CN215918085U - 压电超声换能器 - Google Patents
压电超声换能器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN215918085U CN215918085U CN202021272498.4U CN202021272498U CN215918085U CN 215918085 U CN215918085 U CN 215918085U CN 202021272498 U CN202021272498 U CN 202021272498U CN 215918085 U CN215918085 U CN 215918085U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- ultrasonic transducer
- diaphragm
- piezoelectric
- piezoelectric ultrasonic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
- H04R17/02—Microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/04—Microphones
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种压电超声换能器,其包括:基底、与所述基底相对间隔设置的振膜。所述振膜包括靠近所述基底的第一表面和远离所述基底的第二表面。所述压电超声换能器还包括连接所述基底与所述第一表面的支撑件和所述第二表面的压电单元。所述振膜还包括中心部和自所述中心部的边缘延伸出的边缘部,所述支撑件与所述中心部连接,所述压电单元设于所述边缘部。与相关技术相比,上述压电超声换能器通过支撑件将振膜支撑于基底上,振膜呈悬空设置,增加了振膜的有效振动面积和运动容抗,从而可以提高有效机电耦合系数和上述压电超声换能器的声压输出。
Description
【技术领域】
本实用新型涉及声电技术领域,尤其涉及一种压电超声换能器。
【背景技术】
超声传感器在社会生产生活中具有广泛的应用,其包括超声加工、超声定位、超声探测和超声成像等各方面。作为电能和机械能相互转换的器件,超声换能器是超声传感器的重要组成部件。传统的超声换能器通常基于机械加工制成,因而具有体积较大,加工精度较低,加工成本较高,难以形成阵列结构等缺点。基于MEMS(MicroelectromechanicalSystems,微机电系统)技术的超声换能器因采用微电子工艺加工而成,直径尺寸可降低到微米级别,谐振频率可达到几百兆赫兹,较高的谐振频率大幅增加了成像和探测的精度。另外,由MEMS工艺加工成的超声换能器可组成大规模阵列单元,各单元一致性较好,便于运用相位控制技术实现超声波束的聚焦、离散和定向扫描等功能,大大增强了超声技术应用的灵活性。其中,压电超声换能器的应用尤为广泛。
相关技术的所述压电超声换能器,其中振膜的边缘由基座固定后再置于衬底上。但是,由于上述压电超声换能器的振膜边缘受到制约,只有中间一部分振膜结构进行发射/接收,一定程度上削弱了压电超声换能器的有效机电耦合系数和声压输出,降低了上述压电超声换能器的性能。
因此,必须提供一种新的压电超声换能器以解决上述技术问题。
【实用新型内容】
本实用新型的目的在于提供一种灵敏度高的压电超声换能器。
为了达到上述目的,本实用新型提供了一种压电超声换能器,包括:基底;振膜,与所述基底相对间隔设置,所述振膜包括靠近所述基底的第一表面和远离所述基底的第二表面;至少一支撑件,连接所述基底与所述第一表面,以将所述振膜支撑于所述基底;以及压电单元,设于所述第二表面;其中,所述振膜还包括中心部和自所述中心部的边缘延伸出的边缘部,所述支撑件与所述中心部连接,所述压电单元设于所述边缘部。
优选地,所述支撑件为空心柱体或实心柱体。
优选地,所述支撑件呈圆柱体状。
优选地,所述振膜通过多个所述支撑件支撑于所述基底,多个所述支撑件呈阵列式分布。
优选地,所述的压电超声换能器还包括密封件,所述密封件罩住所述振膜和所述压电单元并与所述基底固定连接。
优选地,所述密封件与所述基底通过粘接固定。
优选地,所述压电单元呈圆环状,其包括依次堆叠设置的第一电极层、压电层和第二电极层。
优选地,所述振膜设置为曲面结构并自所述中心部凸起或凹陷。
与相关技术相比,本实用新型提供的上述压电超声换能器通过支撑件将振膜支撑于基底上,振膜呈悬空设置,增加了振膜的有效振动面积和运动容抗,从而可以提高有效机电耦合系数和上述压电超声换能器的声压输出。
【附图说明】
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1为本实用新型提供的压电超声换能器第一实施例的立体结构示意图;
图2为图1所示的所述压电超声换能器的分解结构示意图;
图3为图1所示的所述压电超声换能器的沿A-A线的剖视图,所述基底通过一个所述支撑件与所述振膜连接;
图4为图1所示的所述压电超声换能器的沿A-A线的剖视图,所述基底通过两个所述支撑件与所述振膜连接;
图5为图1所示的所述压电超声换能器移除密封件后的立体结构示意图;
图6为本实用新型提供的压电超声换能器第二实施例的立体结构示意图;
图7为图6所示的所述压电超声换能器的沿B-B线的剖视图,所述基底通过一个所述支撑件与所述振膜连接;
图8为图6所示的所述压电超声换能器的沿B-B线的剖视图,所述基底通过多个所述支撑件与所述振膜连接。
【具体实施方式】
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
图1-5为本实用新型的第一实施方式,请同时参阅图1-5,在本实施方式中,压电超声换能器100包括基底10、与基底10密封连接并形成封闭空间的密封件20、设于该密封空间内的振膜30、支撑件40以及压电单元50。其中,所述振膜30与所述基底10相对间隔设置,所述支撑件40的两端分别与所述振膜30和所述基底10连接,以将所述振膜30支撑于所述基底10上,而所述压电单元50则设置在所述振膜30远离所述基底10的一端。
具体地,所述振膜30包括中心部33以及自所述中心部33的边缘延伸出的边缘部34、形成于与中心部33和边缘部34的两个相反表面上的第一表面31和第二表面32,其中,所述第一表面31靠近所述基底10,所述第二表面32远离所述基底10。也就是说,所述第一表面31由所述中心部33和所述边缘部34靠近所述基底10的表面构成,所述第二表面32由所述中心部33和所述边缘部34远离所述基底10的表面构成,所述支撑件40的一端连接在所述第一表面31的所述中心部33处,另一端与所述基底10接合,使得所述振膜30的所述边缘部34呈悬空设置,增加了所述振膜30的有效振动面积和运动容抗。所述压电单元50呈圆环状,其包括依次堆叠设置的第一电极层51、压电层52和第二电极层53。所述第一电极层51贴合于所述第二表面32的边缘部34处。所述压电单元50与所述支撑件40相互错开设置,所述支撑件40与所述压电单元50在所述基底10上的正投影不重叠,使得所述压电单元50与所述边缘部34共同构成悬空结构,提高了所述压电单元50的有效机电耦合系数,从而增加了所述压电超声换能器100的声压输出。
其中,所述振膜30设置为曲面结构并自所述中心部33凸起或者凹陷,即所述中心部33朝所述基底10弯曲变形或朝远离所述基底10的方向凸起,使得所述振膜30靠近所述基底10的表面为凸面或凹面。相较于现有技术的振膜的边缘固定方式,本申请的所述振膜30的所述边缘部34呈悬空设置更易于将振膜30设置为凹面或者凸面结构,可以增大机电耦合因子,也能够一定程度上提高指向性,从而提高所述压电超声换能器100性能。
所述基底10通过至少一个所述支撑件40与所述振膜30连接,所述支撑件40的设置数量及排布可根据情况进行相应设置。如图2所示,所述基底10通过一个所述支撑件40与所述振膜30连接,具体地,所述支撑件40为空心柱体,优选为空心圆柱体,所述支撑件40内设有通孔41,使用单个支撑件40将所述振膜30支撑在所述基底10上,所述支撑件40的空心结构能增加所述振膜30与所述基底10连接的稳定性。
所述基底10也通过多个呈阵列分布所述支撑件40和40'与所述振膜30连接。如图3所示,所述基底10除了通过所述支撑件40与所述振膜30连接,还通过一个支撑件40'与所述振膜30连接,所述支撑件40和所述支撑件40'同轴且所述支撑件40'的外径小于所述支撑件40,所述支撑件40套在所述支撑件40'外侧,所述支撑件40和所述支撑件40'共同将所述振膜30支撑于所述基底10,进一步增加了所述振膜30与所述基底10连接的稳定性。
进一步地,所述密封件20大致呈罩体状,其包括顶壁21和与顶壁21边缘连接的侧壁22。所述顶壁21和所述侧壁22共同将所述振膜30和所述压电单元50包围起来,所述侧壁22远离所述顶壁21的一端与所述基底10固定连接,从而将所述振膜30及所述压电单元50封闭起来,以减小压电超声换能器压电超声换能器100的阻尼影响。可选地,所述顶壁21与所述侧壁22之间、所述侧壁22与所述基底10之间均通过粘接固定。在其他实施方式中,所述顶壁21和所述侧壁22可以为一体结构。
图5-8为本实用新型的压电超声换能器200的第二实施方式,第二实施方式与第一实施方式的区别在于支撑件60的结构,故仅对所述支撑件60的结构进行说明,其他结构不再赘述。
如图7所示,所述支撑件60为实心柱体,优选为实心圆柱体,使用单个所述支撑件60将所述振膜30支撑在所述基底10上。相对于空心柱体,实心柱体的制作工序较少,将所述支撑件60设置成实心柱体能提高其加工效率。如图8所示,使用多个所述支撑件60将所述振膜30支撑在所述基底10上,多个所述支撑件60呈圆周阵列分布在基底10与振膜30的中心部之间,多个的所述支撑件60的两端分别与振膜30和基底10连接,通过设置多个所述支撑件60来增加振膜30与基底10连接的稳定性。
与相关技术相比,本实用新型提供的上述压电超声换能器通过支撑件将振膜支撑于基底上,振膜呈悬空设置,增加了振膜的有效振动面积和运动容抗,从而可以提高有效机电耦合系数和上述压电超声换能器的声压输出。
以上所述的仅是本实用新型的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种压电超声换能器,其特征在于,包括:
基底;
振膜,与所述基底相对间隔设置,所述振膜包括靠近所述基底的第一表面和远离所述基底的第二表面;
至少一支撑件,连接所述基底与所述第一表面,以将所述振膜支撑于所述基底;以及
压电单元,设于所述第二表面;
其中,所述振膜还包括中心部和自所述中心部的边缘延伸出的边缘部,所述支撑件与所述中心部连接,所述压电单元设于所述边缘部。
2.根据权利要求1所述的压电超声换能器,其特征在于,所述支撑件为空心柱体或实心柱体。
3.根据权利要求2所述的压电超声换能器,其特征在于,所述支撑件呈圆柱体状。
4.根据权利要求1所述的压电超声换能器,其特征在于,所述振膜通过多个所述支撑件支撑于所述基底,多个所述支撑件呈阵列式分布。
5.根据权利要求1所述的压电超声换能器,其特征在于,所述压电超声换能器还包括密封件,所述密封件罩住所述振膜和所述压电单元并与所述基底固定连接。
6.根据权利要求5所述的压电超声换能器,其特征在于,所述密封件与所述基底通过粘接固定。
7.根据权利要求1所述的压电超声换能器,其特征在于,所述压电单元呈圆环状,其包括依次堆叠设置的第一电极层、压电层和第二电极层。
8.根据权利要求1所述的压电超声换能器,其特征在于,所述振膜设置为曲面结构并自所述中心部凸起或凹陷。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202021272498.4U CN215918085U (zh) | 2020-07-02 | 2020-07-02 | 压电超声换能器 |
PCT/CN2020/103901 WO2022000636A1 (zh) | 2020-07-02 | 2020-07-23 | 压电超声换能器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202021272498.4U CN215918085U (zh) | 2020-07-02 | 2020-07-02 | 压电超声换能器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN215918085U true CN215918085U (zh) | 2022-03-01 |
Family
ID=79317257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202021272498.4U Active CN215918085U (zh) | 2020-07-02 | 2020-07-02 | 压电超声换能器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN215918085U (zh) |
WO (1) | WO2022000636A1 (zh) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000253492A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Shinsei Kk | 圧電振動体を用いたスピーカ |
JP2008147863A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Toyota Central R&D Labs Inc | マイクロホン |
CN201467436U (zh) * | 2009-07-30 | 2010-05-12 | 清华大学 | 一种采用新型约束方式的压电扬声器 |
CN203243515U (zh) * | 2013-05-27 | 2013-10-16 | 张海军 | 高敏感声换能器 |
CN206341349U (zh) * | 2016-10-25 | 2017-07-18 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 麦克风 |
CN107812691B (zh) * | 2017-09-28 | 2020-05-29 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 压电超声换能器及其制备方法 |
WO2020133352A1 (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-02 | 共达电声股份有限公司 | Mems声音传感器、mems麦克风及电子设备 |
CN111328005B (zh) * | 2020-03-10 | 2021-09-10 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 压电式mems麦克风 |
-
2020
- 2020-07-02 CN CN202021272498.4U patent/CN215918085U/zh active Active
- 2020-07-23 WO PCT/CN2020/103901 patent/WO2022000636A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022000636A1 (zh) | 2022-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111328005B (zh) | 压电式mems麦克风 | |
JP4594286B2 (ja) | 空気中のパラメトリック・トランスミッティング・アレイを用いた超指向性超音波距離測定のためのmemsに基づく多共振超音波トランスデューサ及びその製作方法 | |
US8483014B2 (en) | Micromachined ultrasonic transducers | |
CN110052391B (zh) | 双谐振模式耦合的微机械压电超声波换能器 | |
CN101272636B (zh) | 电容式传声器芯片 | |
US10045126B2 (en) | Microelectromechanical microphone having a stationary inner region | |
CN111148000B (zh) | 一种mems麦克风及阵列结构 | |
RU2595800C2 (ru) | Ячейка емкостного микрообработанного преобразователя предварительно прижатого типа с заглушкой | |
CN112718437B (zh) | 基于多振膜耦合的压电微机械超声换能器 | |
CN110560352B (zh) | 基于Helmholtz共振腔的可调频超声传感器阵列 | |
CN209897223U (zh) | Mems麦克风 | |
CN110926590B (zh) | 一种压电式mems水听器 | |
CN110650420A (zh) | 压电式mems麦克风 | |
CN110560351B (zh) | 基于Helmholtz共振腔的可调频声波接收装置 | |
CN110944274B (zh) | 一种基于Piston-mode的带质量负载可调谐MEMS压电声换能器 | |
CN111225330A (zh) | 压电mems麦克风及压电mems麦克风的制备方法 | |
CN215918085U (zh) | 压电超声换能器 | |
CN113245175A (zh) | 压电微机械超声换能器及其制作方法 | |
CN211296939U (zh) | 压电mems麦克风 | |
CN110987159B (zh) | 声压传感器 | |
CN108311361B (zh) | 具有特定模态振型的微机电压电超声波换能器 | |
CN216649988U (zh) | 一种mems麦克风 | |
CN216752082U (zh) | Mems麦克风芯片 | |
CN110434044B (zh) | 一种电极形状调控的高超声波收发性能CMUTs | |
KR20190014933A (ko) | 전방향 음향 센서 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |