CN2167505Y - 抗过载低压卤钨灯电子变换器 - Google Patents

Abstract

抗过载低压卤钨灯电子变换器是已有低压卤钨 灯(即“射灯”)电子变换器的替代发明。它采用小容 量电解电容作为准滤波，大阻值电阻作为静态偏置电 阻，用特种合金丝作高频振荡电路中的电阻，与二极 管、动态线圈、缓冲电路构成反向电动势热敏释放电 路，使高频振荡器处于微偏置的临界状态。保证电子 变换器在输出负载处于异常情况下，仍能正常工作。 实验证明，在280V端电压浪涌下，电子变换器能安 全工作，大大提高了射灯寿命与安全可靠性。

Description

本实用新型属于照明用电子变压器。

低压照明卤钨灯（俗称“射灯”）是继紧凑型荧光灯之后新开发出来的白炽光节能照明光源。它具有体积小，定向性好，装饰性强，光效好，显色好，寿命长的优点，故在80年代全世界都在用它。我国从87年开步研制，生产，目前发展很快，仅卤钨灯一项，年产量就超过2千万只。这种灯必须要有与之配套的低压供电变换器。而电子变换器的好坏，直接影响到灯的使用寿命与安全问题。目前市场上已有供应的卤钨灯电子变换器其电子线路包括桥式整流电路，滤波电路。触发启动电路及高频振荡电路等几个基本部分（如图1所示），其中启动电路均采用触发二极管启动，这样当负载发生异常状态时（如短路或过载）由于触发二极管的存在，电路仍处于工作状态，电流急剧增加，很快烧毁电子变换器，或者当实际负载与标称负载不符时也会很快使三极管迅速升温导致热击穿而损坏，或用于电网时，当电网中有瞬时脉冲高压时，很容易导致触发二极管损坏，当大量的电子变换器同时启动，很容易将电子变换器成片烧毁。另一方面触发二极管启动的方式，由于高频启动太快使卤钨灯泡无预热过程而导致其灯泡寿命减少。

本实用新型的目的是采用小容量电荷存储，大阻值电阻作启动，反向热敏释放电路等措施，提供一种具有很强的抗过载能力和很好的抗阻特性的抗过载低压卤钨灯电子变换器。

抗过载低压卤钨灯电子变换器由电子线路及封装模块构成。图2是抗过载低压卤钨灯电子变换器线路框图，它包括整流电路1，准滤波电路2，启动电路3，高频振荡电路4，输出电路5等五部分。虚线框内为封装模块A，本实用新型的特征如下：由二只小容量电解电容作为准滤波电路，有一只大阻值电阻作为静态偏置电阻，还有二只用特种合金丝做成的小电阻和二极管串联与动态线圈，缓冲电容一起，构成反向电动势热敏释放及动态激励电路，使高频振荡器处于微偏置的临界状态。保证电子变换器在输出负载处于异常状态下，仍能正常工作，有很强的抗阻特性。该电子变换器的具体线路图详见图3。其中由二极管D₁～D₄组成的桥式整流电路与图1相应部分一致，不再详述。准滤波电路2由有极性的小容量电解电容C₁，C₂构成。启动电路中的大阻值电阻R₁一端接在小容量电容C₁与C₂连线的中点相接，另一端与高频振荡电路4中的三极管BG₂的基极相连接。由合金电阻丝R₂，R₃及二极管D₅，D₆串联构成反向热敏释放网络和缓冲电容C₃，C₄，激励线圈T₁，T₂，三极管BG₁，BG₂组成高频振荡电路4，B为输出变压器5，R_L为低压卤钨灯。由于电路中C₁，C₂采用小容量电解电容器，因其电荷存储量很少因此BG₁BG₂集电极波形（如图4所示）是100周的半波状态，高频振荡4，只在100周的包络内调制，保证了交流输入端的电压及电流只产生很少的相位移，保证了50周过零时刻的连续性（如图5所示），从而使三相电的中线电流近似零，即使三相线路中同时大面积接入低压卤钨灯电子变换器，仍能保持交流过零时刻连续性及无移相（三相电相位差仍为120°）其叠加的结果可相互抵消。另外由于采用大阻值电阻R₁并接到C₁和C₂的中点上，从而构成一个微偏置状态，从而使高频振荡器处于临界工作状态，BG₂起振后完全依赖动态激励来维持，二极管D₆和合金电阻丝R₃串接而成反向热敏释放网络。由于T₂与T₃相位相反，T₁与T₃相位相同，启动后电流从C₁、C₂中点经B初级使BG₁迅速饱和导通，T₂产生反方向电动势使BG₂进入截止状态，当动态激励为反向电动势时，利用合金电阻丝R₂，R₃正温度系数特性，因开始时电阻丝R₂，R₃为冷阻状态，阻值很小，有利于微偏置状态下高频振荡器起振，当工作一段时间后合金电阻丝R₂，R₃，因通过电流而发热，使阻值增加，动态激励线圈T₁，T₂中的反向电动势释放变慢，从而使截止的三极管迅速地进入饱和导通，而饱和导通三极管迅速退出饱和区，尤其是过零时刻的高频振荡显得更为重要；电路中采用大阻值电阻R₁作启动电路后，开启后其浪涌电流明显减小。

图2，图3模块内特征器件取值如下：1，电解电容C₁，C₂为0.47μf～1μf，2，合金丝电阻R₂，R₃为2Ω～12Ω，最佳值为4Ω，3，电阻R₁阻值为2.7MΩ～10MΩ。最佳为6.8MΩ。

本实用新型的主要优点是抗过载电流的性能好，适应范围宽。实验证实，无论负载出现短路或断路，甚至高频振荡电路停止工作，都能保证该电子变换器完好无损。如果接负载大于50W，直至150W的卤钨灯，输出功率仍能保持为50W左右，当负载低于50W时，输出也在标称功率范畴。甚至能承受280V电网电压的浪涌冲击。从而起到保证安全用电，延长卤钨灯使用寿命的效果。所以，新颖的电子变换器。比已有的电子变换器成本低，市场竞争力强。

说明书附图说明如下：

图1为已有低压照明卤钨灯电子变换器线路图

图2为抗过载低压照明卤钨灯电子变换器电子线路框图，其中A为封装模块。

图3为抗过载低压照明卤钨灯电子变换器电子线路原理图。

图4为集电极电压波形图。

图5为交流输入波形图。

作为一种变换器，若将大电阻R₁直接与电解电容C₁正极连接，另一端仍旧与三极管BG₂的基极相连，R₂与R₃取用阻值为3Ω～8Ω的电阻，也能达到上述同样的效果。

Claims (5)

1、抗过载低压卤钨灯电子变换器由桥式整流电路1，准滤波电路2，启动电路3，高频振荡电路4，输出电路5构成，本实用新型的特征在于：启动电路3含有一只大阻值电阻R₁，准滤波电路2有二只小容量电解电容C₁和C₂，高频振荡电路4有二只合金丝电阻R₂与R₃。

2、根据权利要求1所述的抗过载低压卤钨灯电子变换器，其特征在于准滤波电路2中的小容量电容C₁，C₂为有极性的电解电容，其电容量在0.47μf～1μf之内。

3、根据权利要求1所述的抗过载低压卤钨灯电子变换器，其特征在于启动电路3中的大阻值电阻R₁一端与三极管BG₂的基极相连，另一端与小容量电容C₁，C₂连线的中点相接；电阻R₁的阻值为2.7MΩ～10MΩ之内。

4、根据权利要求1所述的抗过载低压卤钨灯电子变换器，其特征在于高频振荡电路4中与三极管BG₁，BG₂基极相连的反向热敏释放网络电阻R₂，R₃用特种合金丝做成，阻值为2Ω～12Ω。

5、根据权利要求1所述的抗过载低压卤钨灯的电子变换器，其特征在于启动电路3中的大阻值电阻R₁一端直接与电解电容C₁正极连接，另一端与高频振荡电路4中的三极管BG₂基极连接，R₂与R₃用阻值为3Ω～8Ω电阻。

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