引脚VBUS2与对外的充电口连接，为充电口提供电压，第一电压输出引脚VBUS1和第二电压输出引脚VBUS2可以提供相同的电压，也可以提供不同的电压，例如，第一电压输出引脚VBUS1为5V、9V或12V，第二电压输出引脚VBUS2提供的电压为5V、9V或12V。第一放电口3与第一电压输出引脚VBUS1连接，第二放电口4与第二电压输出引脚VBUS2连接，第三放电口5通过扩展电路6与第二电压输出引脚VBUS2连接。其中，第一放电口3、第二放电口4、第三放电口5为对外提供的充电接口，可以为USB-C接口、Micro-B接口和lightning接口中的一种或多种，例如，第一放电口3可以为lightning接口，第二放电口4可以为Micro-B接口，第三放电口5可以为Micro-B接口。其中USB-C、lightning可支持普遍通用的快充协议，Micro-B为扩展接口，支持5V电压充电。其中，充放电管理芯片2可以为SW6106，SW6201，SW6206等充放电管理芯片，在此不做具体限定。

本实施例中，提供了一种低成本的支持快充的移动电源，利用扩展电路，将仅支持2个对外充电口的充放电管理芯片，扩展出3个对外充电接口，解决了在不增加充放电管理芯片的支持的对外充电口数量的基础上，对移动电源的充电口的数量进行拓展增加的问题。通过电源充电口和电池为移动电源提供多种充电方式。

图3是本实用新型提供的扩展电路的示意图，如图3所示，扩展电路6包括，场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4。

场效应晶体管Q1的源极与第二电压输出引脚VBUS2连接，场效应晶体管Q1的漏极与场效应晶体管Q2的栅极连接，场效应晶体管Q2的源极与第二电压输出引脚VBUS2连接，场效应晶体管Q2的漏极与第三放电口5的电源管脚连接，场效应晶体管Q2的栅极与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端接地。其中，场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2可以为NMOS场效应晶体管，也可以为PMOS场效应晶体管。

电阻R1的一端与主电路板提供的第一电压端VCC1连接，第一电压端VCC1为扩展电路6提供电压，场效应晶体管Q1的栅极与电阻R1的另一端连接，电阻R1的另一端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端接地。其中，第一电压端VCC1可以为主电路板提供的电压端口，也可以为充放电管理芯片2提供的电压端口。

场效应晶体管Q3的源极与主电路板提供的第二电压端VCC2连接，第二电压端VCC2为扩展电路6提供电压，场效应晶体管Q3的栅极与场效应晶体管Q1的漏极连接，场效应晶体管Q3的漏极与电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端与场效应晶体管Q2的漏极。其中，场效应晶体管Q3可以为NMOS场效应管，也可以为PMOS场效应管；第二电压端VCC2可以为主电路板提供的电压端口，也可以为充放电管理芯片2提供的电压端口；第一电压端VCC1和第二电压端VCC2提供的电压值可以相同，也可以不同，例如，第一电压端VCC1和第二电压端VCC2提供的电压值均为5V。

本实施例中，利用扩展电路，将仅支持2个对外充电口的充放电管理芯片，扩展出3个对外充电接口，解决了在不增加充放电管理芯片的支持的对外充电口数量的基础上，对移动电源的充电口的数量进行拓展增加的问题。

在其中的一些实施例中，扩展电路6还包括电压检测电路，电压检测电路包括串联设置的电阻R5和电容C1。电阻R5的一端与场效应晶体管Q2的漏极连接，另一端与电容C1的一端连接，电容C1的另一端接地。电容C1的一端与第一控制模块1连接。具体地，在电容C1的一端设置电压检测点LOAD_CHK端口，LOAD_CHK端口与第一控制模块1连接，第一控制模块1测量LOAD_CHK端口的电压的变化，根据该电压变化来判断第三放电口5是否有设备插入。

本实施例中，通过设置电压检测点，根据电压检测点的电压变化来判断第三放电口是否有设备插入，从而控制充放电管理芯片输出的电压值。

在其中的一些实施例中，扩展电路6还包括电流检测电路，电流检测电路包括电阻R6，电阻R6的一端与第三放电口的接地管脚连接，电阻R6的另一端接地，电阻R6的一端与第一控制模块1连接。具体地，在电阻R6的一端设置电流检测点CUR_CHK端口，CUR_CHK端口与第一控制模块1连接，第一控制模块1测量CUR_CHK端口的电压的变化，根据该电压变化来判断第三放电口5插入的设备是否拔出。

本实施例中，通过设置电流检测点，根据电流检测点的电压变化来判断第三放电口插入的设备是否拔出，从而控制充放电管理芯片输出的电压值。

在其中的一些实施例中，电流检测电路还包括串联设置的电阻R7和电容C3。电阻R7的一端与电阻R6的一端连接，电阻R7的另一端与电容C3的一端连接，电容C3的另一端接地，电容C3的一端与第一控制模块1连接，即电阻R7与电容C3串联后与电阻R6并联，电容C3的一端与第一控制模块1连接。具体地，在电容C3的一端设置电流检测点CUR_CHK端口，CUR_CHK端口与第一控制模块1连接，第一控制模块1测量CUR_CHK端口的电压的变化，根据该电压变化来判断第三放电口5插入的设备是否拔出。

本实施例中，通过设置电流检测点，根据电流检测点的电压变化来判断第三放电口插入的设备是否拔出，从而控制充放电管理芯片输出的电压值。

在其中的一些实施例中，扩展电路6还包括电容C2，电容C2的一端与场效应晶体管Q2的漏极连接，另一端接地。

在其中的一些实施例中，第三放电口5为Micro-B放电口，其中，Micro-B放电口的场效应晶体管Q2的漏极与Micro-B放电口的电源管脚连接、DP(Digital Positive，数据正)管脚和DM(Digital Minus，数据负)管脚短接。

在其中的一些实施例中，第二电压输出引脚VBUS2提供的电压值为5V、9V或12V，第一电压端VCC1提供的电压值为5V，第二电压端VCC2提供的电压值为5V，场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2为PMOS场效应晶体管，场效应晶体管Q3为NMOS场效应晶体管，电阻R1阻值为10kΩ，电阻R2的阻值为470kΩ，电阻R3阻值为51kΩ，电阻R4的阻值为1MΩ，电阻R5阻值为1kΩ，电阻R6的阻值为0.03Ω，电阻R7阻值为1kΩ，电容C1的取值为100nF，电容C2的取值为1nF，电容C3的取值为100nF。

下面以第三放电口5为Micro-B放电口为例，对扩展电路6进行描述和说明。

扩展电路6在充放电管理芯片2提供给第二放电口4的电压为5V时，允许开启扩展Micro-B放电口；在充放电管理芯片2提供给第二放电口4的电压为9V或12V时，扩展电路关闭，Micro-B放电口无电压输出。

Micro-B充电口无需支持快充协议，仅支持5V输出电压。VBUS端为充放电管理芯片的电压输出端，分别各通过1个场效应管连接至第一放电口3和第二放电口4，这里的场效应管可以为NMOS管。充放电管理芯片输出的电压值可根据充电口的协议通信情况或第一控制模块1来设定，被配置为5V/9V/12V等，默认输出电压为5V。R6为电流检测电阻，用于检测Micro-B接口充电电流的大小。

状态1)：当第一放电口3、第二放电口4都无设备插入时，VBUS端电压为5V，场效应晶体管Q1的栅极电压由电压VCC1经电阻分压后决定。例如，VCC1＝5V，R1＝10kΩ，R2＝470kΩ时，场效应晶体管Q1的栅极电压约为4.9V。因此场效应晶体管Q1的栅源极电压差VGS未达到开启电压，场效应晶体管Q2的栅极通过电阻R3接地，场效应晶体管Q2的栅极电压为0V。此时场效应晶体管Q2的栅源极电压差VGS为-5V，场效应晶体管Q2开通，Micro-B接口输出5V电压可供充电。

状态2)：第一放电口3和第二放电口4有设备插入时，如果该设备不支持PD，VBUS电压值仍为5V，则与状态1)相同；如果该设备支持PD，但设备需求电压为5V时，VBUS电压值仍为5V，则与状态1)相同；如果该设备支持PD且设备需求电压为9V或12V时，VBUS电压值为9V或12V，此时场效应晶体管Q1的栅源极电压差VGS小于-1V，场效应晶体管Q1开通。则场效应晶体管Q2的栅极与VBUS连通，此时场效应晶体管Q2的栅源极电压差VGS为0V，场效应晶体管Q2关闭，Micro-B端无充电电压。此时，场效应晶体管Q3的栅极电压为VBUS电压，场效应晶体管Q3可以开通，Micro-B端口和LOAD_CHK端的电压值均为主电路板提供的第二电压端VCC2的电压值。具体地，可以设置将电阻R4的阻值设置较大，此时由于电阻R4阻值较大，可通电流非常小。当此时Micro-B有设备插入时，会将LOAD_CHK端电压拉低，第一控制模块1检测到该下降沿信号后，控制VBUS电压降到5V，此后与状态1)相同。当Micro-B设备拔出后，电阻R6电流减小，CUR_CHK端电压降到0V，第一控制模块1检测后，判断Micro-B设备已拔出，再将VBUS电压恢复至9V或12V，对第一放电口3和第二放电口4插入的设备进行快充。

图4是本实用新型提供的另一种移动电源的示意图，如图4所示，该移动电源包括主电路板、第一放电口3和第二放电口4，该主电路板上设置有第一控制模块1、充放电管理芯片2和转换电路9。第一放电口3通过转换电路9与第一电压输出引脚VBUS1连接。

第一控制模块1与充放电管理芯片2连接，用于控制充放电管理芯片的输出电压。充放电管理芯片2包括第一电压输出引脚VBUS1和第二电压输出引脚VBUS2，第一电压输出引脚VBUS1和第二电压输出引脚VBUS2与对外的充电口连接，为充电口提供电压。第一放电口3通过转换电路9与第一电压输出引脚VBUS1连接。

具体地，转换电路9提供3条信号线与主电路板的3条信号线连接，第一放电口3通过转换电路9与主电路板连接，实现插入第一放电口3的设备的快速充电，其中，第一放电口3为lightning接口。具体地，转换电路9可以封装为与第一放电口3连接的连接线。图5是一种连接线与主电路板信号线连接的示意图，如图5所示，从主电路板引出3根信号线，连接至连接线51内的转换电路9处，转换电路提供了3条信号线，这3条信号线分别连接到主电路板的第一电压输出引脚VBUS1、配置通道CC端和GND端，具体地，将转换电路提供的3条信号线焊接至主电路板的3个端口对应的主板端焊点52。

本实施例中，第一放电口仅需要主电路板提供3根信号线，即可实现设备的快速充电，节约了线缆成本，方便焊接和装配。

图6是本实用新型提供的另一种移动电源的示意图，如图6所示，该移动电源包括主电路板、第一放电口3、第二放电口4和第三放电口5，该主电路板上设置有第一控制模块1、充放电管理芯片2、扩展电路6和转换电路9。

第一控制模块1与充放电管理芯片2连接，用于控制充放电管理芯片的输出电压。充放电管理芯片2包括第一电压输出引脚VBUS1和第二电压输出引脚VBUS2，第一电压输出引脚VBUS1和第二电压输出引脚VBUS2与对外的充电口连接，为充电口提供电压。第一放电口3通过转换电路9与第一电压输出引脚VBUS1连接，第二放电口4与第二电压输出引脚VBUS2连接，第三放电口5通过扩展电路6与第二电压输出引脚VBUS2连接。具体地，转换电路9提供3条信号线与主电路板的3条信号线连接，第一放电口3通过转换电路9与主电路板连接，实现插入第一放电口3的设备的快速充电。

本实施例中，通过转换电路的设置，第一放电口仅需要主电路板提供3根信号线，即可实现设备的快速充电，节约了线缆成本，方便焊接和装配。

图7是本实用新型提供的一种转换电路的示意图，如图7所示，该转换电路9第二控制模块91、解密芯片92和场效应晶体管Q4。

解密芯片92与第二控制模块91连接，解密芯片92与第一放电口3的识别控制ID管脚连接，场效应晶体管Q4的栅极与第二控制模块91连接，场效应晶体管Q4的源极与第一电压输出引脚VBUS1连接，场效应晶体管Q4的漏极与第一放电口3的电源V管脚连接，第一放电口3的配置通道CC管脚与第二控制模块91和主电路板提供的配置通道信号CC端口连接。具体地，第一放电口3为lightning接口，lightning接口的DP管脚和DM管脚短接、电源V管脚与场效应晶体管Q4的漏极连接、ID管脚与解密芯片92连接、CC管脚与第二控制模块91和主电路板提供的CC端口连接。其中，第二控制模块91可以为MCU，解密芯片用于对插入lightning接口的设备进行认证，解密芯片可以采用PD006、PD009等型号的芯片。

为了满足lightning输出充电口实现PD和5V 2.4A两种苹果设备支持的快充模式，目前都需要DP、DM和CC信号线进行协议的通信。但是更多的信号线会导致连接线直径变粗，也使得主板段的焊接变得更困难。在本实施例中，通过转换电路的设置，主电路板无需引出DP和DM信号线的连接线，可以降低连接线的生产、装配难度和成本。

下面对转换电路9进行描述和说明。

转换电路9将主电路板的第一电压输出引脚VBUS1、配置通道CC端和GND端共3根信号线引到lightning标准接口上，从主电路板仅需引出3根信号线，连接至连接线51内的转换电路处。当苹果充电设备插入lightning接口后，会触发ID信号与转换电路9中的解密芯片通信，认证后苹果充电设备会下发指令，由第二控制模块91打开场效应晶体管Q4，对苹果充电设备进行充电。该转换电路将lightning接口的DP管脚和DM管脚短接，lightning接口连接的设备检测到该状态，即进入5V 2.4A的充电模式。根据不同的苹果充电设备，会读取DP管脚和DM管脚的状态，如果检测为短路，则进入5V 2.4A充电模式。支持PD快充的设备会使用CC信号线进行标准的PD协议通信，调整到设备需要的充电电压。PD充电模式通过主电路板端引出的CC信号线进行协议通信，通信符合PD2.0和PD3.0协议对CC信号的定义和规范，根据苹果手机的需求提供9V或5V的充电电压。在同时支持PD和5V 2.4A两种快充模式的情况下，本实施例中的lightning接口的连接线比现有技术中的lightning接口的连接线节约DP和DM共2根信号线。

以上所述实施方式的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施方式中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

本技术领域的普通技术人员应当认识到，以上的实施方式仅是用来说明本实用新型，而并非用作为对本实用新型的限定，只要在本实用新型的实质精神范围内，对以上实施方式所作的适当改变和变化都落在本实用新型要求保护的范围内。

Claims (10)

1.一种移动电源，其特征在于，所述移动电源包括主电路板、第一放电口、第二放电口和第三放电口；所述主电路板上设置有第一控制模块、充放电管理芯片和扩展电路；

所述第一控制模块与所述充放电管理芯片连接，所述充放电管理芯片包括第一电压输出引脚和第二电压输出引脚；

所述第一放电口与所述第一电压输出引脚连接；所述第二放电口与所述第二电压输出引脚连接；所述第三放电口通过所述扩展电路与所述第二电压输出引脚连接。

2.根据权利要求1所述的移动电源，其特征在于，所述扩展电路包括，场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4；

所述场效应晶体管Q1的源极与所述第二电压输出引脚连接，所述场效应晶体管Q1的漏极与所述场效应晶体管Q2的栅极连接，所述场效应晶体管Q2的源极与所述第二电压输出引脚连接，所述场效应晶体管Q2的漏极与所述第三放电口的电源管脚连接，所述场效应晶体管Q2的栅极与所述电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端接地；

所述电阻R1的一端与所述主电路板提供的第一电压端连接，所述场效应晶体管Q1的栅极与所述电阻R1的另一端连接，所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接地；

所述场效应晶体管Q3的源极与所述主电路板提供的第二电压端连接，所述场效应晶体管Q3的栅极与所述场效应晶体管Q1的漏极连接，所述场效应晶体管Q3的漏极与所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与所述场效应晶体管Q2的漏极。

3.根据权利要求2所述的移动电源，其特征在于，所述扩展电路还包括电压检测电路，所述电压检测电路包括电阻R5和电容C1；

所述电阻R5的一端与所述场效应晶体管Q2的漏极连接，另一端与所述电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的移动电源，其特征在于，所述电容C1的一端与所述第一控制模块连接。

5.根据权利要求2所述的移动电源，其特征在于，所述扩展电路还包括电流检测电路，所述电流检测电路包括电阻R6，所述电阻R6的一端与所述第三放电口的接地管脚连接，所述电阻R6的另一端接地。

6.根据权利要求5所述的移动电源，其特征在于，所述电阻R6的一端与所述第一控制模块连接。

7.根据权利要求5所述的移动电源，其特征在于，所述电流检测电路还包括，电阻R7和电容C3；

所述电阻R7的一端与所述电阻R6的一端连接，所述电阻R7的另一端与所述电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端接地；

所述电容C3的一端与所述第一控制模块连接。

8.根据权利要求2至7任一项所述的移动电源，其特征在于，所述扩展电路还包括电容C2，电容C2的一端与所述场效应晶体管Q2的漏极连接，另一端接地。

9.根据权利要求2至7任一项所述的移动电源，其特征在于，所述移动电源还包括转换电路，所述第一放电口通过所述转换电路与所述第一电压输出引脚连接。

10.根据权利要求9所述的移动电源，其特征在于，所述转换电路包括第二控制模块、解密芯片和场效应晶体管Q4；

所述解密芯片与所述第二控制模块连接，所述解密芯片与所述第一放电口的识别控制管脚连接；

所述场效应晶体管Q4的栅极与所述第二控制模块连接，所述场效应晶体管Q4的源极与所述第一电压输出引脚连接，所述场效应晶体管Q4的漏极与所述第一放电口的电源管脚连接；

所述第一放电口的配置通道管脚与所述第二控制模块和所述主电路板提供的配置通道信号端口连接。

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