CN216599568U - 开关管的保护电路、开关电路及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种开关管的保护电路、开关电路及电子设备，涉及电力电子技术领域。该保护电路的输入端与开关管所控制的主回路连接，保护电路的输出端与开关管的控制端连接；其中，控制端还与开关管对应的驱动电路连接，驱动电路用于控制开关管动作；保护电路，配置为在检测到主回路的电流大于预设值时，向控制端传输关断信号，直至主回路掉电；关断信号用于关断开关管。本实用新型通保护电路直接对开关管的控制端的电压进行修正，并在主回路掉电前保持修正，使得主回路出现过流时，立刻关断开关管，同时避免了循环开关，提高了电力系统的安全性。

Description

开关管的保护电路、开关电路及电子设备

技术领域

本实用新型涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种开关管的保护电路、开关电路及电子设备。

背景技术

开关管作为电子开关在各类电力系统中得到广泛应用，起到控制电力回路的通断的作用。目前，开关管回路的保护电路通常在回路电流过大时，向开关管对应的驱动电路反馈过流信号，再由驱动电路关断开关管，以保护主回路的安全。但在回路电流恢复到小于保护值时，由于过流信号消失，驱动电路重新导通开关管。而在导致过流的因素未消除时，开关管回路又会再次过流，保护电路再次触发保护。由此会导致开关管频繁开关，容易损坏器件甚至烧毁电路。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种开关管的保护电路、开关电路及电子设备，旨在解决现有技术中开关管频繁开关，容易损坏器件甚至烧毁电路的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型提出一种开关管的保护电路，保护电路的输入端与开关管所控制的主回路连接，保护电路的输出端与开关管的控制端连接；其中，控制端还与开关管对应的驱动电路连接，驱动电路用于控制开关管动作；

保护电路，配置为在检测到主回路的电流大于预设值时，向控制端传输关断信号，直至主回路掉电；关断信号用于关断开关管。

可选的，保护电路包括：

检测电路，与主回路连接，配置为在检测到主回路的电流大于预设值时，输出过流信号；

控制电路，分别与控制端和检测电路连接，配置为在接收到过流信号时，向控制端传输关断信号；

保持电路，与检测电路连接，配置为在检测到过流信号时，维持过流信号，直至主回路掉电。

可选的，开关管为N型场效应管，控制电路包括：

第一电源输入端，用于接入第一电源，第一电源的电压大于驱动电路输出至控制端的导通信号的电压；

第一二极管，第一二极管的正极与控制端连接，第一二极管的负极与第一电源输入端连接；

第一开关电路，第一开关电路的输入端分别与第一二极管的负极和第一电源输入端连接，第一开关电路的输出端接地，第一开关电路的控制端与检测电路连接，第一开关电路被配置为在接收到过流信号时，处于导通状态。

可选的，第一开关电路包括第一三极管，保持电路包括第二三极管、第一电阻和第二电阻；

第一三极管的基极分别与检测电路和第二三极管的集电极连接，第一三极管的集电极分别与第二三极管的基极和第一电阻的第一端连接，第一三极管的发射极接地，第二三极管的发射极分别与第一电阻的第二端、第一二极管的负极和第二电阻的第一端连接，第二电阻的第二端与第一电源输入端连接。

可选的，检测电路包括第三电阻和第四电阻；

第三电阻的第一端与主回路连接，第三电阻的第二端分别与第四电阻的第一端和第一三极管的基极连接，第四电阻的第二端接地。

可选的，开关管为P型场效应管，控制电路包括：

第二电源输入端，用于接入第二电源，第二电源的电压大于驱动电路输出至控制端的导通信号的电压；

第二二极管，第二二极管的负极与控制端连接，第二二极管的正极与第二电源输入端连接；

第二开关电路，设置于第二电源输入端和第二二极管之间，第二开关电路的控制端与检测电路连接，第二开关电路被配置为在接收到过流信号时，连通第二电源输入端与第二二极管之间的回路。

可选的，第二开关电路包括第三三极管，保持电路包括第四三极管、第五电阻和第六电阻；

第三三极管的基极分别与检测电路和第四三极管的集电极连接，第三三极管的集电极分别与第四三极管的基极、第五电阻的第一端和第二二极管的正极连接，第三三极管的发射极与第二电源输入端连接，第四三极管的发射极分别与第五电阻的第二端和第六电阻的第一端连接，第六电阻的第二端接地。

可选的，检测电路包括第七电阻和第八电阻；

第七电阻的第一端与主回路连接，第七电阻的第二端分别与第八电阻的第一端、第三三极管的基极和第四三极管的集电极连接，第八电阻的第二端与第二电源输入端连接。

为实现上述目的，本实用新型还提出一种开关电路，开关电路包括开关管和如上述的保护电路。

为实现上述目的，本实用新型还提出一种电子设备，电子设备包括如上述的开关电路。

本实用新型中，开关管的保护电路的输入端与开关管所控制的主回路连接，保护电路的输出端与开关管的控制端连接；其中，控制端还与开关管对应的驱动电路连接，驱动电路用于控制开关管动作。保护电路，配置为在检测到主回路的电流大于预设值时，向控制端传输关断信号，直至主回路掉电；关断信号用于关断开关管。本实用新型通保护电路直接对开关管的控制端的电压进行修正，并在主回路掉电前保持修正，使得主回路出现过流时，立刻关断开关管，同时避免了循环开关，提高了电力系统的安全性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型保护电路第一实施例的应用图；

图2为本实用新型保护电路第一实施例的结构框图；

图3为本实用新型保护电路第二实施例的电路原理图；

图4为本实用新型保护电路第二实施例的应用图；

图5为本实用新型保护电路第三实施例的电路原理图；

图6为本实用新型保护电路第三实施例的应用图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				10	保护电路	80	第二开关电路
20	开关管	Q1	N型MOSFET管
				30	驱动电路	Q2	P型MOSFET管
40	检测电路	T1～T4	第一至第四三极管
				50	控制电路	R1～R11	第一至第十一电阻
60	保持电路	D1～D2	第一至第二二极管
				70	第一开关电路	C1～C2	第一至第二电容

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当人认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

参照图1，图1为本实用新型保护电路第一实施例的应用图。本实用新型提出开关管的保护电路的第一实施例。

在第一实施例中，开关管20的保护电路10的输入端与开关管20所控制的主回路连接，保护电路10的输出端与开关管20的控制端连接；其中，控制端还与开关管20对应的驱动电路30连接，驱动电路30用于控制开关管20动作。保护电路10，配置为在检测到主回路的电流大于预设值时，向控制端传输关断信号，直至主回路掉电；关断信号用于关断开关管20。

需要说明的是，开关管20可以为MOSFET管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)或者三极管，本实施方式以开关管20为MOSFET管为例进行说明。MOSFET管的导通与关断由其栅极与源极之间差压决定，在该压差大于导通阈值时，MOSFET管处于导通状态；反之，则处于关断状态。MOSFET管的源极和漏极接于主回路中，以控制主回路的通断，MOSFET管的栅极作为控制端与保护电路10和驱动电路30连接。

通常，驱动电路30通过改变施加在MOSFET管的栅极的电压控制MOSFET管的导通与关断。例如，对于P型MOSFET管，在源极接入高电平时，驱动电路30可以向栅极施加低电平，使MOSFET管导通，施加高电平，使MOSFET管关断。或者，对于N型MOSFET管，在源极接入低电平时，驱动电路30可以向栅极施加高电平，使MOSFET管导通，施加低电平，使MOSFET管关断。驱动电路30的具体结构已有成熟的技术，本实施方式的在此不在赘述。

在本实施方式中，为在主回路出现过流时，对MOSFET管进行控制。保护电路10可以直接向MOSFET管的栅极传输关断信号，该关断信号用于对栅极进行修正，如上拉或者下拉。例如，对于P型MOSFET管，在源极接入高电平时，保护电路10可以通过拉高栅极的电平，使栅极处于高电平，从而关断MOSFET管，此时即使驱动电路30输出为低电平，由于栅极电压被拉高，MOSFET管也不会导通。对于N型MOSFET管，在源极接入低电平时，保护电路10可以通过拉低栅极的电平，使栅极处于低电平，从而关断MOSFET管，此时即使驱动电路30输出为高电平，由于栅极电压被拉低，MOSFET管也不会导通。同时，在主回路掉电之前，一直保持对栅极的控制，即使主回路电流减少至保护值以下，也依然使MOSFET管处于关断状态。

参照图2，图2为本实用新型保护电路第一实施例的结构框图。在具体实现时，保护电路10可以包括检测电路40、控制电路50和保持电路60。其中，检测电路40与主回路连接，配置为在检测到主回路的电流大于预设值时，输出过流信号。控制电路50分别与控制端和检测电路40连接，配置为在接收到过流信号时，向控制端传输关断信号。保持电路60与检测电路40连接，配置为在检测到过流信号时，维持过流信号，直至主回路掉电。

需要说明的是，过流信号和关断信号为电信号，过流信号是指能够触发控制电路50的电信号。例如，控制电路50在接收到大于一定电压的电信号时，输出关断信号，则该过流信号为大于该一定电压的电信号；或者，控制电路50在接收到小于一定电压的电信号时，输出关断信号，则该过流信号为小于该一定电压的电信号。关断信号的具体形式可以参照前述。

在具体实现时，检测电路40可以对主回路的电流进行检测，并可以将该电流转换成具有一定电压的过流信号，该过流信号的电压与主回路的电流呈正相关，或者为负相关，且在主回路的电流达到预警值时，该过流信号的电压达到控制电路50的触发电压。其中，预警值是指主回路正常电流范围的最大值。

控制电路50为对开关管的控制端的电压进行修正，可以在接收到过流信号时，想控制端接入一预设的电源，若该预设的电源电压较高，则对控制端起到上拉作用，若该预设的电源电压较低，则对控制端起到下拉作用。故控制电路50可以采用开关类电路实现。

保持电路60主要用于维持过流信号，即在主回路的电流恢复至预警值以下时，保持电路60使检测电路40依旧输出过流信号，或者使控制电路50的接收端依旧接收到过流信号。具体的，保持电路60可以采用钳位电路，在控制电路50的接收端接收到过流信号，对过流信号的电压进行钳位，使其不在受检测电路40的输出影响。

在本实施方式中，开关管20的保护电路10的输入端与开关管20所控制的主回路连接，保护电路10的输出端与开关管20的控制端连接；其中，控制端还与开关管20对应的驱动电路30连接，驱动电路30用于控制开关管20动作。保护电路10，配置为在检测到主回路的电流大于预设值时，向控制端传输关断信号，直至主回路掉电；关断信号用于关断开关管20。本实施方式通保护电路10直接对开关管20的控制端的电压进行修正，并在主回路掉电前保持修正，使得主回路出现过流时，立刻关断开关管20，同时避免了循环开关，提高了电力系统的安全性。

参照图3，图3为本实用新型保护电路第二实施例的电路原理图。基于上述第一实施例，本实用新型提出开关管的保护电路的第二实施例。

同时参照图4，图4为本实用新型保护电路第二实施例的应用图。为更清晰的说明保护电路的结构，开关管20采用N型MOSFET管Q1。通常，在采用N型MOSFET管Q1构建电力回路时，N型MOSFET管Q1的源极为低电位。此时，驱动电路30可以通过第九电阻R9向栅极输出控制信号，在控制信号为高电平，N型MOSFET管Q1导通，在控制信号为低电平，N型MOSFET管Q1关断。N型MOSFET管Q1的源极还设置有第十电阻R10，第十电阻R10用于保护电路10进行采样。

在本实施方式中，控制电路50可以包括第一电源输入端VCC1、第一二极管D1和第一开关电路70。其中，第一电源输入端VCC1用于接入第一电源，第一电源的电压大于驱动电路输出至控制端的导通信号的电压。第一二极管D1的正极与控制端连接，第一二极管D1的负极与第一电源输入端VCC1连接。第一开关电路70，第一开关电路70的输入端分别与第一二极管D1的负极和第一电源输入端VCC1连接，第一开关电路70的输出端接地，第一开关电路70的控制端与检测电路40连接，第一开关电路70被配置为在接收到过流信号时，处于导通状态。

可以理解的是，第一二极管D1的正极分别与第九电阻R9和N型MOSFET管Q1的栅极连接，在第一开关电路70处于导通状态时，第一二极管D1的负极也接地。此时，即使驱动电路30向控制端传输高电平信号，由于第一二极管D1的导通作用控制端的电压被拉低，N型MOSFET管Q1一直处于关断状态。在第一开关电路70处于关断状态时，由于第一电源输入端VCC1较高，第一二极管D1不导通，不影响驱动电路30对N型MOSFET管Q1的控制。

在本实施方式中，为便于实现对过流信号的保持，第一开关电路70可以包括第一三极管T1，保持电路60包括第二三极管T2、第一电阻R1和第二电阻R2。其中，第一三极管T1的基极分别与检测电路40和第二三极管T2的集电极连接，第一三极管T1的集电极分别与第二三极管T2的基极和第一电阻R1的第一端连接，第一三极管T1的发射极接地，第二三极管T2的发射极分别与第一电阻R2的第二端、第一二极管D1的负极和第二电阻R2的第一端连接，第二电阻R2的第二端与第一电源输入端VCC1连接。

可以理解的是，在第一三极管T1导通后，第二三极管T2的基极的电压被拉低，第二三极管T2也导通。通常，第一三极管T1的基极与发射极的电压V1为0.5V左右，第二三极管T1的集电极与发射极的电压V2为0.2V左右，因此，第二三极管T1的发射极的电压V3＝V1+V2＝0.7V。由于在N型MOSFET管Q1导通时，驱动电路30向控制端传输的控制信号为高电平，此时控制信号的电压远大于0.7V，使得第一二极管D1的导通。假设第一二极管D1的导通电压为V4，则N型MOSFET管Q1的栅极电压为V4+0.7V。在具体实现时，第一二极管D1可以选取导通压降较小的肖特基二极管，V4＝0.3V，则N型MOSFET管Q1的栅极电压为1V。即使N型MOSFET管Q1的源极接地，栅源极之间的压差为1V，小于大多数N型MOSFET管的导通电压，N型MOSFET管处于关断状态。

同时，由于第一三极管T1和第二三极管T2的导通，第一三极管T1的基极被钳位在V1＝0.5V，即使主回路的电流减小，第一三极管T1的基极的电压也不受影响，从而形成自锁。主回路掉电后，电力系统初始化，自锁状态也接触。在系统重新上电后，保护电路10没有输出，驱动电路30正常对开关管20进行控制。其中，第一电阻R2还起到上拉作用，保证系统上电时，第二三极管T2的基极与发射极之间的电压相同，使第二三极管T2处于关断状态。

在具体实现时，为便于对主回路电流的检测，检测电路40可以包括第三电阻R3和第四电阻R4。其中，第三电阻R3的第一端与主回路连接，第三电阻R3的第二端分别与第四电阻R4的第一端和第一三极管T1的基极连接，第四电阻R4的第二端接地。

可以理解的是，第三电阻R3和第四电阻R4对N型MOSFET管Q1的源极的电压进行分压，将分压后的电压传输至第一三极管T1的基极。主回路电流越小，分压后的电压。同时，为使第一三极管T1的基极更稳定，第四电阻R4还并联有第一电容C1，起到稳压作用。其中，第四电阻R4还起到下拉作用，在电力系统上电时，可以保证第一三极管T1的基极的初始电压处于低电位，使第一三极管T1关断。

在本实施方式中，开关管20可以采用N型MOSFET管Q1，控制电路50可以包括第一电源输入端VCC1、第一二极管D1和第一开关电路70。其中，第一二极管D1的正极与控制端连接，第一二极管D1的负极与第一电源输入端VCC1连接。第一开关电路70用于调整第一二极管D1的负极的电压，调节施加在N型MOSFET管Q1的栅极的电压，从而在主回路的电流过高时，直接关断N型MOSFET管Q1，并形成自锁，避免频繁的开关。

参照图5，图5为本实用新型保护电路第三实施例的电路原理图。基于上述第一实施例，本实用新型提出开关管的保护电路的第三实施例。

同时参照图6，图6为本实用新型保护电路第三实施例的应用图。为更清晰的说明保护电路的结构，开关管20采用P型MOSFET管Q2。通常，在采用P型MOSFET管Q2构建电力回路时，P型MOSFET管Q2的源极为高电位。同样，驱动电路30可以通过第九电阻R9向栅极输出控制信号，在控制信号为低电平，P型MOSFET管Q2导通，在控制信号为高电平，P型MOSFET管Q1关断。P型MOSFET管Q2的源极还设置有第十一电阻R11，第十一电阻R11用于保护电路10进行采样。

在本实施方式中，控制电路50可以包括第二电源输入端VCC2、第二二极管D2和第二开关电路80。其中，第二电源输入端VCC2，用于接入第二电源，第二电源的电压大于驱动电路输出至控制端的导通信号的电压。第二二极管D2的负极与控制端连接，第二二极管D2的正极与第二电源输入端VCC2连接。第二开关电路80，设置于第二电源输入端VCC2和第二二极管D2之间，第二开关电路80的控制端与检测电路40连接，第二开关电路80被配置为在接收到过流信号时，连通第二电源输入端VCC2与第二二极管D2之间的回路。

可以理解的是，第二二极管D2的负极分别与第九电阻R9和P型MOSFET管Q2的栅极连接，在第二开关电路80处于导通状态时，第二二极管D2的正极与第二电源输入端VCC2连通。此时，即使驱动电路30向控制端传输低电平信号，由于第二二极管D2的正极与第二电源输入端VCC2的作用，P型MOSFET管Q2的栅极的电压被拉高，P型MOSFET管Q2一直处于关断状态。在第二开关电路80处于关断状态时，由于第二电源输入端VCC2被隔离，不影响P型MOSFET管Q2的栅极的电压。

在本实施方式中，为便于实现对过流信号的保持，第二开关电路包括第三三极管T3，保持电路10可以包括第四三极管T4、第五电阻R5和第六电阻R6。其中，第三三极管T3的基极分别与检测电路40和第四三极管T4的集电极连接，第三三极管T3的集电极分别与第四三极管T4的基极、第五电阻R5的第一端和第二二极管D2的正极连接，第三三极管T3的发射极与第二电源输入端VCC2连接，第四三极管T4的发射极分别与第五电阻R5的第二端和第六电阻R5的第一端连接，第六电阻R6的第二端接地。

可以理解的是，第二电源输入端VCC2可以为P型MOSFET管Q2的源极接入的电源，第三三极管T3的发射极可以与第十一电阻R11连接。在第三三极管T3导通后，第四三极管T4的基极的电压被拉高，第四三极管T4也导通。通常，第三三极管T3的集电极与发射极的电压V5为0.2V左右，则第二二极管D2的正极的电压为VCC2-0.2V。由于在P型MOSFET管Q2导通时，驱动电路30向控制端传输的控制信号为低电平，此时控制信号的电压远小于VCC2-0.2V，第二二极管D2导通。假设第二二极管D2的导通电压为V6，则P型MOSFET管Q2的栅极电压为VCC2-0.2V-V6。在具体实现时，第二二极管D2可以选取导通压降较小的肖特基二极管，V6＝0.3V，则P型MOSFET管Q2的栅极电压为VCC2-0.5V。而VCC2-0.5V大于大多数P型MOSFET管的导通电压，P型MOSFET管处于关断状态。

同时，由于第三三极管T3和第四三极管T4的导通，第三三极管T3的基极与发射极的电压V7为0.5V左右。第三三极管T3的基极被钳位在VCC-0.5V，即使主回路的电流减小，第三三极管T3的基极的电压也不受影响，从而形成自锁。主回路掉电后，电力系统初始化，自锁状态也接触。在系统重新上电后，保护电路10没有输出，驱动电路30正常对开关管20进行控制。其中，第五电阻R5还起到下拉作用，保证系统上电时，第四三极管T4的基极与发射极之间的电压相同，使第四三极管T4处于关断状态。

在具体实现时，为便于对主回路电流的检测，检测电路40可以包括第七电阻R7和第八电阻R8。其中，第七电阻R7的第一端与主回路连接，第七电阻R7的第二端分别与第八电阻R8的第一端、第三三极管T3的基极和第四三极管T4的集电极连接，第八电阻R8的第二端与第二电源输入端VCC2连接。

可以理解的是，在第二电源输入端VCC2为P型MOSFET管Q2的源极接入的电源时，第八电阻R8的第二端与可以与第十一电阻R11连接。第七电阻R7和第八电阻R8对P型MOSFET管Q2的源极接入的电源的电压进行分压，将分压后的电压施加在第三三极管T3的基极。主回路电流越大，第十一电阻R11两端电压差越大，则第三三极管T3的基极与发射极之间的压差越大。同时，为使第三三极管T3的基极更稳定，第八电阻R8还并联有第二电容C2，起到稳压作用。其中，第八电阻R8还起到上拉作用，在电力系统上电时，可以保证第三三极管T3的基极与发射极的电压相同，使第三三极管T3关断。

在本实施方式中，开关管20可以采用P型MOSFET管Q2，控制电路50可以包括第二电源输入端VCC2、第二二极管D2和第二开关电路80。其中，第二二极管D2的负极与控制端连接，第二二极管D2的正极与第二电源输入端VCC2连接。第二开关电路80用于调整第二二极管D2的正极的电压，调节施加在P型MOSFET管Q2的栅极的电压，从而在主回路的电流过高时，直接关断P型MOSFET管Q2，并形成自锁，避免频繁的开关。

为实现上述目的，本实用新型还提出一种开关电路，开关电路包括开关管和如上述的保护电路。该保护电路的具体结构参照上述实施例，由于本开关电路可以采用上述所有实施例的技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的有益效果，在此不再一一赘述。

为实现上述目的，本实用新型还提出一种电子设备，电子设备包括如上述的开关电路。该开关电路的具体结构参照上述实施例，由于本电子设备可以采用上述所有实施例的技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的有益效果，在此不再一一赘述。

以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种开关管的保护电路，其特征在于，所述保护电路的输入端与所述开关管所控制的主回路连接，所述保护电路的输出端与所述开关管的控制端连接；其中，所述控制端还与所述开关管对应的驱动电路连接，所述驱动电路用于控制所述开关管动作；

所述保护电路，配置为在检测到所述主回路的电流大于预设值时，向所述控制端传输关断信号，直至所述主回路掉电；所述关断信号用于关断所述开关管。

2.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述保护电路包括：

检测电路，与所述主回路连接，配置为在检测到所述主回路的电流大于预设值时，输出过流信号；

控制电路，分别与所述控制端和所述检测电路连接，配置为在接收到所述过流信号时，向所述控制端传输关断信号；

保持电路，与所述检测电路连接，配置为在检测到所述过流信号时，维持所述过流信号，直至所述主回路掉电。

3.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述开关管为N型场效应管，所述控制电路包括：

第一电源输入端，用于接入第一电源，所述第一电源的电压大于所述驱动电路输出至所述控制端的导通信号的电压；

第一二极管，所述第一二极管的正极与所述控制端连接，所述第一二极管的负极与所述第一电源输入端连接；

第一开关电路，所述第一开关电路的输入端分别与所述第一二极管的负极和所述第一电源输入端连接，所述第一开关电路的输出端接地，所述第一开关电路的控制端与所述检测电路连接，所述第一开关电路被配置为在接收到所述过流信号时，处于导通状态。

4.如权利要求3所述的保护电路，其特征在于，所述第一开关电路包括第一三极管，所述保持电路包括第二三极管、第一电阻和第二电阻；

所述第一三极管的基极分别与所述检测电路和所述第二三极管的集电极连接，所述第一三极管的集电极分别与所述第二三极管的基极和所述第一电阻的第一端连接，所述第一三极管的发射极接地，所述第二三极管的发射极分别与所述第一电阻的第二端、所述第一二极管的负极和所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第一电源输入端连接。

5.如权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述检测电路包括第三电阻和第四电阻；

所述第三电阻的第一端与所述主回路连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第四电阻的第一端和所述第一三极管的基极连接，所述第四电阻的第二端接地。

6.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述开关管为P型场效应管，所述控制电路包括：

第二电源输入端，用于接入第二电源，所述第二电源的电压大于所述驱动电路输出至所述控制端的导通信号的电压；

第二二极管，所述第二二极管的负极与所述控制端连接，所述第二二极管的正极与所述第二电源输入端连接；

第二开关电路，设置于所述第二电源输入端和所述第二二极管之间，所述第二开关电路的控制端与所述检测电路连接，所述第二开关电路被配置为在接收到所述过流信号时，连通所述第二电源输入端与所述第二二极管之间的回路。

7.如权利要求6所述的保护电路，其特征在于，所述第二开关电路包括第三三极管，所述保持电路包括第四三极管、第五电阻和第六电阻；

所述第三三极管的基极分别与所述检测电路和所述第四三极管的集电极连接，所述第三三极管的集电极分别与所述第四三极管的基极、所述第五电阻的第一端和所述第二二极管的正极连接，所述第三三极管的发射极与所述第二电源输入端连接，所述第四三极管的发射极分别与所述第五电阻的第二端和所述第六电阻的第一端连接，所述第六电阻的第二端接地。

8.如权利要求7所述的保护电路，其特征在于，检测电路包括第七电阻和第八电阻；

所述第七电阻的第一端与所述主回路连接，所述第七电阻的第二端分别与所述第八电阻的第一端、所述第三三极管的基极和所述第四三极管的集电极连接，所述第八电阻的第二端与所述第二电源输入端连接。

9.一种开关电路，其特征在于，所述开关电路包括开关管和如权利要求1-8中任一项所述的保护电路。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求9所述的开关电路。

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