CN216451535U - 一种高灵敏度高信噪比双mems芯片的mems硅麦克风 - Google Patents
一种高灵敏度高信噪比双mems芯片的mems硅麦克风 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及麦克风技术领域，尤其是涉及一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，包括基板，所述基板上设置有第一MEMS芯片组件和第二MEMS芯片组件，基板上罩扣有盖壳，盖壳上开设有进音孔。本实用新型的一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，当声压到达第一MEMS芯片和第二MEMS芯片时，第一MEMS芯片和第二MEMS芯片同时产生相位相反的电流信号，分别传输进第一ASIC和第二ASIC内，经过第一ASIC和第二ASIC的放大后，输出相位相反的电压信号，由于两个信号输出构成一对差分信号，两个信号的相减的值作为最终输出的电压信号幅值。
Description
技术领域
本实用新型涉及麦克风技术领域，尤其是涉及一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风。
背景技术
目前，MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微机电系统)是近年来高速发展的一项高新技术。硅麦克风又称MEMS麦克风,是基于MEMS技术制造的麦克风。硅麦克风通常包括基板以及封装于所述基板表面的壳体,所述壳体与所述基板形成用于容纳MEMS芯片和ASIC芯片的容纳腔。
MEMS芯片感受到外部的音频声压信号后,改变振动薄膜与背极板间的距离,形成电容变化，从而产生电流的变化，MEMS芯片后接一个ASIC把电流信号放大，变成电输出。
目前现有技术中，大多数麦克风的容纳腔中有一个MEMS芯片和一个ASIC芯片。提高灵敏度，一般通过增加ASIC的增益来实现，噪声会被放大，信噪比低，但是ASIC的增益倍数有上限，且增益放大后，信噪比不会得到提高。
有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，使其更具有产业上的利用价值。
发明内容
为解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，当声压到达第一MEMS芯片和第二MEMS芯片时，第一MEMS芯片和第二MEMS芯片同时产生相位相反的电流信号，然后分别传输进第一ASIC和第二ASIC内，经过第一ASIC和第二ASIC的放大后，输出相位相反的电压信号。
本实用新型的一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，包括基板，所述基板上设置有第一MEMS芯片组件和第二MEMS芯片组件，所述第一MEMS芯片组件包括第一MEMS芯片，所述第一MEMS芯片通过导电线连接第一ASIC，所述第二MEMS芯片组件包括第二MEMS芯片，所述第二MEMS芯片通过导电线连接第二ASIC，所述基板上罩扣有盖壳，所述盖壳上开设有进音孔。
进一步的，第一MEMS芯片组件和第二MEMS芯片组件相对设置于基板上。
进一步的，基板背部设置有引脚。
进一步的，第一MEMS芯片和第二MEMS芯片的结构相同。
进一步的，第一ASIC和第二ASIC的结构相同。
进一步的，第一ASIC和第二ASIC端部均连接有输出信号线。
借由上述方案，本发明至少具有以下优点：
本实用新型的一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，当声压到达第一MEMS芯片和第二MEMS芯片时，第一MEMS芯片和第二MEMS芯片同时产生相位相反的电流信号，然后分别传输进第一ASIC和第二ASIC内，经过第一ASIC和第二ASIC的放大后，输出相位相反的电压信号，由于两个信号输出构成一对差分信号，两个信号的相减的值作为最终输出的电压信号幅值，因此相减后，最终电压信号的电压的幅值为两个信号幅值的叠加，进而使其灵敏度得到提高，同时两个输出信号相减后，抵消了噪声，使得信噪比提高。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某个实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是图1中第一MEMS芯片组件和第二MEMS芯片组件的结构示意图；
图3是图2中第一MEMS芯片组件和第二MEMS芯片组件输出信号的时序示意图。
附图中，1.基板，2.第一MEMS芯片组件，3.第二MEMS芯片组件，4.第一MEMS芯片，5.导电线，6.第一ASIC，7.第二MEMS芯片，8.第二ASIC，9.盖壳，10.进音孔，11.引脚，12.输出信号线。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
参见图1和图2，本实用新型一较佳实施例所述的一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，包括基板1，所述基板1上设置有第一MEMS芯片组件2和第二MEMS芯片组件3，所述第一MEMS芯片组件2包括第一MEMS芯片4，所述第一MEMS芯片4通过导电线5连接第一ASIC6，所述第二MEMS芯片组件3包括第二MEMS芯片7，所述第二MEMS芯片7通过导电线5连接第二ASIC8，所述基板1上罩扣有盖壳9，所述盖壳9上开设有进音孔10。
结合图1和图2所示，第一MEMS芯片组件2和第二MEMS芯片组件3相对设置于基板1上。
如图1所示，基板1背部设置有引脚11。
结合图1和图2所示，第一MEMS芯片4和第二MEMS芯片7的结构相同。当声压到达第一MEMS芯片4和第二MEMS芯片7时，第一MEMS芯片4和第二MEMS芯片7同时产生相位相反的电流信号，然后分别传输进第一ASIC6和第二ASIC8内，经过第一ASIC6和第二ASIC8的放大后，输出相位相反的电压信号。
结合图1和图2所示，第一ASIC6和第二ASIC8的结构相同。当声压到达第一MEMS芯片4和第二MEMS芯片7时，第一MEMS芯片4和第二MEMS芯片7同时产生相位相反的电流信号，然后分别传输进第一ASIC6和第二ASIC8内，经过第一ASIC6和第二ASIC8的放大后，输出相位相反的电压信号。
结合图1至图3所示，第一ASIC6和第二ASIC8端部均连接有输出信号线12。
如图3所示，第一MEMS芯片组件和第二MEMS芯片组件输出信号时，由于两个信号输出构成一对差分信号，两个信号的相减的值作为最终输出的电压信号幅值，因此相减后，最终电压信号的电压的幅值为两个信号幅值的叠加，所以灵敏度提高了。而第一MEMS芯片组件和第二MEMS芯片组件所产生的噪声是一样的，两个输出信号相减后，抵消了噪声，使得信噪比提高了。
本实用新型的工作原理如下：当声压到达第一MEMS芯片4和第二MEMS芯片7时，第一MEMS芯片4和第二MEMS芯片7同时产生相位相反的电流信号，然后分别传输进第一ASIC6和第二ASIC8内，经过第一ASIC6和第二ASIC8的放大后，输出相位相反的电压信号，由于两个信号输出构成一对差分信号，两个信号的相减的值作为最终输出的电压信号幅值，因此相减后，最终电压信号的电压的幅值为两个信号幅值的叠加，进而使其灵敏度得到提高，同时两个输出信号相减后，抵消了噪声，使得信噪比提高。
最后应说明的几点是：首先，在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变，则相对位置关系可能发生改变；
其次：本实用新型公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计，在不冲突情况下，本实用新型同一实施例及不同实施例可以相互组合；
最后：以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，并不用于限制本实用新型，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)上设置有第一MEMS芯片组件(2)和第二MEMS芯片组件(3)，所述第一MEMS芯片组件(2)包括第一MEMS芯片(4)，所述第一MEMS芯片(4)通过导电线(5)连接第一ASIC(6)，所述第二MEMS芯片组件(3)包括第二MEMS芯片(7)，所述第二MEMS芯片(7)通过导电线(5)连接第二ASIC(8)，所述基板(1)上罩扣有盖壳(9)，所述盖壳(9)上开设有进音孔(10)。
2.根据权利要求1所述一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，其特征在于：所述第一MEMS芯片组件(2)和第二MEMS芯片组件(3)相对设置于基板(1)上。
3.根据权利要求1所述一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，其特征在于：所述基板(1)背部设置有引脚(11)。
4.根据权利要求1所述一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，其特征在于：所述第一MEMS芯片(4)和第二MEMS芯片(7)的结构相同。
5.根据权利要求1所述一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，其特征在于：所述第一ASIC(6)和第二ASIC(8)的结构相同。
6.根据权利要求1所述一种高灵敏度高信噪比双MEMS芯片的MEMS硅麦克风，其特征在于：所述第一ASIC(6)和第二ASIC(8)端部均连接有输出信号线(12)。
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