CN215072326U - 一种w波段三倍频器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种W波段三倍频器，包括：金属屏蔽腔，设置于所述金属屏蔽腔内的倍频电路，所述倍频电路采取悬置微带结构；其中，所述倍频电路包括50Ω微带线，与所述50Ω微带线相连的25‑38GHz低通滤波匹配电路，与所述25‑38GHz低通滤波匹配电路相连的W波段射频输出探针，设置于所述25‑38GHz低通滤波匹配电路与所述W波段射频输出探针间的微带片，在所述微带片上设置有两个肖特基二极管，两个所述肖特基二极管反向倒装于所述微带片上；通过悬置微带倍频电路可以更好地匹配肖特基二极管和输入输出结构，实现更宽的工作频段，满足覆盖整个W频段的要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及毫米波通信设备，尤其涉及一种W波段三倍频器。
背景技术
倍频器使输出信号频率等于输入信号频率整数倍的电路。输入频率为f1，则输出频率为f0＝nf1，系数n为任意正整数，称倍频次数。倍频器用途广泛，如发射机采用倍频器后可使主振器振荡在较低频率，以提高频率稳定度；调频设备用倍频器来增大频率偏移；在相位键控通信机中，倍频器是载波恢复电路的一个重要组成单元。
通过倍频方式容易得到稳定度高、结构紧凑的亚毫米波源。但现有的W波段三倍频器结构复杂，容易产生干扰。
发明内容
为了克服现有技术中的缺陷，本实用新型实施例提供了一种W波段三倍频器，该倍频器结构简单，实现更宽的工作频段，满足覆盖整个W频段的要求，且可以有效抑制偶次谐波。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种W波段三倍频器，包括：金属屏蔽腔，设置于所述金属屏蔽腔内的倍频电路，所述倍频电路采取悬置微带结构；
其中，所述倍频电路包括50Ω微带线，与所述50Ω微带线相连的25-38GHz低通滤波匹配电路，与所述25-38GHz低通滤波匹配电路相连的W波段射频输出探针，设置于所述25-38GHz低通滤波匹配电路与所述W波段射频输出探针间的微带片，在所述微带片上设置有两个肖特基二极管，两个所述肖特基二极管反向倒装于所述微带片上。
上述技术方案中，两个所述肖特基二极管并联设置。
上述技术方案中，所述倍频电路设置于石英介质基板的正面，所述石英介质基板的厚度为50μm。
上述技术方案中，所述金属屏蔽腔包括第一屏蔽腔，与所述第一屏蔽腔相连通且垂直设置的第二屏蔽腔。
上述技术方案中，所述倍频电路设置于所述第一屏蔽腔内并贯穿至所述第二屏蔽腔。
上述技术方案中，所述第一屏蔽腔为微带线传输腔，所述第二屏蔽腔为射频信号传输波导腔。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
1.本实用新型中通过悬置微带倍频电路，可以更好地匹配二极管和输入输出结构，可以实现更宽的工作频段，覆盖整个W频段。
2.两个肖特基二极管采用反向并联结构实现，可以有效抑制偶次谐波。
3.将倍频电路结构平面化设计，结构简单，易于装配，降低生产成本。
为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型W波段三倍频器结构示意图。
以上附图的附图标记：1、50Ω微带线；2、25-38GHz低通滤波匹配电路；3、W波段射频输出探针；4、肖特基二极管；5、第一屏蔽腔；6、第二屏蔽腔。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例一：参见图1所示，一种W波段三倍频器，包括：金属屏蔽腔，设置于所述金属屏蔽腔内的倍频电路，所述倍频电路采取悬置微带结构；
其中，所述倍频电路包括50Ω微带线1，与所述50Ω微带线1相连的25-38GHz低通滤波匹配电路2，与所述25-38GHz低通滤波匹配电路2相连的W波段射频输出探针3，设置于所述25-38GHz低通滤波匹配电路2与所述W波段射频输出探针3间的微带片，在所述微带片上设置有两个肖特基二极管4，两个所述肖特基二极管4反向倒装于所述微带片上。
通过悬置微带倍频电路，可以更好地匹配二极管和输入输出结构，可以实现更宽的工作频段，覆盖整个W频段。
优选地，两个所述肖特基二极管4并联设置。将两个肖特基二极管4采用反向并联结构实现，可以有效抑制偶次谐波。
参见图1所示，所述倍频电路设置于石英介质基板的正面，所述石英介质基板的厚度为50μm。
具体的，所述金属屏蔽腔包括第一屏蔽腔5，与所述第一屏蔽腔5相连通且垂直设置的第二屏蔽腔6。所述倍频电路设置于所述第一屏蔽腔5内并贯穿至所述第二屏蔽腔6。所述第一屏蔽腔5为微带线传输腔，所述第二屏蔽腔6为射频信号传输波导腔。
将倍频电路结构平面化设计，结构简单，易于装配，降低生产成本。
本实用新型中应用了具体实施例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
Claims (6)
1.一种W波段三倍频器，其特征在于，包括：金属屏蔽腔，设置于所述金属屏蔽腔内的倍频电路，所述倍频电路采取悬置微带结构；
其中，所述倍频电路包括50Ω微带线，与所述50Ω微带线相连的25-38GHz低通滤波匹配电路，与所述25-38GHz低通滤波匹配电路相连的W波段射频输出探针，设置于所述25-38GHz低通滤波匹配电路与所述W波段射频输出探针间的微带片，在所述微带片上设置有两个肖特基二极管，两个所述肖特基二极管反向倒装于所述微带片上。
2.根据权利要求1所述的W波段三倍频器，其特征在于：两个所述肖特基二极管并联设置。
3.根据权利要求1所述的W波段三倍频器，其特征在于：所述倍频电路设置于石英介质基板的正面，所述石英介质基板的厚度为50μm。
4.根据权利要求1所述的W波段三倍频器，其特征在于：所述金属屏蔽腔包括第一屏蔽腔，与所述第一屏蔽腔相连通且垂直设置的第二屏蔽腔。
5.根据权利要求4所述的W波段三倍频器，其特征在于：所述倍频电路设置于所述第一屏蔽腔内并贯穿至所述第二屏蔽腔。
6.根据权利要求4所述的W波段三倍频器，其特征在于：所述第一屏蔽腔为微带线传输腔，所述第二屏蔽腔为射频信号传输波导腔。
Priority Applications (1)
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| CN202121428222.5U CN215072326U (zh) | 2021-06-25 | 2021-06-25 | 一种w波段三倍频器 |
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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2021
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