CN216349112U - 一种光电导检测器用温控与放大电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种光电导检测器用温控与放大电路，包括MCU模块、ADC采集模块、DAC控制模块、温控模块和放大模块；放大模块，用于对光电导检测器检测激光信号所得的电流信号进行放大处理；温控模块用于采集半导体制冷器中的电流信号以及光电导检测器中的温度信号；ADC采集模块用于对电流信号和温度信号进行模数转换处理并输出相应的数字信号；MCU模块用于接收数字信号，并根据生成相应的温控指令；DAC控制模块用于对温控指令进行数模转换并输出相应的模拟信号；温控模块用于接收模拟信号，并根据模拟信号控制半导体制冷器的加热量或制冷量；本实用新型与光电导检测器配合使用，可使得光电导检测器具有稳定性好以及精度准和灵敏度高的优点。

Description

一种光电导检测器用温控与放大电路

技术领域

本实用新型属于光电导检测器技术领域，具体涉及一种光电导检测器用温控与放大电路。

背景技术

半导体激光器发射出的特定波长的激光束穿过被测气体时，被测气体对激光束进行吸收，导致激光强度产生衰减，激光强度的衰减与被测气体含量成正比。因此，通过测量激光强度衰减信息就可以分析获得被测气体的浓度。激光检测对于温度是非常敏感的，对激光检测器件内温度的变化会影响对激光的检测的稳定性、精度和灵敏度。传统的检测技术是采用热释电检测技术，通过将光信号转换热信号的手段实现检测，灵敏度与响应性较差。光电导检测器Mercury Cadmium Telluride，简称MCT，采用半导体碲化镉和半金属化合物碲化汞混合制成，一般在MCT中安装半导体制冷器Thermo Electric Cooler，简称TEC，并设置有温度检测装置对MCT中的温度进行实时监测。MCT在TEC制冷下直接检测光信号，精度、灵敏度和响应速度都比热释电型检测好，但是需要根据温度检测装置输出的温度信号，对TEC的加热和制冷量进行控制，从而对MCT中的温度及时进行调整。同时，在对激光信号进行检测的过程中，往往是在强背景噪声下提取出有效的微弱激光信号，因此MCT检测激光信号所得的电流信号强度不高，不利用后续对信号的处理，会降低MCT检测的精准度。因此，MCT在使用时需要设计温控电路和放大电路配合使用，否则会影响光电导检测器的稳定性、精准度和灵敏度。

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决现有技术中MCT在使用时需要设计温控电路和放大电路配合使用，否则会影响光电导检测器的稳定性、精准度和灵敏度问题，提出一种光电导检测器用温控与放大电路，与光电导检测器配合使用，可使得光电导检测器具有稳定性好以及精度准和灵敏度高的优点。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种光电导检测器用温控与放大电路，所述光电导检测器内设有半导体制冷器和温度监检测装置；所述温控与放大电路包括MCU模块、ADC采集模块、DAC控制模块、温控模块和放大模块；所述放大模块，用于对光电导检测器检测激光信号所得的电流信号进行放大处理；所述温控模块分别与半导体制冷器和温度监测装置连接，用于采集半导体制冷器中的电流信号以及光电导检测器中的温度信号；所述ADC采集模块与温控模块连接，用于对温控模块采集的电流信号和温度信号进行模数转换处理并输出相应的数字信号；所述MCU模块与ADC采集模块连接，用于接收ADC采集模块输出的数字信号，并根据所接收的数字信号生成相应的温控指令；所述DAC控制模块与MCU模块连接，用于对温控指令进行数模转换并输出相应的模拟信号；所述温控模块与DAC控制模块连接，用于接收DAC控制模块输出的模拟信号，并根据模拟信号控制半导体制冷器的加热量或制冷量。

现在的光电导检测器内一般设有半导体制冷器，为了实现对光电导检测器内温度的实时监测会设有温度监测装置，在实施时，从温度监测装置的输出端可获得光电导检测器内的温度信号。本实用新型中在实施时，放大模块的输入端连接光电导检测器的输出端，利用放大模块对光电导检测器检测激光信号所得的电流信号进行放大处理，放大模块输出端输出的放大处理后的电流信号可作为光电导检测器的最终输出信号，有利用后续对信号的处理，从而可提高光电导检测器的检测精度。本实用新型设置MCU模块、ADC采集模块、DAC控制模块和温控模块配合使用，根据温度检测装置输出的温度信号，对半导体制冷器的加热量或制冷量进行控制，以实现对光电导检测器中的温度调整，从而可以提高光电导检测器对激光的检测的稳定性、精度和灵敏度。

对本实用新型技术方案的进一步限定，所述放大模块包括依次连接的第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路。本实用新型放大模块中设置第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路对光电导检测器检测激光信号所得的电流信号进行逐级放大处理。

对本实用新型技术方案的进一步限定，所述第一级放大电路包括第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容和第五电容；所述第一电容的第一端作为放大电路的输入端，第一电容的第二端和第一电阻的第一端均与第一运算放大器的反相输入端连接，第一电阻的第二端接地，第二电容与第一电容并联，第二电阻的第一端与第一运算放大器的同相输入端连接，第二电阻的第二端接地，第三电阻与第三电容并联后连接在第一运算放大器的反向输入端与输出端之间，第一运算放大器的输出端依次串联第四电阻和第四电容后作为第一级放大电路的输出端，第五电容和第五电阻的第一端均与第一级放大电路的输出端连接，第五电容和第五电阻的第二端均接地。

对本实用新型技术方案的进一步限定，所述第二级放大电路和第三级放大电路结构相同；所述第二级放大电路包括第二运算放大器、第六电容、第六电阻、第七电阻和第八电阻，第六电阻的第一端接地，第六电阻的第二端与第二运算放大器的反相输入端连接，第七电阻连接在第二运算放大器的反相输入端和输出端之间，第一级放大电路的输出端与第二运算放大器的同相输入端连接，第二运算放大器的输出端串联第八电阻后作为第二级放大电路的输出端，第六电容的第一端与第二级放大电路的输出端连接，第六电容的第二端接地；所述第三级放大电路包括第三运算放大器、第七电容、第九电阻、第十电阻和第十一电阻，第九电阻的第一端接地，第九电阻的第二端与第三运算放大器的反相输入端连接，第十电阻连接在第三运算放大器的反相输入端和输出端之间，第二级放大电路的输出端与第三运算放大器的同相输入端连接，第三运算放大器的输出端串联第十一电阻后作为放大电路的输出端，第七电容的第一端与放大电路的输出端连接，第七电容的第二端接地。

对本实用新型技术方案的进一步限定，所述ADC采集模块和MCU模块之间以及DAC控制模块和MCU模块之间均设有隔离模块，隔离模块采用SI8441AB数字隔离器。本实用新型中设置隔离模块，可隔离信号地与信号电源，防止外界扰动造成的误触发，保证数据流的可靠性；采用SI8441AB数字隔离器，其隔离电压等级可达到2500 VRMS，最大速率能达到150Mbps。

对本实用新型技术方案的进一步限定，所述温控模块采用MAX1978ETM+温度控制器。本实用新型中采用MAX1978ETM+温度控制器，具有体积小、精度高和效率强的优点，适用于半导体制冷器，温控精度可达到0.001℃。

对本实用新型技术方案的进一步限定，所述ADC采集模块包括ADS8344EB模数转换器。本实用新型采用ADS8344EB模数转换器，其精度是16bit，转换速率可达100Khz，其输入电压0-1.5V可调。

对本实用新型技术方案的进一步限定，所述ADC采集模块还包括温度信号放大电路和电流信号放大电路；所述温度信号放大电路包括第四运算放大器、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第八电容、第一二极管和第二二极管；第四运算放大器的同相输入端串联第十四电阻后作为温度信号放大电路的输入端，温度信号放大电路的输入端与温控模块连接，第八电容的第一端与第四运算放大器的同相输入端连接，第八电容的第二端接地，第四运算放大器的反相输入端与第四运算放大器的输出端连接，第四运算放大器的输出端串联第十三电阻后作为温度信号放大电路的输出端，温度信号放大电路的输出端与ADS8344EB模数转换器连接，第十二电阻的第一端与温度信号放大电路的输出端连接，第十二电阻的第二端接地，第一二极管的负极分别与第二二极管的正极和第四运算放大器的输出端连接，第一二极管的正极接地；所述电流信号放大电路包括第五运算放大器、第十五电阻、第十六电阻、第十七电阻、第九电容、第十电容、第十一电容、第三二极管和第四二极管，第九电容为电解电容；第五运算放大器的同相输入端串联第十七电阻后作为电流信号放大电路的输入端，电流信号放大电路的输入端与温控模块连接，第十一电容的第一端与第五运算放大器的同相输入端连接，第十一电容的第二端接地，第五运算放大器的方向输入端与第五运算放大器的输出端连接，第九电容和第十电容并联后一端与第五运算放大器的正电源端连接，另一端接地，第五运算放大器的输出端串联第十六电阻后作为电流信号放大电路的输出端，电流信号放大电路的输出端与ADS8344EB模数转换器连接，第十五电阻的第一端与电流信号放大电路的输出端连接，第十五电阻的第二端接地，第三二极管的负极分别与电流信号放大电路的输出端和第四二极管的正极连接，第三二极管的正极接地。本实用新型中通过电流信号放大电路和温度信号放大电路分别对温控信号采集的电流信号和温度信号进行放大处理，然后再输入ADS8344EB模数转换器进行模数转换。

对本实用新型技术方案的进一步限定，所述MCU模块采用STM32F767IGT6芯片。

对本实用新型技术方案的进一步限定，所述DAC控制模块采用DAC8564IPWR数模转换器。本实用新型采用DAC8564IPWR数模转换器，其精度是16bit.其输出电压0-1.5V可调，分辨率可达到0.22mv的精度。

本实用新型有益效果是：本实用新型与光电导检测器配合使用，可使得光电导检测器具有稳定性好以及精度准和灵敏度高的优点。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

图2为本实用新型放大模块示意图。

图3为本实用新型温控模块示意图。

图4为本实用新型ADC采集模块中温度信号放大电路示意图。

图5为本实用新型ADC采集模块中电流信号放大电路示意图

图6为本实用新型ADC采集模块中ADS8344EB模数转换器示意图。

图7为本实用新型ADC采集模块和MCU模块之间的隔离模块示意图。

图8为本实用新型DAC控制模块和MCU模块之间的隔离模块示意图。

图9为本实用新型MCU模块示意图。

图10为本实用新型DAC控制模块示意图。

具体实施方式

下面将结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细说明。

如图1所示，一种光电导检测器用温控与放大电路，所述光电导检测器内设有半导体制冷器和温度监检测装置；所述温控与放大电路包括MCU模块、ADC采集模块、DAC控制模块、温控模块和放大模块；所述放大模块，用于对光电导检测器检测激光信号所得的电流信号进行放大处理；所述温控模块分别与半导体制冷器和温度监测装置连接，用于采集半导体制冷器中的电流信号以及光电导检测器中的温度信号；所述ADC采集模块与温控模块连接，用于对温控模块采集的电流信号和温度信号进行模数转换处理并输出相应的数字信号；所述MCU模块与ADC采集模块连接，用于接收ADC采集模块输出的数字信号，并根据所接收的数字信号生成相应的温控指令；所述DAC控制模块与MCU模块连接，用于对温控指令进行数模转换并输出相应的模拟信号；所述温控模块与DAC控制模块连接，用于接收DAC控制模块输出的模拟信号，并根据模拟信号控制半导体制冷器的加热量或制冷量。

如图2所示，所述放大模块包括依次连接的第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路。所述第一级放大电路包括第一运算放大器U1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4和第五电容C5；所述第一电容C1的第一端作为放大电路的输入端，第一电容C1的第二端和第一电阻R1的第一端均与第一运算放大器U1的反相输入端连接，第一电阻R1的第二端接地，第二电容C2与第一电容C1并联，第二电阻R2的第一端与第一运算放大器U1的同相输入端连接，第二电阻R2的第二端接地，第三电阻R3与第三电容C3并联后连接在第一运算放大器U1的反向输入端与输出端之间，第一运算放大器U1的输出端依次串联第四电阻R4和第四电容C4后作为第一级放大电路的输出端，第五电容C5和第五电阻R5的第一端均与第一级放大电路的输出端连接，第五电容C5和第五电阻R5的第二端均接地。所述第二级放大电路和第三级放大电路结构相同；所述第二级放大电路包括第二运算放大器U2、第六电容C6、第六电阻R6、第七电阻R7和第八电阻R8，第六电阻R6的第一端接地，第六电阻R6的第二端与第二运算放大器U2的反相输入端连接，第七电阻R7连接在第二运算放大器U2的反相输入端和输出端之间，第一级放大电路的输出端与第二运算放大器U2的同相输入端连接，第二运算放大器U2的输出端串联第八电阻R8后作为第二级放大电路的输出端，第六电容C6的第一端与第二级放大电路的输出端连接，第六电容C6的第二端接地；所述第三级放大电路包括第三运算放大器U3、第七电容C7、第九电阻R9、第十电阻R10和第十一电阻R11，第九电阻R9的第一端接地，第九电阻R9的第二端与第三运算放大器U3的反相输入端连接，第十电阻R10连接在第三运算放大器U3的反相输入端和输出端之间，第二级放大电路的输出端与第三运算放大器U3的同相输入端连接，第三运算放大器U3的输出端串联第十一电阻R11后作为放大电路的输出端，第七电容C7的第一端与放大电路的输出端连接，第七电容C7的第二端接地。

本实施例中，第一运算放大器U1信号为AD8009ARZ，第一运算放大器U1的反相输入端为引脚2，同相输入端为引脚3，输出端为引脚6；第二运算放大器U2和第三运算放大器U3型号为LTC6228IS8,第二运算放大器U2和第三运算放大器U3的反相输入端为引脚2，同相输入端为引脚3，输出端为引脚6。

本实施例中采用以上第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路构成的放大模块，具有带宽高、放大能力强、信号干净且灵敏的优点。

本实施例中，所述温控模块采用MAX1978ETM+温度控制器，具体电路图如图3所示。图中MAX1978ETM+温度控制器的引脚OS1和引脚OS2分别与半导体制冷器的相应接口TEC+和TEC-连接，用于采集半导体制冷器中的电流信号；引脚FB-与温度监测装置的NTC测温接口连接，用于采集光电导检测器中的温度信号；引脚AOUT输出与温度信号相应的电压信号，引脚ITEC输出相应的电流信号。

本实施例中，所述ADC采集模块包括ADS8344EB模数转换器、温度信号放大电路和电流信号放大电路。

如图4所示，所述温度信号放大电路包括第四运算放大器U4、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第八电容C8、第一二极管D1和第二二极管D2；第四运算放大器U4的同相输入端串联第十四电阻R14后作为温度信号放大电路的输入端，温度信号放大电路的输入端与温控模块连接，第八电容C8的第一端与第四运算放大器U4的同相输入端连接，第八电容C8的第二端接地，第四运算放大器U4的反相输入端与第四运算放大器U4的输出端连接，第四运算放大器U4的输出端串联第十三电阻R13后作为温度信号放大电路的输出端，温度信号放大电路的输出端与ADS8344EB模数转换器连接，第十二电阻R12的第一端与温度信号放大电路的输出端连接，第十二电阻R12的第二端接地，第一二极管D1的负极分别与第二二极管D2的正极和第四运算放大器U4的输出端连接，第一二极管D1的正极接地。结合图2所示，温度信号放大电路的输入端与MAX1978ETM+温度控制器的引脚ITEC连接。本实施例中，第四运算放大器U4的同相输入端为引脚5，反相输入端为引脚6，输出端为引脚7。

如图5所示，所述电流信号放大电路包括第五运算放大器U5、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第九电容C9、第十电容C10、第十一电容C11、第三二极管D3和第四二极管D4，第九电容C9为电解电容；第五运算放大器U5的同相输入端串联第十七电阻R17后作为电流信号放大电路的输入端，电流信号放大电路的输入端与温控模块连接，第十一电容C11的第一端与第五运算放大器U5的同相输入端连接，第十一电容C11的第二端接地，第五运算放大器U5的方向输入端与第五运算放大器U5的输出端连接，第九电容C9和第十电容C10并联后一端与第五运算放大器U5的正电源端连接，另一端接地，第五运算放大器U5的输出端串联第十六电阻R16后作为电流信号放大电路的输出端，电流信号放大电路的输出端与ADS8344EB模数转换器连接，第十五电阻R15的第一端与电流信号放大电路的输出端连接，第十五电阻R15的第二端接地，第三二极管D3的负极分别与电流信号放大电路的输出端和第四二极管D4的正极连接，第三二极管D3的正极接地。结合图2所示，电流信号放大电路的输入端与MAX1978ETM+温度控制器的引脚AOUT连接。本实施例中，第五运算放大器U5的同相输入端为引脚3，反相输入端为引脚2，输出端为引脚1。

如图4、图5和图6所示，ADS8344EB模数转换器的引脚CH1与温度信号放大电路的输出端连接，引脚CH2与电流信号放大电路的输出端连接。

如图7和图8所示，所述ADC采集模块和MCU模块之间以及DAC控制模块和MCU模块之间均设有隔离模块，隔离模块采用SI8441AB数字隔离器。SI8441AB数字隔离器与ADC采集模块中的ADS8344EB模数转换器连接，具体连接方式如图7和图6所示。

如图9所示，所述MCU模块采用STM32F767IGT6芯片。STM32F767IGT6芯片和SI8441AB数字隔离器之间采用SPI通讯方式，具体连接方式如图7和图8所示。

如图10所示，所述DAC控制模块采用DAC8564IPWR数模转换器。SI8441AB数字隔离器与DAC8564IPWR数模转换器的具体连接方式如图8和图10所示，DAC8564IPWR数模转换器与MAX1978ETM+温度控制器的具体连接方式如图2和图10所示。

本实施例在使用时，1）放大模块输入端连接光电导检测器的输出端，光电导检测器对激光信号进行检测并生成相应的电流信号，通过放大模块中第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路组成的三级放大电路进行放大处理，放大模块输出端输出的放大处理后的电流信号可作为光电导检测器的最终输出信号；

2）在光电导检测器进行检测的过程中，温控模块MAX1978ETM+温度控制器工作，采集并输出半导体制冷器的电流信号ITEC和光导体检测器中的温度信号AOUT，电流信号ITEC和温度信号AOUT分别经过放大处理，得到相应的电流信号TEP-ITEC和温度信号TEP-AOUT输入MCU模块STM32F767IGT6芯片，以实现STM32F767IGT6芯片对电流信号ITEC和温度信号AOUT的实时监测；同时，MCU模块STM32F767IGT6芯片通过监测温度信号AOUT的监测，控制DAC控制模块DAC8564IPWR数模转换器输出驱动信号DAC2_MAXV、DAC3_MAXIN和DAC4_MAXIP至MAX1978ETM+温度控制器，另外，MCU模块STM32F767IGT6芯片控制DAC控制模块DAC8564IPWR数模转换器输出的信号DAC1-TempCtrl为预设温度，信号DAC1-TempCtrl从MAX1978ETM+温度控制器的引脚FB+输入，与NTC接口输入的温度信号进行比较，与驱动信号DAC2_MAXV、DAC3_MAXIN和DAC4_MAXIP配合，实现MAX1978ETM+温度控制器控制半导体制冷器的加热量和制冷量，实现对光电导检测器中的温度调整。

Claims (10)

1.一种光电导检测器用温控与放大电路，其特征在于：所述光电导检测器内设有半导体制冷器和温度监检测装置；

所述温控与放大电路包括MCU模块、ADC采集模块、DAC控制模块、温控模块和放大模块；

所述放大模块，用于对光电导检测器检测激光信号所得的电流信号进行放大处理；

所述温控模块分别与半导体制冷器和温度监测装置连接，用于采集半导体制冷器中的电流信号以及光电导检测器中的温度信号；

所述ADC采集模块与温控模块连接，用于对温控模块采集的电流信号和温度信号进行模数转换处理并输出相应的数字信号；

所述MCU模块与ADC采集模块连接，用于接收ADC采集模块输出的数字信号，并根据所接收的数字信号生成相应的温控指令；

所述DAC控制模块与MCU模块连接，用于对温控指令进行数模转换并输出相应的模拟信号；

所述温控模块与DAC控制模块连接，用于接收DAC控制模块输出的模拟信号，并根据模拟信号控制半导体制冷器的加热量或制冷量。

2.根据权利要求1所述的一种光电导检测器用温控与放大电路，其特征在于：所述放大模块包括依次连接的第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路。

3.根据权利要求2所述的一种光电导检测器用温控与放大电路，其特征在于：所述第一级放大电路包括第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容和第五电容；

所述第一电容的第一端作为放大电路的输入端，第一电容的第二端和第一电阻的第一端均与第一运算放大器的反相输入端连接，第一电阻的第二端接地，第二电容与第一电容并联，第二电阻的第一端与第一运算放大器的同相输入端连接，第二电阻的第二端接地，第三电阻与第三电容并联后连接在第一运算放大器的反向输入端与输出端之间，第一运算放大器的输出端依次串联第四电阻和第四电容后作为第一级放大电路的输出端，第五电容和第五电阻的第一端均与第一级放大电路的输出端连接，第五电容和第五电阻的第二端均接地。

4.根据权利要求3所述的一种光电导检测器用温控与放大电路，其特征在于：所述第二级放大电路和第三级放大电路结构相同；

所述第二级放大电路包括第二运算放大器、第六电容、第六电阻、第七电阻和第八电阻，第六电阻的第一端接地，第六电阻的第二端与第二运算放大器的反相输入端连接，第七电阻连接在第二运算放大器的反相输入端和输出端之间，第一级放大电路的输出端与第二运算放大器的同相输入端连接，第二运算放大器的输出端串联第八电阻后作为第二级放大电路的输出端，第六电容的第一端与第二级放大电路的输出端连接，第六电容的第二端接地；

所述第三级放大电路包括第三运算放大器、第七电容、第九电阻、第十电阻和第十一电阻，第九电阻的第一端接地，第九电阻的第二端与第三运算放大器的反相输入端连接，第十电阻连接在第三运算放大器的反相输入端和输出端之间，第二级放大电路的输出端与第三运算放大器的同相输入端连接，第三运算放大器的输出端串联第十一电阻后作为放大电路的输出端，第七电容的第一端与放大电路的输出端连接，第七电容的第二端接地。

5.根据权利要求1所述的一种光电导检测器用温控与放大电路，其特征在于：所述ADC采集模块和MCU模块之间以及DAC控制模块和MCU模块之间均设有隔离模块，隔离模块采用SI8441AB数字隔离器。

6.根据权利要求1所述的一种光电导检测器用温控与放大电路，其特征在于：所述温控模块采用MAX1978ETM+温度控制器。

7.根据权利要求1所述的一种光电导检测器用温控与放大电路，其特征在于：所述ADC采集模块包括ADS8344EB模数转换器。

8.根据权利要求7所述的一种光电导检测器用温控与放大电路，其特征在于：所述ADC采集模块还包括温度信号放大电路和电流信号放大电路；

所述温度信号放大电路包括第四运算放大器、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第八电容、第一二极管和第二二极管；第四运算放大器的同相输入端串联第十四电阻后作为温度信号放大电路的输入端，温度信号放大电路的输入端与温控模块连接，第八电容的第一端与第四运算放大器的同相输入端连接，第八电容的第二端接地，第四运算放大器的反相输入端与第四运算放大器的输出端连接，第四运算放大器的输出端串联第十三电阻后作为温度信号放大电路的输出端，温度信号放大电路的输出端与ADS8344EB模数转换器连接，第十二电阻的第一端与温度信号放大电路的输出端连接，第十二电阻的第二端接地，第一二极管的负极分别与第二二极管的正极和第四运算放大器的输出端连接，第一二极管的正极接地；

所述电流信号放大电路包括第五运算放大器、第十五电阻、第十六电阻、第十七电阻、第九电容、第十电容、第十一电容、第三二极管和第四二极管，第九电容为电解电容；第五运算放大器的同相输入端串联第十七电阻后作为电流信号放大电路的输入端，电流信号放大电路的输入端与温控模块连接，第十一电容的第一端与第五运算放大器的同相输入端连接，第十一电容的第二端接地，第五运算放大器的方向输入端与第五运算放大器的输出端连接，第九电容和第十电容并联后一端与第五运算放大器的正电源端连接，另一端接地，第五运算放大器的输出端串联第十六电阻后作为电流信号放大电路的输出端，电流信号放大电路的输出端与ADS8344EB模数转换器连接，第十五电阻的第一端与电流信号放大电路的输出端连接，第十五电阻的第二端接地，第三二极管的负极分别与电流信号放大电路的输出端和第四二极管的正极连接，第三二极管的正极接地。

9.根据权利要求1所述的一种光电导检测器用温控与放大电路，其特征在于：所述MCU模块采用STM32F767IGT6芯片。

10.根据权利要求1所述的一种光电导检测器用温控与放大电路，其特征在于：所述DAC控制模块采用DAC8564IPWR数模转换器。

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