CN215816816U - 一种高功率755nm纳秒激光器 - Google Patents
一种高功率755nm纳秒激光器 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及高功率755nm纳秒激光器技术领域，尤其涉及一种高功率755nm纳秒激光器，包括泵浦光源、准直透镜、聚焦透镜、高反镜、Nd：YVO4晶体、声光调Q开关、平凹镜a、平凹镜b、LBO倍频晶体、平凹镜c、平凹镜d、翠绿宝石晶体与平凹镜e。本实用新型通过808nm泵浦源泵浦Nd：YVO4实现纳秒级1064nm输出，将倍频晶体LBO和翠绿宝石晶体置于腔内两腰斑处，通过设计腔长参数，使得谐振腔内LBO位置处振荡光束的瑞利长度等于LBO晶体长度，巧妙设计腔结构，以内腔倍频LBO实现高效率倍频转化得到高效率532nm输出，同时使得谐振腔内翠绿宝石晶体位置处振荡光束瑞利长度等于翠绿宝石晶体长度，进而实现532nm激光泵浦翠绿宝石晶体实现高效率755nm激光输出。
Description
技术领域
本实用新型涉及高功率755nm纳秒激光器技术领域，尤其涉及一种高功率755nm纳秒激光器。
背景技术
现有技术中，端泵固态紫外和绿光激光器一般用808纳米泵浦Nd：YVO4晶体产生1064纳米的基频光。由于这Nd：YVO4晶体对808纳米的吸收很强，并且基态粒子被泵浦到比激发态更高的能级上，紧接着通过无辐射跃迁的方式跃迁至激光上能级而发射1064纳米激光。这个无辐射跃迁产生的热使得晶体内部温度比晶体边上高而形成自聚焦，阻碍了功率的上升。并且使得激光器稳定区间变窄，同时光斑质量随功率的上升而变差。进而导致使得谐振腔内LBO位置处振荡光束的瑞利长度不能与LBO晶体长度相符合，无法有效实现高效率倍频转化得到高效率532nm输出，同时无法使得谐振腔内翠绿宝石晶体位置处振荡光束瑞利长度与翠绿宝石晶体长度符合，无法有效实现高效率755nm激光输出。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种高功率755nm纳秒激光器，解决了现有技术中无法有效实现高效率755nm激光输出的问题。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
一种高功率755nm纳秒激光器，包括泵浦光源、准直透镜、聚焦透镜、高反镜、Nd：YVO4晶体、声光调Q开关、平凹镜a、平凹镜b、LBO倍频晶体、平凹镜c、平凹镜d、翠绿宝石晶体与平凹镜e，其中，所述泵浦光源、所述准直透镜、所述聚焦透镜、所述高反镜、所述Nd：YVO4晶体、所述声光调Q开关与所述平凹镜a在同一直线上依次设置，所述平凹镜b位于平凹镜a的反射方向，所述平凹镜c位于平凹镜b的反射方向，所述LBO倍频晶体位于平凹镜b与平凹镜c之间光束的腰斑处，所述平凹镜e位于平凹镜d的反射方向，所述翠绿宝石晶体位于平凹镜d与平凹镜e之间光束的腰斑处。
进一步的，所述平凹镜b与平凹镜c之间的光线穿过LBO倍频晶体。
进一步的，所述平凹镜d与平凹镜e之间的光线穿过翠绿宝石晶体。
进一步的，所述高反镜镀膜：HR@1064nm&532nm&755nm。
进一步的，所述Nd：YVO4晶体为掺钕钒酸钇激光晶体。
进一步的，所述平凹镜a与平凹镜d镀膜：HR@1064nm&532nm&755nm，曲率：R＝200mm，入射角度：8°
进一步的，所述平凹镜b与平凹镜c镀膜：HR@1064nm&532nm&755nm,曲率：R＝100mm，入射角度：8°。
进一步的，所述平凹镜e镀膜：HR@1064nm&532nm，AR@755nm，曲率：R＝200mm，入射角度：8°。
本实用新型至少具备以下有益效果：
本谐振腔采用多镜折叠腔设计，将倍频晶体LBO和翠绿宝石晶体置于腔内两腰斑处，通过设计腔长参数，使得谐振腔内LBO位置处振荡光束的瑞利长度等于LBO晶体长度，实现高效率倍频转化得到高效率532nm输出，同时使得谐振腔内翠绿宝石晶体位置处振荡光束瑞利长度等于翠绿宝石晶体长度，以达到模式匹配进而实现高效率755nm激光输出。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型提出的一种高功率755nm纳秒激光器的系统图。
图中：1、泵浦光源；2、准直透镜；3、聚焦透镜；4、高反镜；5、Nd：YVO4晶体；6、声光调Q开关；7、平凹镜a；8、平凹镜b；9、LBO倍频晶体；10、平凹镜c；11、平凹镜d；12、翠绿宝石晶体；13、平凹镜e。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
参照图1，一种高功率755nm纳秒激光器，包括泵浦光源1、准直透镜2、聚焦透镜3、高反镜4、Nd：YVO4晶体5、声光调Q开关6、平凹镜a7、平凹镜b8、LBO倍频晶体9、平凹镜c10、平凹镜d11、翠绿宝石晶体12与平凹镜e13，其中，泵浦光源1、准直透镜2、聚焦透镜3、高反镜4、Nd：YVO4晶体5、声光调Q开关6与平凹镜a7在同一直线上依次设置，泵浦光源1为808nm，准直透镜2用来准直泵浦光，聚焦透镜3用来聚焦准直后的泵浦光，高反镜4镀膜：HR@1064nm&532nm&755nm，Nd：YVO4晶体5为掺钕钒酸钇激光晶体，声光调Q开关6是通过电声转换形成超声波使调制介质折射率发生周期性变化,对入射光起衍射栅作用,使之发生衍射损耗,Q值下降,激光振荡不能形成。在光泵激励下其上能级反转粒子数不断积累并达到饱和值,这时突然撤除超声场,衍射效应立即消失,值猛增,激光振荡迅速恢复,其能量以巨脉冲形式输出，平凹镜b8位于平凹镜a7的反射方向，平凹镜c10位于平凹镜b8的反射方向，LBO倍频晶体9位于平凹镜b8与平凹镜c10之间光束的腰斑处，平凹镜b8与平凹镜c10之间的光线穿过LBO倍频晶体9，平凹镜e13位于平凹镜d11的反射方向，翠绿宝石晶体12位于平凹镜d11与平凹镜e13之间光束的腰斑处，平凹镜d11与平凹镜e13之间的光线穿过翠绿宝石晶体12。
参照图1，一种高功率755nm纳秒激光器，泵浦光源1将的束光射向准直透镜2再经聚焦透镜3到达高反镜4，然后再穿过Nd：YVO4晶体5，同时通过声光调Q开关6被调整后射向平凹镜a7，再经平凹镜a7反射至平凹镜b8，平凹镜b8将光束反射经LBO倍频晶体9后到达平凹镜c10，再通过平凹镜c10将光束射向平凹镜d11，平凹镜d11再将光束经翠绿宝石晶体12射向通过平凹镜e13射出使用。
参照图1，一种高功率755nm纳秒激光器，平凹镜a7与平凹镜d11镀膜：HR@1064nm&532nm&755nm，曲率：R＝200mm，入射角度：8°，平凹镜b8与平凹镜c10镀膜：HR@1064nm&532nm&755nm,曲率：R＝100mm，入射角度：8°，平凹镜e13镀膜：HR@1064nm&532nm，AR@755nm，曲率：R＝200mm，入射角度：8°。
参照图1，并结合上述，一种高功率755nm纳秒激光器，基于声光调Q，808nm泵浦光源1泵浦Nd：YVO4晶体5实现纳秒级1064nm输出，巧妙设计腔结构，LBO倍频晶体9实现532nm输出，进一步的532nm激光泵浦翠绿宝石晶体12实现755nm输出。同时采用多镜折叠腔，将LBO倍频晶体9和翠绿宝石晶体12置于腔内两腰斑处，通过设计腔长参数，使得谐振腔内LBO位置处振荡光束的瑞利长度等于LBO倍频晶体9长度，实现高效率倍频转化得到高效率532nm输出，同时使得谐振腔内翠绿宝石晶体12位置处振荡光束瑞利长度等于翠绿宝石晶体12长度，以达到模式匹配实现高效率755nm激光输出。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (8)
1.一种高功率755nm纳秒激光器，其特征在于，包括泵浦光源(1)、准直透镜(2)、聚焦透镜(3)、高反镜(4)、Nd：YVO4晶体(5)、声光调Q开关(6)、平凹镜a(7)、平凹镜b(8)、LBO倍频晶体(9)、平凹镜c(10)、平凹镜d(11)、翠绿宝石晶体(12)与平凹镜e(13)，其中，所述泵浦光源(1)、所述准直透镜(2)、所述聚焦透镜(3)、所述高反镜(4)、所述Nd：YVO4晶体(5)、所述声光调Q开关(6)与所述平凹镜a(7)在同一直线上依次设置，所述平凹镜b(8)位于平凹镜a(7)的反射方向，所述平凹镜c(10)位于平凹镜b(8)的反射方向，所述LBO倍频晶体(9)位于平凹镜b(8)与平凹镜c(10)之间光束的腰斑处，所述平凹镜e(13)位于平凹镜d(11)的反射方向，所述翠绿宝石晶体(12)位于平凹镜d(11)与平凹镜e(13)之间光束的腰斑处。
2.根据权利要求1所述的一种高功率755nm纳秒激光器，其特征在于，所述平凹镜b(8)与平凹镜c(10)之间的光线穿过LBO倍频晶体(9)。
3.根据权利要求1所述的一种高功率755nm纳秒激光器，其特征在于，所述平凹镜d(11)与平凹镜e(13)之间的光线穿过翠绿宝石晶体(12)。
4.根据权利要求1所述的一种高功率755nm纳秒激光器，其特征在于，所述高反镜(4)镀膜：HR@1064nm&532nm&755nm。
5.根据权利要求1所述的一种高功率755nm纳秒激光器，其特征在于，所述Nd：YVO4晶体(5)为掺钕钒酸钇激光晶体。
6.根据权利要求1所述的一种高功率755nm纳秒激光器，其特征在于，所述平凹镜a(7)与平凹镜d(11)镀膜：HR@1064nm&532nm&755nm，曲率：R＝200mm，入射角度：8°。
7.根据权利要求1所述的一种高功率755nm纳秒激光器，其特征在于，所述平凹镜b(8)与平凹镜c(10)镀膜：HR@1064nm&532nm&755nm，曲率：R＝100mm，入射角度：8°。
8.根据权利要求1所述的一种高功率755nm纳秒激光器，其特征在于，所述平凹镜e(13)镀膜：HR@1064nm&532nm，AR@755nm，曲率：R＝200mm，入射角度：8°。
Priority Applications (1)
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Publications (1)
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| CN215816816U true CN215816816U (zh) | 2022-02-11 |
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ID=80163621
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202122255694.1U Active CN215816816U (zh) | 2021-09-17 | 2021-09-17 | 一种高功率755nm纳秒激光器 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN215816816U (zh) |
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2021
- 2021-09-17 CN CN202122255694.1U patent/CN215816816U/zh active Active
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