CN215263584U - 加速度传感器 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种加速度传感器，解决了现有技术中变间隙型加速度传感器的可靠性较低的问题。其中，加速度传感器包括间隔设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的多个支撑锚点。第一基板为单晶材料；第二基板包括第一叉齿结构和分别与第一叉齿结构的两侧叉齿交叉设置的第二叉齿结构和第三叉齿结构，第一叉齿结构、第二叉齿结构和第三叉齿结构分别通过一支撑锚点连接第一基板；第一叉齿结构以与之连接的支撑锚点为支点，第一叉齿结构在支点的两侧具有质量差；在平行于第一基板和第二基板的方向上，第一叉齿结构与第二叉齿结构和第三叉齿结构均存在高度差。

Description

加速度传感器

技术领域

本申请涉及微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)器件技术领域，具体涉及一种加速度传感器。

背景技术

加速度传感器一般基于电容原理实现加速度检测。具体而言，待测加速度产生的惯性力引起敏感电容的极板间隙(变间隙型)或极板交叠面积(变面积型)变化，使电容变化与加速度大小成比例关系，通过信号处理电路获取敏感电容的变化即可获得加速度的大小。对于测量Z轴(垂直于工作平面)加速度信号的加速度传感器而言，由于受到MEMS加工工艺的限制，多采用变间隙型敏感电容方案。然而，变间隙型加速度传感器的可动结构运动时受到的阻尼较大，因而噪声大，而且受到极板间距的限制，可动结构容易产生粘连的现象，导致可靠性较低。

实用新型内容

有鉴于此，本申请实施例致力于提供一种加速度传感器，以解决现有技术中变间隙型加速度传感器的可靠性较低的问题。

本申请第一方面提供了一种加速度传感器，包括：间隔设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的多个支撑锚点。第一基板为单晶材料；第二基板包括第一叉齿结构和分别与第一叉齿结构的两侧叉齿交叉设置的第二叉齿结构和第三叉齿结构，第一叉齿结构、第二叉齿结构和第三叉齿结构分别通过一支撑锚点连接第一基板；第一叉齿结构以与之连接的支撑锚点为支点运动，第一叉齿结构在支点的两侧具有质量差。在平行于第一基板和第二基板的方向上，第一叉齿结构与第二叉齿结构和第三叉齿结构中的至少一者存在高度差。

在一个实施例中，第一叉齿结构、第二叉齿结构和第三叉齿结构分别包括朝向第一基板的第一表面；第一叉齿结构的第一表面和第一基板之间具有第一间距，第二叉齿结构的第一表面和第三叉齿结构的第一表面分别与第一基板之间具有第二间距，第一间距小于第二间距。

在一个实施例中，第一叉齿结构、第二叉齿结构和第三叉齿结构分别包括背向第一基板的第二表面；第一叉齿结构的第二表面和第一基板之间具有第三间距，第二叉齿结构的第一表面和第三叉齿结构的第二表面分别与第一基板之间具有第四间距，第三间距小于第四间距。

在一个实施例中，第一叉齿结构与第二叉齿结构和第三叉齿结构之间的高度差均大于0微米并且小于10微米。

在一个实施例中，第一叉齿结构、第二叉齿结构和第三叉齿结构中的至少一者具有防粘连表面。

在一个实施例中，防粘连表面的材料为自组装单分子材料。

在一个实施例中，第二基板的厚度大于或等于20微米并且小于或等于100微米。

在一个实施例中，第二叉齿结构和第三叉齿结构与第一基板之间的间隔均大于10微米。

在一个实施例中，第一基板为半导体材料，第二基板为单晶材料；支撑锚点为绝缘材料。

在一个实施例中，第一基板、第二基板、支撑锚点三者的材料包括相同的原子。

在一个实施例中，第一基板和第二基板的材料均为硅；和/或支撑锚点的材料为二氧化硅。

本申请第二方面提供了一种加速度传感器的制备方法，包括：在第一基板的第一表面上制备多个支撑锚点，第一基板的材料为单晶材料；将支撑锚点与第二基板的第一表面结合；基于第二基板形成与多个支撑锚点一一对应连接的第一叉齿结构、第二叉齿结构和第三叉齿结构；第二叉齿结构和第三叉齿结构分别与第一叉齿结构两侧的叉齿交叉设置，在垂直于第一基板和第二基板的方向上，第一叉齿结构与第二叉齿结构和第三叉齿结构之间均存在高度差。

在一个实施例中，在将支撑锚点与第二基板的第一表面结合之前，还包括：在第二基板的第一表面制备第一图形化凹槽。基于第二基板形成与多个支撑锚点一一对应连接的第一叉齿结构、第二叉齿结构和第三叉齿结构包括：对第二基板进行图形化处理，得到第一叉齿结构、第二叉齿结构和第三叉齿结构，第二基板的形成有第一图形化凹槽的区域形成第二叉齿结构的至少部分叉齿和/或第三叉齿结构的至少部分叉齿。

在一个实施例中，基于第二基板形成与多个支撑锚点一一对应连接的第一叉齿结构、第二叉齿结构和第三叉齿结构，包括：在第二基板的与第一表面相背的第二表面制备第二图形化凹槽；对第二基板进行图形化处理，得到第一叉齿结构、第二叉齿结构和第三叉齿结构，第二基板的形成有第二图形化凹槽的区域形成第一叉齿结构的至少部分叉齿。

在一个实施例中，还包括：在第一叉齿结构、第二叉齿结构和第三叉齿结构中的至少一者表面形成防粘附层。

在一个实施例中，在第一叉齿结构、第二叉齿结构和第三叉齿结构中的至少一者表面形成防粘附层包括：采用气相沉积工艺，在第一叉齿结构、第二叉齿结构和第三叉齿结构表面形成自组装单分子层。

在一个实施例中，在第一基板的第一表面上制备多个支撑锚点之前，还包括：在第一基板的第一表面制备环形凹槽。在第一基板的第一表面上制备多个支撑锚点包括：在第一表面上制备第一支撑锚点，以及位于第一支撑锚点两侧的第二支撑锚点和第三支撑锚点，第一支撑锚点被环形凹槽包围，第二支撑锚点和第三支撑锚点均位于环形凹槽的外围。

根据本申请提供的加速度传感器，相比于变间隙型加速度传感器而言，可以取得如下技术效果：第一、通过改变两极板之间的正对面积实现加速度检测，可动结构运动过程中受到的阻尼小，故噪声小，确保加速度传感器具有较高的可靠性。第二、由于增大一个小的厚度值，叉指之间的正对面积便可按照叉指数量成倍增加。因此，当正对面积为定值时，更有利于产品小型化。第三、产品体积和正对面积均为定值时，可以使得极板之间的间距更大，从而降低粘连风险；第四、通过设置第一基板为半导体材料、第二基板为单晶材料、支撑锚点为绝缘材料，相比于现有技术中利用金属形成支撑锚点的变面积型梳齿电容加速度传感器而言，结构间的连接更牢靠，提高了使用寿命。

附图说明

图1为本申请一实施例提供的加速度传感器的制备方法流程图。

图2a～图2e为本申请第一实施例提供的执行图1所示加速度传感器的制备方法过程中的结构示意图。

图3a～图3c为本申请第二实施例提供的执行图1所示加速度传感器的制备方法过程中的结构示意图。

图4为本申请第三实施例提供的执行图1所示加速度传感器的制备方法过程中的结构示意图。

图5为本申请第四实施例提供的执行图1所示加速度传感器的制备方法过程中的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

图1为本申请一实施例提供的加速度传感器的制备方法流程图。图2d为本申请第一实施例提供的加速度传感器的截面结构示意图。图2e为图2d所示加速度传感器的俯视图。其中，图2e中示出了图2d对应的截面线AB。

结合图1、图2d和图2e所示，加速度传感器的制备方法100包括：

步骤S110，在第一基板11的第一表面上制备多个支撑锚点12。

第一基板11的材料为单晶材料。单晶材料的成膜性好，均一性高，内部应力小。因此，利用单晶材料形成第一基板11，可以降低内部应力，提高产品可靠性。在一个实施例中，第一基板11为硅片。由于现有技术中的MEMS器件大多为硅衬底，因此，利用硅片形成第一基板11，可以便于加速度传感器与其它MEMS器件集成，具有较高的兼容性。

在一个实施例中，支撑锚点12为绝缘材料，例如二氧化硅。这种情况下，步骤S110可具体执行为：在第一基板11的第一表面沉积二氧化硅层，并对二氧化硅层进行图形化处理，得到多个支撑锚点12。在一个实施例中，在第一基板11的第一表面制备多个支撑锚点12之前，在第一表面制备环形凹槽110。该环形凹槽110用于形成可动结构(即第一叉齿结构131)的容纳空间。这种情况下，相比于利用支撑锚点12来形成可动结构的容纳空间而言，可以降低对支撑锚点12的高度要求，从而提高可靠性。

步骤S120，将支撑锚点12与第二基板13的第一表面结合。

支撑锚点12与第二基板13的第一表面结合，以形成结合界面。这里可以采用键合、焊接、粘结等工艺形成结合界面。

步骤S130，基于第二基板13形成与多个支撑锚点12一一对应连接的第一叉齿结构131、第二叉齿结构132和第三叉齿结构133。第二叉齿结构132和第三叉齿结构133分别与第一叉齿结构131两侧的叉齿交叉设置。第一叉齿结构131的两侧分别与第二叉齿结构132和第三叉齿结构133形成一个电容。当第一叉齿结构131受到惯性作用时，可绕与其连接的支撑锚点12旋转，从而改变两侧电容的接触面积，进而改变两侧电容值，两侧电容值的差分数值与旋转角度成正比关系，从而实现加速度检测。在一个实施例中，第一叉齿结构131在与之连接的支撑锚点12两侧的质量不等，以实现差分电容。

在垂直于第一基板11和第二基板13的方向上，第一叉齿结构131与第二叉齿结构132和第三叉齿结构133中的至少一者均存在高度差。这里提到的高度差可以是均匀的，也可以是不均匀的。高度差可以形成于相互交叉的叉齿结构的局部叉齿范围内，也可以形成于相互交叉的叉齿结构的全部叉齿范围内。例如，第一叉齿结构131、第二叉齿结构132和第三叉齿结构133分别包括朝向第一基板11的第一表面和背向第一基板11的第二表面。第二叉齿结构132和第三叉齿结构133为两个固定结构，第一叉齿结构131为可动结构，第一叉齿结构131的第一表面与两个固定结构中的至少一者的第一表面不等高，或第一叉齿结构131的第二表面与两个固定结构的中的至少一者的第二表面不等高，或其第一叉齿结构131的第一表面和第二表面分别与两个固定结构中的至少一者的第一表面和第二表面不等高。

在一示例中，第一基板11、第二基板13、支撑锚点12三者的材料包括相同的原子。例如，第一基板11和第二基板13的材料均为硅，支撑锚点12的材料为二氧化硅。由于相同的原子间的结合力强，因此，通过设置第一基板11、第二基板13、支撑锚点12三者的材料包括相同的原子可以进一步提高加速度传感器的可靠性。

根据本实施例提供的加速度传感器的制备方法，相比于变间隙型加速度传感器而言，可以取得如下技术效果：第一、通过改变两极板之间的正对面积实现加速度检测，可动结构运动过程中受到的阻尼小，故噪声小，确保加速度传感器具有较高的可靠性。第二、由于增大一个小的厚度值，叉指之间的正对面积便可按照叉指数量成倍增加。因此，当正对面积为定值时，更有利于产品小型化。第三、产品体积和正对面积均为定值时，可以使得极板之间的间距更大，从而降低粘连风险。

下面通过具体实施例结合相关附图对图1所示加速度传感器的制备方法进行详细说明。

图2a～图2e为本申请第一实施例提供的执行图1所示加速度传感器的制备方法过程中的结构示意图。参阅图1和图2a～图2e，加速度传感器的制备过程包括：

第一步，参阅图2a，首先，在第一基板11的第一表面上刻蚀出环形凹槽110。环形凹槽110用于形成第一叉齿结构131的活动空间。然后，在第一基板11的第一表面的其它区域制备多个支撑锚点12。多个支撑锚点12包括第一支撑锚点121、第二支撑锚点122和第三支撑锚点123，其中，第一支撑锚点121被环形凹槽110环绕，第二支撑锚点122和第三支撑锚点123分别位于环形凹槽110的外围、第一支撑锚点121的两侧。

在其它实施例中，也可以先在第一基板11的第一表面制备二氧化硅层，对二氧化硅层进行图形化处理得到多个支撑锚点12。然后，在第一基板11的第一表面制备覆盖多个支撑锚点12的光刻胶，以光刻胶为掩膜，在第一基板11上刻蚀环形凹槽110。

第二步，参阅图2b，在第二基板13的第一表面制备第一图形化凹槽130。

第一图形化凹槽130的深度限定了可动结构的第一表面和固定结构的第一表面的高度差。在一个实施例中，第一图形化凹槽130的深度大于0微米并且小于10微米，例如3微米，5微米，或者7微米。

在一个实施例中，第一图形化凹槽130所在区域的第二基板13用于形成固定结构，即第二叉齿结构132和第三叉齿结构133的叉齿。这种情况下，第一图形化凹槽130包括两列凹槽，每列凹槽包括依次平行排布的多个条形凹槽。

第三步，参阅图2c，将支撑锚点12与第二基板13的第一表面键合。第一图形化凹槽130在垂直于第一基板11的方向上的正投影落入环形凹槽110内。

第四步，参阅图2d，对第二基板13进行图形化处理，得到第一叉齿结构131、第二叉齿结构132和第三叉齿结构133。其中，第二基板13的形成有第一图形化凹槽130的区域形成第二叉齿结构132的至少部分叉齿和/或第三叉齿结构133的至少部分叉齿。

至此，得到图2d和图2e所示的加速度传感器10。在加速度传感器10中，第一叉齿结构131的第一表面和第一基板11之间具有第一间距D₁，第二叉齿结构132的第一表面和第三叉齿结构133的第一表面分别与第一基板11之间具有第二间距D₂，第一间距D₁小于第二间距D₂。

在其他实施例中，也可以设置第一间距D₁大于第二间距D₂。这种情况下，参阅图2b，仅需要改变第二基板13的第一表面上第一图形化凹槽130的位置，使得第二基板13的形成有第一图像化凹槽130的区域形成第一叉齿结构131。

图3a～图3c为本申请第二实施例提供的执行图1所示加速度传感器的制备方法过程中的结构示意图。参阅图1和图3a～图3c，加速度传感器的制备过程包括：

第一步与图2a～图2d所示实施例的第一步相同，这里不再赘述。

第二步，将图2a所示器件的支撑锚点12与第二基板13的第一表面键合，得到如图3a所示器件。

第三步，参阅图3b，首先，在第二基板13的与第一表面相背的第二表面制备第二图形化凹槽135。

第二图形化凹槽135的深度限定了可动结构的第二表面和固定结构的第二表面的高度差。在一个实施例中，第二图形化凹槽135的深度大于0微米并且小于10微米，例如3微米，5微米，或者7微米。

在一个实施例中，第二图形化凹槽135所在区域的第二基板13用于形成第一叉齿结构131。这种情况下，第二图形化凹槽135的形状与第一叉齿结构131的形状相同。

第四步，参阅图3c，对第二基板13进行图形化处理，得到第一叉齿结构131、第二叉齿结构132和第三叉齿结构133。其中，第二基板13的形成有第二图形化凹槽135的区域形成第一叉齿结构131的至少部分叉齿。

需要说明的是，图形化处理和图形化凹槽的区别在于，图形化处理的刻蚀深度贯穿整个膜层，而图形化凹槽的深度小于整个膜层的厚度。

至此，得到如图3c所示的加速度传感器20。第一叉齿结构131的第二表面和第一基板11之间具有第三间距D₃，第二叉齿结构132的第二表面和第三叉齿结构133的第二表面分别与第一基板11之间具有第四间距D₄，第三间距D₃小于第四间距D₄。

在其他实施例中，也可以设置第三间距D₃大于第四间距D₄。这种情况下，参阅图3b，仅需要改变第二基板13的与第一表面相背的第二表面上的第二图形化凹槽135的位置，使得第二基板13的形成有第二图形化凹槽135的区域形成第二叉齿结构132的至少部分叉齿和第三叉齿结构133的至少部分叉齿。

图4为本申请第三实施例提供的执行图1所示加速度传感器的制备方法过程中的结构示意图。参阅图1和图4，在本实施例中，加速度传感器的制备过程的第一步、第二步和第三步分别与图2a～图2e所示实施例的第一步、第二步和第三步相同。第四步和第五步分别与图3a～图3c所示实施例的第三步和第四步相同。至此，得到如图4所示的加速度传感器30。第一叉齿结构131的第一表面和第一基板11之间具有第一间距D₁，第二叉齿结构132的第一表面和第三叉齿结构133的第一表面分别与第一基板11之间具有第二间距D₂，第一间距D₁小于第二间距D₂。第一叉齿结构131的第二表面和第一基板11之间具有第三间距D₃，第二叉齿结构132的第二表面和第三叉齿结构133的第二表面分别与第一基板11之间具有第四间距D₄，第三间距D₃小于第四间距D₄。

由于随着整个器件尺度的缩小，表面积对体积比的增大，大多数由微加工技术制造出来的MEMS器件或多或少存在粘连问题。粘连是加速度计、陀螺仪或者开关等有活动部件的MEMS器件失效的主要原因。

因此，为了避免可动叉齿和固定叉齿之间产生粘连，如图1所示的加速度传感器的制备方法100还可以包括：在第一叉齿结构131、第二叉齿结构132和第三叉齿结构133中的至少一者的表面形成防粘附层。在一个实施例中，以图4所示加速度传感器30为例，采用气相沉积工艺在第一叉齿结构131、第二叉齿结构132和第三叉齿结构133的表面制备防粘附层134，得到图5所示加速度传感器40。

在一个实施例中，防粘附层为自组装单分子层(Self-assembled monolayer，SAM)，例如，全氟癸基三氯硅烷。SAM可以改善器件表面的疏水特性，以降低器件表面粘连的风险。

本申请还提供了一种加速度传感器。参阅图2d、图3c、图4和图5中的任一附图，加速度传感器包括：间隔设置的第一基板11和第二基板13，以及位于第一基板11和第二基板13之间的多个支撑锚点12。其中，第一基板11为单晶材料。第二基板13包括第一叉齿结构131，以及分别与第一叉齿结构131的两侧叉齿交叉设置的第二叉齿结构132和第三叉齿结构133，第一叉齿结构131、第二叉齿结构132和第三叉齿结构133分别通过一支撑锚点12连接第一基板11。第一叉齿结构131以与之连接的支撑锚点12为支点，第一叉齿结构131在支点的两侧具有质量差。第一基板11为半导体材料，第二基板13为单晶材料，支撑锚点12为绝缘材料。在一示例中，第一基板11、第二基板13、支撑锚点12三者的材料包括相同的原子。例如，第一基板11和第二基板13的材料均为硅，支撑锚点12的材料为二氧化硅。

在垂直于第一基板11和第二基板13的方向上，第一叉齿结构131与第二叉齿结构132和第三叉齿结构133中的至少一者均存在高度差。

在一个实施例中，第一叉齿结构131、第二叉齿结构132和第三叉齿结构133分别包括朝向第一基板11的第一表面。第一叉齿结构131的第一表面和第一基板11之间具有第一间距D₁，第二叉齿结构132的第一表面和第三叉齿结构133的第一表面分别与第一基板11之间具有第二间距D₂，第一间距D₁小于第二间距D₂。这种情况下，在第二基板13的第一表面上刻蚀的区域较小，工艺简单。

在一个实施例中，第一叉齿结构131、第二叉齿结构132和第三叉齿结构133分别包括背向第一基板的第二表面。第一叉齿结构131的第二表面和第一基板11之间具有第三间距D₃，第二叉齿结构132的第一表面和第三叉齿结构133的第二表面与第一基板11之间均具有第四间距D₄，第三间距D₃小于第四间距D₄。这种情况下，对第二基板13的第二表面的两次刻蚀过程相邻，区别仅在于刻蚀深度和刻蚀图形，因此制备过程所需仪器设备大致相同，降低设备切换难度。

在一个实施例中，第一叉齿结构131与第二叉齿结构132和第三叉齿结构133之间的高度差均大于0微米并且小于10微米。

在一个实施例中，第一叉齿结构131、第二叉齿结构132和第三叉齿结构133中的至少一者具有防粘连层134。这样，可以避免叉指间产生粘连，提高可靠性。

在一个实施例中，第二基板13的厚度大于或等于20微米并且小于或等于100微米，例如50微米，75微米或85微米。相比于变间隙型加速度传感器而言，第二基板13的面积可以设计的更小。这种情况下，在第二基板质量为固定值的前提下，第二基板13的厚度可以取得更大值。第二基板13的厚度越大，相应地，加速度传感器的精度更高。

在一个实施例中，第一叉齿结构131与第一基板11之间的间隔大于10微米，即第一叉齿结构131的第一表面与第一基板11之间的间隔大于10微米。该间隔限定了第一叉齿结构131的活动幅度，间隔越大，活动过程受到的空气阻尼越小，故噪声越小，则可靠性越高。

在一个实施例中，支撑锚点12的材料为绝缘材料；和/或第一基板11的材料为硅。单晶材料的成膜性好，均一性高，内部应力小。因此，利用单晶材料形成第一基板11，可以降低内部应力，提高产品可靠性。在一个实施例中，第一基板11为硅片。由于现有技术中的MEMS器件大多为硅衬底，因此，利用硅片形成第一基板11，可以便于加速度传感器与其它MEMS器件集成，具有较高的兼容性。

根据本实施例提供的加速度传感器和加速度传感器的制备方法，属于同一实用新型构思，未在加速度传感器实施例中提到的相关细节和相应的技术效果可以参阅加速度传感器的制备方法实施例，反之亦然。

以上结合具体实施例描述了本申请的基本原理，但是，需要指出的是，在本申请中提及的优点、优势、效果等仅是示例而非限制，不能认为这些优点、优势、效果等是本申请的各个实施例必须具备的。另外，上述公开的具体细节仅是为了示例的作用和便于理解的作用，而非限制，上述细节并不限制本申请为必须采用上述具体的细节来实现。

本申请中涉及的器件、装置、设备、系统的方框图仅作为例示性的例子并且不意图要求或暗示必须按照方框图示出的方式进行连接、布置、配置。如本领域技术人员将认识到的，可以按任意方式连接、布置、配置这些器件、装置、设备、系统。诸如“包括”、“包含”、“具有”等等的词语是开放性词汇，指“包括但不限于”，且可与其互换使用。这里所使用的词汇“或”和“和”指词汇“和/或”，且可与其互换使用，除非上下文明确指示不是如此。这里所使用的词汇“诸如”指词组“诸如但不限于”，且可与其互换使用。

还需要指出的是，在本申请的装置、设备和方法中，各部件或各步骤是可以分解和/或重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本申请的等效方案。

提供所公开的方面的以上描述以使本领域的任何技术人员能够做出或者使用本申请。对这些方面的各种修改对于本领域技术人员而言是非常显而易见的，并且在此定义的一般原理可以应用于其他方面而不脱离本申请的范围。因此，本申请不意图被限制到在此示出的方面，而是按照与在此公开的原理和新颖的特征一致的最宽范围。

应当理解，本申请实施例描述中所用到的限定词“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”和“第六”仅用于更清楚的阐述技术方案，并不能用于限制本申请的保护范围。

为了例示和描述的目的已经给出了以上描述。此外，此描述不意图将本申请的实施例限制到在此公开的形式。尽管以上已经讨论了多个示例方面和实施例，但是本领域技术人员将认识到其某些变型、修改、改变、添加和子组合。

Claims (11)

1.一种加速度传感器，其特征在于，包括：间隔设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的多个支撑锚点；

其中，所述第一基板为单晶材料；所述第二基板包括第一叉齿结构和分别与所述第一叉齿结构的两侧叉齿交叉设置的第二叉齿结构和第三叉齿结构，所述第一叉齿结构、所述第二叉齿结构和所述第三叉齿结构分别通过一所述支撑锚点连接所述第一基板；所述第一叉齿结构以与之连接的所述支撑锚点为支点运动，所述第一叉齿结构在所述支点的两侧具有质量差；

在垂直于所述第一基板和所述第二基板的方向上，所述第一叉齿结构与所述第二叉齿结构和所述第三叉齿结构中的至少一者存在高度差。

2.根据权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，所述第一叉齿结构、所述第二叉齿结构和所述第三叉齿结构分别包括朝向所述第一基板的第一表面；所述第一叉齿结构的所述第一表面和所述第一基板之间具有第一间距，所述第二叉齿结构的所述第一表面和所述第三叉齿结构的所述第一表面分别与所述第一基板之间具有第二间距，所述第一间距小于所述第二间距。

3.根据权利要求2所述的加速度传感器，其特征在于，所述第一叉齿结构、所述第二叉齿结构和所述第三叉齿结构分别包括背向所述第一基板的第二表面；所述第一叉齿结构的所述第二表面和所述第一基板之间具有第三间距，所述第二叉齿结构的所述第一表面和所述第三叉齿结构的所述第二表面分别与所述第一基板之间具有第四间距，所述第三间距小于所述第四间距。

4.根据权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，所述第一叉齿结构与所述第二叉齿结构和所述第三叉齿结构之间的高度差均大于0微米并且小于10微米。

5.根据权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，所述第一叉齿结构、所述第二叉齿结构和所述第三叉齿结构中的至少一者具有防粘连表面。

6.根据权利要求5所述的加速度传感器，其特征在于，所述防粘连表面的材料为自组装单分子材料。

7.根据权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，所述第二基板的厚度大于或等于20微米并且小于或等于100微米。

8.根据权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，所述第二叉齿结构和所述第三叉齿结构与所述第一基板之间的间隔均大于10微米。

9.根据权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，所述第一基板为半导体材料，所述第二基板为单晶材料；所述支撑锚点为绝缘材料。

10.根据权利要求1所述的加速度传感器，其特征在于，所述第一基板、所述第二基板、所述支撑锚点三者的材料包括相同的原子。

11.根据权利要求10所述的加速度传感器，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板的材料均为硅；和/或所述支撑锚点的材料为二氧化硅。

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