CN215816327U - 改善远端抑制的介质滤波器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种改善远端抑制的介质滤波器，包括表面镀有金属层的介质本体，介质本体设有多个相互连接的介质谐振器，每个介质谐振器包括开设于介质本体顶面的调谐盲孔，介质本体的底面设有输入耦合盲孔和输出耦合盲孔，介质本体上设有至少两组隔离通孔，隔离通孔用于分隔各个介质谐振器同时形成相邻两个介质谐振器之间的感性耦合窗口，每组隔离通孔包括至少两个相互垂直设置的隔离段，介质本体的底面设有位于相接的两个介质谐振器之间的负耦合槽，负耦槽沿其长度方向连通相邻的两个隔离通孔，且负耦合槽的宽度与隔离段的宽度相等。本实用新型能够提升介质滤波器的远端抑制，减少外接低通滤波器的使用引入的插入损耗，制备工艺简单。

Description

改善远端抑制的介质滤波器

技术领域

本实用新型涉及介质滤波器领域，尤其涉及一种改善远端抑制的介质滤波器。

背景技术

介质波导滤波器是5G通信领域重要的射频器件，随着5G逐步规模部署商用，有限的铁塔和天面资源，对5G基站的重量和尺寸要求越来越严格，传统的金属腔体滤波器方案已无法满足5G通信对设备小型化的要求，微波介质陶瓷材料的使用，可有效减小滤波器体积，介质波导滤波器因其体积小、插损小、承受功率大、成本低等优势将成为5G滤波器的主流方案。

目前单层介质波导方案远端抑制要求较高时，需要外加低通滤波器来抑制远端抑制，带来产品尺寸和插入损耗都增加的缺点，因此有必要提出一种新的改善远端抑制的介质滤波器。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种改善远端抑制的介质滤波器，旨在用于解决现有的介质波导滤波器需要外加低通滤波器来抑制远端抑制，带来产品尺寸和插入损耗都增加的问题。

本实用新型是这样实现的：

本实用新型提供一种改善远端抑制的介质滤波器，包括表面镀有金属层的介质本体，所述介质本体设有多个相互连接的介质谐振器，每个所述介质谐振器包括开设于所述介质本体顶面的调谐盲孔，所述介质本体的底面设有输入耦合盲孔和输出耦合盲孔，所述介质本体上设有至少两组隔离通孔，所述隔离通孔用于分隔各个介质谐振器同时形成相邻两个介质谐振器之间的感性耦合窗口，每组所述隔离通孔包括至少两个相互垂直设置的隔离段，所述介质本体的底面设有位于相接的两个介质谐振器之间的负耦合槽，所述负耦槽沿其长度方向连通相邻的两个隔离通孔，且所述负耦合槽的宽度与所述隔离段的宽度相等。

进一步地，所述负耦合槽的两端分别连接两个沿不同方向设置的隔离段。

进一步地，所述负耦合槽的深度小于最深的所述调谐盲孔深度的1.5倍。

进一步地，所述介质本体的表面以及各调谐盲孔的内表面均镀有第一金属导电层，所述负耦合槽的内表面镀有第二金属导电层，所述负耦合槽的槽口端面处设置有用于绝缘第一金属导电层和和第二金属导电层的绝缘层。

进一步地，所述调谐盲孔的内表面部分镀有所述第一金属导电层。

进一步地，所述负耦合槽的内表面部分镀有所述第二金属导电层。

进一步地，所述负耦合槽内设有至少一层台阶部。

进一步地，所述负耦合槽的一侧设有下沉槽，所述下沉槽的深度小于所述负耦合槽的深度。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供的这种改善远端抑制的介质滤波器，在现有的感性耦合窗口的基础上，通过在介质本体的底面设置位于相接的两个介质谐振器之间的负耦合槽，形成两个介质谐振器之间的容性耦合，能够将介质滤波器的远端抑制提升5dB～8dB，减少外接低通滤波器的使用引入的插入损耗，制备工艺简单，便于大批量生产；负耦槽沿其长度方向连通相邻的两个隔离通孔，且负耦合槽的宽度与隔离段的宽度相等，能够进一步提升远端抑制的性能，且制作方便。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种改善远端抑制的介质滤波器的顶面示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种改善远端抑制的介质滤波器沿中间的横向剖面示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种改善远端抑制的介质滤波器的底面示意图；

图4为本实用新型实施例提供的一种改善远端抑制的介质滤波器的部分结构的立体图；

图5为常规的感性耦合窗口滤波器的远端抑制曲线；

图6为本实用新型实施例提供的一种改善远端抑制的介质滤波器的远端抑制曲线。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1至图4所示，本实用新型实施例提供一种改善远端抑制的介质滤波器，包括表面镀有金属层的介质本体101，所述介质本体101上设有八个相互连接的介质谐振器，分别为第一介质谐振器201、第二介质谐振器202、第三介质谐振器203、第四介质谐振器204、第五介质谐振器205、第六介质谐振器206、第七介质谐振器207和第八介质谐振器208，每个所述介质谐振器包括开设于所述介质本体101顶面的调谐盲孔，包括第一调谐盲孔301、第二调谐盲孔302、第三调谐盲孔303、第四调谐盲孔304、第五调谐盲孔305、第六调谐盲孔306、第七调谐盲孔307和第八调谐盲孔308，各个调谐盲孔的深度可以相同也可以不相同，所述调谐盲孔与其周围的介质材料构成所述介质谐振器，所述调谐盲孔用于调试其所在的介质谐振器的谐振频率；所述介质本体101的底面设有输入耦合盲孔801和输出耦合盲孔802，用于输入信号和输出信号的耦合。所述介质本体101上设有两组隔离通孔，分别为第一隔离通孔501和第二隔离通孔601，所述隔离通孔用于分隔各个介质谐振器，每组所述隔离通孔包括至少两个相互垂直设置的隔离段，本实施例中第一隔离通孔501包括横向设置和竖向设置的两个相垂直的隔离段，第二隔离通孔601包括一个横向设置和两个竖向设置的共三个相垂直的隔离段，所述隔离段延伸至与其相应的相邻两个介质谐振器之间，形成对应相邻两个介质谐振器之间的感性耦合窗口。本实施例中，第二介质谐振器202与第三介质谐振器203之间的感性耦合窗口通过设置于二者中间的耦合盲孔401形成，其他相邻介质谐振器之间的感性耦合窗口通过上述隔离通孔形成。所述介质本体101的底面设有位于相接的第一介质谐振器201和第四介质谐振器401之间的负耦合槽701，即所述负耦合槽701与所述调谐盲孔设于所述介质本体101相对的两个面上，所述负耦合槽701可使其所处位置相接的两个介质谐振器实现容性耦合。所述负耦合槽701沿其长度方向连通相邻的两个隔离通孔，即第一隔离通孔501和第二隔离通孔601，且所述负耦合槽701的宽度与所述隔离段的宽度相等，能够进一步提升远端抑制的性能，且制作方便。

优选地，所述负耦合槽701的两端分别连接两个沿不同方向设置的隔离段。本实施例中，所述负耦合槽701的一端连接第一隔离通孔501的横向隔离段，另一端连接第二隔离通孔601的竖向隔离段，其中一个隔离段的延伸方向与负耦合槽701的延伸方向相同，另外一个隔离段的延伸方向与负耦合槽701的延伸方向垂直，此时效果更佳。

进一步地，所述负耦合槽701的深度小于最深的所述调谐盲孔深度的1.5倍，本发明的所述负耦合槽701无需较大的深度便可实现两个所述介质谐振器的容性耦合，从而可缩小所述介质滤波器的体积，实现小型化。

进一步地，所述介质本体101的表面以及各调谐盲孔的内表面均镀有第一金属导电层，所述负耦合槽701的内表面镀有第二金属导电层，所述负耦合槽的槽口端面处设置有用于绝缘第一金属导电层和和第二金属导电层的绝缘层，通过该绝缘层使得第一金属导电层与第二金属导电层断开形成两个独立部分。优选地，所述调谐盲孔的内表面部分镀有所述第一金属导电层，本领域技术人员可通过去除所述调谐盲孔内的部分第一金属导电层来调节该调谐盲孔所述介质谐振器的谐振频率。进一步优选地，所述负耦合槽701的内表面部分镀有所述第二金属导电层，该负耦合槽701的第二金属导电层可根据介质滤波器所需耦合量来去除部分金属化，其中，可以去除该负耦合槽701的底部或侧壁的第二金属导电层，负耦合槽701的深度及宽度由滤波器所需的容性耦合量来决定，通过此形式形成容性耦合结构，从而在通带低端和高端各产生两个传输零点。

在一个优选实施例中，所述负耦合槽701内设有至少一层台阶部，可以改变负耦合槽701的等效深度，从而降低负耦合槽701的深度，降低工艺难度及产品体积。

在一个优选实施例中，所述负耦合槽701的一侧设有下沉槽，所述下沉槽的深度小于所述负耦合槽701的深度，可以通过所述下沉槽调节容性耦合，从而进一步改善远端抑制性能。

如图5和图6所示，分别为常规的感性耦合窗口滤波器的远端抑制曲线以及本实施例改善远端抑制的介质滤波器的远端抑制曲线，由图可知，本实施例的改善远端抑制的介质滤波器改善了滤波器的远端抑制，通过实验证明，本发明能够将介质滤波器的远端抑制提升5dB～8dB，取得了良好的效果。

综上所述，本实用新型提供的这种改善远端抑制的介质滤波器，在现有的感性耦合窗口的基础上，通过在介质本体101的底面设置位于相接的两个介质谐振器之间的负耦合槽701，形成两个介质谐振器之间的负耦合，能够将介质滤波器的远端抑制提升5dB～8dB，减少外接低通滤波器的使用引入的插入损耗，制备工艺简单，便于大批量生产；负耦槽701沿其长度方向连通相邻的两个隔离通孔，且负耦合槽701的宽度与隔离段的宽度相等，能够进一步提升远端抑制的性能，且制作方便。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种改善远端抑制的介质滤波器，包括表面镀有金属层的介质本体，所述介质本体设有多个相互连接的介质谐振器，每个所述介质谐振器包括开设于所述介质本体顶面的调谐盲孔，所述介质本体的底面设有输入耦合盲孔和输出耦合盲孔，其特征在于：所述介质本体上设有至少两组隔离通孔，所述隔离通孔用于分隔各个介质谐振器同时形成相邻两个介质谐振器之间的感性耦合窗口，每组所述隔离通孔包括至少两个相互垂直设置的隔离段，所述介质本体的底面设有位于相接的两个介质谐振器之间的负耦合槽，所述负耦合槽沿其长度方向连通相邻的两个隔离通孔，且所述负耦合槽的宽度与所述隔离段的宽度相等。

2.如权利要求1所述的改善远端抑制的介质滤波器，其特征在于：所述负耦合槽的两端分别连接两个沿不同方向设置的隔离段。

3.如权利要求1所述的改善远端抑制的介质滤波器，其特征在于：所述负耦合槽的深度小于最深的所述调谐盲孔深度的1.5倍。

4.如权利要求1所述的改善远端抑制的介质滤波器，其特征在于：所述介质本体的表面以及各调谐盲孔的内表面均镀有第一金属导电层，所述负耦合槽的内表面镀有第二金属导电层，所述负耦合槽的槽口端面处设置有用于绝缘第一金属导电层和第二金属导电层的绝缘层。

5.如权利要求4所述的改善远端抑制的介质滤波器，其特征在于：所述调谐盲孔的内表面部分镀有所述第一金属导电层。

6.如权利要求4所述的改善远端抑制的介质滤波器，其特征在于：所述负耦合槽的内表面部分镀有所述第二金属导电层。

7.如权利要求1所述的改善远端抑制的介质滤波器，其特征在于：所述负耦合槽内设有至少一层台阶部。

8.如权利要求1所述的改善远端抑制的介质滤波器，其特征在于：所述负耦合槽的一侧设有下沉槽，所述下沉槽的深度小于所述负耦合槽的深度。

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