CN215121251U - 高功率因素无频闪led电路及大功率led球泡灯 - Google Patents
高功率因素无频闪led电路及大功率led球泡灯 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种高功率因素无频闪LED电路,包括依次连接的整流电路、主控电路、LED模组和除频电路;所述整流电路用于将交流电转换成高压直流电,并将所述高压直流电向所述主控电路适配供电,所述主控电路用于控制所述LED模组的通断,所述除频电路用于对所述LED模组进行除频处理。相应地,本实用新型还公开了一种大功率LED球泡灯,包括球泡灯和所述高功率因素无频闪LED电路,所述高功率因素无频闪LED电路设于所述球泡灯的内部。采用本实用新型,功率因素高,能实现LED无频闪的灯光效果,又具备更高的抗雷击浪涌能力。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED照明领域,尤其涉及一种高功率因素无频闪LED电路及一种大功率LED球泡灯。
背景技术
随着科技技术的不断发展,LED技术已在人们的生活中广泛应用,衍生出来的产品如大功率LED球泡灯更是普遍存在各种生活场景或工作场景,与传统照明灯具相比,大功率LED球泡灯具有使用寿命长、耗电低、安全性能高和环保等优点,逐渐成为了LED照明的第一选择。
目前,大功率LED球泡灯虽然已经具有相当高品质性能,如何进一步提高功率因素和抗雷击浪涌能力,同时实现LED无频闪的灯光效果,成为LED球泡灯提升的技术难题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种高功率因素无频闪LED电路及大功率LED球泡灯,可实现LED无频闪的灯光效果,功率因素高和抗雷击浪涌能力强。
为了解决上述技术问题,本实用新型公开了一种高功率因素无频闪LED电路,包括整流电路、主控电路、LED模组和除频电路,所述整流电路、主控电路、LED模组和除频电路依次连接;所述整流电路的输出端与所述主控电路的输入端连接,所述整流电路用于将交流市电转换成高压直流电,并将所述高压直流电向所述主控电路适配供电;所述主控电路的输出端与所述LED模组的输入端连接,所述主控电路用于控制所述LED模组的通断;所述LED模组的输出端与所述除频电路连接,所述除频电路用于对所述LED模组进行除频处理。
优选地,所述除频电路包括除频调节模块和除频芯片组,所述除频芯片组包括一个除频芯片或多个相互并联的除频芯片;所述除频芯片组上设有除频输入引脚、除频输出引脚和除频调节引脚,所述除频输入引脚与所述LED模组连接,所述除频输出引脚与所述整流电路或主控电路连接,所述除频调节引脚通过所述除频调节模块与所述整流电路或主控电路连接。
优选地,所述主控电路包括主芯片、主芯片启动模块、电压反馈模块、电流控制模块、环路补偿模块和驱动模块,所述主芯片分别与所述主芯片启动模块、驱动模块、电压反馈模块、电流控制模块和环路补偿模块连接。
优选地,所述主芯片为BUCK主芯片,所述除频芯片组的除频调节引脚通过所述除频调节模块与所述整流电路连接,或者所述主芯片为BOOST主芯片,所述除频芯片组的除频调节引脚通过所述除频调节模块与所述主控电路连接。
优选地,所述主芯片上设有主芯片供电引脚、主芯片接地引脚、驱动引脚、电压反馈引脚、电流控制引脚和环路补偿引脚;所述主芯片供电引脚通过所述主芯片启动模块与所述整流电路连接或分别与所述整流电路和主芯片接地引脚连接,所述驱动引脚、驱动模块和LED模组依次连接,所述电流控制引脚通过所述电流控制模块与所述整流电路或主芯片接地引脚连接,所述电压反馈引脚通过所述电压反馈模块与所述主芯片接地引脚连接或分别与所述整流电路和除频电路连接,所述环路补偿引脚通过所述环路补偿模块与所述整流电路连接或分别与所述主芯片接地引脚和电流控制引脚连接。
优选地,所述主芯片为BUCK主芯片,所述主芯片供电引脚通过所述主芯片启动模块分别与所述整流电路和主芯片接地引脚连接,所述电流控制引脚通过所述电流控制模块与所述主芯片接地引脚连接,所述电压反馈引脚通过所述电压反馈模块与所述主芯片接地引脚连接,所述环路补偿引脚通过所述环路补偿模块分别与所述主芯片接地引脚和电流控制引脚连接。
优选地,所述主芯片为BOOST主芯片,所述主芯片供电引脚通过所述主芯片启动模块与所述整流电路连接,所述电流控制引脚通过所述电流控制模块与所述整流电路连接,所述电压反馈引脚通过所述电压反馈模块分别与所述整流电路和除频电路连接,所述环路补偿引脚通过所述环路补偿模块与所述整流电路连接。
优选地,所述整流电路包括整流桥和整流滤波模块,所述整流桥与整流滤波模块连接;所述整流桥上设有整流输入正端、整流输入反端、整流输出引脚和整流接地引脚;所述整流输入正端与火线连接,所述整流输入反端与零线连接,所述整流滤波模块的输入端与所述整流输出引脚连接,所述整流滤波模块的输出端与所述主控电路的输入端连接。
优选地,所述整流电路还包括EMI滤波保护模块,所述EMI滤波保护模块的输入端分别与所述火线和零线连接,所述EMI滤波保护模块的输出端分别与所述整流输入正端和整流输入反端连接。
相应地,本实用新型还提供了一种大功率LED球泡灯,包括球泡灯和所述高功率因素无频闪LED电路,所述高功率因素无频闪LED电路设于所述球泡灯的内部。
实施本实用新型的有益效果在于:
本发明将整流电路、主控电路、LED模组和除频电路相结合,以实现无频闪灯光效果的高功率因素无频闪LED电路,同时还具备功率因素高和抗雷击浪涌能力强的优点,具体地:本实用新型通过除频电路对LED模组进行除频处理,以实现无频闪的灯光效果;同时,本实用新型通过主控电路对LED模组进行通断控制处理,提高了电能的利用率,功率因素高;另外,本实用新型还通过整流电路也增强了本实用新型的抗雷击浪涌的能力,安全性能高于国际法规要求。
附图说明
图1为本实用新型的高功率因素无频闪LED电路中电路模块的连接图;
图2为本实用新型的高功率因素无频闪LED电路中第一实施例的电路图;
图3为本实用新型的高功率因素无频闪LED电路中第二实施例的电路图;
图4为本实用新型的大功率LED球泡灯的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
如图1所示,本实用新型的高功率因素无频闪LED电路5,包括整流电路1、主控电路2、LED模组3和除频电路4,整流电路1、主控电路2、LED模组3和除频电路4依次连接;
工作时,整流电路1的输出端与主控电路2的输入端连接,整流电路1用于将交流市电转换成高压直流电,并将高压直流电向主控电路2适配供电,主控电路2的输出端与LED模组3的输入端连接,主控电路2用于控制LED模组3的通断,LED模组3的输出端与除频电路4连接,除频电路4用于对LED模组3进行除频处理。
需要说明的是,本实用新型的高功率因素无频闪LED电路5包括两个实施例,以下就两个实施例进行解析:
如图2所示,本实用新型的第一实施例包括依次连接的整流电路1、主控电路2、LED模组3和除频电路4,下面分别对整流电路1、主控电路2、LED模组3和除频电路4进行描述。
一、整流电路1
整流电路1包括EMI滤波保护模块、整流桥BR1和整流滤波模块,EMI滤波保护模块、整流桥和整流滤波模块依次连接,具体地:
整流桥BR1用于将220V交流市电转换成高压直流,其中,整流桥BR1上设有整流输入正端、整流输入反端、整流输出引脚和整流接地引脚。
EMI滤波保护模块包括第一保险电阻F1、第一共模扼流圈LF1、第一X电容CX1和第一压敏电阻VR1,第一保险电阻F1用于短路保护,第一压敏电阻VR1用于整流输入正端和整流输入反端之间的过压保护、第一共模扼流圈LF1和第一X电容CX1用于消除共模干扰。需要说明的是,EMI滤波保护模块能达到1.5KV的抗雷击浪涌能力,高于国际0.5KV的抗雷击浪涌标准。
进一步地,第一共模扼流圈LF1上设有输入正端、输入反端、输出正端和输出反端。
整流滤波模块包括第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1和第二压敏电阻VR2,第一电容C1、第二电容C2和第一电感L1组合成CLC滤波网络,用于对高压直流进行CLC滤波,第二压敏电阻VR2用于整流输出引脚和整流接地引脚间的过压保护。
第一共模扼流圈LF1的输出正端与整流输入正端连接,第一共模扼流圈LF1的输入正端通过第一保险电阻F1与火线连接,第一共模扼流圈LF1的输入反端与零线连接,第一共模扼流圈LF1的输出反端与整流输入反端连接,整流输入正端分别通过第一X电容CX1和第一压敏电阻VR1与整流输入反端连接;第一电感L1的一端与整流输出引脚连接,并通过第一电容C1与整流接地引脚连接,第一电感L1的另一端分别通过第二电容C2和第二压敏电阻VR2与整流接地引脚连接。
工作时,220V交流市电经过EMI滤波模块消除共模干扰后,通过整流桥BR1的整流作用,将220V交流市电转换成高压直流,再通过CLC滤波网络的整流滤波模块,最后输出相对平稳的高压直流。
需要说明的是,对于EMC要求不高的使用场景,本实施例的整流电路1可省略EMI滤波保护模块。
二、主控电路2
主控电路2包括主芯片U1、主芯片启动模块、电压反馈模块、电流控制模块、环路补偿模块和驱动模块,主芯片分别与主芯片启动模块、驱动模块、电压反馈模块、电流控制模块和环路补偿模块连接。具体地:
本实施中的主芯片U1为BUCK主芯片,主芯片U1上设有主芯片供电引脚VCC、主芯片接地引脚GND、驱动引脚GATE、电压反馈引脚FB、电流控制引脚ISP和环路补偿引脚COMP。优选地,主芯片U1可选用型号为JW1765的芯片,但不以此为限制,可根据实际情况选择合适的型号。
主芯片启动模块包括第一电阻R1和第一启动电容CS1,第一电阻R1用于高压直流向主芯片U1供电时的分压和限流,第一启动电容CS1用于稳定主芯片供电引脚VCC上的电压。
电压反馈模块包括第二电阻R2和第三电阻R3,第二电阻R2和第三电阻R3分压,用于检测主控电路2的输出电压。
电流控制模块包括第一电流控制电阻RS1,第一电流控制电阻RS1用于调节主控电路2的工作电流。
环路补偿模块包括第三电容C3和第四电容C4,第三电容C3和第四电容C4用于主控电路2的输出电压和输出电流的环路补偿。
驱动模块包括第四电阻R4、第五电阻R5、第一NMOS场效应管Q1、第五电容C5、第一储能电感T1、第一储能电容CE1、第二二极管D2,第四电阻R4用于第一NMOS场效应管Q1的栅极的限流,第四电阻R4和第五电阻R5电阻分压用于为第一NMOS场效应管Q1的栅极提供导通电压,第一NMOS场效应管Q1用于控制LED模组3的通断,第五电容C5用于滤除第一NMOS场效应管Q1开关时的尖峰脉冲,第一储能电感T1和第一储能电容CE1用于第一NMOS场效应管Q1导通时存储电能和第一NMOS场效应管Q1截止时释放电能,第二二极管D2用于第一NMOS场效应管Q1截止时为第一储能电感T1和第一储能电容CE1释放电能提供单向回路通道。
需要补充的是,本实施例的主控电路2还包括了电源补充模块;具体地,电源补充模块包括第一二极管D1和第六电阻R6,第一二极管D1和第六电阻R6用于驱动模块向主芯片U1供电时提供补充通道,降低第一电阻R1的功耗,提高功率因素。
主芯片供电引脚VCC通过第一电阻R1分别与第一NMOS场效应管Q1的漏极、第五电容C5的一端和整流电路1的第一电感L1的一端连接,并通过第一启动电容CS1与主芯片接地引脚GND连接,第五电容C5的另一端与LED模组3连接,并通过第一储能电感T1与主芯片接地引脚GND连接,同时还通过第一储能电容CE1分别与第二二极管D2的正极和整流接地引脚连接,第二二极管D2的负极分别与电流控制引脚ISP和第一NMOS场效应管Q1的源极连接,并通过第一电流控制电阻RS1与主芯片接地引脚GND连接,电流控制引脚ISP通过第四电容C4与环路补偿引脚COMP连接,环路补偿引脚COMP通过第三电容C3与主芯片接地引脚GND连接,第一NMOS场效应管Q1的栅极通过第四电阻R4与驱动引脚GATE连接,并通过第五电阻R5分别与第一NMOS场效应管Q1的源极和电流控制引脚ISP连接,电压反馈引脚FB通过第二电阻R2分别与第一二极管D1的正极和第一储能电容CE1的正极连接,并通过第三电阻R3与主芯片接地引脚GND连接,第一二极管D1的负极通过第六电阻R6与主芯片供电引脚VCC连接。
工作时,整流电路1通过第一电阻R1为第一启动电容CS1充电,当第一启动电容CS1的电压达到主芯片U1的启动电压时,主芯片U1激活启动,驱动引脚GATE输出开关信号以驱动第一NMOS场效应管Q1的导通或截止,当驱动引脚GATE输出高电平,第一NMOS场效应管Q1导通,整流电路1输出的高压直流就会通过第一NMOS场效应管Q1为第一储能电感T1和第一储能电容CE1充能,同时给LED模组3供电,当驱动引脚GATE输出低电平,第一NMOS场效应管Q1截止,整流电路1无法为第一储能电感T1充能,第一储能电感T1和第一储能电容CE1同时释放电能为LED模组3供电,并通过电源补充模块为主芯片U1供电。
三、LED模组3
LED模组3的一端与主控电路2连接,LED模组3的另一端与除频电路4连接。
具体地,所述LED模组3包括至少一个LED灯珠;当所述LED模组3包括多个所述LED灯珠时,多个所述LED灯珠可串联或并联。
四、除频电路4
除频电路4包括相互连接的调节除频模块和两个相同且相互并联的第一除频芯片U2和第二除频芯片U3,两个相同且相互并联的第一除频芯片U2和第二除频芯片U3用于对LED模组3进行除频处理。需要说明的是,除频芯片的数量可以为单个或多个,可根据实际情况进行设置,此处对除频芯片的数量进行限定,仅仅为上述原理进行更好地阐述,并不以此作为数值限定。同时,除频芯片可选用型号为DIO8242D的芯片,但不以此为限制,可根据实际情况选择合适的型号。
调节除频模块包括第六电容C6和第一输出限流电阻RS11,第六电容C6用于调节LED模组3的除频深度,第一输出限流电阻RS11用于限制LED模组3的工作电流。
第一除频芯片U2上设有第一除频输入引脚、第一除频输出引脚和第一除频调节引脚,第二除频芯片U3上设有第二除频输入引脚、第二除频输出引脚和第二除频调节引脚。其中,第一除频输入引脚和第二除频输入引脚同时与LED模组3连接,第一除频输出引脚和第二除频输出引脚同时通过第一输出限流电阻RS11与整流接地引脚连接,第一除频调节引脚和第二除频调节引脚同时依次通过第六电容C6、第一输出限流电阻RS11与整流接地引脚连接。
工作时,通过选择不同容值的第六电容C6,以使LED模组3点亮时达到无频闪的灯光效果。
如图3所示,本实用新型的第二实施例包括依次连接的整流电路1、主控电路2、LED模组3和除频电路4,下面分别对整流电路1、主控电路2、LED模组3和除频电路4进行描述。
一、整流电路1
整流电路1包括EMI滤波保护模块、整流桥BR2和整流滤波模块,EMI滤波保护模块、整流桥BR2和整流滤波模块依次连接。
与图2所示的第一实施例的整流电路1不同的是,本实施例中,EMI滤波保护模块包括第二保险电阻F2、热敏电阻NTC1、第二共模扼流圈LF2、第三共模扼流圈LF3、第二X电容CX2、第三压敏电阻VR3、第七电阻R7和第八电阻R8,第二保险电阻F2用于短路保护,热敏电阻NTC1用于过热保护、第二共模扼流圈LF2、第三共模扼流圈LF3和第二X电容CX2用于消除共模干扰,第三压敏电阻VR3用于第二共模扼流圈LF2两端之间的过压保护,第七电阻R7和第八电阻R8串联,用于断电后为第二X电容放电提供放电通道。需要说明的是,第二EMI滤波保护模块能达到1.5KV的抗雷击浪涌能力,高于国际0.5KV的抗雷击浪涌标准。
进一步地,第二共模扼流圈LF2上设有输入正端、输入反端、输出正端和输出反端,第三共模扼流圈LF3上设有输入正端、输入反端、输出正端和输出反端。
同时,与图2所示的第一实施例的整流电路1不同的是,本实施例中,整流滤波模块包括第七电容C7、第八电容C8、第二电感L2和第九电阻R9,第七电容C7、第八电容C8和第二电感L2组合成CLC滤波网络,用于对高压直流进行CLC滤波,第九电阻R9用于降低输出阻抗,提高输出能力。
第二共模扼流圈LF2的输入正端通过第二保险电阻F2与火线连接,并分别通过第二X电容CX2、第三压敏电阻VR3、串联的第七电阻R7和第八电阻R8与第二共模扼流圈LF2的输入反端连接,第二共模扼流圈LF2的输入反端则通过热敏电阻NTC1与零线连接,第三共模扼流圈LF3的输入正端与第二共模扼流圈LF2的输出正端连接,第三共模扼流圈LF3的输入反端与第二共模扼流圈LF2的输出反端连接,第三共模扼流圈LF3的输出正端与整流输入正端连接,第三共模扼流圈LF3的输出反端与整流输入反端连接,第二电感L2与第九电阻R9相互并联,相互并联的第二电感L2与第九电阻R9的一端与整流输出引脚连接,并通过第七电容C7与整流接地引脚连接,相互并联的第二电感L2与第九电阻R9的另一端则通过第八电容C8与整流接地引脚连接。
工作时,220V交流市电经过EMI滤波模块消除共模干扰后,通过第二整流桥BR2的整流作用,将220V交流市电转换成高压直流,再通过CLC滤波网络的整流滤波模块,最后输出相对平稳的高压直流。
需要说明的是,对于EMC要求不高的使用场景,本实施例的整流电路1可省略EMI滤波保护模块。
二、主控电路2
主控电路2包括主芯片U4、主芯片启动模块、电压反馈模块、电流控制模块、环路补偿模块和驱动模块,主芯片分别与主芯片启动模块、驱动模块、电压反馈模块、电流控制模块和环路补偿模块连接。具体地:
本实施中的主芯片U4为BOOST主芯片,主芯片U4上设有主芯片供电引脚VDD、主芯片接地引脚GND、驱动引脚SW、电压反馈引脚FB、电流控制引脚CS、环路补偿引脚COM、结温检测引脚RFT和过压检测引脚OVP。与图2所示的第一实施例的主控电路2不同的是,本实施例的主控电路2上还设有结温检测引脚RFT和过压检测引脚OVP;优选地,主芯片U4可选用型号为BP2608的芯片,但不以此为限制,可根据实际情况选择合适的型号。
主芯片启动模块包括第十电阻R10和第二启动电容CS2,第十电阻R10用于高压直流向主芯片U4供电时的分压和限流,第二启动电容CS2用于稳定主芯片供电引脚VDD上的电压。
电流控制模块包括第二电流控制电阻RS2,第二电流控制电阻RS2用于调节主控电路2的工作电流。
与图2所示的第一实施例的主控电路2不同的是,本实施例中,电压反馈模块包括第十六电阻R16、第十七电阻R17和第七二极管D7,第十六电阻R16和第十七电阻R17分压,用于检测主控电路2的输出电压,第七二极管D7用于将反馈电压最高钳位在第七二极管导通电压,例如0.7V。
与图2所示的第一实施例的主控电路2不同的是,本实施例中,环路补偿模块包括第十电容C10,第十电容C10用于主控电路2的输出电压的环路补偿。
与图2所示的第一实施例的主控电路2不同的是,本实施例中,驱动模块包括第十一电阻R11、第十一电容C11、第十五电阻R15、第二储能电容CE2、第九电容C9、第三二极管D3、第四二极管D4、第五二极管D5、第六二极管D6、第二储能电感T2和第二NMOS场效应管Q2,第十一电阻R4用于第二NMOS场效应管Q2的栅极的限流,第五二极管D5用于提高第二NMOS场效应管Q2的开关速度,第六二极管D6用于单向隔离主芯片供电引脚VDD和第二NMOS场效应管Q2的源极,第十一电容C11用于稳定驱动引脚SW的电压,第二储能电感T2和第二储能电容CE2用于第二NMOS场效应管Q2截止时存储电能和第二NMOS场效应管Q2导通时释放电能,第四二极管D4用于单向隔离第二储能电感T2和第二储能电容CE2,第三二极管D3用于在第二储能电感T2和第二储能电容CE2未完全储能时为LED模组3供电、加快第二储能电感T2和第二储能电容CE2的电量储存和保护第二NMOS场效应管Q2,第九电容C9用于滤除第二NMOS场效应管Q2开关时的尖峰脉冲,第十五电阻R15用作假负载。
需要说明的是,本实施例的主控电路2不需设置电源补充模块,但还包括了结温检测模块和过压检测模块。具体地,结温检测模块包括第十二电阻R12,第十二电阻R12用于检测主芯片U4的结温。过压检测模块包括第十三电阻R13和第十四电阻R14,第十三电阻R13和第十四电阻R14利用电阻分压,将输出电压按比例缩小成幅值与主芯片U4适配的检测电压,并将检测电压送至主芯片U4进行过压检测。
第三二极管D3的正极与整流电路1的第二电感L2的一端连接,第三二极管D3的正极通过第二储能电感T2分别与第四二极管D4的正极和第二NMOS场效应管Q2的漏极连接,并通过第十电阻R10与主芯片供电引脚VDD连接,主芯片供电引脚VDD通过第二启动电容CS2与整流接地引脚连接,第三二极管D3的负极分别与第四二极管D4的负极和LED模组3连接,并分别通过第二储能电容CE2和第十五电阻R15与整流接地引脚连接,过压检测引脚OVP通过第十三电阻R13与第四二极管D4的负极连接,并通过第十四电阻R14与整流接地引脚连接,第三二极管D3与第九电容C9相互并联,第十一电阻R11和第五二极管D5相互并联,主芯片供电引脚VDD通过相互并联的第十一电阻R11和第五二极管D5与第二NMOS场效应管Q2的栅极连接,并通过第六二极管D6分别与驱动引脚SW和第二NMOS场效应管Q2的源极连接,驱动引脚SW通过第十一电容C11与整流接地引脚连接,第七二极管D7的正极与除频电路4连接,并通过第十六电阻R16与电压反馈引脚FB连接,第七二极管D7的负极与整流接地引脚连接,第十七电阻R17与第七二极管D7相互并联,环路补偿引脚COM通过第十电容C10与整流接地引脚连接,结温检测引脚RFT通过第十二电阻R12与整流接地引脚连接,电流控制引脚CS通过第二电流控制电阻RS2与整流接地引脚连接,主芯片接地引脚GND与整流接地引脚连接。
工作时,第二整流电路12通过第十电阻R10为第二启动电容CS2充电,当第二启动电容CS2的电压达到主芯片U4的启动电压时,主芯片U4激活启动,驱动引脚SW输出开关信号以驱动第二NMOS场效应管Q2的导通或截止,当驱动引脚SW输出高电平,第二NMOS场效应管Q2截止,整流电路1输出的高压直流就会通过第二NMOS场效应管Q2为第二储能电感T2和第二储能电容CE2充能,同时给LED模组3供电,当驱动引脚SW输出低电平,第二NMOS场效应管Q2导通,第二储能电感T2释放电量给第十一电容C11充电,第二储能电容CE2释放电量继续为LED模组3供电。
三、LED模组3
本实施例中LED模组3的结构与实施例1中LED模组3的结构一致,在本实施例中不再重复阐述。
四、除频电路4
除频电路4包括相互连接的调节除频模块和两个相同且相互并联的第三除频芯片U5和第四除频芯片U6,两个相同且相互并联的第三除频芯片U5和第四除频芯片U6用于对LED模组3进行除频处理。需要说明的是,除频芯片的数量可以为单个或多个,可根据实际情况进行设置,此处对除频芯片的数量进行限定,仅仅为上述原理进行更好地阐述,并不以此作为数值限定。同时,除频芯片可选用型号为DIO8242D的芯片,但不以此为限制,可根据实际情况选择合适的型号。
与图2所示的第一实施例的除频电路4不同的是,本实施例中,调节除频模块包括第十二电容C12,第十二电容C12用于调节LED模组3的除频深度。
第三除频芯片U5上设有第三除频输入引脚、第三除频输出引脚和第三除频调节引脚,第四除频芯片U6上设有第四除频输入引脚、第四除频输出引脚和第四除频调节引脚。其中,第三除频输入引脚和第四除频输入引脚同时与LED模组3连接,第三除频输出引脚和第四除频输出引脚同时与主控电路2的第十七电阻R17的一端连接,第三除频调节引脚和第四除频调节引脚同时依次通过第十二电容C12、第十七电阻R17与整流接地引脚连接。
工作时,通过选择不同容值的第十二电容C12,以使LED模组3点亮时达到无频闪的灯光效果。
相应地,本发明还公开了一种大功率LED球泡灯。如图4所示,所述大功率LED球泡灯包括球泡灯和高功率无频闪LED电路5,高功率因素无频闪LED电路5设于所述球泡灯的内部。
由上可知,本发明将整流电路、主控电路、LED模组和除频电路相结合,以实现无频闪灯光效果的高功率因素无频闪LED电路,同时还具备功率因素高和抗雷击浪涌能力强的优点,具体地:本实用新型通过除频电路对LED模组进行除频处理,以实现无频闪的灯光效果;同时,本实用新型通过主控电路对LED模组进行通断控制处理,提高了电能的利用率,功率因素高;另外,本实用新型还通过整流电路也增强了本实用新型的抗雷击浪涌的能力,安全性能高于国际法规要求。
以上所述是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种高功率因素无频闪LED电路,其特征在于:包括整流电路、主控电路、LED模组和除频电路,所述整流电路、主控电路、LED模组和除频电路依次连接;
所述整流电路的输出端与所述主控电路的输入端连接,所述整流电路用于将交流市电转换成直流电,并将所述直流电向所述主控电路适配供电;
所述主控电路的输出端与所述LED模组的输入端连接,所述主控电路用于控制所述LED模组的通断;
所述LED模组的输出端与所述除频电路的输入端连接,所述除频电路用于对所述LED模组进行除频处理。
2.根据权利要求1所述的高功率因素无频闪LED电路,其特征在于:所述除频电路包括除频调节模块和除频芯片组,所述除频芯片组包括至少一个除频芯片;
所述除频芯片组上设有除频输入引脚、除频输出引脚和除频调节引脚,所述除频输入引脚与所述LED模组连接,所述除频输出引脚与所述主控电路连接或通过所述除频调节模块与所述整流电路连接,所述除频调节引脚通过所述除频调节模块与所述整流电路或主控电路连接。
3.根据权利要求2所述的高功率因素无频闪LED电路,其特征在于:所述主控电路包括主芯片、主芯片启动模块、电压反馈模块、电流控制模块、环路补偿模块和驱动模块,所述主芯片分别与所述主芯片启动模块、驱动模块、电压反馈模块、电流控制模块和环路补偿模块连接;其中,所述主芯片启动模块的输入端为所述主控电路的输入端,所述驱动模块的输出端为所述主控电路的输出端。
4.根据权利要求3所述的高功率因素无频闪LED电路,其特征在于:所述主芯片为BUCK主芯片,所述除频输出引脚通过所述除频调节模块与所述整流电路连接,所述除频芯片组的除频调节引脚通过所述除频调节模块与所述整流电路连接;
所述主芯片上设有主芯片供电引脚、主芯片接地引脚、驱动引脚、电压反馈引脚、电流控制引脚和环路补偿引脚,所述主芯片供电引脚通过所述主芯片启动模块分别与所述整流电路和主芯片接地引脚连接,所述驱动引脚、驱动模块和LED模组依次连接,所述电流控制引脚通过所述电流控制模块与所述主芯片接地引脚连接,所述电压反馈引脚通过所述电压反馈模块与所述主芯片接地引脚连接,所述环路补偿引脚通过所述环路补偿模块分别与所述主芯片接地引脚和电流控制引脚连接。
5.根据权利要求4所述的高功率因素无频闪LED电路,其特征在于:所述主控电路还包括电源补充模块,所述主芯片供电引脚通过所述电源补充模块与所述LED模组的输入端连接。
6.根据权利要求3所述的高功率因素无频闪LED电路,其特征在于:所述主芯片为BOOST主芯片,所述除频输出引脚与所述主控电路连接,所述除频芯片组的除频调节引脚通过所述除频调节模块与所述主控电路连接;
所述主芯片上设有主芯片供电引脚、主芯片接地引脚、驱动引脚、电压反馈引脚、电流控制引脚和环路补偿引脚,所述主芯片供电引脚通过所述主芯片启动模块与所述整流电路连接,所述驱动引脚、驱动模块和LED模组依次连接,所述电流控制引脚通过所述电流控制模块与所述整流电路连接,所述电压反馈引脚通过所述电压反馈模块分别与所述整流电路和除频电路连接,所述环路补偿引脚通过所述环路补偿模块与所述整流电路连接。
7.根据权利要求6所述的高功率因素无频闪LED电路,其特征在于:所述主控电路还包括结温检测模块和过压检测模块,所述主芯片上还设有结温检测引脚和过压检测引脚,所述结温检测引脚通过所述结温检测模块与所述整流电路连接,所述过压检测引脚通过所述过压检测模块分别与所述整流电路和所述驱动模块连接。
8.根据权利要求1-7任一项所述的高功率因素无频闪LED电路,其特征在于:所述整流电路包括整流桥和整流滤波模块,所述整流桥与整流滤波模块连接;
所述整流桥上设有整流输入正端、整流输入反端、整流输出引脚和整流接地引脚;
所述整流输入正端与火线连接,所述整流输入反端与零线连接,所述整流滤波模块的输入端与所述整流输出引脚连接,所述整流滤波模块的输出端与所述主控电路的输入端连接。
9.根据权利要求8所述的高功率因素无频闪LED电路,其特征在于:所述整流电路还包括EMI滤波保护模块,所述EMI滤波保护模块的输入端分别与所述火线和零线连接,所述EMI滤波保护模块的输出端分别与所述整流输入正端和整流输入反端连接。
10.一种大功率LED球泡灯,其特征在于:所述大功率LED球泡灯包括球泡灯和权利要求1-9任一项所述的高功率因素无频闪LED电路,所述高功率因素无频闪LED电路设于所述球泡灯的内部。
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CN202120251013.1U CN215121251U (zh) | 2021-01-28 | 2021-01-28 | 高功率因素无频闪led电路及大功率led球泡灯 |
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Publications (1)
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