CN216434403U

CN216434403U - 一种用于检测连锡的光感指示电路

Info

Publication number: CN216434403U
Application number: CN202122999232.0U
Authority: CN
Inventors: 蒋璐; 吴成达; 吴建宏
Original assignee: Zhuhai Gotech Intelligent Technology Co Ltd
Current assignee: Zhuhai Gotech Intelligent Technology Co Ltd
Priority date: 2021-12-01
Filing date: 2021-12-01
Publication date: 2022-05-03
Anticipated expiration: 2031-12-01

Abstract

本实用新型提供一种用于检测连锡的光感指示电路，用于检测BGA元器件上的锡珠阵列是否存在连锡现象，包括光电耦合电路、放大电路、电压检测电路和指示电路；光电耦合电路包括光电发射电路和光电感应电路，光电发射电路和光电感应电路分别设置在锡珠阵列的两侧，光电发射电路向光电感应电路发射光信号，光电感应电路响应于光信号并产生电压信号；放大电路与光电感应电路电连接，放大电路根据电压信号输出对应的高低电压信号；电压检测电路与放大电路电连接，包括MOS管，并根据高低电压信号控制MOS管的通断；指示电路响应于MOS管的通断并进行发光和熄灭。通过简单可靠的方式实现光感指示，进而实现连锡检测的目的，成本低，可靠性高，使用便捷。

Description

一种用于检测连锡的光感指示电路

技术领域

本实用新型属于测试电路技术领域，尤其涉及一种用于检测连锡的光感指示电路。

背景技术

网络机顶盒已经成为目前信息家电中至关重要的一种设备，且随着人们要求越来越高，网络机顶盒已成为一个集合具有大量电源、多媒体事件、新闻等于一体的综合性控制终端，而以上的功能都需要网络机顶盒具有足够大的存储容量，即盒内DDR(储存器)的数量剧增。

因此，在网络机顶盒的生产过程中，需要用到多颗DDR，目前主要采用X-ray的检测方式来检测DDR的BGA封装，来确保BGA封装中锡珠状态正常，不存在连锡现象，以判断元器件和PCB连接是否正常，而X-ray检测仪器体积巨大，使用电路复杂，无论是在网络机顶盒的生产中，还是在其研发实验过程中，在检测连锡现象时均带来巨大不便。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种可检测连锡的镊子，主要用于解决现有技术中不便于测量BGA封装中连锡现象等问题。

为解决上述问题，本实用新型所采用的技术方案如下：

本实用新型提供一种用于检测连锡的光感指示电路，用于检测BGA元器件上的锡珠阵列是否存在连锡现象，包括光电耦合电路、放大电路、电压检测电路和指示电路；

所述光电耦合电路包括光电发射电路和光电感应电路，所述光电发射电路和光电感应电路分别设置在所述锡珠阵列的两侧，所述光电发射电路用于向所述光电感应电路发射光信号，所述光电感应电路响应于所述光信号并产生电压信号；

所述放大电路与所述光电感应电路电连接，所述放大电路根据所述电压信号的有无、输出对应的高低电压信号；

所述电压检测电路与所述放大电路电连接，所述电压检测电路包括MOS管，所述电压检测电路根据所述高低电压信号控制所述MOS管的通断；

所述指示电路与所述MOS管电连接，所述指示电路响应于所述MOS管的通断并进行发光和熄灭。

进一步地，所述光电发射电路包括发光二极管，所述光电感应电路包括光敏三极管和第一NPN型三极管，所述光敏三极管并联于所述第一NPN型三极管的基极和集电极，所述第一NPN型三极管的集电极和发射极与所述放大电路电连接。

进一步地，所述放大电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第二NPN型三极管，所述第一电阻并联于所述第一NPN型三极管的集电极和发射极，所述第一NPN型三极管的基极分别电连接所述第一电阻第一端、第二电阻第一端，所述第一NPN型三极管的发射极与所述第四电阻第一端电连接，所述第一NPN型三极管的集电极与所述第三电阻第一端电连接，所述第一电阻第二端和第四电阻第二端共地，所述第五电阻第二端分别与所述第二电阻第二端、第三电阻第二端电连接，所述第五电阻第一端连接12V电源。

进一步地，所述电压检测电路还包括第六电阻、第七电阻、第八电阻、第三PNP型三极管和第一电容；

所述第三PNP型三极管的基极分别电连接所述第六电阻第一端、第七电阻第一端，所述第三PNP型三极管的集电极电连接所述第八电阻的第一端，所述第六电阻的第二端分别电连接所述第二NPN型三极管的集电极、第三PNP型三极管的发射极，所述第七电阻第二端和第八电阻第二端共地；

所述第一电容并联于所述第三PNP型三极管的发射极和集电极，所述MOS管的G极和S极并联于所述第一电容两端，所述MOS管的D极与所述指示电路电连接。

进一步地，所述指示电路包括第九电阻、第十电阻和发光二极管，所述第九电阻的第一端电连接所述MOS管的D极，所述第九电阻的第二端分别连接于所述第十电阻第一端和发光二极管正极，所述第十电阻第二端和发光二极管负极共地。

进一步地，所述发光二极管为红光发光二极管。

相比现有技术，本实用新型至少包括以下有益效果：

当无连锡现象时，光电发射电路的光信号能正常到达光电感应电路中，并将光信号转化成电压信号，电压信号经过放大后形成一高电压信号，进而驱动MOS管关断，指示电路不发光；

当存在连锡现象时，光电发射电路的光信号不能正常到达光电感应电路中，放大电路处于静态并输出固定低电压信号，低电压信号驱动MOS管导通，指示电路发光；

通过简单可靠的方式实现光感指示，进而实现连锡检测的目的，成本低，可靠性高，使用便捷。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

附图说明

利用附图对本实用新型作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。

图1是本实用新型的一种用于检测连锡的光感指示电路的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，当描述到特定器件位于第一器件和第二器件之间时，在该特定器件与第一器件或第二器件之间可以存在居间器件，也可以不存在居间器件。当描述到特定器件连接其它器件时，该特定器件可以与所述其它器件直接连接而不具有居间器件，也可以不与所述其它器件直接连接而具有居间器件。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

参照图1，在本实施例中公开了一种用于检测连锡的光感指示电路，用于检测BGA元器件上的锡珠阵列是否存在连锡现象，锡珠阵列呈多列多行的布局，其中的锡珠可能会存在连锡现象，将影响BGA元器件的正常使用；

光感指示电路包括光电耦合电路、放大电路、电压检测电路和指示电路；

光电耦合电路包括光电发射电路和光电感应电路，光电发射电路和光电感应电路分别设置在锡珠阵列的两侧，光电发射电路用于向光电感应电路发射光信号，光电感应电路响应于光信号并产生电压信号；

放大电路与光电感应电路电连接，放大电路根据电压信号的有无、输出对应的高低电压信号；

电压检测电路与放大电路电连接，电压检测电路包括MOS管QP4，电压检测电路根据高低电压信号控制MOS管QP4的通断；

指示电路与MOS管QP4电连接，指示电路响应于MOS管QP4的通断并进行发光和熄灭。

需要说明的是，当无连锡现象时，光电发射电路的光信号能正常到达光电感应电路中，光电感应电路能将光信号转化成电压信号，此时的电压信号数值很小，需要经过放大处理，电压信号经过放大后形成一高电压信号U₂，利用高电压信号U₂控制驱动MOS管QP4关断，指示电路无电压输入，不发光，红灯灭；

当存在连锡现象时，光电发射电路的光信号被连锡阻挡，无法正常到达光电感应电路中，因此放大电路没有了前端电压信号的输入，并处于静态，此时放大电路输出固定低电压信号U₁，利用低电压信号U₁驱动MOS管QP4导通，指示电路有电压输入，红灯亮；

本实施例通过简单可靠的方式实现光感指示，进而实现连锡检测的目的，成本低，可靠性高，使用便捷。

更具体地，光电发射电路包括发光二极管DC1，光电感应电路包括光敏三极管QA1和第一NPN型三极管QA2，光敏三极管QA1并联于第一NPN型三极管QA2的基极和集电极，第一NPN型三极管QA2的集电极和发射极与放大电路电连接；当光敏三极管QA1正常接收发光二极管DC1的光信号时，其产生对应的电压信号，并使得第一NPN型三极管QA2导通，将此电压信号传输至放大电路。

更具体地，放大电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第二NPN型三极管QA3，第一电阻R1并联于第一NPN型三极管QA2的集电极和发射极，第一NPN型三极管QA2的基极分别电连接第一电阻R1第一端、第二电阻R2第一端，第一NPN型三极管QA2的发射极与第四电阻R4第一端电连接，第一NPN型三极管QA2的集电极与第三电阻R3第一端电连接，第一电阻R1第二端和第四电阻R4第二端共地，第五电阻R5第二端分别与第二电阻R2第二端、第三电阻R3第二端电连接，第五电阻R5第一端连接12V电源；当无连锡时，第一电阻R1两端形成电压，并通过放大后形成高电压信号U₂；当存在连锡时，前端电压信号无输入，则放大电路输出固定低电压信号U₁。

更具体地，电压检测电路还包括第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第三PNP型三极管QP3和第一电容CP1；

第三PNP型三极管QP3的基极分别电连接第六电阻R6第一端、第七电阻R7第一端，第三PNP型三极管QP3的集电极电连接第八电阻R8的第一端，第六电阻R6的第二端分别电连接第二NPN型三极管QA3的集电极、第三PNP型三极管QP3的发射极，第七电阻R7第二端和第八电阻R8第二端共地；

第一电容CP1并联于第三PNP型三极管QP3的发射极和集电极，MOS管QP4的G极和S极并联于第一电容CP1两端，MOS管QP4的D极与指示电路电连接；

当无连锡时，高电压信号U₂接入电压检测电路中，第六电阻R6两端电压大于0.7V，第三PNP型三极管QP3进入导通状态，进而控制MOS管QP4进入关断状态，则指示电路无电压输入，红灯灭；

当存在连锡时，固定低电压信号U₁接入电压检测电路中，第六电阻R6两端电压小于0.7V，第三PNP型三极管QP3进入截止状态，进而控制MOS管QP4进入导通状态，则指示电路有电压输入，红灯亮。

更具体地，指示电路包括第九电阻R9、第十电阻R10和发光二极管DC1，第九电阻R9的第一端电连接MOS管QP4的D极，第九电阻R9的第二端分别连接于第十电阻R10第一端和发光二极管DC1正极，第十电阻R10第二端和发光二极管DC1负极共地，通过控制发光二极管DC1的电压输入，进而控制其灯亮和灯灭。

在本实施例中，发光二极管DC1为红光发光二极管DC1，光敏三极管QA1对红光这种波长的光感应灵敏度较好，提高检测的敏感度。

综上，相对于现有技术，上述实施例提供一种用于检测连锡的光感指示电路，当无连锡现象时，光电发射电路的光信号能正常到达光电感应电路中，并将光信号转化成电压信号，电压信号经过放大后形成一高电压信号，进而驱动MOS管QP4关断，指示电路不发光；

当存在连锡现象时，光电发射电路的光信号不能正常到达光电感应电路中，放大电路处于静态并输出固定低电压信号，低电压信号驱动MOS管QP4导通，指示电路发光；

上述实施方式仅为本实用新型的优选实施方式，不能以此来限定本实用新型保护的范围，本领域的技术人员在本实用新型的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本实用新型所要求保护的范围。

Claims

1.一种用于检测连锡的光感指示电路，用于检测BGA元器件上的锡珠阵列是否存在连锡现象，其特征在于，包括光电耦合电路、放大电路、电压检测电路和指示电路；

2.根据权利要求1所述的一种用于检测连锡的光感指示电路，其特征在于，所述光电发射电路包括发光二极管，所述光电感应电路包括光敏三极管和第一NPN型三极管，所述光敏三极管并联于所述第一NPN型三极管的基极和集电极，所述第一NPN型三极管的集电极和发射极与所述放大电路电连接。

3.根据权利要求2所述的一种用于检测连锡的光感指示电路，其特征在于，所述放大电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第二NPN型三极管，所述第一电阻并联于所述第一NPN型三极管的集电极和发射极，所述第一NPN型三极管的基极分别电连接所述第一电阻第一端、第二电阻第一端，所述第一NPN型三极管的发射极与所述第四电阻第一端电连接，所述第一NPN型三极管的集电极与所述第三电阻第一端电连接，所述第一电阻第二端和第四电阻第二端共地，所述第五电阻第二端分别与所述第二电阻第二端、第三电阻第二端电连接，所述第五电阻第一端连接12V电源。

4.根据权利要求3所述的一种用于检测连锡的光感指示电路，其特征在于，所述电压检测电路还包括第六电阻、第七电阻、第八电阻、第三PNP型三极管和第一电容；

5.根据权利要求4所述的一种用于检测连锡的光感指示电路，其特征在于，所述指示电路包括第九电阻、第十电阻和发光二极管，所述第九电阻的第一端电连接所述MOS管的D极，所述第九电阻的第二端分别连接于所述第十电阻第一端和发光二极管正极，所述第十电阻第二端和发光二极管负极共地。

6.根据权利要求5所述的一种用于检测连锡的光感指示电路，其特征在于，所述发光二极管为红光发光二极管。