CN215581104U - 光电转换电路模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开的属于光电转换技术领域,具体为光电转换电路模块,包括两个光敏二极管阵列,两个所述光敏二极管阵列之间的纵向距离为4mm,两个所述光敏二极管阵列输出端连接有前端信号处理模块,所述前端信号处理模块的输出端连接有自然光过滤模块,所述自然光过滤模块的输出端连接有FPGA数据采集模块,所述FPGA数据采集模块的输出端连接有光模块,所述光模块的输入端与FPGA数据采集模块相连,所述光模块的输出端连接有ARM,所述ARM与自然光过滤模块之间通过可编程放大电路连接,所述ARM的输出端与光模块相连,所述ARM的输入端连接有北斗授时芯片,所述ARM的输出端连接有稳压电路模块,所述稳压电路模块的输出端连接有激光模组。
Description
技术领域
本实用新型涉及光电转换技术领域,具体为光电转换电路模块。
背景技术
光电转换是基于光电效应发展而来的。光电效应,即在光的照射下,某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流,即光生电。为此设计一款光电转换模块。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供光电转换电路模块,以解决上述背景技术中提出的光电转换是基于光电效应发展而来的。光电效应,即在光的照射下,某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流,即光生电。为此设计一款光电转换模块的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:光电转换电路模块,包括两个光敏二极管阵列,两个所述光敏二极管阵列之间的纵向距离为4mm,两个所述光敏二极管阵列输出端连接有前端信号处理模块,所述前端信号处理模块的输出端连接有自然光过滤模块,所述自然光过滤模块的输出端连接有FPGA数据采集模块,所述FPGA数据采集模块的输出端连接有光模块,所述光模块的输入端与FPGA数据采集模块相连,所述光模块的输出端连接有ARM,所述ARM与自然光过滤模块之间通过可编程放大电路连接,所述ARM的输出端与光模块相连,所述ARM的输入端连接有北斗授时芯片,所述ARM的输出端连接有稳压电路模块,所述稳压电路模块的输出端连接有激光模组。
优选的,所述光敏二极管阵列中的贴片精度误差为0.1mm。
优选的,所述FPGA数据采集模块的采样速率为303MSPS,所述FPGA数据采集模块的最高测速值为3250m/s。
优选的,所述光模块数据传输速率为10.3125Gbit/s。
优选的,所述自然光过滤模块的抗自然光干扰照度≥100000Lux。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1)本实用新型通过两个光敏二极管阵列、前端信号处理模块、自然光过滤模块、FPGA数据采集模块、光模块、ARM、北斗授时芯片、稳压电路模块和激光模组组成光电转换模块,首先ARM获取北斗授时芯片的时钟给FPGA数据采集模块赋值,接着驱动稳压电路模块,对激光模组发出的光源予以可调制输出,使激光模组经过调制的光源均匀的照射在光敏二极管阵列上进行采集,接着通过通过前端信号处理模块将收集的信号输送给自然光过滤模块,自然光过滤模块通过与ARM之间的可编程放大电路可以有效的过滤掉其他光源的干扰,从而将异常信号交予交予FPGA数据采集模块,并将其存入FIFO存储区。
2)首先光电二极管阵列具有能够接收来自激光模组光源的功能,通过光电二极管的阵列布局,使其具备确定捕捉小目标的尺寸功能;FPGA数据采集模块具备高速小目标采集功能,同时具备高速数据传输与存储功能;自然光过滤模块具备抗自然光干扰的功能。
附图说明
图1为本实用新型模块连接示意图;
图2为图1的工作流程图;
图3为PIN光敏二极管外观尺寸图;
图4为光敏二极管的光谱感光度函数与暗电流函数;
图5为前端放大电路原理图;
图6为具有消除误差的PIN管阵列的前端放大电路;
图7为主放大电路;
图8为图7的电路增益公式;
图9为可编程放大电路的等效电路图;
图10为图9的减法电路的输入输出公式;
图11为图10的简化公式;
图12为图9的增益公式;
图13为图9中串行输入数字电位器B的数据;
图14为太网协议与OSI参考模型的关系;
图15为XGMII和XAUI的接口对比表;
图16为万兆以太网的高速传输系统框图;
图17为数据发送引擎框图;
图18为接收数据状态机;
图19为北斗定时触发信号图。
图中:1光敏二极管阵列、2前端信号处理模块、3自然光过滤模块、4FPGA数据采集模块、5光模块、6ARM、7北斗授时芯片、8稳压电路模块、9激光模组。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
实施例:
请参阅图1-19,本实用新型提供一种技术方案:光电转换电路模块,包括两个光敏二极管阵列1,光敏二极管阵列1贴设在PCB板上,PCB板长度长为512mm,两个所述光敏二极管阵列1之间的纵向距离为4mm,由于光敏二极管间距为4mm呈编码式布局,因此,小目标只要大于4mm均能被系统检测,且精度分辨率为4mm,且最大精度误差为4mm。本方案采用PIN光敏二极管。PIN光敏二极管是一种用高阻N型单晶材料制成的低结电容耗尽型光电二极管,相比于普通的PN结二极管,它在P+层和N+层之间加入一薄层低掺杂的本征半导体层,组成P-I-N结构,如图3所示。PIN光敏二极管作为探测元件,相对光谱感光度函数如图4,可以看出,它对于波长为650nm的激光具有较好的感光性能,信号的响应时间在ns级。暗电流函数如图4,在反向偏置电压VR=20V时,暗电流大小仅为1nA。本征半导体层近似于介质,相当于增大了PN结两电极之间的距离,使结电容变得很小。在反向偏压状态下,I层中的光生载流子在强电场下加速运动,可很快被反向电场扫出,变成耗尽状态,成为耗尽区,所以载流子渡越时间非常短,大大提高了频率响应(可达10GHz),适用于快速探测场合。前后光幕光敏二极管设计间距为100mm。PIN型光敏二极管的外形尺寸为3.2mm*2.7mm,感光敏感区尺寸为1.5mm×1.5mm,接收视场角80°,具有很高的响应速度和可靠性。用它做成阵列作为激光光幕模块的探测器件,可以对弱信号进行很好的测量,能降低前端探测单元的信噪比,提高系统的整体性能。两个所述光敏二极管阵列1输出端连接有前端信号处理模块2,光电系统中,光电检测器件所接收的光信号十分微弱,光电检测器件输出的信号如果不进行处理,往往就被淹没在噪声之中,所以需在光电器件的输出端连接一个低噪声前置放大器,放大光电检测器件所输出的微弱信号和匹配后置处理电路与检测器件之间的阻抗。
前置放大器的要求是:低噪声、高增益、低输出阻抗、足够的信号带宽和负载能力,以及良好的线性和抗干扰能力。在结构上要求紧凑、靠近检测器件,良好的屏蔽和接地。
目前,低噪声集成放大器有双极型低噪声放大器和FET输入型低噪声放大器2种。相比而言,FET输入型放大器具有非常低的噪声电流密度和相对较高的电压噪声密度。选用双极型低噪声放大器还是FET输入型低噪声放大器,主要取决于探测器的输出电容。对于PIN光敏二极管,输出电容在十几pF量级,所以应选用FET输入型运算放大器,如OPA657、AD823等,为了获得好的信噪比,除了提供稳定的偏压和减小暗电流的影响,还要合理地设计前置放大电路。前置放大电路的作用是对传感器输出的弱电信号进行放大,把光电流转换成带有适当输出阻抗的电压,并限制噪声信号。在反向偏置状态下的PIN光电二极管,表现为源阻抗很大、结电容和串联电阻很小的电流源,互阻放大器是在光电检测前置放大中常用的一种结构,通过它可将光电二极管的电流信号变为电压输出,如图5所示。在实际电路中,外界环境的变化(诸如火光、温度、震动等因素)对光电探测器也有一定的影响,需要通过一些算法解决。选取与探测阵列里元件标称参数相同的PIN光敏二极管组成阵列,作为消除干扰、误差的方法。给它相同的偏置电压,接入放大器的同相端,在运放共模抑制的作用下,可以补偿大部分外界环境变化给探测元件带来的影响。同时,消除误差的PIN管阵列和探测的PIN管阵列具有相同的暗电流,在一定程度上也可以抑制由于偏压而带来的暗电流对信号的影响。相应的电路如图6所示。在最终电路中,为了减小寄生电容,反馈电阻使用薄膜电阻,反馈电容选用可调的陶瓷电容以调整至最佳的带宽和脉冲响应。前置放大器的主要作用是将电流信号转换为电压信号,放大倍率不宜太高,否则会引入过多的噪声,所以整体的放大能力有限,需要后级放大电路对前置放大输出的电压信号再次进行放大滤波处理,使其达到期望的幅值。仪表放大器电路是一种精密差分电压放大器,它源于运算放大器,且优于运算放大器。其独特的结构使它具有高共模抑制比、高输入阻抗、低噪声、低线性误差、低失调漂移增益设置灵活和使用方便等特点,使其在数据采集、传感器信号放大、高速信号调节等方面得到广泛的应用。仪表放大器电路的典型结构如图7所示,它主要由2个缓冲放大器和1个基本的差分放大器构成。其中,运放A、B为缓冲放大器,提供了全差分增益、单位共模增益和高阻输入。差分放大输出提供共模增益为零的差分增益,使得共模抑制比得到提高。在R1=R2、R3=R4、R5=Rf的条件下,如图8所示电路增益的调节可以通过改变Rg阻值实现。方案选用3个精密运放OP07,组成仪表放大电路,信号可以得到较好的放大,且噪声也得到较好的抑制,所述前端信号处理模块2的输出端连接有自然光过滤模块3,测试高速小目标多在室外进行,光电二极管阵列模块难免会受到环境光的影响,对于上述电子元器件的细致筛选以及模拟电子电路处理均无法克服环境光对对其的干扰,利用恒流驱动芯片和数字电位器对硬件电路进行改进,进而提高了光敏二极管的接收精度。同时还给出了通用低复杂度的有效算法进行单点或多点坐标的定位识别。结合以上工作,设计出的光敏二极管陈列模块具有良好的抗光干扰性能,分辨率高,响应速度快,可以在恶劣环境下稳定工作。太阳光中为全光谱光,在有太阳光的环境使用光敏二极管会受到极大干扰,在光照变化较大时会引起误动作。现有的技术中采用两种方式:一种是电气防光;另一种是物理防光。常用的方案有:1、在光敏二极管上加装滤光或进行环氧封装以滤除部分光干扰;2、采用脉冲方式,使激光模块发射固定频率信号,光敏二极管只对相同频率信号进行采集。第一种方案只能滤除部分的杂光干扰,当阳光直射时,光敏二极管仍会饱和,设备就无法在这种情况下继续使用。而第二种方案抗干扰效果虽然较好,但其硬件电路较为复杂。本方案采用动态调整激光模块的发射功率以及采用动态放大电路相结合的控制思想,通过调整环境光照射电压值以及接收信号强度调节增益巧妙的避开自然光对系统的干扰。所述自然光过滤模块3的输出端连接有FPGA数据采集模块4,高速数据采集是高速小目标系统的核心,方案采用采用了Xilinx公司生产的ARTIX7系列的XC7A35T型FPGA芯片。本系统中XC7A35T采用了3.3V电源供电,时钟频率为303MHz,其系统门数为33280万个,slice数目为5200个,分布式RAM容量为400KB,专用乘法器数为90个,DCM数目为5个,最大可用I/O数为250个,完全能满足系统的需要。系统前端电路中单个光敏二极管设计1MHz处理速度,即处理周期为1us,根据奈奎斯特(Nyquist)采样定理,采样周期t=处理周期*2=1*2=2us。光敏二极管有效接收光束的尺寸为1.5mm*1.5mm,被测小目标的最小尺寸为由上述参数可求得小目标最大飞行速度V:V=(5mm+1.5mm)/2us=3250M/S,因此,小目标只要在3250M/S以下的飞行速度,均能被系统有效的进行捕捉,综上,满足系统最高3000M/S的飞行速度的设计方案。为保证多个PCB之间的数据的高速通讯,本方案设计了基于FPGA的万兆光纤以太网高速传输方案。本方案以IEEEStandard802.3-2008和802.3ae-2008规范为基础,设计一种基于FPGA的万兆光纤以太网高速传输设计方案,并构建了传输系统实现性能测试。雷达设备通过FPGA的高速接口实现万兆以太网协议的MAC层与物理层功能,并以光纤形式输出万兆以太网接口,将数据直接通过万兆以太网卡完成各个PCB之间数据通讯。万兆以太网标准802.3ae于2002年开始制定,通过不同的编码方式提供12Gbps的传输速度,同时根据物理媒介层的不同提供最远达40km的传输距离。
图14表明了以太网协议与OSI参考模型的关系。其中,灰色为MAC(Media AccessControl)处理部分,主要完成帧定界、同步、寻址、错误检测、冲突处理等任务。PCS(Physical Coding Sublayer)、PMA(Physical Meida Attachment)和PMD(Physical MeidaDependent)一起构成了物理层PHY,完成数据的编解码、串化和解串、信号的放大、调制和整形。协议规定万兆以太网仅采用全双工模式,故MAC层不再使用CSMA/CD(载波侦听多路访问/碰撞检测)协议。但是,为了向下兼容性,万兆以太网其余仍然采用了与千兆相同的帧格式。
由于万兆网有效传输速率达10Gbps,千兆网协议中的MAC层与物理层间的接口GMII、SGMII等媒体无关接口已不适用。为此,802.3ae定义了两种全新的接口以应对这一情况,即XGMII和XAUI,如图15,所述FPGA数据采集模块4的输出端连接有光模块5,从图15可以看出,XAUI总线宽度小,传输距离长,适用于高速背板的电气连接或采用光模块进行系统间的互联;而XGMII接口实现较为简单,适用于内部、芯片间的连接。考虑到本设计中将PCS/PMA层集成在了FPGA内部,因此设计采用XGMII接口。万兆以太网的高速传输系统框图如图16所示。本设计采用Xilinx公司Virtex7系列的XC7VX485T器件,采用28nm工艺,其中速度等级可提供最大10.3125Gbps串行收发器,能在不使用外部器件的情况下实现万兆网物理层部分功能。
本系统主要由外部接口单元、DDR3 SDRAM数据缓存单元以及万兆以太网单元等3部分构成。外部接口单元用于接收外部多路光纤数据或者FMC扩展子卡数据。DDR3 SDRAM数据缓存单元用于实现前端数据的高速缓存。万兆以太网单元设计为数据通路和控制管理两个部分。数据通路是整个数据的收发通道,其结构依照万兆以太网协议设计,主要包括数据发送引擎、数据接收引擎和PCS/PMA模块。控制管理则完成各个模块的配置、状态写入和读取、时钟管理、同步等功能。考虑到XGMII接口工作在156.25MHz的频率下,时钟管理模块MMCM以GTX的用户时钟为输入,将数据通路部分统一到156.25MHz的时钟域下。寄存器控制采用的是MDIO接口,负责对各模块内部的寄存器读写,以实现万兆以太网的Jumbo frame、VLAN frame、流量控制等相关功能。所述光模块5的输入端与FPGA数据采集模块4相连,数据发送引擎框图如图17。FIFO每次将64bit数据读出分别置于传输端口和CRC校验模块,同时将操作通知发送长度计数模块。发送状态机通过读取发送长度计数,来判断将地址、类型、数据、校验码等何种信息置于传输端口。发送状态机也负责分析、生成AXI4-Stream总线上规定的控制信号,如传输准备、字符有效、时钟有效、传输结束等。在每一帧传输完成之后,帧间隔计数开始运行,当计数达到预先读取寄存器的值时,则开始下一轮传输。数据接收引擎用于接收网络数据包。在本方案中主要用于实现上位机控制参数的接收,以便实现对本系统的控制。其接收数据状态机如图18所示。状态机的启动由起始符SFD触发。在接收到目的地址、长度/类型、校验码等信息时,状态机都会判断是否与当前状态匹配,若匹配则进入下一状态,若发现问题则产生接收错误指示信号,并回到空闲状态,继续监听SFD起始符。对XGMII接口来说,在收发方向上各有4个通道,每个通道包含8bit数据和1bit控制位。这4个通道工作在同一156.25MHz的时钟下,且由于采用的是DDR传输方式,故其单向传输能力达到了10.3125Gbit/s。10G BASE-R中,PCS对XGMII双边沿采样后进行的是64B/66B编码。由于不能提供高转换密度的0/1比特流,在编码之后必须对数据加扰码。生成扰码的特征多项式为G(x)=1+x39+x58。其本质是一个异步FIFO,在将数据变速后,通过SerDes将数据串行,差动地发送出去。
综上:系统各个PCB电路板间数据通讯速率为10.3125Gbit/s,满足系统设计要求。
所述光模块5的输出端连接有ARM6,所述ARM6与自然光过滤模块3之间通过可编程放大电路连接,可编程放大电路主要由光电转换电路、数字电位器、运算放大器和2.5V基准电压源组成。其等效电路图如图9所示。光电转换电路中的电阻R0接在光电三极管VT的下端,该连接方式输出的信号线性度较好,稳定性较高。其中电阻R0的取值决定了放大电路输入信号U0的大小。在R0的阻值较大情况下,光电转换电路的灵敏度较高,但电路的光强接收范围将缩小,特别的,当光线稍强时,较大的电阻值会使得U0到达饱和值,致使系统无法正常工作,因此这里的电阻R0取较小值,产生的小电压通过放大电路后再进行AD转换。运放A和与其连接的电阻组成减法电路,该电路的输入输出的关系为如图10,设计时取四个电阻阻值相同,可得如图11,由2.5V基准电压源经过数字电位器分压产生,在激光模块未启动时先选通光敏二激光得到环境光产生的电压,通过ARM调节数字电位器A使得Vout2为0,此时的Vref便为环境光照射产生的电压值,将激光模块接通后所得的电压值减去Vref,就能很大程度上去除环境光变化产生的干扰。
运放B和数字电位器B组成可变增益电路:数字电位器由8位串行输入来控制W端口的阻值,W端口相当于可变电阻的中心抽头,与运算放大器的反相输入端连接,组成可编程放大电路。增益公式为图12,其中,RH/RW=255/DIN。由此可得串行输入数字电位器B的数据应为图13,Av的大小在光敏二极管工作时依据处理器接收的信号值进行调整,使得接收的信号接近参考电压,提高AD转换的精度。
通过上述方案,我公司生产出光电槽型开关能在阳光直射、照度120000Lux的情况下,槽型光电正常工作,并表现出良好的性能,完全满足系统设计要求。
综上:系统满足在照度为100000lux的状态下稳定运行。所述ARM6的输出端与光模块5相连,所述ARM6的输入端连接有北斗授时芯片7,其触发信号分为以下4种方式:1、静爆火光触发;2、震动触发;3、断靶触发;4、定时触发。这4种触发方式由可自行选择。首先1静爆火光触发:设计聚光光学透镜,使静爆火光射入光敏二极管中,为触发条件提供必要的条件,利用阳光与爆炸火光方向的差异,巧妙的将二者区分,再通过对电阻值调节使除静爆火光以外的光源予以隔离区分,在通过光电转换进行脉冲输出,完成触发之目的;2振动触发:由于静爆试验产生大幅度的震动,因此可选用加速度传感器进行静爆试验中震动测试。加速度传感器是一种能够测量加速度的传感器。通常由质量块、阻尼器、弹性元件、敏感元件和适调电路等部分组成。传感器在加速过程中,通过对质量块所受惯性力的测量,利用牛顿第二定律获得加速度值。根据传感器敏感元件的不同,常见的加速度传感器包括电容式、电感式、应变式、压阻式、压电式等。该系统中我们选用压电式加速度传感器,压电式传感器的力学模型可以简化的看作一个自由质量的弹簧系统,根据压电效应原理,当晶体受到震动的作用力后,将产生电荷量,电荷量与作用力成正比关系,通过电路滤波、整流输出触发脉冲信号;3断靶触发:系统在试验之前,先把断靶线缠绕在测试的弹药上,当弹药引爆时候,断靶线产生短路信号,系统将获取短路瞬间的脉冲信号,从而得到测试的触发信号。4斗定时触发利用ARM读取北斗时钟,通过上位机软件预设触发的时间与日期,当北斗授时与预设授时比较,比较结果成立则启动触发条件。系统将上述三种触发方式经叠加处理,即对三者触发信号进行“或”处理,用户可以使用一种触发信号,也可以同时使用三种触发信号。如下图19所示:由于方案采用采用了Xilinx公司生产ARTIX7系列的XC7A35T型FPGA芯片,该FPGA时钟频率为303MHz,因此触发时间为1S@303MSPS。满足设计要求。所述ARM6的输出端连接有稳压电路模块8,所述稳压电路模块8的输出端连接有激光模组9。
其中,所述光敏二极管阵列1中的贴片精度误差为0.1mm,所述FPGA数据采集模块4的采样速率为303MSPS,所述FPGA数据采集模块4的最高测速值为3250m/s,所述光模块5的数据传输速率为10.3125Gbit/s,所述自然光过滤模块3的抗自然光干扰照度≥100000Lux。
工作原理:光敏二极管陈列模块基于ARM6设计;当开机时,首先系统完成初始化,ARM6通过主动访问的方式获取北斗授时芯片7的时钟,并通过光模块5高速通讯将北斗时钟数据赋值给FPGA数据采集模块4的高速采集系统,以便高速小目标经过光幕时记录准确的时基。同时ARM6直接驱动稳压电路模块8,对激光模组9发出的光源予以可调制输出;光敏二极管成“一”字形且间距为4mm贴片至PCB板,激光模组9经过调制的光源均匀的照射在光敏二极管阵列1上,当有物体通过光幕时,由于物体的遮挡照射到光敏二极管的光束,部分光敏二极管必定出现接受异常,通过前端信号处理模块2,并经过可编程放大电路上的自然光过滤模块3过滤掉其他的光源的干扰,将其异常信号交予FPGA数据采集模块4,并将其存入FIFO存储区。系统工作流程图2所示。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点,对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型;因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内,不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.光电转换电路模块,包括两个光敏二极管阵列(1),其特征在于:两个所述光敏二极管阵列(1)之间的纵向距离为4mm,两个所述光敏二极管阵列(1)输出端连接有前端信号处理模块(2),所述前端信号处理模块(2)的输出端连接有自然光过滤模块(3),所述自然光过滤模块(3)的输出端连接有FPGA数据采集模块(4),所述FPGA数据采集模块(4)的输出端连接有光模块(5),所述光模块(5)的输入端与FPGA数据采集模块(4)相连,所述光模块(5)的输出端连接有ARM(6),所述ARM(6)与自然光过滤模块(3)之间通过可编程放大电路连接,所述ARM(6)的输出端与光模块(5)相连,所述ARM(6)的输入端连接有北斗授时芯片(7),所述ARM(6)的输出端连接有稳压电路模块(8),所述稳压电路模块(8)的输出端连接有激光模组(9)。
2.根据权利要求1所述的光电转换电路模块,其特征在于:所述光敏二极管阵列(1)中的贴片精度误差为0.1mm。
3.根据权利要求1所述的光电转换电路模块,其特征在于:所述FPGA数据采集模块(4)的采样速率为303MSPS,所述FPGA数据采集模块(4)的最高测速值为3250m/s。
4.根据权利要求1所述的光电转换电路模块,其特征在于:所述光模块(5)的数据传输速率为10.3125Gbit/s。
5.根据权利要求1所述的光电转换电路模块,其特征在于:所述自然光过滤模块(3)的抗自然光干扰照度≥100000Lux。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
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