CN215867984U - 一种门锁电路及门锁 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种门锁电路及门锁，其中，该门锁电路包括：门锁接口、开关电路和电源电路；所述门锁接口的电源正极连接所述电源电路；所述门锁接口的电源负极接地；所述门锁接口的门锁正极、门锁负极分别连接所述开关电路。本申请在现有门锁电路只能实现连接一种锁的基础上，改进门锁电路，使得现有门锁电路接口的使用范围扩大，可以连接多种不同类型的门锁，提高了使用感受，大大方便门禁系统的使用。

Description

一种门锁电路及门锁

技术领域

本申请涉及门禁技术领域，具体而言，涉及一种门锁电路及门锁。

背景技术

目前的楼宇可视对讲门禁系统主要采用两种锁，一种电插锁，一种磁力锁。电插锁是一种电子控制锁具，通过电流的通断驱动“锁舌”的伸出或缩回以达到锁门或开门的功能。安防行业通常用于通电开锁，通常需要电流会比较大。磁力锁的设计和电磁铁一样，是利用电生磁的原理，当电流通过硅钢片时，电磁锁会产生强大的吸力紧紧地吸住吸附铁板达到锁门的效果。只要小小的电流电磁锁就会产生莫大的磁力，控制电磁锁电源的门禁系统识别人员正确后即断电，磁力锁失去吸力即可开门，即电插锁通电开锁，磁力锁断电开锁。

一般的门禁系统只可以同时使用一种锁，即电插锁或者磁力锁，这在某些特殊场合造成了极大的不便。

实用新型内容

本申请实施例的目的在于提供一种门锁电路及门锁，在现有门锁电路只能实现连接一种锁的基础上，改进门锁电路，使得现有门锁电路接口的使用范围扩大，可以连接多种不同类型的门锁，提高了使用感受，大大方便门禁系统的使用。

第一方面，本申请提供了一种门锁电路，所述包括：门锁接口、开关电路和电源电路；所述门锁接口的电源正极连接所述电源电路；所述门锁接口的电源负极接地；所述门锁接口的门锁正极、门锁负极分别连接所述开关电路。

在上述实现过程中，通过改进门锁电路，使得门锁接口可以连接开关电路，开关电路可以连接不同类型的门锁，并通过门锁接口的电源正极和电源负极为门锁电路提供外部电源，保证门锁系统可以正常使用。

进一步地，所述电源电路包括：自恢复保险管、第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻和储能电容；所述门锁接口的电源正极通过所述自恢复保险管与所述第一二极管的阳极连接；所述第一二极管的阴极和所述第二二极管的阴极连接；所述第二二极管的阳极通过所述第一电阻和第二电阻和电源连接；所述第一二极管的阴极通过储能电容接地。

在上述实现过程中，经第一电阻、第二电阻两限流电阻和储能电容，以及第二二极管后给到电源，由于第一二极管和第二二极管的存在，外部电源与内部电源隔开，防止互相干扰冲击，影响驱动的稳定性。第一电阻和第二电阻跟储能电容的存在，可以保障锁在开锁瞬间的大浪涌电流冲击，保障锁的使用寿命。

进一步地，所述开关电路包括半导体晶体管和控制电路；所述半导体晶体管的D极连接所述门锁接口的门锁负极；所述半导体晶体管的S极接地；所述半导体晶体管的G极连接所述控制电路。

在上述实现过程中，将半导体晶体管和控制电路连接在一起，使得电路可以用于大功率领域，并且可以降低功率。

进一步地，所述控制电路包括：第三电阻、第四电阻、第一三级管开关和第二三极管开关，所述半导体晶体管的G极通过所述第三电阻连接所述第一三级管开关；所述第一三级管开关通过所述第四电阻接地；所述第一三级管开关和所述第一三级管开关连接。

在上述实现过程中，控制电路由第三电阻、第四电阻和两个三极管开关组成，可以控制不同锁在不同情况时的电流流经过程。

进一步地，所述第一三极管开关包括：第一三极管、第五电阻和第六电阻，所述第一三极管的集电极通过所述第三电阻与所述半导体晶体管的G极连接；所述第一三极管的集电极通过所述第四电阻接地；所述第一三极管的发射极连接电源；所述第一三极管的基极通过所述第六电阻与所述第二三极管开关连接；所述第一三极管的基极与所述第六电阻之间通过所述第五电阻连接电源。

在上述实现过程中，第一三级开关通过第一三极管、第五电阻和第六电阻控制接不同类型门锁时信号的流经。

进一步地，所述第二三极管开关包括：第二三极管、第七电阻和第八电阻，所述第二三极管的集电极连接所述第六电阻；所述第二三极管的发射极接地；所述第二三极管开关的基极通过所述第八电阻连接控制端口；所述第二三极管开关的基极和所述第八电阻之间通过所述第七电阻接地。

在上述实现过程中，第二三级开关通过第二三极管、第七电阻和第八电阻控制接不同类型门锁时信号的流经。

进一步地，所述门锁接口的门锁正极通过冲击二极管连接所述开关电路。

在上述实现过程中，冲击二极管为门锁正、负极隔离电阻，也是半导体晶体管放电回路时泄放电荷冲击的二极管，可以保护半导体晶体管的寿命。

进一步地，所述半导体晶体管的型号为IRF530。

进一步地，所述自恢复保险管的型号为RXE110。

第二方面，本申请提供了一种门锁，包括第一方面所述的门锁电路。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的门锁电路的结构组成示意图；

图2为本申请实施例提供的门锁电路的电路示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“中”、“竖直”、“水平”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本申请及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。

并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本申请中的具体含义。

此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“相连”应做广义理解。例如，可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或点连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的联通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

此外，术语“第一”、“第二”等主要是用于区分不同的装置、元件或组成部分(具体的种类和构造可能相同也可能不同)，并非用于表明或暗示所指示装置、元件或组成部分的相对重要性和数量。除非另有说明，“多个”的含义为两个或两个以上。

目前一般的门禁系统只可以同时使用一种锁，即电插锁或者磁力锁，这在某些特殊场合造成了极大的不便。

针对上述现有技术中的问题，本申请提供了一种门锁电路及门锁。

实施例一

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地描述。

本实用新型的实施例提供了一种门锁电路，如图1所示，该电路包括以下：门锁接口1、开关电路2和电源电路3；门锁接口1的电源正极连接电源电路3；门锁接口1的电源负极接地；门锁接口1的门锁正极、门锁负极分别连接开关电路2。

在上述实现过程中，通过改进门锁电路，使得门锁接口1可以连接开关电路2，开关电路2可以连接不同类型的门锁，并通过门锁接口1的电源正极和电源负极为门锁电路提供外部电源，保证门锁系统可以正常使用。

以本实施例为例，结合图2所示，图1中的门锁接口1对应图2的门锁接口X13，电源电路3包括：自恢复保险管F1、第一二极管V1、第二二极管V2、第一电阻R1、第二电阻R2和储能电容C1；门锁接口X13的电源正极通过自恢复保险管F1与第一二极管V1的阳极连接；第一二极管V1的阴极和第二二极管V2的阴极连接；第二二极管V1的阳极通过第一电阻R1和第二电阻R2和电源连接；第一二极管V1的阴极通过储能电容C1接地。

在上述实现过程中，经第一电阻R1、第二电阻R2两限流电阻和储能电容C1，以及第二二极管V2后给到电源，由于第一二极管V1和第二二极管V2的存在，外部电源与内部电源隔开，防止互相干扰冲击，影响驱动的稳定性。第一电阻R1和第二电阻R2跟储能电容C1的存在，可以保障锁在开锁瞬间的大浪涌电流冲击，保障锁的使用寿命。

进一步地，开关电路2包括半导体晶体管V4和控制电路；半导体晶体管V4的D极连接门锁接口X13的门锁负极；半导体晶体管V4的S极接地；半导体晶体管V4的G极连接控制电路。将半导体晶体管V4和控制电路连接在一起，使得电路可以用于大功率领域，并且可以降低功率。

进一步地，控制电路包括：第三电阻R3、第四电阻R4、第一三级管开关和第二三极管开关，半导体晶体管V4的G极通过第三电阻R3连接所述第一三级管开关；第一三级管开关通过第四电阻R4接地；第一三级管开关和第一三级管开关连接。控制电路由第三电阻R3、第四电阻R4和两个三极管开关组成，可以控制不同锁在不同情况时的电流流经过程。

进一步地，第一三极管开关包括：第一三极管V5、第五电阻R5和第六电阻R6，第一三极管V5的集电极通过第三电阻R3与半导体晶体管V4的G极连接；第一三极管V5的集电极通过第四电阻R4接地；第一三极管V5的发射极连接电源；第一三极管V5的基极通过第六电阻R6与第二三极管开关连接；第一三极管V5的基极与第六电阻R6之间通过第五电阻R5连接电源。第一三级开关通过第一三极管V5、第五电阻R5和第六电阻R6控制接不同类型门锁时信号的流经。

进一步地，第二三极管开关包括：第二三极管V6、第七电阻R7和第八电阻R8，第二三极管V6的集电极连接第六电阻R6；第二三极管V6的发射极接地；第二三极管开关的基极通过第八电阻R8连接控制端口；第二三极管开关的基极和第八电阻R8之间通过第七电阻R7接地。第二三级管开关通过第二三极管V6、第七电阻R7和第八电阻R8控制接不同类型门锁时信号的流经。

进一步地，门锁接口X13的门锁正极通过冲击二极管V3连接开关电路。冲击二极管V3为门锁正、负极隔离电阻，也是半导体晶体管V4放电回路时泄放电荷冲击的二极管，可以保护半导体晶体管V4的寿命。

以本实施例为例，如图2所示，X13为门锁接口，其中第1引脚为电源正极，第2引脚为电源负极，两个引脚可以为锁提供外接电源，预防在门禁系统供电电源电力不足的情况下，可以顺利完成锁驱动的闭合。

外部锁电源从门锁接口X13的第1引脚进入，经过自恢复保险管F1，型号为RXE110，再经过第一二极管V1，即大电流的肖特基二极管，可以防止外部接入的电源电流过大或者线接反从而导致门口机内部电路跟着烧坏。经自恢复保险管F1和第一二极管V1后进入网络LOCK_POWER，该网络为锁驱动的总电源正极。同理，12V为门禁系统的供电电源，经第一电阻R1、第二电阻R2两限流电阻和储能电容C1和第二二极管V2即正向大电流肖特基二极管后到网络LOCK_POWER，由于第一二极管V1和第二二极管V2的存在，外部电源与内部电源隔开，防止互相干扰冲击，影响驱动的稳定性。第一电阻R1和第二电阻R2跟储能电容C1的存在，可以保障锁在开锁瞬间的强大的电流冲击，保障锁的使用寿命。

门锁接口X13的第3引脚接门锁正极，电源由外部或者内部提供。门锁接口X13的第4引脚接门锁负极，本实施例中，V4为半导体晶体管(MOS管)，型号为IRF530，其中半导体晶体管V4的D极接门锁负极，S极接地，G极接由第三电阻R3、第四电阻R4、第一三级管V5、第五电阻R5、第六电阻R6、第二三级管V6、第七电阻R7、第八电阻R8组成的控制电路，UNLOCK为控制端口。

当门锁接口X13门锁正极和门锁负极接的是电插锁时，控制端口默认常态为低电平，当门禁系统收到开锁信号，控制端口输出高电平信号，这时第二三级管V6导通，第一三级管V5导通，12V加载到半导体晶体管V4的G极，半导体晶体管V4导通，电插锁开锁。由于电插锁的一些特性，通常控制端口输出的高电平信号要固定在0.5秒到1秒之间。

当门锁接口X13门锁正极和门锁负极接的是磁力锁，需通过系统菜单设置成磁力锁模式，设置成磁力锁的模式后，控制端口常态高电平，第二三级管V6导通，第一三级管V5导通，半导体晶体管V4导通，磁力锁有了电流回路，门锁紧闭，当门锁接口收到开锁信号，控制端口输出低电平，第二三级管V6截止，第一三级管V5截止，半导体晶体管V4截止，磁力锁开锁。

本申请提供了一种可以兼容电插锁和磁力锁的门锁电路，应用于门禁系统上，在电路中，门锁接口X13的第4引脚接门锁负极，其中半导体晶体管V4的D极接门锁负极，S极接地，G极接控制电路，适合电插锁或磁力锁的控制。

实施例二

本实用新型的实施例提供了一种门锁，包括实施例一的门锁电路。

在上述所有实施例中，“大”、“小”是相对而言的，“多”、“少”是相对而言的，“上”、“下”是相对而言的，对此类相对用语的表述方式，本申请实施例不再多加赘述。

应理解，说明书通篇中提到的“在本实施例中”、“本申请实施例中”或“作为一种可选的实施方式”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在本实施例中”、“本申请实施例中”或“作为一种可选的实施方式”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定特征、结构或特性可以以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于可选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (10)

1.一种门锁电路，其特征在于，所述电路包括：

门锁接口、开关电路和电源电路；

所述门锁接口的电源正极连接所述电源电路；

所述门锁接口的电源负极接地；

所述门锁接口的门锁正极、门锁负极分别连接所述开关电路。

2.根据权利要求1所述的门锁电路，其特征在于，所述电源电路包括：自恢复保险管、第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻和储能电容；所述门锁接口的电源正极通过所述自恢复保险管与所述第一二极管的阳极连接；所述第一二极管的阴极和所述第二二极管的阴极连接；所述第二二极管的阳极通过所述第一电阻和第二电阻和电源连接；所述第一二极管的阴极通过储能电容接地。

3.根据权利要求1所述的门锁电路，其特征在于，所述开关电路包括半导体晶体管和控制电路；所述半导体晶体管的D极连接所述门锁接口的门锁负极；所述半导体晶体管的S极接地；所述半导体晶体管的G极连接所述控制电路。

4.根据权利要求3所述的门锁电路，其特征在于，所述控制电路包括：第三电阻、第四电阻、第一三级管开关和第二三极管开关，所述半导体晶体管的G极通过所述第三电阻连接所述第一三级管开关；所述第一三级管开关通过所述第四电阻接地；所述第一三级管开关和所述第一三级管开关连接。

5.根据权利要求4所述的门锁电路，其特征在于，所述第一三极管开关包括：第一三极管、第五电阻和第六电阻，所述第一三极管的集电极通过所述第三电阻与所述半导体晶体管的G极连接；所述第一三极管的集电极通过所述第四电阻接地；所述第一三极管的发射极连接电源；所述第一三极管的基极通过所述第六电阻与所述第二三极管开关连接；所述第一三极管的基极与所述第六电阻之间通过所述第五电阻连接电源。

6.根据权利要求4所述的门锁电路，其特征在于，所述第二三极管开关包括：第二三极管、第七电阻和第八电阻，所述第二三极管的集电极连接所述第六电阻；所述第二三极管的发射极接地；所述第二三极管开关的基极通过所述第八电阻连接控制端口；所述第二三极管开关的基极和所述第八电阻之间通过所述第七电阻接地。

7.根据权利要求1所述的门锁电路，其特征在于，所述门锁接口的门锁正极通过冲击二极管连接所述开关电路。

8.根据权利要求1至6任意一项所述的门锁电路，其特征在于，所述半导体晶体管的型号为IRF530。

9.根据权利要求1至6任意一项所述的门锁电路，其特征在于，所述自恢复保险管的型号为RXE110。

10.一种门锁，其特征在于，包括根据权利要求1至7任意一项所述的门锁电路。

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