CN216526041U - 一种同步整流mos管压降内阻检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种同步整流MOS管压降内阻检测电路，用于检测反激电路次级端的MOS管Q2的内阻，其特征在于，包括运放IC1A，一端与运放IC1A的3引脚连接、另一端与MOS管Q2的漏极连接的电阻R2，一端与运放IC1A的2引脚连接、另一端与MOS管Q2的源极连接的电阻R3；所述运放IC1A的8引脚接电源，其1引脚形成检测点C，其4引脚与MOS管Q2的源极相连接的同时形成检测点A。本实用新型可以直接测试到同步整流MOS在电源上使用时的实际内阻大小，缩短了同步MOS管的测试验证时间，更加方便生产者对电源次级同步MOS的优化筛选。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域，具体是指一种同步整流MOS管压降内阻检测电路。
背景技术
随着消费类电子产品的兴起，与之配套的反激方案PD快充适配器也越来越多，体积也是越来越小，电源次级配套使用同步整流电路越来越多，而同步整流MOS管的内阻好坏直接影响电源的效率和温升，因此需要对MOS管的内阻进行检测。然而现有的检测方法效率低下，并且无法很准确的检测到MOS管在电源上使用时的实际内阻。本申请提供一种能够提高检测效率，并且能够准确的检测到MOS管在电源上使用时的实际内阻的同步整流MOS管压降内阻检测电路。
实用新型内容
本实用新型的目的在于解决上述问题，提供一种能够提高检测效率，并且能够准确的检测到MOS管在电源上使用时的实际内阻的同步整流MOS管压降内阻检测电路。
本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种同步整流MOS管压降内阻检测电路，用于检测反激电路次级端的MOS管Q2的内阻，其包括运放IC1A，一端与运放IC1A的3引脚连接、另一端与MOS管Q2的漏极连接的电阻R2，一端与运放IC1A的2引脚连接、另一端与MOS管Q2的源极连接的电阻R3，以及串接在运放IC1A的2引脚和1引脚之间的电阻R1；所述运放IC1A的8引脚接电源，其1引脚形成检测点C，其4引脚与MOS管Q2的源极相连接的同时形成检测点A。
同步整流MOS管压降内阻检测电路还包括极性电容CE1；所述极性电容CE1的正极与运放IC1A的8引脚连接、其负极与运放IC1A的4引脚连接。
同步整流MOS管压降内阻检测电路还包括有保护电路；所述保护电路包括三极管Q1，一端与三极管Q1的基极连接、另一端与MOS管Q2的漏极连接的电阻R4；所述三极管Q1的集电极与运放IC1A的3引脚连接、其发射极则与MOS管Q2的源极相连接。
本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：本实用新型可以直接测试到同步整流MOS在电源上使用时的实际内阻大小，缩短了同步MOS管的测试验证时间，更加方便生产者对电源次级同步MOS的优化筛选。
附图说明
图1为本实用新型与反激电路次级端连接的示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。
实施例
本实施例公开了一种同步整流MOS管压降内阻检测电路，其用于检测反激电路次级端的MOS管Q2的内阻。现有反激电路的次级端电路结构如图1所以，其包括变压器T1、MOS管Q2、电阻R5、极性电容CE2以及同步控制电路。极性电容CE2的正极经电阻R5后与MOS管Q2的源极相连接、其负极与变压器T1次级线圈的异名端连接，MOS管Q2的漏极与变压器T1次级线圈的同名端连接，同步控制电路则同时与MOS管Q2的漏极、栅极、源极连接。极性电容CE2的正极作为检测点B，其负极作为检测点D，检测点B和检测点D共同形成反激电路次级的负载输出端。由于反激电路的次级端电路为现有的电路，以上仅对其部分元器件关系进行描述，同步控制电路的具体结构在此不再赘述。
以下对本申请的发明点进行重点描述。本实施例的同步整流MOS管压降内阻检测电路包括运放IC1A，一端与运放IC1A的3引脚连接、另一端与MOS管Q2的漏极连接的电阻R2，一端与运放IC1A的2引脚连接、另一端与MOS管Q2的源极连接的电阻R3，以及串接在运放IC1A的2引脚和1引脚之间的电阻R1。所述运放IC1A的8引脚接DC12V电源，其1引脚形成检测点C，其4引脚与MOS管Q2的源极相连接的同时形成检测点A。电阻R1和电阻R3组合成放大电路，其把导通压降放大(R3/R1+1倍)进行检测。
作为一种优选方案，该运放IC1A还连接有极性电容CE1；即极性电容CE1的正极与运放IC1A的8引脚连接、其负极与运放IC1A的4引脚连接；该极性电容CE1能够起到滤波的作用。
为了更好的保护运放IC1A，该同步整流MOS管压降内阻检测电路还包括有保护电路。如图1所示，该保护电路包括三极管Q1，一端与三极管Q1的基极连接、另一端与MOS管Q2的漏极连接的电阻R4；所述三极管Q1的集电极与运放IC1A的3引脚连接、其发射极则与MOS管Q2的源极相连接。
当反激电路上电时，变压器T1的10脚先产生一个负电压100V，其6脚为正，这时三极管Q1导通，保护运放IC1A不被损坏，此时运放IC1A输出低电平。当反激电路的初级释放能量时，变压器T1的10脚产生一个正向电压，其6脚为负，次级同步整流正常工作后，MOS管Q2的漏极和源极之间会有电流流过，由于运放IC1A的8脚和4脚外接DC12V电源供电，反激电路次级的B点和D点接负载输出，电流采样电阻R5两端也会产生一个压降，即检测点A和检测点B会产生一个压降。另外，MOS管Q2在导通时，其漏极和源极之间本身有一定的内阻，通过电流后漏极和源极之间就有一个电压差，该电压差经过电阻R2和电阻R3输入到运放IC1A的3脚和2脚，该电压差经过运放IC1A运算放大后经1脚输出一个电压到检测点C，将检测点C和检测点A电压放大倍数与检测点A和检测点B的电流的比值再除以检测点C和检测点A电压的放大倍数即可得到MOS管Q2的内阻大小。本方案通过将检测点C和检测点A电压放大，即将MOS管Q2的内阻电压进行放大，其可以减小在负电压100V下检测0.1V微小电压的精度偏差，从而可以准确测量出MOS管的导通内阻大小；同时，也可以扩大到PCB走线加同步的内阻(从变压器10脚到B端的检测)，精确地计算出电流、内阻、功耗，确保产品设计合理化。
如上所述，便可很好的实现本实用新型。
Claims (3)
1.一种同步整流MOS管压降内阻检测电路，用于检测反激电路次级端的MOS管Q2的内阻，其特征在于，包括运放IC1A，一端与运放IC1A的3引脚连接、另一端与MOS管Q2的漏极连接的电阻R2，一端与运放IC1A的2引脚连接、另一端与MOS管Q2的源极连接的电阻R3，以及串接在运放IC1A的2引脚和1引脚之间的电阻R1；所述运放IC1A的8引脚接电源，其1引脚形成检测点C，其4引脚与MOS管Q2的源极相连接的同时形成检测点A。
2.根据权利要求1所述的一种同步整流MOS管压降内阻检测电路，其特征在于，还包括极性电容CE1；所述极性电容CE1的正极与运放IC1A的8引脚连接、其负极与运放IC1A的4引脚连接。
3.根据权利要求2所述的一种同步整流MOS管压降内阻检测电路，其特征在于，还包括有保护电路；所述保护电路包括三极管Q1，一端与三极管Q1的基极连接、另一端与MOS管Q2的漏极连接的电阻R4；所述三极管Q1的集电极与运放IC1A的3引脚连接、其发射极则与MOS管Q2的源极相连接。
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