CN216531107U - 基于高频扼流线圈的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置 - Google Patents

Abstract

基于高频扼流线圈的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，其直流电源模块的正极依次串接n个主电路二极管；直流电源模块的负极连接限流电阻的一端，限流电阻的另一端依次串接n个高频扼流线圈；第i主电路二极管的输出端连接第i等离子体高能合成射流激励器的放电正极，第i等离子体高能合成射流激励器的放电负极连接第i高频扼流线圈的输入端；各等离子体高能合成射流激励器中，放电正极和放电负极之间均连接有一个储能电容，点火电极、放电负极之间均分别连接有对应的脉冲信号电路，由各脉冲信号电路产生脉冲信号驱动各等离子体高能合成射流激励器的工作。本实用新型结构紧凑、体积重量小，能够产生多路等离子体高能合成射流。

Description

基于高频扼流线圈的等离子体高能合成射流激励器并联放电 装置

技术领域

本实用新型涉及空气动力学、流体力学主动流动控制、气体放电技术领域，具体涉及一种基于高频扼流线圈的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置。

背景技术

本世纪初随着X-43A等飞行器的试飞成功，高超声速飞行器的研究进入快速发展阶段，作为高超声速飞行器技术突破的关键环节，新型流动控制技术特别是高速主动流动控制技术的研究与探索具有重要意义。包括零质量、非零质量射流在内的射流式激励器和以直流辉光放电为代表的等离子体式激励器是出现较早且研究最为活跃的两类高速主动流动控制激励器，等离子体高能合成射流激励器正是在这两类激励器基础上出现的交叉融合。由于兼具射流式激励器诱导射流速度高、穿透能力强以及等离子体式激励器响应速度快、无活动部件或流体供应装置、激励频带宽的优势，等离子体高能合成射流激励器在高速流动控制领域展现出良好应用前景。

单个等离子体高能合成射流激励器控制范围的局限性是制约其应用的关键问题之一。对于介质阻挡放电或直流辉光放电气动激励方式，其放电形态均为“弥散放电”，单个激励器可以在受控流场较大区域内产生等离子体，从而对流场进行大面积的扰动。然而等离子体高能合成射流激励器的特性有所不同，其脉冲火花电弧放电的形态为“聚合放电”，放电产生的能量沉积较为集中，同时，为了产生速度较高的射流以穿透超声速边界层，其射流出口尺寸不能太大，因此单个激励器的控制区域十分有限，为了获得大尺度的气动激励效果，需要进行激励器阵列技术的研究。

目前，针对等离子体高能合成射流的研究多数聚焦于单个激励器。公开号为CN104682765的专利申请中公开了用于多个等离子体高能合成射流激励器同步放电的装置及方法，但是该方法在直流电源后需要多个升压电路和多个变压器，导致系统复杂、体积重量大，且只能用于两电极等离子体高能合成射流激励器。公开号为CN105119517的专利申请中提出了多个等离子体高能合成射流激励器同步放电的高压脉冲电源，但是同样存在电路结构复杂的问题。

综述所述，等离子体高能合成射流在高速流动控制领域极具应用潜力，但是目前研究集中于单个激励器，多个激励器电路存在结构复杂、体积重量大的问题，限制了激励器阵列的应用。

实用新型内容

针对现有技术存在的上述问题，本实用新型提供了一种电路结构简单、体积重量小、便于实用化的基于高频扼流线圈的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种基于高频扼流线圈的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，包括直流电源模块、限流电阻以及n个等离子体高能合成射流激励器；

直流电源模块的正极依次串接有第一主电路二极管、第二主电路二极管、...、第n主电路二极管；

直流电源模块的负极连接限流电阻的一端，限流电阻的另一端依次串接有第一高频扼流线圈、第二高频扼流线圈、...、第n高频扼流线圈；

第i主电路二极管的输出端连接第i等离子体高能合成射流激励器的放电正极，第i等离子体高能合成射流激励器的放电负极连接第i高频扼流线圈的输入端，其中i＝1,2...n；

各等离子体高能合成射流激励器的放电正极和放电负极之间均连接有一个储能电容；

各等离子体高能合成射流激励器的点火电极、放电负极之间均分别连接有对应的脉冲信号电路，由各脉冲信号电路产生脉冲信号驱动各等离子体高能合成射流激励器的工作。

作为本实用新型的进一步优选方案，还包括信号发生器，用于产生n路脉冲波控制信号；所述信号发生器有n路输出端，分别连接n路脉冲信号电路，将产生的n路脉冲波控制信号分别输送给n路脉冲信号电路，控制各路脉冲信号电路产生对应的脉冲信号。

作为本实用新型的进一步优选方案，所述脉冲信号电路包括脉冲源和点火电路二极管，第i路脉冲信号电路中的第i脉冲源的正极连接第i点火电路二极管的输入端，第i点火电路二极管的输出端连接第i等离子体高能合成射流激励器的点火电极，第i脉冲源的负极连接第i等离子体高能合成射流激励器的放电负极。

作为本实用新型的进一步优选方案，各等离子体高能合成射流激励器的点火电极、放电正极、放电负极均采用直径1-3mm的耐高温抗烧蚀钨铈合金棒。

作为本实用新型的进一步优选方案，各等离子体高能合成射流激励器中，点火电极与放电负极之间的间距为0.5-2mm，放电正极与放电负极之间的间距为2-6mm，点火电极、放电正极、放电负极放置于氧化铝陶瓷制作的腔体内，腔体内体积为500-1500mm³，腔体上开设有供等离子体高能合成射流喷出的射频出口。

作为本实用新型的进一步优选方案，高频扼流线圈能够阻止电路中高频信号的通过，在电流变化缓慢时电阻很小，相当于通路，在电流变化剧烈时电阻很大，相当于断路。

作为本实用新型的进一步优选方案，高频扼流线圈由两个尺寸相同、匝数相同的铜制空心线圈对称地绕制在同一个锰锌铁氧体环形磁芯上而构成，其中铜制空心线圈采用单层绕制，锰锌铁氧体环形磁芯与铜制空心线圈之间相互绝缘，绕制在锰锌铁氧体环形磁芯上的两个铜制空心线圈之间也相互绝缘。

作为本实用新型的进一步优选方案，直流电源模块包括直流电源和直流开关，直流电源与直流开关连接，由直流开关控制直流电源的接通或者断开。

作为本实用新型的进一步优选方案，所述直流电源为输出电压可调线性稳压电源，将220V交流电经整流后输出0-6kV连续可调直流电。

作为本实用新型的进一步优选方案，各等离子体高能合成射流激励器为两电极等离子体高能合成射流激励器或者三电极等离子体高能合成射流激励器。当采用两电极等离子体高能合成射流激励器时，两电极等离子体高能合成射流激励器的放电正极作为点火电极，即各等离子体高能合成射流激励器中放电正极和点火电极为同一个电极。

本实用新型通过采用上述技术方案，可以达到如下有益效果：

(1)本实用新型通过搭建上述电路，可以实现多个等离子体高能合成射流激励器协同工作。

(2)本实用新型适用于两电极等离子体高能合成射流激励器，同时也适用于三电极等离子体高能合成射流激励器。

(3)本实用新型工作灵活，适用场景广泛。多个等离子体高能合成射流激励器可以全部工作，亦可部分工作，可以同步工作，亦可以一定相位差工作。

(4)本实用新型仅需要一个高压直流电源，不需要每个等离子体高能合成射流激励器配备一路升压电路和一个脉冲变压器，电路拓扑结构简单，且可扩展性强，特别是在等离子体高能合成射流激励器数目较多时，系统的体积重量不会显著增加。

(5)电路结构清晰明确，易于实现，容易工程化。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图1为本实用新型一实施例的结构示意图；

图2为本实用新型另一实施例的结构示意图；

图3为本实用新型一实施例中扼流线圈结构示意图；

图4为本实用新型一实施例中提供一种等离子体高能合成射流激励器并联放电装置的工作流程示意图；

图5为本实用新型中一实施例中信号发生器产生的n路脉冲波控制信号示意图，其中(a)为n路脉冲波控制信号之间同相位、同电压幅值、同脉宽，(b)为n路脉冲波控制信号之间不同相位、不同电压幅值，不同脉宽；

图6为本实用新型中一实施例中产生的等离子体高能合成射流，其中(a)为采用同相位的多路脉冲波控制信号产生同步的等离子体高能合成射流，(b)为采用异相位的多路脉冲波控制信号产生有一定相位差的等离子体高能合成射流。

图中：01、直流电源；02、直流开关；03、第一主电路二极管；04、第二主电路二极管；05、第n主电路二极管；06、第一储能电容；07、第一点火电极；08、第一放电正极；09、第一放电负极；10、第二储能电容；11、第二点火电极；12、第二放电正极；13、第二放电负极；14、第n储能电容；15、第n点火电极；16、第n放电正极；17、第n放电负极；18、限流电阻；19、第一扼流线圈；20、第二扼流线圈；21、第n扼流线圈；22、第一点火电路二极管；23、第二点火电路二极管；24、第n点火电路二极管；25、地线；26、第一脉冲源；27、第二脉冲源；28、第n脉冲源；29、信号发生器。

本实用新型目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合附图以及具体实施方式，对本实用新型做进一步描述。较佳实施例中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等用语，仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。

本实用新型一实施例中提供一种等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，包括直流电源模块、限流电阻、n个主电路二极管、n个等离子体高能合成射流激励器、n个储能电容、n个扼流线圈和n个点火电路；

直流电源模块的正极依次串接有第一主电路二极管、第二主电路二极管、...、第n主电路二极管；

直流电源模块的负极连接限流电阻的一端，限流电阻的另一端依次串接有第一高频扼流线圈、第二高频扼流线圈、...、第n高频扼流线圈；

第i主电路二极管的输出端连接第i等离子体高能合成射流激励器的放电正极，第i等离子体高能合成射流激励器的放电负极连接第i高频扼流线圈的输入端，其中i＝1,2...n；

各等离子体高能合成射流激励器的放电正极和放电负极之间均连接有一个储能电容；

各等离子体高能合成射流激励器的点火电极、放电负极之间均分别连接有对应的脉冲信号电路，由各脉冲信号电路产生脉冲信号驱动各等离子体高能合成射流激励器的工作。

直流电源模块为输出电压可调线性稳压电源，具体实现方式不限，优选地可以将220V交流电经整流后输出0-6kV连续可调直流电。

所述高频扼流线圈能够阻止电路中高频信号的通过，在电流变化缓慢时电阻很小，相当于通路，在电流变化剧烈时电阻很大，相当于断路。

上述等离子体高能合成射流激励器并联放电装置的工作流程，如下：

步骤1，由直流电源模块同时为n个储能电容充电，使得各等离子体高能合成射流激励器的放电正极和放电负极之间产生较高电势差，但此电势差还不足以使得等离子体高能合成射流激励器的放电正极和放电负极之间空气击穿；各储能电容充电过程中，通过限流电阻控制充电电流大小，通过各主电路二极管控制充电电流方向，由于充电时间较长且充电电流变化速率较慢，此时n个扼流线圈对电流的阻碍作用较小，相当于通路；

步骤2，控制各点火电路产生高压脉冲信号，使得对应的各等离子体高能合成射流激励器的点火电极和放电负极之间产生微弱的火花放电，微弱的火花放电在对应的放电正极和放电负极之间建立等离子体通道；

步骤3，各储能电容中的能量通过等离子体通道快速释放，在各等离子体高能合成射流激励器的放电正极和放电负极之间产生强烈的电弧放电；由于储能电容能量释放极快，放电电流变化速率很快，此时n个扼流线圈对电流的阻碍作用很大，相当于断路，保证了并联的n个储能电容放电过程独立进行、互不干扰；

步骤4，各等离子体高能合成射流激励器的放电正极和放电负极之间的强烈电弧放电形成等离子体高能合成射流；

步骤5，等离子体高能合成射流释放完成后，返回步骤1，如此循环往复。

各等离子体高能合成射流激励器可以为三电极等离子体高能合成射流激励器。如图1所示，本实用新型另一实施例提供了一种等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，用于多个三电极等离子体合成射流激励器协同工作，具体包括以下组成部分：直流电源01，直流开关02，限流电阻18，地线25，n个主电路二极管，n个储能电容，n个三电极等离子体合成射流激励器、n个扼流线圈、n个点火电路二极管、n个脉冲源和一个信号发生器29。

如图1所示，n个主电路二极管分别为第一主电路二极管03、第二主电路二极管04、...、第n主电路二极管05。n个储能电容分别为第一储能电容06、第二储能电容10、...、第n储能电容14。n个扼流线圈分别为第一扼流线圈19、第二扼流线圈20、...、第n扼流线圈21。n个点火电路二极管分别为第一点火电路二极管22、第二点火电路二极管23、...、第n点火电路二极管24。n个脉冲源分别为第一脉冲源26、第二脉冲源27、...、第n脉冲源28。

高能合成射流激励器采用三电极等离子体合成射流激励器，三电极等离子体合成射流激励器具有的三个电极分别为点火电极、放电正极和放电负极。因此图1中有n个三电极等离子体合成射流激励器，则有n个点火电极，n个放电正极，n个放电负极，分别为第一点火电极07、第二点火电极11、...、第n点火电极15，第一放电正极08、第二放电正极12、...、第n放电正极16，第一放电负极09、第二放电负极13、...、第n放电负极17。

所述直流电源01的正极与直流开关02相连，所述直流电源01的负极与限流电阻18、地线25相连。第一主电路二极管03、第二主电路二极管04、...、第n主电路二极管05首尾串接，其中第一主电路二极管03的输入端与直流开关02连接。限流电阻18的一端与直流电源01的负极连接且同时接地线25，限流电阻18的另一端与第一扼流线圈19、第二扼流线圈20、...、第n扼流线圈21串接。

第i主电路二极管的输出端与第i等离子体高能合成射流激励器的放电正极连接，第i等离子体高能合成射流激励器的放电负极与第i扼流线圈的输入端连接；第i等离子体高能合成射流激励器的放电正极和放电负极之间连接第i个储能电容，i＝1,2,...,n。

信号发生器29，用于产生n路脉冲波控制信号；所述信号发生器29有n路输出端，分别连接n路脉冲信号电路，将产生的n路脉冲波控制信号分别输送给n路脉冲信号电路，控制各路脉冲信号电路产生对应的脉冲信号。

各路脉冲信号电路均包括脉冲源和点火电路二极管。第i路脉冲信号电路中的第i脉冲源的正极连接第i点火电路二极管的输入端，第i点火电路二极管的输出端连接第i等离子体高能合成射流激励器的点火电极，第i脉冲源的负极连接第i等离子体高能合成射流激励器的放电负极。

各等离子体高能合成射流激励器的点火电极、放电正极、放电负极均采用直径1-3mm的耐高温抗烧蚀钨铈合金棒。各等离子体高能合成射流激励器中，点火电极与放电负极之间的间距为0.5-2mm，放电正极与放电负极之间的间距为2-6mm，点火电极、放电正极、放电负极放置于氧化铝陶瓷制作的腔体内，腔体内体积为500-1500mm³，腔体上开设有供等离子体高能合成射流喷出的射频出口。

各等离子体高能合成射流激励器可以为两电极等离子体高能合成射流激励器。当采用两电极等离子体高能合成射流激励器时，两电极等离子体高能合成射流激励器的放电正极作为点火电极，即各等离子体高能合成射流激励器中放电正极和点火电极为同一个电极。如图2所示，本实用新型再一实施例提供了一种等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，用于多个两电极等离子体合成射流激励器协同工作，与图1所示实施例中电路结构的区别是：高能合成射流激励器采用两电极等离子体合成射流激励器，两电极等离子体合成射流激励器具有的两个电极分别为放电正极和放电负极，由放电正极同时发挥点火电极和放电正极的作用。即图中的放电正极既是点火电极又是放电正极。在此实施例中，所述信号发生器有n路输出端，分别连接n个脉冲源，第i脉冲源的正极连接第i点火电路二极管的输入端，第i点火电路二极管的输出端连接第i等离子体高能合成射流激励器的放电正极，第i脉冲源的负极连接第i等离子体高能合成射流激励器的放电负极。

各等离子体高能合成射流激励器的放电正极、放电负极均采用直径1-3mm的耐高温抗烧蚀钨铈合金棒。各等离子体高能合成射流激励器中，放电正极与放电负极之间的间距为2-6mm，放电正极、放电负极放置于氧化铝陶瓷制作的腔体内，腔体内体积为500-1500mm³，腔体上开设有供等离子体高能合成射流喷出的射频出口。

在本实用新型另一实施例中，所述储能电容采用体积重量小、耐压能力强的超高压金属化膜电容，通过聚酯胶带和环氧树脂进行干式封装，最大工作电压10kV，电容量0.64-3微法。

在本实用新型另一实施例中，所采用的高频扼流线圈具体结构如图3所示，高频扼流线圈由两个尺寸相同、匝数相同的铜制空心线圈对称地绕制在同一个锰锌铁氧体环形磁芯上而构成，形成一个四端器件，结构十分简单，体积重量小。其中铜制空心线圈采用单层绕制，从而尽可能减小线圈的寄生电容，增强线圈对瞬时过电压的耐受能力。锰锌铁氧体环形磁芯与铜制空心线圈之间相互绝缘，以防止在瞬时过电压作用下两者之间发生击穿短路。绕制在锰锌铁氧体环形磁芯上的两个铜制空心线圈之间也相互绝缘，以防止在瞬时过电压作用下发生击穿短路。

在本实用新型另一实施例中，直流电源01为输出电压可调线性稳压电源，将220V交流电经整流后输出0-6kV连续可调直流电，控制方式采用调频式，通过脉宽调制器将直流信号转化高频方波，通过设置不同的变压器原副边，实现不同的升压比，再通过二极管和晶体管等元件整流滤波，将交流电在输出之前重新转换成直流。

可以理解，本实用新型中所采用的脉冲源接收来自信号发生器的脉冲波控制信号并产生相应的高压脉冲信号，使得对应的等离子体高能合成射流激励器的点火电极和放电负极之间产生微弱的火花放电，微弱的火花放电在对应的放电正极和放电负极之间建立等离子体通道。脉冲源的具体结构以及实现形式不限，可以采用现有技术中现有的脉冲源实现。

本实用新型一实施例中的所采用的脉冲源通过IGBT控制通断，用于产生0-15kV高电压、0-20mJ低能量的微弱火花放电，释放自由电子，在对应的放电正极和放电负极之间建立等离子体通道。

在本实用新型另一实施例中，脉冲源由电压调节单元、点火能量单元、点火触发单元三部分组成。电压调节单元通过集成电路模块、IGBT和变压器及相关外围电路组成脉冲调宽式逆变稳压电路，通过调节电位器的取样电压，可改变集成电路模块输出方波的占空比，从而改变点火储能电容器的输出电压。点火触发单元由作为高压回路放电开关的IGBT、变压器和三极管组成，当接收到信号发生器输出的高电平信号时，三极管导通，经变压器输出高电平脉冲，触发IGBT，使得点火储能电容器上所储电能经点火电极产生微弱火花放电，释放自由电子，微弱的火花放电在对应的放电正极和放电负极之间建立等离子体通道。

可以理解，信号发生器的具体结构以及实现形式不限，可以采用现有技术中现有的信号发生器实现。在本实用新型一优选实施例中，所述信号发生器为多路可调PWM信号发生器，用于产生多路脉冲波控制信号。

信号发生器产生的多路脉冲波控制信号的具体形式不限，可以同相位、同电压幅值、同脉宽，也可以不同相位、不同电压幅值，不同脉宽。同相位或异相位的多路脉冲波控制信号使得等离子体高能合成射流激励器产生同步或异步工作的多个等离子体高能合成射流。

在本实用新型一优选实施例中，所述信号发生器29为多路可调PWM信号发生器，由主控振荡器、延时级、脉冲形成级、输出级和衰减器等组成，主控振荡器采用多谐振荡器电路。信号发生器29用于产生频率1-10Hz、幅值0-5V、脉宽0-100微秒的多路脉冲波控制信号，触发脉冲源IGBT驱动电路导通。

所述信号发生器与脉冲源之间通过光信号进行通讯，信号发生器输出端通过电/光转换模块输出光信号，脉冲源输入端通过光/电转换模块接收光信号，从而防止脉冲源IGBT开通过程中大电流放电与信号发生器回路之间的电磁干扰。

图4所示为本实用新型一实施例中提供一种等离子体高能合成射流激励器并联放电装置的工作流程，具体包括以下步骤：

1)闭合直流开关，直流电源同时为n个储能电容充电，使得各等离子体高能合成射流激励器的放电正极和放电负极之间产生较高电势差，但此电势差还不足以使得电极之间空气击穿。充电过程中，通过限流电阻控制充电电流大小，通过各主电路二极管控制充电电流方向。

由于充电时间较长且充电电流变化速率较慢，此时n个扼流线圈对电流的阻碍作用较小，相当于通路，直流电源同时为n个储能电容充电；

2)n路脉冲波控制信号经过信号发生器中的电光转换模块转换为光信号，经过光纤输送到各脉冲源，各脉冲源将脉冲波控制信号通过光电转换模块转换为电信号，输送到内部的IGBT模块。

3)各脉冲源接收到脉冲波控制信号后产生高压脉冲信号，使得相对的点火电极和放电负极(07和09、11和13、15和17)之间产生微弱的火花放电，微弱的火花放电在相对的放电正极和放电负极(08和09、12和13、16和17)之间建立等离子体通道脉冲源在多个点火电极和放电负极之间产生微弱的火花放电；

4)储能电容中的能量通过等离子体通道快速释放，在各等离子体高能合成射流激励器的放电正极和放电负极之间产生强烈的电弧放电，由于放电电流变化速率较快，扼流线圈对电流的阻碍作用较大，相当于断路，使得n个储能电容独立放电、互不干扰；

5)放电正极和放电负极之间的强烈电弧放电使得局部空间气体被加热，加热导致局部气压增大，在气压的驱动下气体产生高速流动，形成等离子体高能合成射流；

6)等离子体高能合成射流释放完成后，重复步骤1)，如此循环往复。

图4所示实施例中采用的所述n路脉冲波控制信号如图5所示，n路脉冲波控制信号之间可以同相位、同电压幅值、同脉宽，如图5(a)所示；亦可不同相位、不同电压幅值，不同脉宽，如图5(b)所示，电压幅值在0-5V之间，脉宽在0-100微秒之间。

同相位的脉冲波控制信号可以产生同步的等离子体高能合成射流，如图6(a)所示；不同相位的脉冲波控制信号可以产生有一定相位差的等离子体高能合成射流，如图6(b)所示。

虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是本领域熟练技术人员应当理解，这些仅是举例说明，可以对本实施方式做出多种变更或修改，而不背离本实用新型的原理和实质，本实用新型的保护范围仅由所附权利要求书限定。

Claims (10)

1.基于高频扼流线圈的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，其特征在于，包括直流电源模块、限流电阻以及n个等离子体高能合成射流激励器；

直流电源模块的正极依次串接有第一主电路二极管、第二主电路二极管、...、第n主电路二极管；

直流电源模块的负极连接限流电阻的一端，限流电阻的另一端依次串接有第一高频扼流线圈、第二高频扼流线圈、...、第n高频扼流线圈；

第i主电路二极管的输出端连接第i等离子体高能合成射流激励器的放电正极，第i等离子体高能合成射流激励器的放电负极连接第i高频扼流线圈的输入端，其中i＝1,2...n；

各等离子体高能合成射流激励器的放电正极和放电负极之间均连接有一个储能电容；

各等离子体高能合成射流激励器的点火电极、放电负极之间均分别连接有对应的脉冲信号电路，由各脉冲信号电路产生脉冲信号驱动各等离子体高能合成射流激励器的工作。

2.根据权利要求1所述的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，其特征在于，还包括信号发生器，用于产生n路脉冲波控制信号；所述信号发生器有n路输出端，分别连接n路脉冲信号电路，将产生的n路脉冲波控制信号分别输送给n路脉冲信号电路，控制各路脉冲信号电路产生对应的脉冲信号。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，其特征在于，所述脉冲信号电路包括脉冲源和点火电路二极管，第i路脉冲信号电路中的第i脉冲源的正极连接第i点火电路二极管的输入端，第i点火电路二极管的输出端连接第i等离子体高能合成射流激励器的点火电极，第i脉冲源的负极连接第i等离子体高能合成射流激励器的放电负极。

4.根据权利要求3所述的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，其特征在于，各等离子体高能合成射流激励器的点火电极、放电正极、放电负极均采用直径1-3mm的耐高温抗烧蚀钨铈合金棒。

5.根据权利要求4所述的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，其特征在于，各等离子体高能合成射流激励器中，点火电极与放电负极之间的间距为0.5-2mm，放电正极与放电负极之间的间距为2-6mm，点火电极、放电正极、放电负极放置于氧化铝陶瓷制作的腔体内，腔体内体积为500-1500mm³，腔体上开设有供等离子体高能合成射流喷出的射频出口。

6.根据权利要求1、2、4或5所述的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，其特征在于，高频扼流线圈能够阻止电路中高频信号的通过，在电流变化缓慢时电阻很小，相当于通路，在电流变化剧烈时电阻很大，相当于断路。

7.根据权利要求6所述的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，其特征在于，高频扼流线圈由两个尺寸相同、匝数相同的铜制空心线圈对称地绕制在同一个锰锌铁氧体环形磁芯上而构成，其中铜制空心线圈采用单层绕制，锰锌铁氧体环形磁芯与铜制空心线圈之间相互绝缘，绕制在锰锌铁氧体环形磁芯上的两个铜制空心线圈之间也相互绝缘。

8.根据权利要求6所述的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，其特征在于，直流电源模块包括直流电源和直流开关，直流电源与直流开关连接，由直流开关控制直流电源的接通或者断开。

9.根据权利要求8所述的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，其特征在于，所述直流电源为输出电压可调线性稳压电源，将220V交流电经整流后输出0-6kV连续可调直流电。

10.根据权利要求7、8或9所述的等离子体高能合成射流激励器并联放电装置，其特征在于，各等离子体高能合成射流激励器为两电极等离子体高能合成射流激励器或者三电极等离子体高能合成射流激励器；

当采用两电极等离子体高能合成射流激励器时，两电极等离子体高能合成射流激励器的放电正极作为点火电极，即各等离子体高能合成射流激励器中放电正极和点火电极为同一个电极。

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