CN216387457U - 一种高耐久全波频级联紧凑型1×n光分路器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出了一种高耐久全波频级联紧凑型1×N光分路器，用以解决现有全波频级联紧凑型1xN光分路器结构使用的光纤热熔结构存在的耐久性低的技术问题。本实用新型包括至少两个芯片，芯片的两端和芯片之间均设置有单纤，芯片的输入端通过防断组件与单纤相耦合，芯片的输出端通过分路输出组件与单纤相耦合。本实用新型使用毛细管或V槽盖板等结构作为防断组件用于连接单纤和PLC光分路器芯片，直接进行耦合封装，结构稳定，耐久性高，避免了光纤热熔结构中存在的易中断的技术问题，有利于运输和存储，降低插入损耗和回波损耗。
Description
技术领域
本实用新型涉及PLC光分路器芯片耦合封装的技术领域，尤其涉及一种高耐久全波频级联紧凑型1×N光分路器。
背景技术
随着全球以及国内光纤到户（FTTH）的大力发展，光分路器作为FTTH中无源光网络系统（PON）的关键器件，很早就被广泛研究。但现行FTTH网络，一般最大分光比为1*64，也可以1*N、1*N、1*N级联混配。
目前，全波频级联紧凑型1xN光分路器结构是由光纤热熔结构级联而成，其结构如图1所示，光纤熔接结构存在有光纤熔接点，在后期运输使用中对光分路器的耐久性的影响，导致对插入损耗（IL）和回波损耗（RL）影响加大，且对后期使用布线带来不利影响。
实用新型内容
针对现有全波频级联紧凑型1xN光分路器结构使用的光纤热熔结构存在的耐久性低的技术问题，本实用新型提出一种高耐久全波频级联紧凑型1×N光分路器，设计了防断组件，通过防断组件用于连接单纤的输入端和芯片的输出端，直接进行耦合封装，结构稳定，耐久性高，避免了光纤热熔结构中存在的易中断的技术问题，有利于运输和存储，降低插入损耗和回波损耗。
为了达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
一种高耐久全波频级联紧凑型1×N光分路器，包括至少两个芯片，芯片的两端和芯片之间均设置有单纤，芯片的输入端通过防断组件与单纤相耦合，芯片的输出端通过分路输出组件与单纤相耦合。
进一步的，防断组件为毛细管，毛细管的输入端与单纤相耦合，毛细管的输出端与芯片的输入端相耦合。
进一步的，毛细管的厚度为1.5mm或2.5mm。
进一步的，防断组件为V槽盖板，V槽盖板的输入端与单纤相耦合，V槽盖板的输出端与芯片的输入端相耦合。
进一步的，V槽盖板为玻璃板，玻璃板的厚度为0.1mm~1mm。
进一步的，分路输出组件为光纤阵列，光纤阵列的输入端与芯片的输出端相耦合，光纤阵列的输出端与至少两个单纤相耦合。
进一步的，芯片为PLC光分路器芯片。
本实用新型的有益效果：本实用新型使用毛细管或V槽盖板等结构作为防断组件用于连接单纤和PLC光分路器芯片，直接进行耦合封装，结构稳定，耐久性高，避免了光纤热熔结构中存在的易中断的技术问题，有利于运输和存储，降低插入损耗和回波损耗。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为光纤热熔结构的示意图。
图2为本实用新型的结构示意图。
图3为本实用新型的一级结构示意图。
图中，1-芯片，2-单纤，3-毛细管，4-光纤阵列，5-光纤熔接点。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
一种高耐久全波频级联紧凑型1×N光分路器，如图2所示，包括至少两个芯片1，芯片1的两端和芯片1之间均设置有单纤2，其特征在于，芯片1的输入端通过防断组件与单纤2相耦合，芯片1的输出端通过分路输出组件与单纤2相耦合。
在常规的全波频级联紧凑型1xN光分路器结构中，如图1所示，芯片1的输入端与单纤2之间通过光纤热熔结构相连接，在使用和运输过程中，连接的稳定性较差，容易出现中断的情况，且严重提升了插入损耗和回波损耗。
在本实施例中，使用防断组件用于将芯片1的输入端与单纤2相耦合，即两级芯片1之间的单纤2为一体式结构，不存在任何接点，就避免了传统光纤热熔结构存在的易中断的问题，且能够降低光分路器的插入损耗和回波损耗。
值得说明的是，如图2所示，在本实施例中，芯片1的数量为3个，即为三级全波频级联紧凑型1xN光分路器。在本实用新型的其他实施例中，还可以使用其他数量的芯片1。
进一步的，如图3所示，防断组件为毛细管3，毛细管3的输入端与单纤2相耦合，毛细管3的输出端与芯片1的输入端相耦合。
在本实施例中，使用毛细管3作为防断组件，两端分别与单纤2和芯片1进行耦合封装，保证了光分路器工作的有效性的同时，提升了单纤2的结构稳定性，保证工作和运输过程中不出现中断现象。
值得说明的是，在本实施例中，毛细管3的厚度为1.5mm，在本实用新型的其他实施例中，还可以选取厚度为2.5mm的毛细管3作为防断组件。
值得说明的是，在本实用新型的其他实施例中，还可以使用如 V槽盖板等其他结构作为防断组件，V槽盖板的输入端与单纤2相耦合，V槽盖板的输出端与芯片1的输入端相耦合。其中，V槽盖板为玻璃板，玻璃板的厚度可以在0.1mm~1mm范围内选取。
进一步的，如图3所示，分路输出组件为光纤阵列4，光纤阵列4的输入端与芯片1的输出端相耦合，光纤阵列4的输出端耦合有至少两个单纤2。
在本实施例中，光分路器工作时，光纤信号的传输经光纤阵列4的分路传输达到输出目的。
进一步的，在本实施例中，芯片1为PLC光分路器芯片，在本实用新型的其他实施例中，防断组件的结构还可以用于其他类型的光电子芯片的耦合封装。
值得说明的是，本实用新型的结构如下：如图2和图3所示，第一级是由单纤2+芯片1+光纤阵列4经过耦合封装制成1*N光分路器件；第二级是由第一级1*N光分路器件输出端，其中一个通道使用单纤2和毛细管3制成单纤2+芯片1+光纤阵列4经过耦合封装制成1*N+1*N光分路器件；第三级是由第二级1*N+1*N光分路器件输出端，其中一个通道使用单纤2和毛细管3后制成单纤2+芯片1+光纤阵列4经过耦合封装制成1*N+1*N+1*N光分路器件。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种高耐久全波频级联紧凑型1×N光分路器，包括至少两个芯片（1），所述芯片（1）的两端和芯片（1）之间均设置有单纤（2），其特征在于，芯片（1）的输入端通过防断组件与单纤（2）相耦合，芯片（1）的输出端通过分路输出组件与单纤（2）相耦合。
2.根据权利要求1所述的高耐久全波频级联紧凑型1×N光分路器，其特征在于，所述防断组件为毛细管（3），所述毛细管（3）的输入端与单纤（2）相耦合，毛细管（3）的输出端与芯片（1）的输入端相耦合。
3.根据权利要求2所述的高耐久全波频级联紧凑型1×N光分路器，其特征在于，所述毛细管（3）的厚度为1.5mm或2.5mm。
4.根据权利要求1所述的高耐久全波频级联紧凑型1×N光分路器，其特征在于，所述防断组件为V槽盖板，所述V槽盖板的输入端与单纤（2）相耦合，V槽盖板的输出端与芯片（1）的输入端相耦合。
5.根据权利要求4所述的高耐久全波频级联紧凑型1×N光分路器，其特征在于，所述V槽盖板为玻璃板，所述玻璃板的厚度为0.1mm~1mm。
6.根据权利要求1所述的高耐久全波频级联紧凑型1×N光分路器，其特征在于，所述分路输出组件为光纤阵列（4），所述光纤阵列（4）的输入端与芯片（1）的输出端相耦合，光纤阵列（4）的输出端耦合有至少两个单纤（2）。
7.根据权利要求1至4中任意一项所述的高耐久全波频级联紧凑型1×N光分路器，其特征在于，所述芯片（1）为PLC光分路器芯片。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202123398644.5U CN216387457U (zh) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 一种高耐久全波频级联紧凑型1×n光分路器 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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ID=81238080
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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2021
- 2021-12-31 CN CN202123398644.5U patent/CN216387457U/zh active Active
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