CN215897681U - 一种e波段分谐波混频器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种E波段分谐波混频器,包括:石英基板,设置于所述石英基板上的基板电路,在所述基板电路的一端连接有射频输入端,在所述基板电路的另一端连接有中频输出端,在所述基板电路的中部横跨设置有本振输入端;且在所述本振输入端的端口设置有第二本振探针,所述第二本振探针能将本振由波导端口转化为同轴端口。该分谐波混频器能够满足性能指标,实现分谐波混频器结构紧凑,整体小型化。
Description
技术领域
本实用新型涉及混频器领域,尤其涉及一种E波段分谐波混频器
背景技术
混频器广泛的应用于通信、雷达等系统的微波接收机中,此外,在微波设备的测量中也起着越来越重要的作用。它将微弱的射频信号与本地振荡信号同时加到非线性元件上,变换为频率低的中频信号,以便进一步进行放大、解调或实现幅值衰减、相位等参数测量。
现有的E波段分谐波混频器,射频及本振输入均为波导口,本振频率为30-45GHz,此频段为大法兰盘波导,使得混频器的整体体积大;同时此频段的信号源多为同轴端口,将混频器与信号源互连时,需要波导同轴转接,增大了本振链路长度。以上问题急需解决。
发明内容
为了克服现有技术中的缺陷,本实用新型实施例提供了一种E波段分谐波混频器,该分谐波混频器能够满足性能指标,实现分谐波混频器结构紧凑,整体小型化。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种E波段分谐波混频器,包括:石英基板,设置于所述石英基板上的基板电路,在所述基板电路的一端连接有射频输入端,在所述基板电路的另一端连接有中频输出端,在所述基板电路的中部横跨设置有本振输入端;且在所述本振输入端的端口设置有第二本振探针,所述第二本振探针能将本振由波导端口转化为同轴端口。
上述技术方案中,所述基板电路包括由朝向所述射频输入端至中频输出端依次连接的射频探针、二极管、本振低通滤波器、第一本振探针及中频低通滤波器;其中,所述本振低通滤波器用于通本振信号与中频信号,阻射频信号;所述第一本振探针用于耦合所述本振信号;所述中频低通滤波器用于阻所述射频信号与所述本振信号,通所述中频信号。
上述技术方案中,所述射频探针由所述石英基板延伸至所述射频输入端,所述第一本振探针横跨于所述本振输入端。
上述技术方案中,所述射频输入端包括直线段及与所述直线段相连的弧形段。
由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
1.本实用新型中通过在本振输入端的端口设置第二本振探针,第二本振探针能将本振由波导端口转化为同轴端口,节约本振链路的成本,从而减小混频器整体体积,满足分谐波混频器性能指标,实现分谐波混频器结构紧凑,整体小型化。
2.将射频输入端包括直线段及与直线段相连的弧形段,弧形段的设计进一步使分谐波混频器整体宽度减小,满足设备小型化的需求。
为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例中E波段分谐波混频器结构示意图。
以上附图的附图标记:1、射频探针;2、二极管;3、本振低通滤波器; 4、第一本振探针;5、中频低通滤波器;6、第二本振探针;7、石英基板;8、射频输入端;9、中频输出端;10、本振输入端。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例一:参见图1所示,一种E波段分谐波混频器,包括:石英基板7,设置于所述石英基板7上的基板电路,在所述基板电路的一端连接有射频输入端8,在所述基板电路的另一端连接有中频输出端9,在所述基板电路的中部横跨设置有本振输入端10;且在所述本振输入端10的端口设置有第二本振探针6,所述第二本振探针6能将本振由波导端口转化为同轴端口。
通过在所述本振输入端10的端口设置所述第二本振探针6,所述第二本振探针6能将本振由波导端口转化为同轴端口,节约本振链路的成本,从而减小混频器整体体积,满足分谐波混频器性能指标,实现分谐波混频器结构紧凑,整体小型化。
具体的,所述基板电路包括由朝向所述射频输入端8至中频输出端9依次连接的射频探针1、二极管2、本振低通滤波器3、第一本振探针4及中频低通滤波器5;其中,所述本振低通滤波器3用于通本振信号与中频信号,阻射频信号;所述第一本振探针4用于耦合所述本振信号;所述中频低通滤波器5用于阻所述射频信号与所述本振信号,通所述中频信号。
优选地,所述射频探针1由所述石英基板7延伸至所述射频输入端8,用于将所述射频信号从所述射频输入端8引入所述基板电路进行传输。所述第一本振探针4横跨于所述本振输入端10,用于将所述本振信号从所述本振输入端10引入所述基板电路进行传输。
进一步优选地,所述射频输入端8包括直线段及与所述直线段相连的弧形段。弧形段的设计进一步使分谐波混频器整体宽度减小,满足设备小型化的需求。
本实用新型中应用了具体实施例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
Claims (4)
1.一种E波段分谐波混频器,其特征在于,包括:石英基板,设置于所述石英基板上的基板电路,在所述基板电路的一端连接有射频输入端,在所述基板电路的另一端连接有中频输出端,在所述基板电路的中部横跨设置有本振输入端;且在所述本振输入端的端口设置有第二本振探针,所述第二本振探针能将本振由波导端口转化为同轴端口。
2.根据权利要求1所述的E波段分谐波混频器,其特征在于:所述基板电路包括由朝向所述射频输入端至中频输出端依次连接的射频探针、二极管、本振低通滤波器、第一本振探针及中频低通滤波器;其中,所述本振低通滤波器用于通本振信号与中频信号,阻射频信号;所述第一本振探针用于耦合所述本振信号;所述中频低通滤波器用于阻所述射频信号与所述本振信号,通所述中频信号。
3.根据权利要求2所述的E波段分谐波混频器,其特征在于:所述射频探针由所述石英基板延伸至所述射频输入端,所述第一本振探针探针横跨于所述本振输入端。
4.根据权利要求1所述的E波段分谐波混频器,其特征在于:所述射频输入端包括直线段及与所述直线段相连的弧形段。
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CN116914391A (zh) * | 2023-09-13 | 2023-10-20 | 电子科技大学 | 一种适用于二维阵列布局的太赫兹波导混频器 |
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CN116914391A (zh) * | 2023-09-13 | 2023-10-20 | 电子科技大学 | 一种适用于二维阵列布局的太赫兹波导混频器 |
CN116914391B (zh) * | 2023-09-13 | 2023-11-28 | 电子科技大学 | 一种适用于二维阵列布局的太赫兹波导混频器 |
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