CN216390832U - 一种可调速双端开关电机驱动电路 - Google Patents
一种可调速双端开关电机驱动电路 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种可调速双端开关电机驱动电路,通过MCU对电机进行调速,包括上管电路、上管驱动电路、下管电路和推挽电路,电机的正极和负极分别对应连接上管电路和下管电路,上管驱动电路驱动上管电路实现电机的正极通断,推挽电路驱动下管电路实现电机的负极通断。该电路通过MCU实现电机软启动和调速功能,进行大功率有刷电机单向驱动,且电机正负极同时开关,实现电机在非工作状态完全切断输入电源,降低功耗,电路结构简单、成本低、安全性和准确性高。
Description
技术领域
本实用新型属于电机控制技术领域,具体涉及一种可调速双端开关电机驱动电路。
背景技术
电动工具类产品的需求每年爆发式增长,传统采用18V电磁小功率电动工具(如园林工具)已不能满足客户对使用时间、大功率、高效率的需求,因此,双18V/24V串联电池包电动工具的需求日益增多,且在满电状态下输入电压可到达40-56V,超过36V安全电压,输出电流峰稳态40A以上。现有技术中的电动工具为确保安全性,在非工作状态下关断正极输出或正负极输出同时关断,主要采用以下两种方式:采用升压DC-DC芯片产生高电平由三极管控制通断或由专用高压驱动芯片控制,成本较高,可靠性较低。采用继电器控制有刷电机输入正负极,对于感性负载无法驱动10A以上的电机,且继电器存在易黏连失效和不可调速的缺点。
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对上述问题,提出一种可调速双端开关电机驱动电路,该电路可实现电机软启动和调速功能,进行大功率有刷电机单向驱动,且电机正负极同时开关,实现电机在非工作状态完全切断输入电源,降低功耗,电路结构简单、成本低、安全性和准确性高。
为实现上述目的,本实用新型所采取的技术方案为:
本实用新型提出的一种可调速双端开关电机驱动电路,通过MCU对电机进行调速,包括上管电路、上管驱动电路、下管电路和推挽电路,电机的正极和负极分别对应连接上管电路和下管电路,上管驱动电路驱动上管电路实现电机的正极通断,推挽电路驱动下管电路实现电机的负极通断,其中:
上管驱动电路,包括第三PNP三极管Q3、第四NPN三极管Q4、第五NPN三极管Q5、第二电容C2、第三电容C3、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一电阻R1、第八电阻R8、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十五电阻R15和第十六电阻R16,第十六电阻R16的两端分别与第五NPN三极管Q5的基极和发射极连接,第十五电阻R15的两端分别与第五NPN三极管Q5的基极和MCU连接,第五NPN三极管Q5的发射极接地,第十三电阻R13的两端分别与第五NPN三极管Q5的集电极和电源正极连接,第八电阻R8的两端分别与第一二极管D1的负极和第二二极管D2的负极连接,第一二极管D1的正极与电源正极连接,第三电容C3的两端分别与第二二极管D2的正极和第五NPN三极管Q5的集电极连接,第二电容C2的两端分别与第二二极管D2的负极和第三二极管D3的正极连接,第三二极管D3的正极与电机的正极连接,第三二极管D3的负极与第二二极管D2的正极连接,第十电阻R10的两端分别与第三PNP三极管Q3的基极和发射极连接,第三PNP三极管Q3的发射极还与第二二极管D2的负极连接,第一电阻R1的两端分别与第四NPN三极管Q4的基极和发射极连接,第四NPN三极管Q4的发射极接地,第十二电阻R12的两端分别与第四NPN三极管Q4的基极和MCU连接,第十一电阻R11的两端分别与第三PNP三极管Q3的基极和第四NPN三极管Q4的集电极连接;
上管电路,包括第一N-MOS管Q1、第二N-MOS管Q2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6和第七电阻R7,第一N-MOS管Q1的源极和第二N-MOS管Q2的源极均与电机的正极连接,第一N-MOS管Q1的漏极和第二N-MOS管Q2的漏极均与电源正极连接,第六电阻R6的两端分别与第一N-MOS管Q1的栅极和源极连接,第七电阻R7的两端分别与第二N-MOS管Q2的栅极和源极连接,第四电阻R4与第五电阻R5串联,且第四电阻R4的另一端与第一N-MOS管Q1的栅极连接,第五电阻R5的另一端与第二N-MOS管Q2的栅极连接,第四电阻R4和第五电阻R5还均与第三PNP三极管Q3的集电极连接。
优选地,下管电路包括第六N-MOS管Q6、第七N-MOS管Q7、第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20、第二十一电阻R21和第六二极管D6,第六N-MOS管Q6的漏极、第七N-MOS管Q7的漏极和第六二极管D6的负极均与电机的负极连接,第六二极管D6的正极与电源负极连接并接地,第七N-MOS管Q7的源极与第六N-MOS管Q6的源极连接,第二十电阻R20的两端分别与第六N-MOS管Q6的栅极和源极连接,第二十一电阻R21的两端分别与第七N-MOS管Q7的栅极和源极连接,第十八电阻R18与第十九电阻R19串联,且第十八电阻R18的另一端与第六N-MOS管Q6的栅极连接,第十九电阻R19的另一端与第七N-MOS管Q7的栅极连接。
优选地,推挽电路包括第二十二电阻R22、第二十三电阻R23、第二十四电阻R24、第二十五电阻R25、第二十六电阻R26、第八NPN三极管Q8、第九PNP三极管Q9、第十NPN三极管Q10和第十一NPN三极管Q11,第二十二电阻R22、第二十三电阻R23和第二十四电阻R24的一端均与电源正极连接,另一端分别对应连接第八NPN三极管Q8、第十NPN三极管Q10和第十一NPN三极管Q11的集电极,第九PNP三极管Q9的发射极与第八NPN三极管Q8的发射极连接,第九PNP三极管Q9的基极和第十NPN三极管Q10的集电极均与第八NPN三极管Q8的基极连接,第十NPN三极管Q10的基极与第十一NPN三极管Q11的集电极连接,第九PNP三极管Q9的基极、第十NPN三极管Q10的发射极和第十一NPN三极管Q11的发射极均接地,第二十五电阻R25的两端分别与第十一NPN三极管Q11的基极和MCU连接,第二十六电阻R26的两端分别与第十一NPN三极管Q11的基极和发射极连接,第十八电阻R18和第十九电阻R19还均与第八NPN三极管Q8的发射极连接。
优选地,下管电路还包括并联的第二十七电阻RS1和第二十八电阻RS2,且第二十七电阻RS1和第二十八电阻RS2的两端分别连接电源负极和第六N-MOS管Q6的源极,MCU还与第七N-MOS管Q7的源极连接进行电流采样。
优选地,上管驱动电路还包括第一稳压管ZD1,第一稳压管ZD1的负极与第二二极管D2的负极连接,第一稳压管ZD1的正极与第三二极管D3的正极连接。
优选地,可调速双端开关电机驱动电路还包括电机接口电路,电机接口电路包括第五二极管D5、第十七电阻R17和第四电容C4,第五二极管D5的正极与电机的负极连接,第五二极管D5的负极与电机的正极连接,第十七电阻R17的两端分别与电机的正极和第四电容C4的一端连接,第四电容C4的另一端与电机的负极连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果为:
1)通过MCU控制第五NPN三极管导通实现上管驱动电路的第二电容和第三电容储能,并在关断第五NPN三极管时,第三电容放电给第二电容进行二次充电,在上管电路和下管电路同时导通时通过MCU控制第二电容给上管电路驱动端不断充电,维持驱动电压,并通过第三PNP三极管和第四NPN三极管组合控制上管电路的通断,上管电路和下管电路均采用双大电流MOS并联驱动,以实现持续大电流带载能力。该电路可实现电机软启动和调速功能,进行大功率有刷电机单向驱动,最大峰值电流可达60A,且电机正负极同时开关,实现电机在非工作状态完全切断输入电源,降低功耗的同时提高安全性,电路结构简单、成本低、稳定可靠;
2)采用推挽电路控制下管电路的通断,结构简单、导通损耗小且效率高,并有助于通过MCU控制实现软启动、电流恒流输出调速等功能;
3)MCU可对电机工作电流采样进行输出控制,实时采集电机工作电流,也可进行过流保护和短路保护,进一步提高安全性和准确性。
附图说明
图1为本实用新型的可调速双端开关电机驱动电路的电路原理图;
图2为本实用新型的上管电路和上管驱动电路的电路原理图;
图3为本实用新型的下管电路和推挽电路的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
需要说明的是,当组件被称为与另一个组件“连接”时,它可以直接与另一个组件连接或者也可以存在居中的组件。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是在于限制本申请。
如图1-3所示,一种可调速双端开关电机驱动电路,通过MCU对电机进行调速,包括上管电路、上管驱动电路、下管电路和推挽电路,电机的正极和负极分别对应连接上管电路和下管电路,上管驱动电路驱动上管电路实现电机的正极通断,推挽电路驱动下管电路实现电机的负极通断,其中:
上管驱动电路,包括第三PNP三极管Q3、第四NPN三极管Q4、第五NPN三极管Q5、第二电容C2、第三电容C3、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一电阻R1、第八电阻R8、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十五电阻R15和第十六电阻R16,第十六电阻R16的两端分别与第五NPN三极管Q5的基极和发射极连接,第十五电阻R15的两端分别与第五NPN三极管Q5的基极和MCU连接,第五NPN三极管Q5的发射极接地,第十三电阻R13的两端分别与第五NPN三极管Q5的集电极和电源正极连接,第八电阻R8的两端分别与第一二极管D1的负极和第二二极管D2的负极连接,第一二极管D1的正极与电源正极连接,第三电容C3的两端分别与第二二极管D2的正极和第五NPN三极管Q5的集电极连接,第二电容C2的两端分别与第二二极管D2的负极和第三二极管D3的正极连接,第三二极管D3的正极与电机的正极连接,第三二极管D3的负极与第二二极管D2的正极连接,第十电阻R10的两端分别与第三PNP三极管Q3的基极和发射极连接,第三PNP三极管Q3的发射极还与第二二极管D2的负极连接,第一电阻R1的两端分别与第四NPN三极管Q4的基极和发射极连接,第四NPN三极管Q4的发射极接地,第十二电阻R12的两端分别与第四NPN三极管Q4的基极和MCU连接,第十一电阻R11的两端分别与第三PNP三极管Q3的基极和第四NPN三极管Q4的集电极连接;
上管电路,包括第一N-MOS管Q1、第二N-MOS管Q2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6和第七电阻R7,第一N-MOS管Q1的源极和第二N-MOS管Q2的源极均与电机的正极连接,第一N-MOS管Q1的漏极和第二N-MOS管Q2的漏极均与电源正极连接,第六电阻R6的两端分别与第一N-MOS管Q1的栅极和源极连接,第七电阻R7的两端分别与第二N-MOS管Q2的栅极和源极连接,第四电阻R4与第五电阻R5串联,且第四电阻R4的另一端与第一N-MOS管Q1的栅极连接,第五电阻R5的另一端与第二N-MOS管Q2的栅极连接,第四电阻R4和第五电阻R5还均与第三PNP三极管Q3的集电极连接。
其中,如图1所示,上管电路对应D区域、上管驱动电路对应A区域和B区域、下管电路对应F区域、推挽电路对应C区域,本实施例中电源输入18-48V DC,图中B+为电源正极、B-为电源负极,上管驱动电路和推挽电路通过15V电压驱动,15V电压由电源输入18-48V DC通过DC-DC电源模块或线性电路生成。
上电过程中,MCU通过PWM口输入一个1K Hz、占空比15%-50%的波形,PWM口(即图中MCU-PWM所示)为与第十五电阻R15连接的端口,当MCU-PWM高电平时,第五NPN三极管Q5导通,此时电流依次流经图中D1、R8、C2、D3、C3和Q5,先给C2、C3充电,当MCU-PWM低电平时,第五NPN三极管Q5关断,此时电流依次流经图中R13、C3、D2和C2,在C3放电的同时实现C2的充电,且通过MCU-PWM不断输入PWM波形逐渐对C2充电,使C2持续创建一个12V电压用于驱动上管电路。进一步地,D1和C2之间串接的第八电阻R8(如10欧姆),可延长C3充电时间,有效抑制EMC辐射。需要说明的是,各参数值可根据具体需求设计,或在取值区间范围内浮动。
MCU驱动上管电路通断,即当MCU_上管控制口(即与第十二电阻R12连接的端口)置高时打开Q3和Q4,控制上管电路中的Q1和Q2导通,实现电机正极的导通,否则,上管电路中的Q1和Q2处于关断状态,即电机正极关断。上管电路采用两个大电流MOS管并联,以增大电流过流能力、增加MOS管的散热面积,如采用两个130A的MOS管并联实现持续40A带载能力。并配合下管电路实现电机的启停,如当工作状态下,MCU控制上管电路和下管电路同时打开,实现电机软启动和在工作状态根据需求调速,当非工作状态下,MCU控制上管电路和下管电路同时关闭,完全切断输入电源。上述各电阻为常规作用,如分压、分流,在此不再赘述。
通过MCU控制第五NPN三极管导通实现上管驱动电路的第二电容和第三电容储能,并在关断第五NPN三极管时,第三电容放电给第二电容进行二次充电,在上管电路和下管电路同时导通时通过MCU控制第二电容给上管电路驱动端不断充电,维持驱动电压,并通过第三PNP三极管和第四NPN三极管组合控制上管电路的通断,上管电路采用双大电流MOS并联驱动,以增大电流过流能力、增加MOS管的散热面积,实现持续大电流带载能力。该电路可实现电机软启动和调速功能,进行大功率有刷电机单向驱动,MOS管型号可根据实际需求选取,最大峰值电流可达60A,且电机正负极同时开关,实现电机在非工作状态完全切断输入电源,降低功耗的同时提高安全性,电路结构简单、成本低、稳定可靠。
在一实施例中,下管电路包括第六N-MOS管Q6、第七N-MOS管Q7、第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20、第二十一电阻R21和第六二极管D6,第六N-MOS管Q6的漏极、第七N-MOS管Q7的漏极和第六二极管D6的负极均与电机的负极连接,第六二极管D6的正极与电源负极连接并接地,第七N-MOS管Q7的源极与第六N-MOS管Q6的源极连接,第二十电阻R20的两端分别与第六N-MOS管Q6的栅极和源极连接,第二十一电阻R21的两端分别与第七N-MOS管Q7的栅极和源极连接,第十八电阻R18与第十九电阻R19串联,且第十八电阻R18的另一端与第六N-MOS管Q6的栅极连接,第十九电阻R19的另一端与第七N-MOS管Q7的栅极连接。
其中,下管电路可由MCU驱动实现Q6和Q7的通断,当Q6和Q7导通时,实现电机负极的导通,此时MCU可控制输出PWM波形,实现电机软启动和在工作状态根据需求调速。否则,下管电路中的Q6和Q7处于关断状态,即电机负极关断。下管电路采用两个大电流MOS管并联,以增大电流过流能力、增加MOS的散热面积,如采用两个130A的MOS管并联实现持续40A带载能力。
在一实施例中,推挽电路包括第二十二电阻R22、第二十三电阻R23、第二十四电阻R24、第二十五电阻R25、第二十六电阻R26、第八NPN三极管Q8、第九PNP三极管Q9、第十NPN三极管Q10和第十一NPN三极管Q11,第二十二电阻R22、第二十三电阻R23和第二十四电阻R24的一端均与电源正极连接,另一端分别对应连接第八NPN三极管Q8、第十NPN三极管Q10和第十一NPN三极管Q11的集电极,第九PNP三极管Q9的发射极与第八NPN三极管Q8的发射极连接,第九PNP三极管Q9的基极和第十NPN三极管Q10的集电极均与第八NPN三极管Q8的基极连接,第十NPN三极管Q10的基极与第十一NPN三极管Q11的集电极连接,第九PNP三极管Q9的基极、第十NPN三极管Q10的发射极和第十一NPN三极管Q11的发射极均接地,第二十五电阻R25的两端分别与第十一NPN三极管Q11的基极和MCU连接,第二十六电阻R26的两端分别与第十一NPN三极管Q11的基极和发射极连接,第十八电阻R18和第十九电阻R19还均与第八NPN三极管Q8的发射极连接。
其中,为了降低Q6和Q7的导通电阻,MCU控制推挽电路用15V电压驱动下管电路的Q6和Q7的通断,从而实现电机负极的通断。具体地,MCU驱动下管电路通断,即当MCU_下管控制口(即与第二十五电阻R25连接的端口)置高时打开Q11,关闭Q10,打开Q8,控制下管电路中的Q6和Q7导通,实现电机负极的导通,此时MCU可控制输出PWM波形,实现电机软启动和在工作状态根据需求调速,编程操作方便,灵活性好。否则,下管电路中的Q6和Q7处于关断状态,即电机负极关断。采用推挽电路结构简单、导通损耗小且效率高,需要说明的是,还可采用现有技术中的其他推挽电路进行替代。
在一实施例中,下管电路还包括并联的第二十七电阻RS1和第二十八电阻RS2,且第二十七电阻RS1和第二十八电阻RS2的两端分别连接电源负极和第六N-MOS管Q6的源极,MCU还与第七N-MOS管Q7的源极连接进行电流采样。电流可经运放放大后到MCU的AD口,MCU可对电机工作电流进行采样并做PWM输出控制,也可做过流保护和短路保护。且RS1和RS2为两个并联的2512无感合金电阻,可确保有效散热同时电流采样更精准。
在一实施例中,上管驱动电路还包括第一稳压管ZD1,第一稳压管ZD1的负极与第二二极管D2的负极连接,第一稳压管ZD1的正极与第三二极管D3的正极连接。
其中,第二电容C2持续创建的12V电压由第一稳压管ZD1进行钳位,可避免MOS管GS驱动电压过高,如ZD1选12-15V,有效保护Q1和Q2。
在一实施例中,可调速双端开关电机驱动电路还包括电机接口电路,电机接口电路包括第五二极管D5、第十七电阻R17和第四电容C4,第五二极管D5的正极与电机的负极连接,第五二极管D5的负极与电机的正极连接,第十七电阻R17的两端分别与电机的正极和第四电容C4的一端连接,第四电容C4的另一端与电机的负极连接。
其中,电机接口电路对应图1中的E区域。电机两端并联一个100V以上大电流的肖特基二极管D5,在电机关断过程中可吸收反向电动势,防止电压过高烧毁MOS管。电机两端并联的R17和C4的RC吸收可有效抑制EMC电磁辐射,并且可降低电机在相位切换过程中的火花。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请描述较为具体和详细的实施例,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种可调速双端开关电机驱动电路,通过MCU对电机进行调速,其特征在于:所述可调速双端开关电机驱动电路包括上管电路、上管驱动电路、下管电路和推挽电路,所述电机的正极和负极分别对应连接所述上管电路和下管电路,所述上管驱动电路驱动所述上管电路实现所述电机的正极通断,所述推挽电路驱动所述下管电路实现所述电机的负极通断,其中:
所述上管驱动电路,包括第三PNP三极管Q3、第四NPN三极管Q4、第五NPN三极管Q5、第二电容C2、第三电容C3、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一电阻R1、第八电阻R8、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十五电阻R15和第十六电阻R16,所述第十六电阻R16的两端分别与所述第五NPN三极管Q5的基极和发射极连接,所述第十五电阻R15的两端分别与所述第五NPN三极管Q5的基极和所述MCU连接,所述第五NPN三极管Q5的发射极接地,所述第十三电阻R13的两端分别与所述第五NPN三极管Q5的集电极和电源正极连接,所述第八电阻R8的两端分别与所述第一二极管D1的负极和所述第二二极管D2的负极连接,所述第一二极管D1的正极与电源正极连接,所述第三电容C3的两端分别与所述第二二极管D2的正极和所述第五NPN三极管Q5的集电极连接,所述第二电容C2的两端分别与所述第二二极管D2的负极和所述第三二极管D3的正极连接,所述第三二极管D3的正极与所述电机的正极连接,所述第三二极管D3的负极与所述第二二极管D2的正极连接,所述第十电阻R10的两端分别与所述第三PNP三极管Q3的基极和发射极连接,所述第三PNP三极管Q3的发射极还与所述第二二极管D2的负极连接,所述第一电阻R1的两端分别与所述第四NPN三极管Q4的基极和发射极连接,所述第四NPN三极管Q4的发射极接地,所述第十二电阻R12的两端分别与所述第四NPN三极管Q4的基极和所述MCU连接,所述第十一电阻R11的两端分别与所述第三PNP三极管Q3的基极和所述第四NPN三极管Q4的集电极连接;
所述上管电路,包括第一N-MOS管Q1、第二N-MOS管Q2、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6和第七电阻R7,所述第一N-MOS管Q1的源极和第二N-MOS管Q2的源极均与所述电机的正极连接,所述第一N-MOS管Q1的漏极和第二N-MOS管Q2的漏极均与电源正极连接,所述第六电阻R6的两端分别与所述第一N-MOS管Q1的栅极和源极连接,所述第七电阻R7的两端分别与所述第二N-MOS管Q2的栅极和源极连接,所述第四电阻R4与第五电阻R5串联,且所述第四电阻R4的另一端与所述第一N-MOS管Q1的栅极连接,所述第五电阻R5的另一端与第二N-MOS管Q2的栅极连接,所述第四电阻R4和第五电阻R5还均与所述第三PNP三极管Q3的集电极连接。
2.如权利要求1所述的可调速双端开关电机驱动电路,其特征在于:所述下管电路包括第六N-MOS管Q6、第七N-MOS管Q7、第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20、第二十一电阻R21和第六二极管D6,所述第六N-MOS管Q6的漏极、第七N-MOS管Q7的漏极和第六二极管D6的负极均与所述电机的负极连接,所述第六二极管D6的正极与电源负极连接并接地,所述第七N-MOS管Q7的源极与所述第六N-MOS管Q6的源极连接,所述第二十电阻R20的两端分别与所述第六N-MOS管Q6的栅极和源极连接,所述第二十一电阻R21的两端分别与所述第七N-MOS管Q7的栅极和源极连接,所述第十八电阻R18与第十九电阻R19串联,且所述第十八电阻R18的另一端与所述第六N-MOS管Q6的栅极连接,所述第十九电阻R19的另一端与第七N-MOS管Q7的栅极连接。
3.如权利要求2所述的可调速双端开关电机驱动电路,其特征在于:所述推挽电路包括第二十二电阻R22、第二十三电阻R23、第二十四电阻R24、第二十五电阻R25、第二十六电阻R26、第八NPN三极管Q8、第九PNP三极管Q9、第十NPN三极管Q10和第十一NPN三极管Q11,所述第二十二电阻R22、第二十三电阻R23和第二十四电阻R24的一端均与电源正极连接,另一端分别对应连接所述第八NPN三极管Q8、第十NPN三极管Q10和第十一NPN三极管Q11的集电极,所述第九PNP三极管Q9的发射极与所述第八NPN三极管Q8的发射极连接,所述第九PNP三极管Q9的基极和所述第十NPN三极管Q10的集电极均与所述第八NPN三极管Q8的基极连接,所述第十NPN三极管Q10的基极与第十一NPN三极管Q11的集电极连接,所述第九PNP三极管Q9的基极、第十NPN三极管Q10的发射极和第十一NPN三极管Q11的发射极均接地,所述第二十五电阻R25的两端分别与所述第十一NPN三极管Q11的基极和所述MCU连接,所述第二十六电阻R26的两端分别与所述第十一NPN三极管Q11的基极和发射极连接,所述第十八电阻R18和第十九电阻R19还均与所述第八NPN三极管Q8的发射极连接。
4.如权利要求2所述的可调速双端开关电机驱动电路,其特征在于:所述下管电路还包括并联的第二十七电阻RS1和第二十八电阻RS2,且所述第二十七电阻RS1和第二十八电阻RS2的两端分别连接电源负极和所述第六N-MOS管Q6的源极,所述MCU还与所述第七N-MOS管Q7的源极连接进行电流采样。
5.如权利要求1所述的可调速双端开关电机驱动电路,其特征在于:所述上管驱动电路还包括第一稳压管ZD1,所述第一稳压管ZD1的负极与所述第二二极管D2的负极连接,所述第一稳压管ZD1的正极与所述第三二极管D3的正极连接。
6.如权利要求1至5任一所述的可调速双端开关电机驱动电路,其特征在于:所述可调速双端开关电机驱动电路还包括电机接口电路,所述电机接口电路包括第五二极管D5、第十七电阻R17和第四电容C4,所述第五二极管D5的正极与所述电机的负极连接,所述第五二极管D5的负极与所述电机的正极连接,所述第十七电阻R17的两端分别与所述电机的正极和所述第四电容C4的一端连接,所述第四电容C4的另一端与所述电机的负极连接。
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