CN215934830U - 滞回比较器电路及滞回比较器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及信号处理技术领域,公开了滞回比较器电路及滞回比较器,能够降低成本。所述电路包括可控硅、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻及第六电阻;可控硅的阳极与电源端连接,阴极与第三开关管的第三端连接,控制极与第一开关管的第三端连接;第一开关管的第一端通过第三电阻与电压输入端连接,还通过第四电阻接地,第二端接地;第二开关管的第一端通过第五电阻与电压输入端连接,还通过第六电阻接地,第三端与第三开关管的第一端连接,第二端接地;第三开关管的第二端与电压输出端连接;第一电阻的与可控硅的阳极、控制极连接;第二电阻与电源端、第三开关管的第一端连接。
Description
技术领域
本实用新型涉及信号处理技术领域,特别是涉及滞回比较器电路及滞回比较器。
背景技术
在信号处理中,某些信号存在一些抖动或尖刺,当信号输入单阈值比较器时,比较器输出的高低电平也会受到输入信号的影响而出现高低电平跳变震荡。
现有技术中,通常使用运放滞回比较器来取代单阈值比较器以输出平稳的电平,提高电路抗干扰能力。运放滞回比较器由运算放大器搭配若干电阻组成正反馈电路,并通过调节反馈电阻的取值来实现滞回窗口区间的调节。
但是,运放滞回比较器的带载能力有限,在负载较重或波动较大的场合,需配合功率元件使用,成本较高;此外,运放滞回比较器由于使用了正反馈电路,还需要将输出电压进行稳压处理,才能避免引入反馈偏差导致输入窗口滞回门限电压发生波动。
实用新型内容
本实用新型实施例所要解决的技术问题是:提供滞回比较器电路及滞回比较器,实现电压滞回比较的同时降低成本。
为了解决上述技术问题,第一方面,本实用新型实施例提供第一种滞回比较器电路,包括可控硅、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻以及第六电阻;其中,
所述可控硅的阳极与电源端连接,所述可控硅的阴极与所述第三开关管的第三端连接,所述可控硅的控制极与所述第一开关管的第三端连接;
所述第一开关管的第一端通过所述第三电阻与电压输入端连接,所述第一开关管的第一端还通过所述第四电阻接地,所述第一开关管的第二端接地;
所述第二开关管的第一端通过所述第五电阻与所述电压输入端连接,所述第二开关管的第一端还通过所述第六电阻接地,所述第二开关管的第三端与所述第三开关管的第一端连接,所述第二开关管的第二端接地;
所述第三开关管的第二端与电压输出端连接;
所述第一电阻的一端与所述可控硅的阳极连接,所述第一电阻的另一端与所述可控硅的控制极连接;
所述第二电阻的一端与所述电源端连接,所述第二电阻的另一端与所述第三开关管的第一端连接。
结合第一方面,在一种可能的实现方式中,所述滞回比较器电路还包括第一稳压管以及第二稳压管;其中,
所述第一稳压管的阴极与所述电压输入端连接,所述第一稳压管的阳极与所述第三电阻的一端连接;
所述第二稳压管的阴极与所述电压输入端连接,所述第二稳压管的阳极与所述第五电阻的一端连接。
结合第一方面,在一种可能的实现方式中,所述滞回比较器电路还包括第七电阻;其中,
所述第七电阻的一端与所述第三开关管的第二端连接,所述第七电阻的另一端接地。
结合第一方面,在一种可能的实现方式中,所述第一开关管为三极管,所述第二开关管为三极管;其中,
所述第一开关管的第一端为基极,所述第一开关管的第二端为发射极,所述第一开关管的第三端为集电极;
所述第二开关管的第一端为基极,所述第二开关管的第二端为发射极,所述第二开关管的第三端为集电极。
结合第一方面,在一种可能的实现方式中,所述第一开关管为复合管,所述第二开关管为复合管;其中,
所述第一开关管的第一端为基极,所述第一开关管的第二端为发射极,所述第一开关管的第三端为集电极;
所述第二开关管的第一端为基极,所述第二开关管的第二端为发射极,所述第二开关管的第三端为集电极。
结合第一方面,在一种可能的实现方式中,所述第三开关管为复合管;其中,
所述第三开关管的第一端为基极,所述第三开关管的第二端为发射极,所述第三开关管的第三端为集电极。
结合第一方面,在一种可能的实现方式中,所述第三开关管为MOS管;其中,
所述第三开关管的第一端为栅极,所述第三开关管的第二端为源极,所述第三开关管的第三端为漏极。
结合第一方面,在一种可能的实现方式中,所述第三开关管为三极管;其中,
所述第三开关管的第一端为基极,所述第三开关管的第二端为发射极,所述第三开关管的第三端为集电极。
为了解决上述技术问题,第二方面,本实用新型实施例提供第二种滞回比较器电路,包括第一三极管、第二三极管、第四开关管、第五开关管、第六开关管、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻以及第十四电阻;其中,
所述第一三极管的发射极与电源端连接,所述第一三极管的基极与所述第二三极管的集电极连接,所述第一三极管的集电极通过所述第九电阻与所述第四开关管的第三端连接;
所述第二三极管的基极与所述第一三极管的集电极连接,所述第二三极管的发射极与所述第六开关管的第三端连接;
所述第四开关管的第一端通过所述第十一电阻与电压输入端连接,所述第四开关管的第一端还通过所述第十二电阻接地,所述第四开关管的第二端接地;
所述第五开关管的第一端通过所述第十三电阻与所述电压输入端连接,所述第五开关管的第一端还通过所述第十四电阻接地,所述第五开关管的第三端与所述第六开关管的第一端连接,所述第五开关管的第二端接地;
所述第六开关管的第二端与电压输出端连接;
所述第八电阻的一端与所述第一三极管的发射极连接,所述第八电阻的另一端与所述第一三极管的集电极连接;
所述第十电阻的一端与所述电源端连接,所述第十电阻的另一端与所述第六开关管的第一端连接。
结合第二方面,在一种可能的实现方式中,所述指挥比较器电路还包括第三稳压管以及第四稳压管;其中,
所述第三稳压管的阴极与所述电压输入端连接,所述第三稳压管的阳极与所述第十一电阻的一端连接;
所述第四稳压管的阴极与所述电压输入端连接,所述第四稳压管的阳极与所述第十三电阻的一端连接。
结合第二方面,在一种可能的实现方式中,所述滞回比较器还包括第十五电阻;其中,
所述第十五电阻的一端与所述第六开关管的第二端连接,所述第十五电阻的另一端接地。
结合第二方面,在一种可能的实现方式中,所述第四开关管为三极管,所述第五开关管为三极管;其中,
所述第四开关管的第一端为基极,所述第四开关管的第二端为发射极,所述第四开关管的第三端为集电极;
所述第五开关管的第一端为基极,所述第五开关管的第二端为发射极,所述第五开关管的第三端为集电极。
结合第二方面,在一种可能的实现方式中,所述第四开关管为复合管,所述第五开关管为复合管;其中,
所述第四开关管的第一端为基极,所述第四开关管的第二端为发射极,所述第四开关管的第三端为集电极;
所述第五开关管的第一端为基极,所述第五开关管的第二端为发射极,所述第五开关管的第三端为集电极。
结合第二方面,在一种可能的实现方式中,所述第六开关管为复合管;其中,
所述第六开关管的第一端为基极,所述第六开关管的第二端为发射极,所述第六开关管的第三端为集电极。
结合第二方面,在一种可能的实现方式中,所述第六开关管为MOS管;其中,
所述第六开关管的第一端为栅极,所述第六开关管的第二端为源极,所述第六开关管的第三端为漏极。
结合第二方面,在一种可能的实现方式中,所述第六开关管为三极管;其中,
所述第六开关管的第一端为基极,所述第六开关管的第二端为发射极,所述第六开关管的第三端为集电极。
为了解决上述技术问题,第三方面,本实用新型实施例提供一种滞回比较器,所述滞回比较器包括如第一方面任一项所述的滞回比较器电路或者如第二方面任一项所述的滞回比较器电路。
与现有技术相比,本实用新型实施例提供的滞回比较器电路及滞回比较器,其有益效果在于:在Input电压上升过程中达到UH电压时比较器输出由高电平转低电平,Input电压下降过程中达到UL电压时比较器输出由低电平转回高电平,利用可控硅的触发维持导通特性,将可控硅与开关管串联,通过分立元件以及合理的通断控制,以串联方式实现了电压滞回比较功能,降低了成本,而且分立元件可按需选取不同额定规格元件实现灵活的电路设计,具有更高的带载能力;与此同时,通过调节基极分压电阻,能够灵活地改变门限电压值,不受输出负载波动影响,故无需对输出电压进行稳压处理,降低了设计难度以及成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术特征,下面将对本实用新型实施例中所需要使用的附图做简单地介绍,显而易见地,下面所描述的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型提供的第一种滞回比较器电路的一实施例的结构示意图;
图2是本实用新型提供的第一种滞回比较器电路的另一实施例的结构示意图;
图3是本实用新型提供的第一种滞回比较器电路的另一实施例的结构示意图;
图4是本实用新型提供的第二种滞回比较器电路的一实施例的结构示意图;
图5是本实用新型提供的第二种滞回比较器电路的另一实施例的结构示意图;
图6是本实用新型提供的第二种滞回比较器电路的另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
为了对本实用新型的技术特征、目的、效果有更加清楚的理解,下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例仅用于说明本实用新型,但是不用来限制本实用新型的保护范围。基于本实用新型的实施例,本领域技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例,都应属于本实用新型的保护范围。
在本实用新型的描述中,应当理解的是,本文中的编号本身,例如“第一”、“第二”等,仅用于区分所描述的对象,不具有顺序或者技术含义,不能理解为规定或者暗示所描述的对象的重要性。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
本实用新型的实施例,在不冲突的情况下可以自行结合。
图1所示为本实用新型提供的第一种滞回比较器电路的一个实施例的结构示意图。
如图1所示,所述滞回比较器电路包括可控硅T1、第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5以及第六电阻R6;其中,
所述可控硅T1的阳极与电源端VCC连接,所述可控硅T1的阴极与所述第三开关管Q3的第三端连接,所述可控硅T1的控制极与所述第一开关管Q1的第三端连接;
所述第一开关管Q1的第一端通过所述第三电阻R3与电压输入端Input连接,所述第一开关管Q1的第一端还通过所述第四电阻R4接地,所述第一开关管Q1的第二端接地;
所述第二开关管Q2的第一端通过所述第五电阻R5与所述电压输入端Input连接,所述第二开关管Q2的第一端还通过所述第六电阻R6接地,所述第二开关管Q2的第三端与所述第三开关管Q3的第一端连接,所述第二开关管Q2的第二端接地;
所述第三开关管Q3的第二端与电压输出端Output连接;
所述第一电阻R1的一端与所述可控硅T1的阳极连接,所述第一电阻R1的另一端与所述可控硅T1的控制极连接;
所述第二电阻R2的一端与所述电源端VCC连接,所述第二电阻R2的另一端与所述第三开关管Q3的第一端连接。
其中,第一开关管Q1、第二开关管Q2根据输入阻抗的要求可选用复合管或者三极管单管,第三开关管Q3可根据使用情况选用复合管或者MOS管,可控硅T1可根据使用情况选用单向晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管,但是本实用新型的保护范围并不限于以上所述。例如,在需要进行光线强度传感滞回比较时,可控硅可选用光控晶闸管。
具体而言,本实施例的电压滞回的比较过程分为两个阶段分析,分别是Input电压从低到高、Input电压从高到低过程:
(1)当Input电压从低往上升时,起始段Input电压小于UL,第一开关管Q1、第二开关管Q2均关断,可控硅T1与第三开关管Q3在上拉电阻R1、R2作用下导通,电路输出高电平;当Input电压上升到介于UL与UH时,第一开关管Q1导通、第二开关管Q2仍关断,由于可控硅T1的续流特性,可控硅T1、第三开关管Q3仍导通,电路仍输出高电平;当Input电压大于UH时,第一开关管Q1、第二开关管Q2均导通,第三开关管Q3的基极被拉低关断,可控硅T1无法通过第三开关管Q3续流,因此转而关断,电路输出低电平。
(2)当Input电压从高往下降时,开始Input电压大于UH,第一开关管Q1、第二开关管Q2均导通,可控硅T1、第三开关管Q3关断,电路输出低电平;当Input电压下降到介于UL与UH时,第一开关管Q1仍导通、第二开关管Q2关断,故第三开关管Q3导通而可控硅T1关断,电路仍输出低电平;当Input电压下降至小于UL时,第一开关管Q1、第二开关管Q2均关断,可控硅T1与第三开关管Q3在上拉电阻R1、R2作用下导通,电路输出高电平。
综上,该电路在Input电压上升过程中达到UH电压时比较器输出由高电平转低电平,Input电压下降过程中达到UL电压时比较器输出由低电平转回高电平,实现了UL与UH区间的电压滞回比较功能。
本实施例利用可控硅的触发维持导通特性,将可控硅与开关管串联,通过分立元件以及合理的通断控制,以串联方式实现了电压滞回比较功能,降低了成本,而且分立元件可按需选取不同额定规格元件实现灵活的电路设计,具有更高的带载能力。
需要说明的是,该实施例中的门限电压UH、UL计算方式如下:
其中,UH、UL分别为上、下限电压,UBE1、UBE2分别为第一开关管Q1、第二开关管Q2的基极压降。
由门限电压的计算公式可见,本实施例通过调节第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5以及第六电阻R6的阻值,能够灵活地改变门限电压值,不受输出负载波动影响,故无需对输出电压进行稳压处理,降低了设计难度以及成本。
图2所示为本实用新型提供的第一种滞回比较器电路的另一个实施例的结构示意图。
如图2所示,所述滞回比较器电路还包括第一稳压管D1以及第二稳压管D2;其中,
所述第一稳压管D1的阴极与所述电压输入端Input连接,所述第一稳压管D1的阳极与所述第三电阻R3的一端连接;
所述第二稳压管D2的阴极与所述电压输入端Input连接,所述第二稳压管D2的阳极与所述第五电阻R5的一端连接。
此时,该实施例中的门限电压UH、UL计算方式如下:
其中,U1、U2分别为第一稳压管D1、第二稳压管D2的额定稳压值,UH、UL分别为上、下限电压,UBE1、UBE2分别为第一开关管Q1、第二开关管Q2的基极压降。
本实施例的门限电压还增加了稳压项,在Input电压较高场合下配合稳压管能够提升精度。
图3所示为本实用新型提供的第一种滞回比较器电路的又一个实施例的结构示意图。
如图3所示,所述滞回比较器电路还包括第七电阻R7;其中,
所述第七电阻R7的一端与所述第三开关管Q3的第二端连接,所述第七电阻R7的另一端接地。
需要说明的是,第七电阻R7为可控硅T1提供维持导通电流。如果负载端本身有较大的工作电流能够维持可控硅T1的导通,则不需要第七电阻R7,如果负载端的工作电流很小,则第七电阻R7需要调试一个合适的阻值供可控硅Q1续流。
在一个可能的实施例中,所述第一开关管Q1为三极管,所述第二开关管Q2为三极管;其中,
所述第一开关管Q1的第一端为基极,所述第一开关管Q1的第二端为发射极,所述第一开关管Q1的第三端为集电极;
所述第二开关管Q2的第一端为基极,所述第二开关管Q2的第二端为发射极,所述第二开关管Q2的第三端为集电极。
在一个可能的实施例中,所述第一开关管Q1为复合管,所述第二开关管Q2为复合管;其中,
所述第一开关管Q1的第一端为基极,所述第一开关管Q1的第二端为发射极,所述第一开关管Q1的第三端为集电极;
所述第二开关管Q2的第一端为基极,所述第二开关管Q2的第二端为发射极,所述第二开关管Q2的第三端为集电极。
需要说明的是,复合管为使用两只或者多只三极管按照一定规律进行组合,等效成一只三极管,其与单只三极管的区别在于放大倍数不同。本实用新型可在输入阻抗要求不高的场合,使用三极管单管配合阻值更小的基极分压电阻;在输入阻抗要求较高的场合,则使用复合管来提高放大倍数。
在一个可能的实施例中,所述第三开关管Q3为复合管;其中,
所述第三开关管Q3的第一端为基极,所述第三开关管Q3的第二端为发射极,所述第三开关管Q3的第三端为集电极。
在一个可能的实施例中,所述第三开关管Q3为MOS管;其中,
所述第三开关管Q3的第一端为栅极,所述第三开关管Q3的第二端为源极,所述第三开关管Q3的第三端为漏极。
在一个可能的实施例中,所述第三开关管Q3为三极管;其中,
所述第三开关管Q3的第一端为基极,所述第三开关管Q3的第二端为发射极,所述第三开关管Q3的第三端为集电极。
同理,第三开关管也需要根据应用场合进行选用。
图4所示为本实用新型提供的第二种滞回比较器电路的一个实施例的结构示意图。
如图4所示,所述滞回比较器电路包括第一三极管VT1、第二三极管VT2、第四开关管Q4、第五开关管Q5、第六开关管Q6、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13以及第十四电阻R14;其中,
所述第一三极管VT1的发射极与电源端VCC连接,所述第一三极管VT1的基极与所述第二三极管VT2的集电极连接,所述第一三极管VT1的集电极通过所述第九电阻R9与所述第四开关管Q4的第三端连接;
所述第二三极管VT2的基极与所述第一三极管VT1的集电极连接,所述第二三极管VT2的发射极与所述第六开关管Q6的第三端连接;
所述第四开关管Q4的第一端通过所述第十一电阻R11与电压输入端Input连接,所述第四开关管Q4的第一端还通过所述第十二电阻R12接地,所述第四开关管Q4的第二端接地;
所述第五开关管Q5的第一端通过所述第十三电阻R13与所述电压输入端Input连接,所述第五开关管Q5的第一端还通过所述第十四电阻R14接地,所述第五开关管Q5的第三端与所述第六开关管Q6的第一端连接,所述第五开关管Q5的第二端接地;
所述第六开关管Q6的第二端与电压输出端Output连接;
所述第八电阻R8的一端与所述第一三极管VT1的发射极连接,所述第八电阻R2的另一端与所述第一三极管VT1的集电极连接;
所述第十电阻R10的一端与所述电源端VCC连接,所述第十电阻R10的另一端与所述第六开关管Q6的第一端连接。
其中,图4所示为第四开关管Q4选用三极管、第五开关管Q5选用三极管以及第六开关管Q6选用MOS管的情况,但本实用新型并不限于此。第四开关管Q4、第五开关管Q5还可以选用复合管,第六开关管Q6还可以选用复合管或者三极管。
需要说明的是,图4所示的电路图与图1所示的电路图的最主要不同之处在于:使用PNP三极管+NPN三极管来替换了可控硅,即通过分立元件来搭建实现可控硅的触发维持导通特性。
本实施例的具体工作原理如下:
当第四开关管Q4关断时,第二三极管VT2在第八电阻R8的拉高作用下导通,第二三极管VT2基极导通后的电流经过放大后流过第一三极管VT1的基极(也等于第六开关管Q6负载电流),此电流会被第一三极管VT1进一步放大,进一步放大后的电流重新流入第二三极管VT2的基极,所以第一三极管VT1和第二三极管VT2会互相放大电流至饱和。这时候即使第四开关管Q4导通,第九电阻R9起到下拉作用,第二三极管VT2仍然会因为第一三极管VT1提供的放大电流维持导通,即第一三极管VT1和第二三极管VT2彼此维持,不再受到第四开关管Q4的控制。除非这时候第六开关管Q6断开,第二三极管VT2无法续流,第一三极管VT1和第二三极管VT2才会在第四开关管Q4导通第九电阻R9下拉作用下截止。
本实施例的电压滞回比较过程以及达到的有益效果,与前述采用可控硅的滞回比较器电路是一样的,在此不再进行赘述。
图5所示为本实用新型提供的第二种滞回比较器电路的另一个实施例的结构示意图。
如图5所示,所述滞回比较器电路还包括第三稳压管D3以及第四稳压管D4;其中,
所述第三稳压管D3的阴极与所述电压输入端VCC连接,所述第三稳压管D3的阳极与所述第十一电阻R11的一端连接;
所述第四稳压管D4的阴极与所述电压输入端VCC连接,所述第四稳压管D4的阳极与所述第十三电阻R13的一端连接。
图6所示为本实用新型提供的第二种滞回比较器电路的另一个实施例的结构示意图。
如图6所示,所述滞回比较器电路还包括第十五电阻R15;其中,
所述第十五电阻R15的一端与所述第六开关管Q6的第二端连接,所述第十五电阻R15的另一端接地。
在一个可能的实施例中,所述第四开关管Q4为三极管,所述第五开关管Q5为三极管;其中,
所述第四开关管Q4的第一端为基极,所述第四开关管Q4的第二端为发射极,所述第四开关管Q4的第三端为集电极;
所述第五开关管Q5的第一端为基极,所述第五开关管Q5的第二端为发射极,所述第五开关管Q5的第三端为集电极。
在一个可能的实施例中,所述第四开关管Q4为复合管,所述第五开关管Q5为复合管;其中,
所述第四开关管Q4的第一端为基极,所述第四开关管Q4的第二端为发射极,所述第四开关管Q4的第三端为集电极;
所述第五开关管Q5的第一端为基极,所述第五开关管Q5的第二端为发射极,所述第五开关管Q5的第三端为集电极。
在一个可能的实施例中,所述第六开关管Q6为复合管;其中,
所述第六开关管Q6的第一端为基极,所述第六开关管Q6的第二端为发射极,所述第六开关管Q6的第三端为集电极。
在一个可能的实施例中,所述第六开关管Q6为MOS管;其中,
所述第六开关管Q6的第一端为栅极,所述第六开关管Q6的第二端为源极,所述第六开关管Q6的第三端为漏极。
在一个可能的实施例中,所述第六开关管Q6为三极管;其中,
所述第六开关管Q6的第一端为基极,所述第六开关管Q6的第二端为发射极,所述第六开关管Q6的第三端为集电极。
相应的,本实用新型还提供一种滞回比较器,所述滞回比较器包括上述任一实施例所述的滞回比较器电路。
以上所述,仅是本实用新型的部分实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,应当指出,对于本领域技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干等效的明显变型方式和/或等同替换方式,这些明显变型方式和/或等同替换方式也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (17)
1.一种滞回比较器电路,其特征在于,包括可控硅、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻以及第六电阻;其中,
所述可控硅的阳极与电源端连接,所述可控硅的阴极与所述第三开关管的第三端连接,所述可控硅的控制极与所述第一开关管的第三端连接;
所述第一开关管的第一端通过所述第三电阻与电压输入端连接,所述第一开关管的第一端还通过所述第四电阻接地,所述第一开关管的第二端接地;
所述第二开关管的第一端通过所述第五电阻与所述电压输入端连接,所述第二开关管的第一端还通过所述第六电阻接地,所述第二开关管的第三端与所述第三开关管的第一端连接,所述第二开关管的第二端接地;
所述第三开关管的第二端与电压输出端连接;
所述第一电阻的一端与所述可控硅的阳极连接,所述第一电阻的另一端与所述可控硅的控制极连接;
所述第二电阻的一端与所述电源端连接,所述第二电阻的另一端与所述第三开关管的第一端连接。
2.根据权利要求1所述的滞回比较器电路,其特征在于,还包括第一稳压管以及第二稳压管;其中,
所述第一稳压管的阴极与所述电压输入端连接,所述第一稳压管的阳极与所述第三电阻的一端连接;
所述第二稳压管的阴极与所述电压输入端连接,所述第二稳压管的阳极与所述第五电阻的一端连接。
3.根据权利要求1所述的滞回比较器电路,其特征在于,还包括第七电阻;其中,
所述第七电阻的一端与所述第三开关管的第二端连接,所述第七电阻的另一端接地。
4.根据权利要求1至3任一项所述的滞回比较器电路,其特征在于,所述第一开关管为三极管,所述第二开关管为三极管;其中,
所述第一开关管的第一端为基极,所述第一开关管的第二端为发射极,所述第一开关管的第三端为集电极;
所述第二开关管的第一端为基极,所述第二开关管的第二端为发射极,所述第二开关管的第三端为集电极。
5.根据权利要求1至3任一项所述的滞回比较器电路,其特征在于,所述第一开关管为复合管,所述第二开关管为复合管;其中,
所述第一开关管的第一端为基极,所述第一开关管的第二端为发射极,所述第一开关管的第三端为集电极;
所述第二开关管的第一端为基极,所述第二开关管的第二端为发射极,所述第二开关管的第三端为集电极。
6.根据权利要求1至3任一项所述的滞回比较器电路,其特征在于,所述第三开关管为复合管;其中,
所述第三开关管的第一端为基极,所述第三开关管的第二端为发射极,所述第三开关管的第三端为集电极。
7.根据权利要求1至3任一项所述的滞回比较器电路,其特征在于,所述第三开关管为MOS管;其中,
所述第三开关管的第一端为栅极,所述第三开关管的第二端为源极,所述第三开关管的第三端为漏极。
8.根据权利要求1至3任一项所述的滞回比较器电路,其特征在于,所述第三开关管为三极管;其中,
所述第三开关管的第一端为基极,所述第三开关管的第二端为发射极,所述第三开关管的第三端为集电极。
9.一种滞回比较器电路,其特征在于,包括第一三极管、第二三极管、第四开关管、第五开关管、第六开关管、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻以及第十四电阻;其中,
所述第一三极管的发射极与电源端连接,所述第一三极管的基极与所述第二三极管的集电极连接,所述第一三极管的集电极通过所述第九电阻与所述第四开关管的第三端连接;
所述第二三极管的基极与所述第一三极管的集电极连接,所述第二三极管的发射极与所述第六开关管的第三端连接;
所述第四开关管的第一端通过所述第十一电阻与电压输入端连接,所述第四开关管的第一端还通过所述第十二电阻接地,所述第四开关管的第二端接地;
所述第五开关管的第一端通过所述第十三电阻与所述电压输入端连接,所述第五开关管的第一端还通过所述第十四电阻接地,所述第五开关管的第三端与所述第六开关管的第一端连接,所述第五开关管的第二端接地;
所述第六开关管的第二端与电压输出端连接;
所述第八电阻的一端与所述第一三极管的发射极连接,所述第八电阻的另一端与所述第一三极管的集电极连接;
所述第十电阻的一端与所述电源端连接,所述第十电阻的另一端与所述第六开关管的第一端连接。
10.根据权利要求9所述的滞回比较器电路,其特征在于,还包括第三稳压管以及第四稳压管;其中,
所述第三稳压管的阴极与所述电压输入端连接,所述第三稳压管的阳极与所述第十一电阻的一端连接;
所述第四稳压管的阴极与所述电压输入端连接,所述第四稳压管的阳极与所述第十三电阻的一端连接。
11.根据权利要求9所述的滞回比较器电路,其特征在于,还包括第十五电阻;其中,
所述第十五电阻的一端与所述第六开关管的第二端连接,所述第十五电阻的另一端接地。
12.根据权利要求9至11任一项所述的滞回比较器电路,其特征在于,所述第四开关管为三极管,所述第五开关管为三极管;其中,
所述第四开关管的第一端为基极,所述第四开关管的第二端为发射极,所述第四开关管的第三端为集电极;
所述第五开关管的第一端为基极,所述第五开关管的第二端为发射极,所述第五开关管的第三端为集电极。
13.根据权利要求9至11任一项所述的滞回比较器电路,其特征在于,所述第四开关管为复合管,所述第五开关管为复合管;其中,
所述第四开关管的第一端为基极,所述第四开关管的第二端为发射极,所述第四开关管的第三端为集电极;
所述第五开关管的第一端为基极,所述第五开关管的第二端为发射极,所述第五开关管的第三端为集电极。
14.根据权利要求9至11任一项所述的滞回比较器电路,其特征在于,所述第六开关管为复合管;其中,
所述第六开关管的第一端为基极,所述第六开关管的第二端为发射极,所述第六开关管的第三端为集电极。
15.根据权利要求9至11任一项所述的滞回比较器电路,其特征在于,所述第六开关管为MOS管;其中,
所述第六开关管的第一端为栅极,所述第六开关管的第二端为源极,所述第六开关管的第三端为漏极。
16.根据权利要求9至11任一项所述的滞回比较器电路,其特征在于,所述第六开关管为三极管;其中,
所述第六开关管的第一端为基极,所述第六开关管的第二端为发射极,所述第六开关管的第三端为集电极。
17.一种滞回比较器,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的滞回比较器电路或者如权利要求9至16任一项所述的滞回比较器电路。
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