CN215581081U - Fbar阶梯型结构滤波器及滤波器组件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及滤波技术领域,提供了一种FBAR阶梯型结构滤波器和滤波器组件。该FBAR阶梯型结构滤波器包括输入端、输出端、接地端、多个串臂谐振器和多个并臂谐振器;多个串臂谐振器包括依次串联连接在输入端和输出端之间的第一谐振器至第六谐振器;多个并臂谐振器包括第七谐振器、第八谐振器和第九谐振器,第七谐振器的一端连接在第一谐振器和第二谐振器之间,第八谐振器的一端连接在第三谐振器和第四谐振器之间,第九谐振器的一端连接在第五谐振器和第六谐振器之间,第七谐振器、第八谐振器和第九谐振器的另一端均连接接地端。上述FBAR阶梯型结构滤波器提供FBAR滤波器的一种新型结构。
Description
技术领域
本实用新型属于滤波技术领域,具体涉及一种FBAR阶梯型结构滤波器及滤波器组件。
背景技术
近年来,随着5G无线通信技术的不断发展,通过利用更高频段以及频段重组来实现移动通信,这对相关射频元器件的微型化、高频带宽化、集成化及柔性化提出了越来越高的要求。
薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator,FBAR)滤波器凭借其尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性,正逐步取代传统的声表面波滤波器和陶瓷滤波器,在射频滤波器领域占有越来越大的市场份额,在5G无线通信射频领域发挥着巨大作用。
然而现有对FBAR滤波器的研究大多集中在制备方法上,对FBAR滤波器的具体结构的研究较少。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种FBAR阶梯型结构滤波器及滤波器组件,旨在提供一种FBAR滤波器的新型结构。
第一方面,本实用新型实施例提供一种中心频率为1700MHz的FBAR阶梯型结构滤波器,包括:输入端、输出端、接地端、多个串臂谐振器和多个并臂谐振器;
所述多个串臂谐振器包括依次串联连接在所述输入端和所述输出端之间的第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器、第五谐振器和第六谐振器;
所述多个并臂谐振器包括第七谐振器、第八谐振器和第九谐振器,所述第七谐振器的一端连接在所述第一谐振器和所述第二谐振器之间,所述第八谐振器的一端连接在所述第三谐振器和所述第四谐振器之间,所述第九谐振器的一端连接在所述第五谐振器和所述第六谐振器之间,所述第七谐振器、所述第八谐振器和所述第九谐振器的另一端均连接所述接地端;
所述第一谐振器、所述第三谐振器和所述第五谐振器的中心位于第一直线上,所述第二谐振器、所述第四谐振器和所述第六谐振器的中心位于第二直线上,所述第一直线和所述第二直线平行,且所述第一谐振器至所述第六谐振器中相邻的任意三个谐振器的中心连线均构成V字型,相邻两个V字型的开口朝向相反,且各个V字型的开口角度小于90°。
本实用新型实施例中的FBAR阶梯型结构滤波器包括设置在输入端和输出端之间串臂谐振器和并臂谐振器,串臂谐振器和并臂谐振器均包括多个谐振器,串臂谐振器中从第一谐振器开始,每间隔两个谐振器与并臂谐振器中的一个谐振器的一端连接,并臂谐振器中的各个谐振器的另一端均连接接地端。其中,第一谐振器、第三谐振器和第五谐振器的中心位于第一直线上,第二谐振器、第四谐振器和第六谐振器的中心位于第二直线上,第一直线和第二直线平行,且第一谐振器至第六谐振器中相邻的任意三个谐振器的中心连线均构成V字型,相邻两个V字型的开口朝向相反,且各个V字型的开口角度小于90°,以使信号通过输入端流入上述串臂谐振器和并臂谐振器,实现对信号特定频段的滤波。
结合第一方面,在一种可能的实现方式中,所述多个串臂谐振器中的各个谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同,所述多个并臂谐振器中的各个谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同。
结合第一方面,在一种可能的实现方式中,所述多个串臂谐振器的串联谐振频率和所述多个并臂谐振器的并联谐振频率相同。其中,上述多个串臂谐振器的串联谐振频率和多个并臂谐振器的并联谐振频率相同,构成FBAR阶梯型结构滤波器的中心频率。
结合第一方面,在一种可能的实现方式中,所述第一谐振器的面积为26000±50μm2,所述第二谐振器和所述第三谐振器的面积均为25000±50μm2,所述第四谐振器和所述第五谐振器的面积均为28000±50μm2,所述第六谐振器的面积为27000±50μm2,所述第七谐振器的面积为37000±50μm2,所述第八谐振器和所述第九谐振器的面积均为35000±50μm2,谐振器的面积为谐振器的平行板电容器上下电极的重合面积。
结合第一方面,在一种可能的实现方式中,所述FBAR阶梯型结构滤波器的版图依次包括牺牲层、下电极层、上电极层、差频层和孔层,所述差频层与所述多个并臂谐振器对应,所述多个串臂谐振器不具有所述差频层,所述孔层中开设有多个释放孔,每个谐振器均设有多个释放通道,每个释放通道对应至少一个释放孔。
结合第一方面,在一种可能的实现方式中,所述FBAR阶梯型结构滤波器还包括压电层。
其中,压电层可以覆盖整个带通滤波器芯片。
示例性的,所述释放孔的直径可以为15μm-25μm。
其中,每个谐振器可以具有多个释放通道(例如五个),每个释放通道与一个释放孔对应,释放气体通过释放孔进入释放通道,然后进入牺牲层把牺牲层材料腐蚀变成气体,再通过释放通道与释放孔排出。另外,若FBAR阶梯型结构滤波器的空间紧张时,两个释放通道可以共用一个释放孔。另外,在探针测试区域,需要采用探针(例如GSG探针)对芯片进行测试,因此需要把压电层刻蚀掉,露出下电极用于测试。
一些实施例中,所述FBAR阶梯型结构滤波器的版图包括第一版图区至第十四版图区;
第一版图区至第三版图区均与所述接地端对应,第四版图区与所述输入端对应,第五版图区与所述输出端对应;所述第一版图区设置于所述版图中的下方,所述第二版图区和所述第四版图区、所述第三版图区和所述第五版图区分别设置于所述版图中的两边;
所述第六版图区至所述第十一版图区分别与所述第一谐振器至所述第六谐振器一一对应,依次串联连接在所述第四版图区与所述第五版图区之间;
所述第十二版图区与所述第七谐振器对应,设置于所述第六版图区的上方,分别与所述第二版图区和所述第六版图区连接;
所述第十三版图区与所述第八谐振器对应,设置于所述第九版图区的下方,分别与所述第一版图区和所述第九版图区连接;
所述第十四版图区与所述第九谐振器对应,设置于所述第十一版图区的上方,分别与所述第十版图区和所述第三版图区连接。
第二方面,本实用新型实施例还提供了一种滤波器组件,包括上述任一项所述的FBAR阶梯型结构滤波器。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的FBAR阶梯型结构滤波器的电路示意图;
图2为本实用新型实施例提供的FBAR阶梯型结构滤波器的版图的结构示意图;
图3为图2所示的FBAR阶梯型结构滤波器的牺牲层的版图示意图;
图4为图2所示的FBAR阶梯型结构滤波器的下电极层的版图示意图;
图5为图2所示的FBAR阶梯型结构滤波器的上电极层的版图示意图;
图6为图2所示的FBAR阶梯型结构滤波器的差频层的版图示意图;
图7为图2所示的FBAR阶梯型结构滤波器的孔层的版图示意图;
图8为本实用新型实施例提供的FBAR阶梯型结构滤波器的幅频特性曲线。
具体实施方式
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
FBAR滤波器作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用,FBAR滤波器具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性,正在逐步取代传统的声表面波滤波器和陶瓷滤波器,在无线通信射频领域发挥巨大作用。然而现有对FBAR滤波器的研究大多集中在制备方法上,对FBAR滤波器的具体结构的研究较少。而且某工程应用需使用中心频率为1700MHz的滤波器,其1dB带宽大于30MHz,需对1600MHz以及1800MHz处抑制大于35dBc。
基于上述问题,本实用新型实施例提供了一种FBAR阶梯型结构滤波器。该FBAR阶梯型结构滤波器可以包括输入端、输出端、接地端、多个串臂谐振器和多个并臂谐振器。上述多个串臂谐振器包括依次串联连接在输入端和输出端之间的第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器、第五谐振器和第六谐振器。上述多个并臂谐振器包括第七谐振器、第八谐振器和第九谐振器,第七谐振器的一端连接在第一谐振器和第二谐振器之间,第八谐振器的一端连接在第三谐振器和第四谐振器之间,第九谐振器的一端连接在第五谐振器和第六谐振器之间,第七谐振器、第八谐振器和第九谐振器的另一端均连接接地端;
其中,第一谐振器、第三谐振器和第五谐振器的中心位于第一直线上,第二谐振器、第四谐振器和第六谐振器的中心位于第二直线上,第一直线和第二直线平行,且第一谐振器至第六谐振器中相邻的任意三个谐振器的中心连线均构成V字型,相邻两个V字型的开口朝向相反,且各个V字型的开口角度小于90°。
上述FBAR阶梯型结构滤波器,包括设置在输入端和输出端之间串臂谐振器和并臂谐振器,串臂谐振器和并臂谐振器均包括多个谐振器,串臂谐振器中从第一谐振器开始,每间隔两个谐振器与并臂谐振器中的一个谐振器的一端连接,并臂谐振器中的各个谐振器的另一端均连接接地端。其中,第一谐振器、第三谐振器和第五谐振器的中心位于第一直线上,第二谐振器、第四谐振器和第六谐振器的中心位于第二直线上,第一直线和第二直线平行,且第一谐振器至第六谐振器中相邻的任意三个谐振器的中心连线均构成V字型,相邻两个V字型的开口朝向相反,且各个V字型的开口角度小于90°,以使信号通过输入端流入上述串臂谐振器和并臂谐振器,实现对信号特定频段的滤波。
图1示出了本实用新型实施例提供的FBAR阶梯型结构滤波器的电路示意图。参见图1,该FBAR阶梯型结构滤波器可以包括输入端Port_1、输出端Port_2、接地端GND、多个串臂谐振器和多个并臂谐振器。该多个串臂谐振器可以包括第一谐振器X1、第二谐振器X2、第三谐振器X3、第四谐振器X4、第五谐振器X5和第六谐振器X6。该多个并臂谐振器可以包括第七谐振器X7、第八谐振器X8和第九谐振器X9。
具体的,第一谐振器X1、第二谐振器X2、第三谐振器X3、第四谐振器X4、第五谐振器X5和第六谐振器X6依次串联设置在输入端Port_1和输出端Port_2之间。其中,第一谐振器X1至第六谐振器X6,这六个谐振器具有相同的第一串联谐振频率和第一并联谐振频率。
第七谐振器X7的一端连接在第一谐振器X1和第二谐振器X2之间,第八谐振器X8的一端连接在第三谐振器X3和第四谐振器X4之间,第九谐振器X9的一端连接在第五谐振器X5和第六谐振器X6之间,第七谐振器X7、第八谐振器X8和第九谐振器X9的另一端均接地。其中,第七谐振器X7至第九谐振器X9,这三个谐振器具有相同的第二串联谐振频率和第二并联谐振频率。
示例性的,本实用新型实施例中,第一串联谐振频率与第二并联谐振频率相同,形成FBAR阶梯型结构滤波器的中心频率。
另外,串臂谐振器的第二位置和第三位置可以采用两个谐振器串联(第二谐振器X2和第三谐振器X3串联,第四谐振器X4和第五谐振器X5串联)的结构,能够增大谐振器的面积,使其在工艺易于实现的范围内,进而提高FBAR阶梯型结构滤波器的可靠性。
图2示出了本实用新型实施例提供的FBAR阶梯型结构滤波器的版图的结构示意图,参见图2,在FBAR阶梯型结构滤波器的版图中,第六版图区106、第八版图区108和第十版图区110分别对应的第一谐振器X1、第三谐振器X3和第五谐振器X5的中心位于第一直线d1上,第七版图区107、第九版图区109和第十一版图区111分别对应的第二谐振器X2、第四谐振器X4和第六谐振器X6的中心位于第二直线d2上,第一直线d1和第二直线d2平行或者基本平行,且第一谐振器X1至第六谐振器X6中相邻的任意三个谐振器的中心连线均构成V字型,相邻两个V字型的开口朝向相反,且各个V字型的开口角度小于90°,以使信号通过输入端流入上述串臂谐振器和并臂谐振器,实现对信号特定频段的滤波。
一些实施例中,为了使得FBAR阶梯型结构滤波器的中心频率为某一频率,可以通过调整第一谐振器X1~第九谐振器X9的面积和位置实现。其中,谐振器的面积为谐振器的平行板电容器上下电极的重合面积。
一些实施例中,考虑到工艺实现的难易程度,谐振器的面积应控制在4000μm2-80000μm2之间。在同一个电路中,每个谐振器的面积在设计时,应尽量使电路中的每个谐振器的面积相差较小,一般相差在4倍以下。
示例性的,为了使得FBAR阶梯型结构滤波器的中心频率为1700MHz,第一谐振器的面积可以为26000±50μm2,第二谐振器和第三谐振器的面积均可以为25000±50μm2,第四谐振器和第五谐振器的面积均可以为28000±50μm2,第六谐振器的面积可以为27000±50μm2,第七谐振器的面积可以为37000±50μm2,第八谐振器和第九谐振器的面积均可以为35000±50μm2。
一些实施例中,上述FBAR阶梯型结构滤波器的版图可以依次包括牺牲层、下电极层、上电极层、差频层和孔层。其中,差频层与多个并臂谐振器对应,而多个串臂谐振器并不具有差频层。差频层用于实现并联的谐振器和串联的谐振器的频率差,从而形成滤波器,实现对相特定频率的滤波。通常,并臂谐振器的第二串联谐振频率和第二并联谐振频率低于串臂谐振器的第一串联谐振频率和第一并联谐振频率,且第一串联谐振频率等于第二并联谐振频率。
一些实施例中,带通滤波器还可以包括压电层。其中压电层可以覆盖整个滤波器芯片。
为了形成谐振器的空气腔,实现声波的反射,特设置孔层,孔层中开设有多个释放孔,每个谐振器具有多个释放通道,每个谐振器的每个释放通道对应至少一个释放孔。
示例性的,每个谐振器可以具有多个释放通道(例如五个),每个释放通道与一个释放孔对应,释放气体通过释放孔进入释放通道,然后进入牺牲层区域把牺牲层材料腐蚀变成气体,再通过释放通道与释放孔排出。另外,若FBAR阶梯型结构滤波器的空间紧张时,两个释放通道可以共用一个释放孔。另外,在探针测试区域,需要采用探针(例如GSG探针)对芯片进行测试,因此需要把压电层刻蚀掉,露出下电极用于测试。
一些实施例中,为了得到特定中心频率的FBAR阶梯型结构滤波器,也可以通过调整上电极、下电极和压电层的厚度来实现。示例性的,为了得到中心频率为1700MHz的FBAR阶梯型结构滤波器,上电极的厚度可以为 下电极层的厚度可以为压电层的厚度可以为差频层的厚度可以为
一些实施例中,释放孔的直径可以为15μm-25μm。
参见图2,在FBAR阶梯型结构滤波器的版图中,第一版图区101、第二版图区102和第三版图区103均与接地端GND对应,第四版图区104与输入端Port_1对应,第五版图区105与输出端Port_2对应;第一版图区101设置于整个FBAR阶梯型结构滤波器的版图中的下方,第二版图区102和第四版图区104、第三版图区103和第五版图区105分别设置于整个FBAR阶梯型结构滤波器的版图中的两边。
其中,第六版图区106至第十一版图区111分别与第一谐振器X1至第六谐振器X6一一对应,依次串联连接在第四版图区104与第五版图区105之间。其中,第六版图区106、第八版图区108和第十版图区110分别对应的第一谐振器X1、第三谐振器X3和第五谐振器X5的中心位于第一直线d1上,第七版图区107、第九版图区109和第十一版图区111分别对应的第二谐振器X2、第四谐振器X4和第六谐振器X6的中心位于第二直线d2上,第一直线d1和第二直线d2平行或者基本平行,且第一谐振器X1至第六谐振器X6中相邻的任意三个谐振器的中心连线均构成V字型,相邻两个V字型的开口朝向相反,且各个V字型的开口角度小于90°,以使信号通过输入端流入上述串臂谐振器和并臂谐振器,实现对信号特定频段的滤波。
第十二版图区112与第七谐振器X7对应,设置于第六版图区106的上方,分别与第二版图区102和第六版图区106连接。
第十三版图区113与第八谐振器X8对应,设置于第九版图区109的下方,分别与第一版图区101和第九版图区109连接。
第十四版图区114与第九谐振器X9对应,设置于第十一版图区111的上方,分别与第十版图区110和第三版图区103连接。
具体的,在制作1700MHz的FBAR阶梯型结构滤波器的过程中需要使用到的版图主要有牺牲层的版图、下电极层的版图、上电极层的版图、差频层的版图和孔层的版图,如图3-7所示。
其中,如图3所示,在牺牲层的版图中,第一牺牲版图区201与第一谐振器X1对应,第二牺牲版图区201与第二谐振器X2对应,第三牺牲版图区203与第三谐振器X3对应,第四牺牲版图区204与第四谐振器X4对应,第五牺牲版图区205与第五谐振器X5对应,第六牺牲版图区206与第六谐振器X6对应,第七牺牲版图区207与第七谐振器X7对应,第八牺牲版图区208与第八谐振器X8对应,第九牺牲版图区209与第九谐振器X9对应。
其中,每个谐振器具有五条边,各个谐振器之间通过各自的一条边相互连接。图3中,每个谐振器伸出的触角状的部分即为释放通道,每个谐振器可以具有多个释放通道。释放气体通过释放孔进入释放通道,然后进入牺牲层把牺牲层材料腐蚀变成气体,再通过释放通道与释放孔排出。
参见图4,下电极层的版图具有多个版图区,包括第一下电极版图区301、第二下电极版图区302、第三下电极版图区303、第四下电极版图区304、第五下电极版图区305、第六下电极版图区306和第七下电极版图区307。
其中,第一下电极版图区301与输入端IN连接,第五下电极版图区305、第六下电极版图区306和第七下电极版图区307与接地端GND连接,第四下电极版图区304与输出端OUT连接。
其中,第一下电极版图区301与第一谐振器X1对应,第二下电极版图区302与第二谐振器X2、第三谐振器X3对应,第三下电极版图区303与第四谐振器X4和第五谐振器X5对应,第四下电极版图区304与第六谐振器X6对应,第五下电极版图区305与第七谐振器X7对应,第六下电极版图区306与第八谐振器X8对应,第七下电极版图区307与第九谐振器X9对应。
参见图5,上电极层的版图具有多个版图区,包括第一上电极版图区401、第二上电极版图区402和第三上电极版图区403。
其中,第一上电极版图区401与第一谐振器X1、第二谐振器X2和第七谐振器X7对应,第二上电极版图区402与第三谐振器X3、第四谐振器X4和第八谐振器X8对应,第三上电极版图区403与第五谐振器X5、第六谐振器X6和第九谐振器X9对应。
参见图6,差频层包括与第七谐振器X7对应的第一差频层版图区501,与第八谐振器X8对应的第二差频层版图区502,与第九谐振器X9对应的第三差频层版图区503。通过设置差频层,可以使得串臂谐振器和并臂谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率具有一定的频率差,从而实现对信号特定频段的滤波。
参见图7,孔层包括多个释放孔61,包围在每个谐振器的周围。每个释放孔61对应一个释放通道。释放气体通过释放孔61进入释放通道,然后进入牺牲层区域把牺牲层材料腐蚀变成气体,再通过释放通道与释放孔61排出。另外,在孔层版图上的探针测试区域,如需要采用探针(例如GSG探针)对芯片进行测试,需要把压电层刻蚀掉,露出下电极GSG用于测试。
本实施例中,对上述FBAR阶梯型结构滤波器进行了测试,得到如图8所示的幅频特性曲线。曲线1为FBAR阶梯型结构滤波器的S(2,1)随频率的变化曲线(左纵轴)。曲线2为S(1,1),曲线3为S(2,2),表示FBAR阶梯型结构滤波器的回波损耗(右纵轴)。从图8中可以看出,FBAR阶梯型结构滤波器的1dB带宽约为52MHz,在1600MHz以及1800MHz处抑制度分别为39dBc和41dBc。
本实用新型的实施例还提供一种滤波器组件,包括上述任一种FBAR阶梯型结构滤波器,具有上述FBAR阶梯型结构滤波器所具有的所有技术效果,在此不再赘述。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种FBAR阶梯型结构滤波器,其特征在于,包括:输入端、输出端、接地端、多个串臂谐振器和多个并臂谐振器;
所述多个串臂谐振器包括依次串联连接在所述输入端和所述输出端之间的第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器、第五谐振器和第六谐振器;
所述多个并臂谐振器包括第七谐振器、第八谐振器和第九谐振器,所述第七谐振器的一端连接在所述第一谐振器和所述第二谐振器之间,所述第八谐振器的一端连接在所述第三谐振器和所述第四谐振器之间,所述第九谐振器的一端连接在所述第五谐振器和所述第六谐振器之间,所述第七谐振器、所述第八谐振器和所述第九谐振器的另一端均连接所述接地端;
所述第一谐振器、所述第三谐振器和所述第五谐振器的中心位于第一直线上,所述第二谐振器、所述第四谐振器和所述第六谐振器的中心位于第二直线上,所述第一直线和所述第二直线平行,且所述第一谐振器至所述第六谐振器中相邻的任意三个谐振器的中心连线均构成V字型,相邻两个V字型的开口朝向相反,且各个V字型的开口角度小于90°。
2.如权利要求1所述的FBAR阶梯型结构滤波器,其特征在于,所述多个串臂谐振器中的各个谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同,所述多个并臂谐振器中的各个谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同。
3.如权利要求1或2所述的FBAR阶梯型结构滤波器,其特征在于,所述多个串臂谐振器的串联谐振频率和所述多个并臂谐振器的并联谐振频率相同。
4.如权利要求1所述的FBAR阶梯型结构滤波器,其特征在于,所述第一谐振器的面积为26000±50μm2,所述第二谐振器和所述第三谐振器的面积均为25000±50μm2,所述第四谐振器和所述第五谐振器的面积均为28000±50μm2,所述第六谐振器的面积为27000±50μm2,所述第七谐振器的面积为37000±50μm2,所述第八谐振器和所述第九谐振器的面积均为35000±50μm2,谐振器的面积为谐振器的平行板电容器上下电极的重合面积。
5.如权利要求1所述的FBAR阶梯型结构滤波器,其特征在于,所述FBAR阶梯型结构滤波器的版图依次包括牺牲层、下电极层、上电极层、差频层和孔层,所述差频层与所述多个并臂谐振器对应,所述多个串臂谐振器不具有所述差频层,所述孔层中开设有多个释放孔,每个谐振器均设有多个释放通道,每个释放通道对应至少一个释放孔。
6.如权利要求5所述的FBAR阶梯型结构滤波器,其特征在于,所述FBAR阶梯型结构滤波器还包括压电层。
8.如权利要求5-7任一项所述的FBAR阶梯型结构滤波器,其特征在于,所述释放孔的直径为15μm-25μm。
9.如权利要求1所述的FBAR阶梯型结构滤波器,其特征在于,所述FBAR阶梯型结构滤波器的版图包括第一版图区至第十四版图区;
第一版图区至第三版图区均与所述接地端对应,第四版图区与所述输入端对应,第五版图区与所述输出端对应;所述第一版图区设置于所述版图中的下方,所述第二版图区和所述第四版图区、所述第三版图区和所述第五版图区分别设置于所述版图中的两边;
所述第六版图区至所述第十一版图区分别与所述第一谐振器至所述第六谐振器一一对应,依次串联连接在所述第四版图区与所述第五版图区之间;
所述第十二版图区与所述第七谐振器对应,设置于所述第六版图区的上方,分别与所述第二版图区和所述第六版图区连接;
所述第十三版图区与所述第八谐振器对应,设置于所述第九版图区的下方,分别与所述第一版图区和所述第九版图区连接;
所述第十四版图区与所述第九谐振器对应,设置于所述第十一版图区的上方,分别与所述第十版图区和所述第三版图区连接。
10.一种滤波器组件,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的FBAR阶梯型结构滤波器。
Priority Applications (1)
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GR01 | Patent grant | ||
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