CN215187344U - 一种mute电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于汽车多媒体音视频技术领域，尤其为一种MUTE电路，包括NPN硅三极管Q12、R189、R171、电容器C171、电容器C29以及由RL、R103、电容器C119和RCA‑RL依次串联组成的音频通道RL，其中，NPN硅三极管Q12的集电极接音频通道RL，NPN硅三极管Q12的B级接LINEOUT_M1信号电路，LINEOUT_M1信号使用12V上拉，R189串联于LINEOUT_M1信号电路上，NPN硅三极管Q12的发射极接地，R171的一端接地，R171的另一端接音频通道RL。本实用新型使用NPN三极管充当开关管，发射极接音频通道，集电极接地，当基极接3.3V电压时，发射极集电极导通，音频通道电平被拉低，完成MUTE动作，MUTE电路采用三极管反接方式，完成MUTE动作更快，音频通道残余电压更低，MUTE深度更深。
Description
技术领域
本实用新型涉及汽车多媒体音视频技术领域，具体为一种MUTE电路。
背景技术
最初的汽车音响从原始的单声道发展到双声道输出，从四声道环绕立体声到现在的Dolby Digital。音频处理器从最初的线性电位器发展到模拟音频处理器和现在的数字处理器。从汽车音响本身的音响效果追求到特定汽车系统的空间音响效果的设定，进行各种汽车噪音的采集和降噪处理，以期达到高质量的音效效果。
静音电路集成于音响集成控制电路的小信号音频放大电路中，我们经常会使用静音电路，如开关机的静音电路，即MUTE电路，在音响工作中静音。但在现有技术中，MUTE电路在使用时偶尔会出现静音不干净的情况，喇叭功率25W以上并将声音开很高时会有杂音出现，静音效果不佳。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种MUTE电路，解决了现有技术中，MUTE电路在使用时偶尔会出现静音不干净的情况，喇叭功率25W以上并将声音开很高时会有杂音出现，静音效果不佳的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种MUTE电路，包括 NPN硅三极管Q12、R189、R171、电容器C171、电容器C29以及由RL、R103、电容器C119和RCA-RL依次串联组成的音频通道RL，其中，NPN硅三极管Q12 的集电极接音频通道RL，NPN硅三极管Q12的B级接LINEOUT_M1信号电路， LINEOUT_M1信号使用12V上拉，R189串联于LINEOUT_M1信号电路上，NPN硅三极管Q12的发射极接地，R171的一端接地，R171的另一端接音频通道RL，电容器C171和电容器C29的一端分别连接于音频通道RL上对应电容器C119 的两端，电容器C171和电容器C29的另一端接地。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述NPN硅三极管Q12采用NPN 硅三极管2N3904。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述R189的阻值为4K7。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述R171的阻值为15K。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述电容器C171的容值为100pF。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述电容器C29的容值为33pF。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述R103的阻值为100R。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述电容器C119的容值为10uF，电压为16V。
(三)有益效果
与现有技术相比，本实用新型提供了一种MUTE电路，具备以下有益效果：
该MUTE电路，使用NPN三极管充当开关管，发射极接音频通道，集电极接地，当基极接3.3V电压时，发射极集电极导通，音频通道电平被拉低，完成MUTE动作，MUTE电路采用三极管反接方式，完成MUTE动作更快，音频通道残余电压更低，MUTE深度更深。
附图说明
图1为本实用新型的MUTE电路示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例
请参阅图1，本实用新型提供以下技术方案：一种MUTE电路，包括NPN 硅三极管Q12、R189、R171、电容器C171、电容器C29以及由RL、R103、电容器C119和RCA-RL依次串联组成的音频通道RL，其中，NPN硅三极管Q12 的集电极接音频通道RL，NPN硅三极管Q12的B级接LINEOUT_M1信号电路，LINEOUT_M1信号使用12V上拉，R189串联于LINEOUT_M1信号电路上，NPN硅三极管Q12的发射极接地，R171的一端接地，R171的另一端接音频通道RL，电容器C171和电容器C29的一端分别连接于音频通道RL上对应电容器C119 的两端，电容器C171和电容器C29的另一端接地。
具体的，NPN硅三极管Q12采用NPN硅三极管2N3904。
具体的，R189的阻值为4K7。
具体的，R171的阻值为15K。
具体的，电容器C171的容值为100pF。
具体的，电容器C29的容值为33pF。
具体的，R103的阻值为100R。
具体的，电容器C119的容值为10uF，电压为16V。
本实用新型的工作原理及使用流程：本发明把NPN管当开关管，如图1 所示，NPN硅三极管Q12集电极接音频通道RL，发射极接地，B极LINEOUT_M1 信号使用12V上拉，因为在三极管器件的设计中，通常会在发射区进行N型高掺杂，基区设计的很薄，这对集电区则进行较低的P型掺杂且面积很大。所以当集电极接音频通道，发射极接地时，需要的驱动电流会更大，放大倍数会降低放大倍数70～100倍的NPN硅三极管，集电极与发射极反过来后，放大倍数大约为20～30倍，但与此同时三极管到达饱和工作状态的速度会更快，同时饱和压降会更低，也就是MUTE动作会更快，音频通道的电压会更低，完成MUTE动作更快，MUTE深度更深。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种MUTE电路，其特征在于：包括NPN硅三极管Q12、R189、R171、电容器C171、电容器C29以及由RL、R103、电容器C119和RCA-RL依次串联组成的音频通道RL，其中，NPN硅三极管Q12的集电极接音频通道RL，NPN硅三极管Q12的B级接LINEOUT_M1信号电路，LINEOUT_M1信号使用12V上拉，R189串联于LINEOUT_M1信号电路上，NPN硅三极管Q12的发射极接地，R171的一端接地，R171的另一端接音频通道RL，电容器C171和电容器C29的一端分别连接于音频通道RL上对应电容器C119的两端，电容器C171和电容器C29的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种MUTE电路，其特征在于：所述NPN硅三极管Q12采用NPN硅三极管2N3904。
3.根据权利要求1所述的一种MUTE电路，其特征在于：所述R189的阻值为4K7。
4.根据权利要求1所述的一种MUTE电路，其特征在于：所述R171的阻值为15K。
5.根据权利要求1所述的一种MUTE电路，其特征在于：所述电容器C171的容值为100pF。
6.根据权利要求1所述的一种MUTE电路，其特征在于：所述电容器C29的容值为33pF。
7.根据权利要求1所述的一种MUTE电路，其特征在于：所述R103的阻值为100R。
8.根据权利要求1所述的一种MUTE电路，其特征在于：所述电容器C119的容值为10uF，电压为16V。
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