CN216054570U - 等离子体刻蚀设备及其导流装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种等离子体刻蚀设备及其导流装置。所述等离子体刻蚀设备包括具有进气口和出气口的反应室，所述反应室内设有晶舟，所述导流装置包括：挡板，设置于所述反应室内并朝向所述进气口；罩体，连接在所述挡板上并向所述出气口延伸，所述罩体在从所述进气口到所述出气口的方向上与所述晶舟相对设置，所述罩体平行于所述挡板的截面面积沿远离所述挡板的方向逐渐增大；以及容纳腔，由所述罩体和所述晶舟限定出空间；其中，所述挡板具有连通所述容纳腔内外的第一进气孔，所述罩体具有连通所述容纳腔内外的第二进气孔，所述第一进气孔的中心线与所述第二进气孔的中心线不平行。本申请可以解决刻蚀均一性较差，影响刻蚀效果的问题。

Description

等离子体刻蚀设备及其导流装置

技术领域

本实用新型涉及半导体处理领域，尤其涉及一种等离子体刻蚀设备及其导流装置。

背景技术

等离子体刻蚀(也称干法刻蚀)是集成电路、芯片制造中的关键工艺之一，其目的是完整地将掩膜图形复制到待刻蚀样片表面。

传统技术中，等离子体刻蚀设备的反应室具有相对设置的进气口和出气口，承载待刻蚀样片的晶舟设置在进气口和出气口之间。刻蚀气体从进气口进入到反应室内，经过晶舟从出气口排出反应室。刻蚀气体经过晶舟时，可以与晶舟上的待刻蚀样片反应，对待刻蚀样片进行等离子体刻蚀。

然而，待刻蚀样片的刻蚀均一性较差。因此，如何改善刻蚀效果是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供等离子体刻蚀设备及其导流装置，旨在解决刻蚀均一性较差，影响刻蚀效果的问题。

一种等离子体刻蚀设备的导流装置，所述等离子体刻蚀设备包括具有进气口和出气口的反应室，所述反应室内设有晶舟，所述导流装置包括：

挡板，设置于所述反应室内并朝向所述进气口；

罩体，连接在所述挡板上并向所述出气口延伸，所述罩体在从所述进气口到所述出气口的方向上与所述晶舟相对设置，所述罩体平行于所述挡板的截面面积沿远离所述挡板的方向逐渐增大；以及

容纳腔，由所述罩体和所述晶舟限定出空间；

其中，所述挡板具有连通所述容纳腔内外的第一进气孔，所述罩体具有连通所述容纳腔内外的第二进气孔，所述第一进气孔的中心线与所述第二进气孔的中心线不平行。

上述导流装置，挡板设置于反应室内并朝向进气口，从进气口进入反应室内的刻蚀气体受到挡板的阻挡，向挡板的边缘流动。罩体连接在挡板上并向出气口延伸，且罩体平行于挡板的截面面积沿挡板的方向逐渐增大，流向挡板边缘的刻蚀气体可以到达罩体的各个截面边缘。罩体在从进气口到出气口的方向上与晶舟相对设置，容纳腔由罩体和晶舟限定出空间，晶舟承载的待刻蚀样片位于容纳腔内。挡板具有连通容纳腔内外的第一进气孔，有一部分刻蚀气体通过第一进气孔进入容纳腔，与晶舟承载的待刻蚀样品的表面接触并发生反应。罩体具有连通容纳腔内的第二进气孔，还有一部分刻蚀气体通过第二进气孔进入容纳腔，与晶舟承载的待刻蚀样品的表面接触并发生反应。第一进气孔的中心线与第二进气孔的中心线不平行，通过第一进气孔进入容纳腔的刻蚀气体的流动方向与通过第二进气孔进入容纳腔的刻蚀气体的流动方向不同，流动方向不同的刻蚀气体之间相互混掺，无法形成层流区，反应消耗的等离子体可以得到其它区域的补充，待刻蚀样片的刻蚀比较均匀，刻蚀效果得到提高。

可选地，所述第一进气孔呈阵列分布，同一行所述第一进气孔的中心线平行，相邻两行所述第一进气孔的中心线不平行。

同一行第一进气孔的中心线平行，通过同一行的第一进气孔进入反应室内的刻蚀气体的流动方向相同，有利于刻蚀气体稳定流向待刻蚀样片。相邻两行第一进气孔的中心线不平行，通过相邻两行的第一进气孔进入反应室内的刻蚀气体的流动方向不同，流动方向不同的刻蚀气体之间相互混掺，有利于进一步破坏层流区的形成，提高待刻蚀样片的刻蚀均一性。

可选地，与同一行相邻的两行所述第一进气孔的中心线平行。

与同一行相邻的两行第一进气孔的中心线平行，通过同一行相邻的两行第一进气孔进入反应室内的刻蚀气体的流动方向相同，加上通过相邻两行的第一进气孔进入反应室内的刻蚀气体的流动方向不同，反应室内的刻蚀气体的流动方向在列方向上交替为两种方向中的一个，有利于两种流动方向的刻蚀气体之间相互混掺，有效破坏层流区的形成，提高待刻蚀样片的刻蚀均一性。

可选地，分布于所述罩体的不同截面的相邻两个所述第二进气孔的中心线不平行。

分布于罩体的不同截面的相邻两个第二进气孔的中心线不平行，通过相邻两个第二进气孔的刻蚀气体的流动方向不同，有利于两种流动方向的刻蚀气体相互混掺，避免形成层流区，提高待刻蚀样片的刻蚀均一性。

可选地，分布于所述罩体的不同截面的所述第二进气孔的中心线两两不平行。

分布于罩体的不同截面的第二进气孔的中心线两两不平行，通过罩体不同截面的第二进气孔的刻蚀气体的流动方向各不相同，可以采用不同流动方向的刻蚀气体与通过第一进气孔的刻蚀气体相互混掺，有效破坏层流区的形成，提高待刻蚀样片的刻蚀均一性。

可选地，所述第二进气孔的中心线与所述罩体的外切面之间的夹角为30°～60°。

第二进气孔的中心线与罩体的外切面之间的夹角为30°～60°，小于第二进气孔的中心线与罩体的外切面垂直时的90°，有利于经过挡板边缘的刻蚀气体通过第二进气孔进入反应室内。

可选地，所述罩体包括平截锥体采用对称面切割得到的图形。

罩体包括平截锥体采用对称面切割得到的图形，可以实现罩体平行于挡板的截面面积沿远离挡板的方向逐渐增大，并且留有晶舟的设置位置，使得罩体在从进气口到出气口的方向上与晶舟相对设置。

可选地，所述导流装置包括不易被腐蚀、不发尘材质形成的所述挡板和所述罩体。

挡板和罩体的材质不易被腐蚀，可以避免受到刻蚀气体的腐蚀，延长导流装置的使用寿命。挡板和罩体的材质不发尘，可以避免产生粉尘而对待刻蚀样品造成不良影响。

可选地，所述导流装置包括特氟龙挡板和特氟龙罩体。

特氟龙为不易被腐蚀、不发尘材质，并且获取和加工都容易，可以有效控制导流装置的实现成本。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种等离子体刻蚀设备，所述等离子体刻蚀设备包括：

反应室，具有进气口和出气口；

晶舟，设置在所述反应室内；以及

如上述任一实施例所述的导流装置5。

上述等离子体刻蚀设备，挡板设置于反应室内并朝向进气口，从进气口进入反应室内的刻蚀气体受到挡板的阻挡，向挡板的边缘流动。罩体连接在挡板上并向出气口延伸，且罩体平行于挡板的截面面积沿挡板的方向逐渐增大，流向挡板边缘的刻蚀气体可以到达罩体的各个截面边缘。罩体在从进气口到出气口的方向上与晶舟相对设置，容纳腔由罩体和晶舟限定出空间，晶舟承载的待刻蚀样片位于容纳腔内。挡板具有连通容纳腔内外的第一进气孔，有一部分刻蚀气体通过第一进气孔进入容纳腔，与晶舟承载的待刻蚀样品的表面接触并发生反应。罩体具有连通容纳腔内的第二进气孔，还有一部分刻蚀气体通过第二进气孔进入容纳腔，与晶舟承载的待刻蚀样品的表面接触并发生反应。第一进气孔的中心线与第二进气孔的中心线不平行，通过第一进气孔进入容纳腔的刻蚀气体的流动方向与通过第二进气孔进入容纳腔的刻蚀气体的流动方向不同，流动方向不同的刻蚀气体之间相互混掺，无法形成层流区，反应消耗的等离子体可以得到其它区域的补充，待刻蚀样片的刻蚀比较均匀，刻蚀效果得到提高。

附图说明

图1为相关技术中的等离子体刻蚀设备的结构示意图；

图2为本申请一实施例中的等离子体刻蚀设备的结构示意图；

图3为本申请一实施例中的导流装置的立体图；

图4为本申请一实施例中的导流装置的侧视图；

图5为本申请一实施例中的导流装置的俯视图；

图6为本申请一实施例中的导流装置的剖面图。

附图标记说明：

100-反应室，110-进气口，120-出气口；

200-晶舟；

300-磁控管；

400-传送管；

500-导流装置；

10-挡板，11-第一进气口；

20-罩体，21-第二进气口；

30-容纳腔。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

参阅图1，相关技术中，等离子体刻蚀设备包括反应室100、晶舟200、磁控管300和传送管400。反应室100呈圆筒状，反应室100的第一端设有连通反应室100内外的进气口110，反应室100的第二端设有连通反应室100内外的出气口120。磁控管300与传送管400连接，传送管400在反应室100外从反应室100的第一端延伸到反应室100的第二端。晶舟200设置在反应室100内，晶舟200承载的待刻蚀样片(如晶圆)沿反应室100的中心线的延伸方向依次排列。

对待刻蚀样片进行等离子体刻蚀时，磁控管300输出的射频通过传送管400作用在反应室100内，在反应室100内形成电场。刻蚀气体从进气口110进入到反应室100内，反应室100内的刻蚀气体在电场作用下变成等离子体。等离子体与晶舟200承载的待刻蚀样片的表面接触并发生反应，形成气态生成物。气态生成物跟随气流从出气口120排出反应室100，待刻蚀样片的表面完成蚀刻。

晶舟200承载的待刻蚀样片沿反应室100的中心线的延伸方向依次排列，进气口110和出气口120分别设置在反应室100的两端，气流的流动方向与待刻蚀样片的表面垂直，待刻蚀样片的中心区域很容易形成层流区。层流区的气体作层状的流动，不与其它区的气体混掺，反应消耗的等离子体得不到补充，导致待刻蚀样片出现刻蚀不均匀的现象，刻蚀效果较差。

基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。

参阅图2，本申请提供一种等离子体刻蚀设备的导流装置，等离子体刻蚀设备包括具有进气口110和出气口120的反应室100，反应室100内设有晶舟200。导流装置500罩设在晶舟200上，并位于反应室100内，以改变经过晶舟200的气流方向，避免形成层流区而出现刻蚀不均匀的现象，改善等离子体刻蚀设备的刻蚀效果。

结合图3所示，在本实施例中，导流装置500包括挡板10、罩体20和容纳腔30。挡板10设置于反应室100内并朝向进气口110。罩体20连接在挡板10上并向出气口120延伸。罩体20在从进气口110到出气口120的方向上与晶舟200相对设置。罩体20平行于挡板10的截面面积沿远离挡板10的方向逐渐增大。容纳腔30由罩体20和晶舟200限定出空间。其中，挡板10具有连通容纳腔30内外的第一进气孔11，罩体20具有连通容纳腔30内外的第二进气孔21，第一进气孔11的中心线与第二进气孔21的中心线不平行。

上述导流装置，挡板10设置于反应室100内并朝向进气口110，从进气口110进入反应室100内的刻蚀气体受到挡板10的阻挡，向挡板10的边缘流动。罩体20连接在挡板10上并向出气口120延伸，且罩体20平行于挡板10的截面面积沿挡板10的方向逐渐增大，流向挡板10边缘的刻蚀气体可以到达罩体20的各个截面边缘。罩体20在从进气口110到出气口120的方向上与晶舟200相对设置，容纳腔30由罩体20和晶舟200限定出空间，晶舟200承载的待刻蚀样片位于容纳腔30内。挡板10具有连通容纳腔30内外的第一进气孔11，有一部分刻蚀气体通过第一进气孔11进入容纳腔30，与晶舟200承载的待刻蚀样品的表面接触并发生反应。罩体20具有连通容纳腔30内的第二进气孔21，还有一部分刻蚀气体通过第二进气孔21进入容纳腔30，与晶舟200承载的待刻蚀样品的表面接触并发生反应。第一进气孔11的中心线与第二进气孔21的中心线不平行，通过第一进气孔11进入容纳腔30的刻蚀气体的流动方向与通过第二进气孔21进入容纳腔30的刻蚀气体的流动方向不同，流动方向不同的刻蚀气体之间相互混掺，无法形成层流区，反应消耗的等离子体可以得到其它区域的补充，待刻蚀样片的刻蚀比较均匀，刻蚀效果得到提高。

结合图4所示，在一些实施例中，第一进气孔11呈阵列分布，同一行第一进气孔11的中心线平行，相邻两行第一进气孔11的中心线不平行(图4中用箭头表示第一进气孔11的中心线方向)。

如图4所示，例如，第一进气孔11自上向下排成五行，依次为第一行、第二行、第三行、第四行和第五行。第一行各个第一进气孔11的中心线平行，第二行各个第一进气孔11的中心线平行，第三行各个第一进气孔11的中心线平行，第四行各个第一进气孔11的中心线平行，第五行各个第一进气孔11的中心线平行，即同一行第一进气孔11的中心线平行。第一行第一进气孔11的中心线与第二行第一进气孔11的中心线不平行，第二行第一进气孔11的中心线与第三行第一进气孔11的中心线不平行，第三行第一进气孔11的中心线与第四行第一进气孔11的中心线不平行，第四行第一进气孔11的中心线与第五行第一进气孔11的中心线不平行，即相邻两行第一进气孔11的中心线不平行。

在本实施例中，同一行第一进气孔11的中心线平行，通过同一行的第一进气孔11进入反应室100内的刻蚀气体的流动方向相同，有利于刻蚀气体稳定流向待刻蚀样片。相邻两行第一进气孔11的中心线不平行，通过相邻两行的第一进气孔11进入反应室100内的刻蚀气体的流动方向不同，流动方向不同的刻蚀气体之间相互混掺，有利于进一步破坏层流区的形成，提高待刻蚀样片的刻蚀均一性。

具体地，同一行第一进气孔11的排列方向平行于晶舟20的放置平面。

在本实施例中，同一行第一进气孔11的排列方向平行于晶舟20的放置平面，一方面同一水平面的刻蚀气体的流动方向相同，使得刻蚀气体可以稳定流向待刻蚀样片，另一方面不同水平面的刻蚀气体的流动方向不同，相互之间可以混掺，破坏层流区的形成。

结合图4所示，可选地，与同一行相邻的两行第一进气孔11的中心线平行。

如图4所示，还是以第一进气孔11自上向下排成五行，依次为第一行、第二行、第三行、第四行和第五行为例，与第二行相邻的第一行和第三行的第一进气孔11的中心线平行，与第三行相邻的第二行和第四行的第一进气孔11的中心线平行，与第四行相邻的第三行和第五行的第一进气孔11的中心线平行，即与同一行相邻的两行第一进气孔11的中心线平行。

在本实施例中，与同一行相邻的两行第一进气孔11的中心线平行，通过同一行相邻的两行第一进气孔11进入反应室100内的刻蚀气体的流动方向相同，加上通过相邻两行的第一进气孔11进入反应室100内的刻蚀气体的流动方向不同，反应室100内的刻蚀气体的流动方向在列方向上交替为两种方向中的一个，有利于两种流动方向的刻蚀气体之间相互混掺，有效破坏层流区的形成，提高待刻蚀样片的刻蚀均一性。

在其他实施例中，第一进气孔11的中心线也可以相互平行，此时通过各个第一进气孔11进入反应室100内的刻蚀气体的流动方向相同，利用通过第二进气孔21进入反应室100内的刻蚀气体来破坏层流区的形成。

如图4所示，在一些实施例中，第一进气孔11的间距为第一进气孔11的直径的0.5倍～2倍，如第一进气孔11的间距与第一进气孔11的直径相等。

在本实施例中，第一进气孔11的间距为第一进气孔11的直径的0.5倍～2倍，第一进气孔11的间距与第一进气孔11的直径相差较小，有利于第一进气孔11均匀分布在挡板10上，并保证挡板10具有一定的强度。

具体地，第一进气孔11的间距为0.3cm～0.8cm，如0.4cm、0.5cm、0.6cm等；第一进气孔11的直径为0.3cm～0.8cm，如0.4cm、0.5cm、0.6cm等。

结合图5所示，在一些实施例中，分布于罩体20的不同截面的相邻两个第二进气孔21的中心线不平行(图5中用箭头表示第二进气孔21的中心线方向)。

如图5所示，例如，第二进气孔21呈阵列分布，同一行第二进气孔21沿从进气口110到出气口120的方向间隔排列。最靠近进气口110的两行第二进气孔21的中心线不平行，最靠近出气口120的两行第二进气孔21的中心线不平行。

在本实施例中，分布于罩体20的不同截面的相邻两个第二进气孔21的中心线不平行，通过相邻两个第二进气孔21的刻蚀气体的流动方向不同，有利于两种流动方向的刻蚀气体相互混掺，避免形成层流区，提高待刻蚀样片的刻蚀均一性。

可选地，分布于罩体20的不同截面的第二进气孔21的中心线两两不平行。

如图5所示，还是以第二进气孔21呈阵列分布，同一行第二进气孔21沿从进气口110到出气口120的方向间隔排列为例，最靠近进气口110的两行第二进气孔21的中心线、最靠近出气口120的两行第二进气孔21的中心线两两不平行。

在本实施例中，分布于罩体20的不同截面的第二进气孔21的中心线两两不平行，通过罩体20不同截面的第二进气孔21的刻蚀气体的流动方向各不相同，可以采用不同流动方向的刻蚀气体与通过第一进气孔11的刻蚀气体相互混掺，有效破坏层流区的形成，提高待刻蚀样片的刻蚀均一性。

可选地，分布于罩体20的同一截面的第二进气孔21的中心线平行。

还是以第二进气孔21呈阵列分布，同一行第二进气孔21沿从进气口110到出气口120的方向间隔排列为例，最靠近进气口110的一行第二进气孔21的中心线平行，最靠近出气口120的一行第二进气孔21的中心线平行。

在本实施例中，分布于罩体20的同一截面的第二进气孔21的中心线平行，通过第二进气孔21进入反应室100内的刻蚀气体可以形成稳定气流，有效避免通过第一进气孔11进入反应室100内的刻蚀气体形成层流区。

如图5所示，在一些实施例中，第二进气孔21的间距为第二进气孔21的直径的0.5倍～2倍，如第二进气孔21的间距与第二进气孔21的直径相等。

在本实施例中，第二进气孔21的间距为第二进气孔21的直径的0.5倍～2倍，第二进气孔21的间距与第二进气孔21的直径相差较小，有利于第二进气孔21均匀分布在罩体20上，并保证罩体20具有一定的强度。

具体地，第二进气孔21的间距为0.3cm～0.8cm，如0.4cm、0.5cm、0.6cm等；第二进气孔21的直径为0.3cm～0.8cm，如0.4cm、0.5cm、0.6cm等。

结合图6所示，在一些实施例中，第二进气孔21的中心线与罩体20的外切面之间的夹角α为30°～60°，例如40°～50°，又如35°、45°、55°等。

在本实施例中，第二进气孔21的中心线与罩体20的外切面之间的夹角α为30°～60°，小于第二进气孔21的中心线与罩体20的外切面垂直时的90°，有利于经过挡板10边缘的刻蚀气体通过第二进气孔21进入反应室100内。

结合图6所示，在一些实施例中，罩体20的外切面与挡板10的垂线之间的夹角β为30°～45°，例如30°、35°、40°等。

在本实施例中，罩体20的外切面与挡板10的垂线之间的夹角β为30°～45°，一方面经过挡板10边缘的刻蚀气体可以通过第二进气孔21进入到反应室100内，另一方面罩体20在从进气口110到出气口120的方向上具有足够的长度，可以覆盖整个晶舟20。

在一些实施例中，罩体20包括平截锥体采用对称面切割得到的图形。

其中，截锥体是椎体被不过顶点且与椎体母线都相交的平面所截，留下的在截面和底面之间的椎体部分。椎体是由封闭图形限定的底面以及由底面边界上各点连向一公共顶点的线段所形成的面所限定的空间立体图形，如圆锥、正四棱锥等。平截锥体的截取平面平行于基底，如圆台、正四棱台等。

截锥体的对称面为经过公共顶点和底面对称轴的平面，如圆台的对称面为经过公共顶点和直径的平面，四棱台的对称面为经过公共顶点和中位线的平面。

在本实施例中，罩体20包括平截锥体采用对称面切割得到的图形，可以实现罩体20平行于挡板10的截面面积沿远离挡板10的方向逐渐增大，并且留有晶舟200的设置位置，使得罩体20在从进气口110到出气口120的方向上与晶舟200相对设置。

在一些实施例中，导流装置包括不易被腐蚀、不发尘材质形成的挡板和罩体。

在本实施例中，挡板和罩体的材质不易被腐蚀，可以避免受到刻蚀气体的腐蚀，延长导流装置的使用寿命。挡板和罩体的材质不发尘，可以避免产生粉尘而对待刻蚀样品造成不良影响。

可选地，导流装置包括特氟龙挡板和特氟龙罩体。

其中，特氟龙是聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene)的别称。

在本实施例中，特氟龙为不易被腐蚀、不发尘材质，并且获取和加工都容易，可以有效控制导流装置的实现成本。

基于同样的发明构思，本申请还提供了一种等离子体刻蚀设备。

参阅图2，等离子体刻蚀设备包括反应室100、晶舟200和上述任一实施例所述的导流装置500。反应室100具有进气口110和出气口120，晶舟200设置在反应室100内。

可选地，反应室100可以为石英室，也可以为其它材质的腔体。

可选地，反应室100可以为任意形状的腔体，如长方体、圆柱体等。长方体和圆柱体都有一个方向的长度远大于其它方向，可以作为气流的流动方向，有利于刻蚀气体变成等离子体、以及等离子体与待刻蚀样片反应。

可选地，进气口110和出气口120可以位于反应室100的同一侧，也可以位于反应室100的不同侧。以反应室100为圆柱状的腔体为例，进气口110和出气口120可以分别位于反应室100的不同底面上，也可以同时位于反应室100的侧面上。

示例性地，反应室100具有多个进气口110，多个进气口110均匀分布在反应室100的同一底面上，有利于刻蚀气体进入到反应室100内。

示例性地，反应室100具有一个出气口120，出气口120位于反应室100的底面中心，有利于刻蚀气体在反应室100内与待刻蚀样片充分反应。

具体地，晶舟200包括多个容纳槽，每个容纳槽用于放置一个待刻蚀样片，多个容纳槽沿垂直于容纳槽的开设方向间隔排列。

如图2所示，具体地，等离子体刻蚀设备还包括磁控管300和传送管400，磁控管300与传送管400连接，传送管400位于反应室100外并与反应室100内进气口110和出气口120之间的空间相对。

应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种等离子体刻蚀设备的导流装置，所述等离子体刻蚀设备包括具有进气口(110)和出气口(120)的反应室(100)，所述反应室(100)内设有晶舟(200)，其特征在于，所述导流装置包括：

挡板(10)，设置于所述反应室(100)内并朝向所述进气口(110)；

罩体(20)，连接在所述挡板(10)上并向所述出气口(120)延伸，所述罩体(20)在从所述进气口(110)到所述出气口(120)的方向上与所述晶舟(200)相对设置，所述罩体(20)平行于所述挡板(10)的截面面积沿远离所述挡板(10)的方向逐渐增大；以及

容纳腔(30)，由所述罩体(20)和所述晶舟(200)限定出空间；

其中，所述挡板(10)具有连通所述容纳腔(30)内外的第一进气孔(11)，所述罩体(20)具有连通所述容纳腔(30)内外的第二进气孔(21)，所述第一进气孔(11)的中心线与所述第二进气孔(21)的中心线不平行。

2.如权利要求1所述的导流装置，其特征在于，所述第一进气孔(11)呈阵列分布，同一行所述第一进气孔(11)的中心线平行，相邻两行所述第一进气孔(11)的中心线不平行。

3.如权利要求2所述的导流装置，其特征在于，与同一行相邻的两行所述第一进气孔(11)的中心线平行。

4.如权利要求1至3任一项所述的导流装置，其特征在于，分布于所述罩体(20)的不同截面的相邻两个所述第二进气孔(21)的中心线不平行。

5.如权利要求4所述的导流装置，其特征在于，分布于所述罩体(20)的不同截面的所述第二进气孔(21)的中心线两两不平行。

6.如权利要求1至3任一项所述的导流装置，其特征在于，所述第二进气孔(21)的中心线与所述罩体(20)的外切面之间的夹角为30°～60°。

7.如权利要求1至3任一项所述的导流装置，其特征在于，所述罩体(20)包括平截锥体采用对称面切割得到的图形。

8.如权利要求1至3任一项所述的导流装置，其特征在于，所述导流装置包括不易被腐蚀、不发尘材质形成的所述挡板和所述罩体。

9.如权利要求8所述的导流装置，其特征在于，所述导流装置包括特氟龙挡板和特氟龙罩体。

10.一种等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述等离子体刻蚀设备包括：

反应室(100)，具有进气口(110)和出气口(120)；

晶舟(200)，设置在所述反应室(100)内；以及

如权利要求1至9任一项所述的导流装置(500)。

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