CN216669823U - 气体检测装置及系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种气体检测装置及系统。该气体检测装置包括：金属氧化物MOS型气体传感器、温度控制模块、采集模块和微控制单元MCU；MOS型气体传感器包括MOS敏感材料和测量电极，工作时MOS敏感材料处于待测气体环境，环境中的待测气体浓度通过MOS敏感材料反馈到测量电极产生检测信号；温度控制模块包括温度传感器和加热电极，温度传感器检测MOS敏感材料的温度；采集模块与MOS型气体传感器连接；MCU分别与温度控制模块和采集模块连接，被配置为根据MOS敏感材料的温度控制加热电极的开闭，以使MOS敏感材料维持在预设温度范围。本实用新型能够保证MOS型气体传感器的测量精度和测量结果的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型涉及气体检测技术领域，尤其涉及一种气体检测装置及系统。
背景技术
金属氧化物(metal oxide semiconductor，MOS)型气体传感器由于高度灵敏、小体积、低成本等特性，被广泛应用于室内有毒气体检测、生物传感技术、仪器仪表等领域。例如，通过构建以MOS型气体传感器为核心的检测系统可以实现食品药品质量控制定量测量，环境监测，和土壤挥发气体监测等。
但MOS型气体传感器对工作温度较为敏感，在不同的工作温度下，MOS型气体传感器的测量精度不同。而随着环境温度和工作时间的变化，MOS型气体传感器的温度发生变化，导致MOS型气体传感器的测量精度不高，气体检测结果不可靠。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种气体检测装置及系统，能够保证MOS型气体传感器的测量精度和测量结果的可靠性，使得气体检测装置可以精确可靠的运行。
以解决MOS型气体传感器的测量精度不高，气体检测结果不可靠的问题，保证气体检测装置精确可靠的运行。
第一方面，本实用新型实施例提供了一种气体检测装置，包括：包括金属氧化物MOS型气体传感器、温度控制模块、采集模块和微控制单元MCU；MOS型气体传感器，包括MOS敏感材料和测量电极，工作时MOS敏感材料处于待测气体环境，环境中的待测气体浓度通过MOS敏感材料反馈到测量电极产生检测信号；温度控制模块包括温度传感器和加热电极，温度传感器检测MOS敏感材料的温度，加热电极与MOS敏感材料贴合设置；采集模块，与MOS型气体传感器连接，对检测信号进行信号转换；MCU，分别与温度控制模块和采集模块连接，被配置为根据转换后的检测信号生成检测结果并输出，以及，根据MOS敏感材料的温度控制加热电极的开闭，以使MOS敏感材料维持在预设温度范围。
在一种可能的实现方式中，所述温度控制模块包括比较单元、开关单元和参考单元，所述比较单元分别与所述开关单元和所述参考单元连接，所述开关单元与所述参考单元连接，所述参考单元分别与所述加热电极和所述MCU连接；所述参考单元包括两个电阻子单元和参考电阻，所述MCU根据所述MOS敏感材料的温度调整所述两个电阻子单元、所述参考电阻和所述加热电极之间的阻值关系，所述比较单元比较所述阻值关系，比较结果符合设定条件时输出第一信号触发所述开关单元导通，所述加热电极处于加热状态；所述比较结果不符合所述设定条件时输出第二信号触发所述开关单元断开，所述加热电极不工作。
在一种可能的实现方式中，所述两个电阻子单元分别为第一电阻子单元和第二电阻子单元；所述第一电阻子单元包括第一电阻和第二电阻，所述第二电阻子单元包括第三电阻、第四电阻和第五电阻；所述第一电阻的第一端分别与所述开关单元和所述参考电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接；所述第二电阻的第二端分别与所述第三电阻的第一端和所述比较单元连接，所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端和所述第五电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述加热电极的第二端连接后接地，所述第五电阻的第二端与所述MCU连接；所述参考电阻的第二端与所述加热电极的第一端连接后与所述比较单元连接；所述MOS敏感材料的温度大于设定温度时，触发所述第五电阻的第二端接地；所述MOS敏感材料的温度小于或等于设定温度时，触发所述第五电阻的第二端断路。
在一种可能的实现方式中，所述第二电阻和所述第三电阻替换为可变电阻，所述可变电阻的第三端与所述比较单元连接，所述可变电阻的第一端和第三端之间的阻值等于第二电阻的阻值，所述可变电阻的第二端和第三端之间的阻值等于第二电阻的阻值；所述可变电阻与所述MCU连接；所述MCU调整所述可变电阻的第一端和第三端、第二端和第三端之间的阻值，改变所述两个电阻子单元之间的阻值关系，以调整所述设定温度。
在一种可能的实现方式中，气体检测装置还包括电源模块，电源模块分别与MCU、采集模块和温度控制模块连接。
在一种可能的实现方式中，电源模块包括一级电源、二级电源和三级电源；一级电源与MCU连接，二级电源与采集模块和温度控制模块连接，三级电源与采集模块的数模转换芯片连接；其中，一级电源的输入与气体检测装置的电源输入连接，一级电源的输出与二级电源的输入连接，二级电源的输出与三级电源的输入连接；一级电源的电压大于二级电源的电压，二级电源的电压大于三级电源的电压。
在一种可能的实现方式中，气体检测装置还包括通信模块，通信模块与MCU连接。
在一种可能的实现方式中，采集模块包括调理电路，调理电路的第一端与MOS型气体传感器连接，调理电路的第二端与采集模块的数模转换芯片的输入端连接。
在一种可能的实现方式中，气体检测装置包括多个MOS型气体传感器，采集模块包括多个调理电路，多个MOS型气体传感器与多个调理电路一一对应。
第二方面，本实用新型实施例提供了一种气体检测系统，包括显示设备和第一方面以及第一方面中任一种可能的实现方式中所述的气体检测装置，所述显示设备用于显示所述气体检测装置的检测结果，所述检测结果包括MOS型气体传感器所在环境的气体浓度。
本实用新型实施例提供一种气体检测装置及系统，通过设置温度传感器和加热电极，MCU根据温度传感器检测的MOS敏感材料的温度，控制加热电极的开闭，实现对于MOS敏感材料的温度控制，使MOS敏感材料维持在预设温度范围，从而保证了MOS敏感材料的工作状态，保证了MOS型气体传感器的测量精度和测量结果的可靠性，使得气体检测装置可以精确可靠的运行。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例提供的一种气体检测装置的结构示意图；
图2是本实用新型实施例提供的温度控制模块的电路示意图；
图3是本实用新型实施例提供的一种电源模块的三级电源示意图；
图4是本实用新型实施例提供的一种用户终端的界面示意图；
图5是本实用新型实施例提供的另一种气体检测装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本方案，下面将结合本方案实施例中的附图，对本方案实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本方案一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本方案中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本方案保护的范围。
本方案的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”以及其他任何变形，是指“包括但不限于”，意图在于覆盖不排他的包含，并不仅限于文中列举的示例。此外，术语“第一”和“第二”等是用于区别不同对象，而非用于描述特定顺序。
以下结合具体附图对本实用新型的实现进行详细的描述：
图1为本实用新型实施例提供的一种气体检测装置的结构示意图。参照图1，该气体检测装置包括金属氧化物MOS型气体传感器101、温度控制模块102、采集模块103和微控制单元MCU 104。
本申请实施例中，MOS型气体传感器101包括：MOS敏感材料和测量电极。气体检测装置工作时，MOS敏感材料处于待测气体环境，环境中的待测气体浓度通过MOS敏感材料反馈到测量电极产生检测信号。
需要说明的是，MOS敏感材料可以在一定的工作温度下实现对于目标气体分子的吸附和脱附。在该过程中，MOS敏感材料的电导率发生变化，采集模块103可以通过测量电极测量MOS敏感材料的电导率，将目标气体的浓度变化转换为检测信号，从而实现对于MOS敏感材料所在环境的气体浓度的检测。
在一些实施例中，不同的MOS敏感材料可以检测不同种类的气体。示例性的，MOS敏感材料可以为氢气敏感材料，MOS型气体传感器101可以为MOS型氢气传感器。又一示例性的，MOS敏感材料可以为对一氧化碳敏感的材料，MOS型气体传感器101可以为MOS型一氧化碳传感器。
本申请实施例中，温度控制模块102包括温度传感器和加热电极。温度传感器检测MOS敏感材料的温度。加热电极与MOS敏感材料贴合设置。
在一些实施例中，温度传感器和加热电极可以设置于MOS敏感材料的上表面。或者，温度传感器可以设置于MOS敏感材料的下表面。为了提高对于MOS敏感材料的温度检测的准确性，温度传感器和加热电极可以分开设置。
本申请实施例中，采集模块103，与MOS型气体传感器101连接，对检测信号进行信号转换。
在一些实施例中，采集模块103可以与MOS型气体传感器101中的测量电极连接。采集模块103通过测量电极获得检测信号。本申请实施例中，MCU 104分别与温度控制模块102和采集模块103连接。MCU 104被配置为根据转换后的检测信号生成检测结果并输出，以及，根据MOS敏感材料的温度控制加热电极的开闭，以使MOS敏感材料维持在预设温度范围。
本实用新型实施例提供一种气体检测装置，通过设置温度传感器和加热电极，MCU104根据温度传感器检测的MOS敏感材料的温度，控制加热电极的开闭，实现对于MOS敏感材料的温度控制，使MOS敏感材料维持在预设温度范围，从而保证了MOS敏感材料的工作状态，保证了MOS型气体传感器的测量精度和测量结果的可靠性，使得气体检测装置可以精确可靠的运行。
可选的，温度控制模块包括比较单元、开关单元和参考单元，比较单元分别与开关单元和参考单元连接，开关单元与参考单元连接，参考单元分别与加热电极和MCU连接。
其中，参考单元包括两个电阻子单元和参考电阻，MCU根据MOS敏感材料的温度调整两个电阻子单元、参考电阻和加热电极之间的阻值关系，比较单元比较阻值关系，比较结果符合设定条件时输出第一信号触发开关单元导通，加热电极处于加热状态；比较结果不符合设定条件时输出第二信号触发开关单元断开，加热电极不工作。
在一些实施例中，两个电阻子单元分别为第一电阻子单元和第二电阻子单元；第一电阻子单元包括第一电阻和第二电阻，第二电阻子单元包括第三电阻、第四电阻和第五电阻。
其中，第一电阻的第一端分别与开关单元和参考电阻的第一端连接，第一电阻的第二端与第二电阻的第一端连接；第二电阻的第二端分别与第三电阻的第一端和比较单元连接，第三电阻的第二端与第四电阻的第一端和第五电阻的第一端连接，第四电阻的第二端与加热电极的第二端连接后接地，第五电阻的第二端与MCU连接；参考电阻的第二端与加热电极的第一端连接后与比较单元连接。
作为一种可能的实现方式，MOS敏感材料的温度大于设定温度时，触发第五电阻的第二端接地；MOS敏感材料的温度小于或等于设定温度时，触发第五电阻的第二端断路。
示例性的，第五电阻的第二端可以与MCU连接，由MCU控制第五电阻的工作状态。例如，第五电阻的第二端通过开关芯片接地，MCU控制开关芯片的通断。
在一些实施例中，第二电阻和第三电阻替换为可变电阻，可变电阻的第三端与比较单元连接，可变电阻的第一端和第三端之间的阻值等于第二电阻的阻值，可变电阻的第二端和第三端之间的阻值等于第二电阻的阻值；可变电阻与MCU连接。
作为一种可能的实现方式，MCU调整可变电阻的第一端和第三端、第二端和第三端之间的阻值，改变两个电阻子单元之间的阻值关系，以调整设定温度。
示例性的，如图2所示，参考单元包括第一电阻R1、可变电阻Rx、第四电阻R4、第五电阻R5、参考电阻Rf。开关单元包括第一开关管T1和第六电阻R6。比较单元包括放大器F1。
其中，第一电阻R1的第一端分别与第一开关管T1的漏极和参考电阻Rf的第一端连接，第一电阻R1的第二端与可变电阻Rx的第一端连接；可变电阻Rx的第二端与第四电阻R4的第一端和第五电阻R5的第一端连接，可变电阻Rx的第三端与放大器F1的正输入端连接，第四电阻R4的第二端与加热电极Rh的第二端连接后接地，第五电阻R5的第二端与MCU连接；参考电阻Rf的第二端与加热电极Rh的第一端连接后与比较单元连接。
可以理解的是，可变电阻Rx的第三端将可变电阻Rx分为上下两部分，也即可变电阻Rx的第一子电阻Rx1和第二子电阻Rx2。参考电阻Rf、第一电阻R1、可变电阻Rx、第四电阻R4、第五电阻R5和加热电极的电阻RH构成了分压电路，放大器F1比较分压电路中采样点的电压值，放大后输出给第一开关管T1的栅极。
在一些实施例中，MCU通过改变第五电阻R5在参考单元中的接入状态，调整加热电极的工作状态。
示例性的，第五电阻R5第二端接地时，第二子电阻Rx2、第四电阻R4和第五电阻R5组成的第二电阻子单元的阻值减小，可变电阻的第三端的电压减小，放大器的正输入端的电压小于负输入端的电压，放大器的输出第二信号触发开关单元断开，加热电极不工作。
又一示例性的，第五电阻R5第二端断路时，第二子电阻Rx2、第四电阻R4和第五电阻R5组成的第二电阻子单元的阻值增大，可变电阻的第三端的电压增大，放大器的正输入端的电压大于负输入端的电压，放大器的输出第一信号触发开关单元导通，加热电极处于加热状态。
应理解，加热电极的阻值与加热电极的温度相关。MCU可以通过调整可变电阻的第一端和第三端、第二端和第三端之间的阻值，改变两个电阻子单元之间的阻值关系，以调整设定温度，也即，调整MOS敏感材料的工作温度。
示例性的，若MCU增大第一电阻子单元的阻值，减小第二电阻子单元的阻值，则(Rx2+R4)/(R1+Rx2+R4)减小，相应的RH/(Rf+RH)减小，也即，加热电极的阻值减小，加热电极的温度减低，降低了MOS敏感材料的工作温度。
又一示例性的，若MCU减小第一电阻子单元的阻值，增大第二电阻子单元的阻值，则(Rx2+R4)/(R1+Rx2+R4)增大，相应的RH/(Rf+RH)增大，也即，加热电极的阻值增大，加热电极的温度升高，提高了MOS敏感材料的工作温度。
示例性的，第一电阻R1为220Ω，可变电阻Rx为2kΩ，第四电阻R4为8.2Ω，第五电阻R5为51kΩ，参考电阻Rf的电阻值可以根据加热电极的电阻确定。如此一来，可以通过改变两个电阻子单元之间的阻值关系，即可实现对加热电极的通断控制和温度控制，从而实现对于MOS敏感材料的恒温控制。
在一些实施例中，温度控制模块102还包括第七电阻R7。第七电阻R7第一端与第一开关管T1的源极连接，第七电阻R7第二端与第一开关管T1的漏极连接。
在一些实施例中，温度控制模块102还包括第八电阻R8、第一电容C1和第二电容C2。第八电阻R8和第二电容C2分别并联于放大器的负输入端和输出端之间。第一电容C1并联于放大器的电源正极和电源负极之间。
可选的，气体检测装置还包括电源模块106。电源模块分别与MCU、采集模块和温度控制模块连接。
在一些实施例中，电源模块106包括一级电源、二级电源和三级电源。一级电源与MCU 104连接，二级电源与采集模块103和温度控制模块102连接，三级电源与采集模块103的数模转换芯片连接。
其中，一级电源的输入与气体检测装置的电源输入连接，一级电源的输出与二级电源的输入连接，二级电源的输出与三级电源的输入连接；一级电源的电压大于二级电源的电压，二级电源的电压大于三级电源的电压。
在一些实施例中，一级电源的输出为MCU 104提供电源；二级电源的输出为采集模块103和温度控制模块102提供电源；三级电源的输出为采集模块103的数模转换芯片提供基准电压。
示例性的，如图3所示，本实用新型提供的一种电源模块106的三级电源示意图。一级电源采用DC-DC稳压芯片，输入端与电源输入电源连接，输出端与二级电源的输入端连接，一级电源将直流12V稳压为直流5V。二级电源采用LDO芯片，输入端与一级电源的输出端连接，输出端与三级电源的输入端连接，二级电源将直流5V稳压为3.3V。三级电源采用基准芯片，输入端与二级电源的输出端连接，输出端与采集模块103中的数模转换AD芯片连接，为AD芯片提供基准电压。三级电源将直流3.3V稳压为2.5V。
其中，DC-DC稳压芯片、LDO芯片和基准芯片均为稳压芯片，用于将输入端电压稳压为输出端电压。
需要说明的是，三级电源架构，可以减小稳压芯片的输入端和输出端之间的电压差，提高稳压芯片的稳压效果，使得稳压芯片的输出端的电压值波动更小，也即，可以减小采集模块103的数模转换芯片需要的基准电压的波动，提高采集模块103的采集精度。
可选的，气体检测装置还包括通信模块105，通信模块105与MCU 104连接。MCU 104将生成的检测结果发送给通信模块105。通信模块105在接收到检测结果后，向气体检测装置之外的其他设备发送该检测结果。
在一些实施例中，通信模块105可以为无线通信模块。气体检测装置可以通过通信模块105和其他设备之间进行无线通信。例如，通信模块105可以为物联网WiFi通信模块，如，通信模块105可以包括ESP8266芯片，利用该芯片进行无线通信。
在一些实施例中，检测结果可以包括MOS敏感材料所处待测气体环境的气体浓度。
在一些实施例中，检测结果还可以包括传感器电压值，其中，传感器电压值用于表示MOS型气体传感器101中测量电极测得的电压值。
在一些实施例中，气体检测信息还可以包括MOS型气体传感器101所在环境的温度或者湿度，或者，还可以包括温度传感器测得的温度值。
示例性的，其他设备可以为用户终端。如图4所示，本实用新型提供的一种用户终端的界面示意图。用户的终端显示气体检测装置实时测得的传感器电压值为1.517V，气体浓度为0.338，温度为0.308℃，湿度为0.121。
可选的，采集模块包括调理电路，调理电路的第一端与MOS型气体传感器连接，调理电路的第二端与采集模块的数模转换芯片的输入端连接。
在一些实施例中，气体检测装置包括多个MOS型气体传感器101。采集模块103包括多个调理电路。多个MOS型气体传感器与多个调理电路一一对应。多个调理电路中每个调理电路的第一端与MOS型气体传感器连接，每个调理电路的第二端与采集模块103的数模转换芯片的输入端连接。
示例性的，如图5所示，本实用新型实施例提供的另一种气体检测装置的结构示意图。气体检测装置包括6个MOS型气体传感器101，采集模块103通过6个调理电路107分别与6个MOS型气体传感器101连接。调理电路连接于气体传感器和数模转换芯片之间，增加数模转换芯片的输入阻抗，减小各MOS型气体传感器101之间的干扰，提高气体检测装置的测量精度和可靠性。
本实用新型实施例还提供了一种气体检测系统，包括显示设备和上述实施例中的气体检测装置，显示设备用于显示气体检测装置的检测结果，检测结果包括MOS型气体传感器101所在环境的气体浓度。
在一些实施例中，显示设备可以与气体检测装置有线连接，传输上述检测结果。
在另一些实施例中，显示设备还可以与气体检测装置无线连接。示例性的，显示设备和气体检测装置可以通过物联网WiFi通信模块连接。
以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种气体检测装置，其特征在于，包括金属氧化物MOS型气体传感器、温度控制模块、采集模块和微控制单元MCU；
所述MOS型气体传感器，包括MOS敏感材料和测量电极，工作时MOS敏感材料处于待测气体环境，环境中的待测气体浓度通过MOS敏感材料反馈到测量电极产生检测信号；
所述温度控制模块包括温度传感器和加热电极，所述温度传感器检测MOS敏感材料的温度，所述加热电极与所述MOS敏感材料贴合设置；
所述采集模块，与所述MOS型气体传感器连接，对所述检测信号进行信号转换；
所述MCU，分别与所述温度控制模块和所述采集模块连接，被配置为根据转换后的检测信号生成检测结果并输出，以及，根据MOS敏感材料的温度控制加热电极的开闭，以使所述MOS敏感材料维持在预设温度范围。
2.根据权利要求1所述的气体检测装置，其特征在于，所述温度控制模块包括比较单元、开关单元和参考单元，所述比较单元分别与所述开关单元和所述参考单元连接，所述开关单元与所述参考单元连接，所述参考单元分别与所述加热电极和所述MCU连接；
所述参考单元包括两个电阻子单元和参考电阻，所述MCU根据所述MOS敏感材料的温度调整所述两个电阻子单元、所述参考电阻和所述加热电极之间的阻值关系，所述比较单元比较所述阻值关系，比较结果符合设定条件时输出第一信号触发所述开关单元导通，所述加热电极处于加热状态；所述比较结果不符合所述设定条件时输出第二信号触发所述开关单元断开，所述加热电极不工作。
3.根据权利要求2所述的气体检测装置，其特征在于，所述两个电阻子单元分别为第一电阻子单元和第二电阻子单元；所述第一电阻子单元包括第一电阻和第二电阻，所述第二电阻子单元包括第三电阻、第四电阻和第五电阻；
所述第一电阻的第一端分别与所述开关单元和所述参考电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接；所述第二电阻的第二端分别与所述第三电阻的第一端和所述比较单元连接，所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端和所述第五电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述加热电极的第二端连接后接地，所述第五电阻的第二端与所述MCU连接；所述参考电阻的第二端与所述加热电极的第一端连接后与所述比较单元连接；
所述MOS敏感材料的温度大于设定温度时，触发所述第五电阻的第二端接地；所述MOS敏感材料的温度小于或等于设定温度时，触发所述第五电阻的第二端断路。
4.根据权利要求3所述的气体检测装置，其特征在于，所述第二电阻和所述第三电阻替换为可变电阻，所述可变电阻的第三端与所述比较单元连接，所述可变电阻的第一端和第三端之间的阻值等于第二电阻的阻值，所述可变电阻的第二端和第三端之间的阻值等于第二电阻的阻值；所述可变电阻与所述MCU连接；
所述MCU调整所述可变电阻的第一端和第三端、第二端和第三端之间的阻值，改变所述两个电阻子单元之间的阻值关系，以调整所述设定温度。
5.根据权利要求1所述的气体检测装置，其特征在于，所述气体检测装置还包括电源模块，所述电源模块分别与所述MCU、所述采集模块和所述温度控制模块连接。
6.根据权利要求5所述的气体检测装置，其特征在于，所述电源模块包括一级电源、二级电源和三级电源；所述一级电源与所述MCU连接，所述二级电源与所述采集模块和所述温度控制模块连接，所述三级电源与所述采集模块的数模转换芯片连接；
其中，所述一级电源的输入与所述气体检测装置的电源输入连接，所述一级电源的输出与所述二级电源的输入连接，所述二级电源的输出与所述三级电源的输入连接；所述一级电源的电压大于所述二级电源的电压，所述二级电源的电压大于所述三级电源的电压。
7.根据权利要求1所述的气体检测装置，其特征在于，所述气体检测装置还包括通信模块，所述通信模块与所述MCU连接。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的气体检测装置，其特征在于，所述采集模块包括调理电路，所述调理电路的第一端与所述MOS型气体传感器连接，所述调理电路的第二端与所述采集模块的数模转换芯片的输入端连接。
9.根据权利要求8所述的气体检测装置，其特征在于，所述气体检测装置包括多个MOS型气体传感器，所述采集模块包括多个调理电路，所述多个MOS型气体传感器与所述多个调理电路一一对应。
10.一种气体检测系统，其特征在于，包括显示设备和至少一个如权利要求1至9中任一项所述的气体检测装置，所述显示设备显示所述气体检测装置的检测结果，所述检测结果包括MOS型气体传感器所在环境的气体浓度。
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