CN215071632U - 一种过电压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种过电压保护电路,涉及电路保护技术领域,解决了现有技术中存在的过电压保护效果差、成本高的技术问题。该过电压保护电路包括相互连接的过电压保护单元与过电压保护输出单元,以及与所述过电压保护单元、过电压保护输出单元均连接的主控单元;过电压保护单元通过光耦合器与主控单元耦合连接,过电压保护单元设有一电流基准源U1,过电压保护输出单元连接有一待保护电压Vo。本实用新型的过电压保护电路的过电压保护效果明显,能有效降低成本,具备市场应用价值。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路保护技术领域,尤其涉及一种过电压保护电路。
背景技术
过电压是指工频下交流电压均方根值升高,超过额定值的10%,并且持续时间大于1分钟的长时间电压变动现象,属于电力系统中的一种电磁扰动现象。电力系统在特定条件下所出现的超过工作电压的异常电压升高,属于电力系统中的一种电磁扰动现象。电工设备的绝缘长期耐受着工作电压,同时还必须能够承受一定幅度的过电压,这样才能保证电力系统安全可靠地运行。电路在遭雷击和在接通、断开电感负载或大型负载时常常会产生很高的操作过电压,如不将过电压限定在合理的范围内,将会出现过电压烧毁负载电器。
现有的过电压保护电路较少,而且现有的过电压保护电路是通过采样电路采样电压值,由比较器比较采样电压与外部参考电压的大小,并在采样电压大于参考电压(即出现过电压)时输出相应的电信号触发保护电路动作。传统的过电压保护电路需要引入采样电路和外部参考电压源,电路成本高,而且过电压保护效果较差。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种过电压保护电路,以解决现有技术中存在的过电压保护效果差、成本高的技术问题。本实用新型提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。
为实现上述目的,本实用新型提供了以下技术方案:
本实用新型提供了一种过电压保护电路,包括相互连接的过电压保护单元与过电压保护输出单元,以及与所述过电压保护单元、过电压保护输出单元均连接的主控单元。
进一步地,所述过电压保护单元、过电压保护输出单元均通过光耦合器与所述主控单元耦合连接,所述过电压保护单元设有一电流基准源U1,所述过电压保护输出单元连接有一待保护电压Vo;所述过电压保护单元能够对所述待保护电压Vo进行过电压检测,并在所述电流基准源U1提供的参考电压作用下,将异常的所述待保护电压Vo调节至所述参考电压的预设范围内,调节后的所述待保护电压Vo通过所述电压保护输出单元传输至所述主控单元。
进一步地,所述过电压保护单元还包括发光二极管LED1、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4以及电阻R5;所述发光二极管LED1 的正极与所述电阻R1、电阻R2的一端均相连,其负极与所述电流基准源 U1的负极、电阻R2的另一端、电阻R4的一端均相连;所述电流基准源 U1的正极连接在所述电阻R5的一端,其参考端REF与所述电阻R5的另一端、电容C1的一极板、电阻R3的一端均相连;所述电容C1的一极板与电阻R4的一端相连;电阻R1的一端与电阻R3的一端相连,其连接点接入所述待保护电压Vo。
进一步地,所述过电压保护输出单元包括发光二极管LED2、电流基准源U2、电容C2、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9以及电阻R10;所述发光二极管LED2的正极与所述电阻R6、电阻R7的一端均相连,其负极与所述电阻R7的另一端、电阻R9的一端、电流基准源U2的负极均相连;所述电流基准源U2的正极与所述电阻R10的一端、电流基准源U1的正极均相连,其参考端REF与所述电阻R10的另一端、电容C2的一极板、电阻R8的一端均相连;所述电容C2的一极板与所述电阻R9的一端相连;所述电阻R6的一端与所述电阻R8的一端相连,其连接点接入所述待保护电压Vo;所述电流基准源U2的正极还设有一稳定输出源。
进一步地,所述主控单元包括控制器U3、与所述发光二极管LED1耦合的光敏三极管VQ1、与所述发光二极管LED2耦合的光敏三极管VQ2、电容C3以及电容C4;所述控制器U3的引脚1与所述电容C3的一极板连接,其连接点接地,所述控制器U3的引脚2与所述光敏三极管VQ1的集电极、光敏三极管VQ2的集电极以及电容C4的一极板均相连,所述光敏三极管VQ1的发射极、光敏三极管VQ2的发射极、电容C4的另一极板均接地。
进一步地,所述光耦合器包括第一光耦合器与第二光耦合器;所述发光二极管LED1、光敏三极管VQ1构成所述第一光耦合器;所述发光二极管LED2、光敏三极管VQ2构成所述第二光耦合器;所述参考电压的预设范围为:[参考电压*(1-5%),参考电压*(1+5%)]。
进一步地,所述过电压保护电路还包括与所述主控单元连接的过流保护单元,所述过流保护单元包括电容C5、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15;所述电容C5的一极板、电阻R11的一端均与所述控制器U3的引脚4相连,所述电容C5的另一极板接地,所述电阻R11的另一端与所述阻R13、电阻R14、电阻R15的一端均相连,所述电阻R13、电阻R14、电阻R15的另一端以及所述电阻R12的一端均接地;所述电阻 R12的一端通过一电阻R16与所述控制器U3的引脚6相连。
进一步地,所述过电压保护电路还包括与所述主控单元连接的EMC 单元,所述EMC单元包括压敏电阻MOV、电阻17、电阻18、电阻19、电阻20、电容C6以及电感LF1;所述压敏电阻MOV的一端与所述电阻 R17的一端、电阻R18的一端、电容C6的一极板以及电感LF1的输入正端均相连,该相连的节点通过一保险丝F连接电源的L端;所述压敏电阻 MOV的另一端均与所述电阻R19的一端、电阻R20的一端、电容C6的另一极板以及电感LF1的输入负端相连,该相连的节点通过导线连接电源的 N端;所述电阻R17的一端与所述电阻R19的一端相连,所述电阻R18的一端与所述电阻R20的一端相连。
进一步地,所述主控单元、EMC单元通过连接保护电路相连接,所述连接保护电路包括变压器T1、二极管D1、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R25;所述电阻R21的一端连接在所述电阻R17与R19之间以及所述电阻R18与R20之间,其另一端与所述电阻R22的一端、控制器U3的引脚5均相连;所述R22的另一端与所述电阻23的一端、电容 C3的一极板均相连,所述电阻R23的另一端与所述二极管D1的负极相连,所述二极管D1的正极与所述变压器T1的引脚5、电阻R24的一端均相连;所述变压器T1的引脚2与所述电阻25的一端相连且接地;所述控制器U3 的引脚3连接在所述电阻R24与电阻R25之间。
进一步地,所述过电压保护电路还包括与所述主控单元、过流保护单元以及EMC单元均连接的功率转换单元,所述功率转换单元包括变压器 T2、晶体管D2、晶体管D3、晶体管D4、晶体管D5、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29以及场效应管Q;所述场效应管Q的基极与所述电阻R12的一端、电阻R16的一端均相连,并通过所述电阻R16与所述控制器的引脚6相连,其源极与所述电阻R11、电阻R13、电阻R14、电阻R15一端均相连,其漏极与所述二极管D2的正极、变压器T2的引脚4均相连;所述二极管D2的负极与所述电阻R26的一端、电阻R27的一端均相连;所述电阻R26的另一端、电阻R27的另一端与所述电阻R28一端、电容C7的一极板均相连,且所述电阻R26、电阻 R27之间还通过导线连通;所述电阻R28的另一端、电容C7的另一极板均与所述变压器T2的引脚1相连,所述变压器T2的引脚1通过电容C8连接一稳定输出源;所述变压器T2的引脚6与所述二极管D3的正极、二极管D4的正极、电阻R29的一端以及二极管D5的正极均相连;所述二极管 D3的负极、二极管D4的负极均与所述电容C9的一极板相连,所述C9的另一极板与所述电阻R29的一端、二极管D5的负极均相连。
进一步地,所述EMC单元通过整流桥BD、电容12与所述功率转换单元连接,所述整流桥BD的输入正极与所述电感LF1的输出正极相连,所述整流桥BD的输入负极与所述电感LF1的输出负极相连,所述整流桥 BD的输出正极与所述电容C12的一极板、电阻R28的一端、电容C7的一极板以及变压器T2的引脚1均相连,所述整流桥BD的输出负极与所述电容C12的另一极板相连且接地。
进一步地,所述功率转换单元还通过电阻R30、电容C10、电容C11、电感LF2连接一输出端;所述电阻R30的一端与所述二极管D3的负极、二极管D4的负极、电容C9的一极板、电容C10的一极板、电容C11的一极板、电感LF2的输入正极均相连,其另一端与所述变压器T2的引脚7、电容C10的另一极板、电容C11的另一极板、电容的输入负极均相连;所述电感LF2的输出正极、输出负极分别连接所述输出端的输出正极V+、输出负极V-;在所述电容C10、电容C11的连接间设有用于所述过电压保护单元进行过压检测的所述待保护电压Vo。
实施本实用新型上述技术方案中的一个技术方案,具有如下优点或有益效果:
本实用新型通过光耦合器和电流基准源一起来检测并调节负载端出现过高电压,从而阻止输出电压超高破坏负载电器。本实用新型不引入采样电路和外部参考电压源,进而能有效降低成本,因此,本电路过电压保护效果明显,能有效降低成本,具备市场应用价值。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图,附图中:
图1是本实用新型实施例的一种过电压保护电路的结构框架示意图;
图2是本实用新型实施例的一种过电压保护电路的详细电路示意图;
图3是本实用新型实施例的一种过电压保护电路参考输出为12.5V的实际输出图;
图4是本实用新型实施例的未增加过电压保护电路的对比输出图。
图中:1、过电压保护单元;2、过电压保护输出单元;3、主控单元; 4、过流保护单元;5、EMC单元;6、功率转换单元。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下文将要描述的各种示例性实施例将要参考相应的附图,这些附图构成了示例性实施例的一部分,其中描述了实现本实用新型可能采用的各种示例性实施例。除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。应明白,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本实用新型公开的一些方面相一致的流程、方法和装置等的例子,还可使用其他的实施例,或者对本文列举的实施例进行结构和功能上的修改,而不会脱离本实用新型的范围和实质。
在本实用新型的描述中,术语“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接、可拆卸连接、一体地连接、机械连接、电连接、通信连接、直接相连、通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
为了说明本实用新型所述的技术方案,下面通过具体实施例来进行说明,仅示出了与本实用新型实施例相关的部分。
如图1-2所示,本实用新型提供了一种过电压保护电路,包括相互连接的过电压保护单元1与过电压保护输出单元2,以及与过电压保护单元1、过电压保护输出单元2均连接的主控单元3。且,过电压保护单元1通过光耦合器与主控单元3耦合连接,过电压保护单元1设有一电流基准源U1,过电压保护输出单元2连接有一待保护电压Vo。具体地,过电压保护单元 1能够对待保护电压Vo进行过电压检测,并在电流基准源U1提供的参考电压作用下,将异常的(如:超过参考电压的10%,也可根据实际需要设定具体范围)待保护电压Vo调节至参考电压(参考电压即为电流基准源 U1提供的参考电压)的预设范围内,最终将调节后的待保护电压Vo通过电压保护输出单元2传输至主控单元3。进一步地,参考电压的预设范围为: [参考电压*(1-5%),参考电压*(1+5%)]。本实用新型将光耦合器和电流基准源配合来实现对待保护电压Vo的过电压进行检查与调节,不采用采样电路和外部参考电压源,大大降低过压保护电路的复杂度与成本支出,而且能够将待保护电压Vo的变化幅度降低到参考电压的±5%以内,实现稳定的电压输出,避免了输出电压超高破坏负载电器。
进一步地,过电压保护单元1还包括发光二极管LED1、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4以及电阻R5。发光二极管LED1与电阻R2并联,电流基准源U1、电阻R4、电容C1依次连接形成回路。具体地,发光二极管LED1的正极与电阻R1、电阻R2的一端均相连,其负极与电流基准源U1的负极、电阻R2的另一端、电阻R4的一端均相连;电流基准源U1的正极连接在电阻R5的一端,其参考端REF与电阻R5的另一端、电容C1的一极板、电阻R3的一端均相连;电容C1的另一极板与电阻R4的另一端相连;电阻R1的一端与电阻R3的一端相连,其连接点接入待保护电压Vo。再者,过电压保护输出单元2包括发光二极管LED2、电流基准源U2、电容C2、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9以及电阻R10。具体地,发光二极管LED2的正极与电阻R6、电阻R7的一端均相连,其负极与电阻R7的另一端、电阻R9的一端、电流基准源U2的负极均相连;电流基准源U2的正极与电阻R10的一端、电流基准源U1的正极均相连,其参考端REF与电阻R10的另一端、电容C2的一极板、电阻R8的一端均相连;电容C2的一极板与电阻R9的一端相连;电阻R6的一端与电阻R8的一端相连,其连接点接入待保护电压Vo;电流基准源U2的正极还设有一稳定输出源,该稳定电压接入负载。本实施中,光耦合器的发光器优选为发光二极管,其光接收器为光敏三极管,光耦合器包括第一光耦合器与第二光耦合器;发光二极管LED1、光敏三极管VQ1构成第一光耦合器,发光二极管LED2、光敏三极管VQ2构成第二光耦合器。
更进一步地,主控单元3包括控制器U3、与发光二极管LED1耦合的光敏三极管VQ1(发光二极管LED1为发光器,光敏三极管VQ1为光接收器)、与发光二极管LED2耦合的光敏三极管VQ2(发光二极管LED2为发光器,光敏三极管VQ2为光接收器)、电容C3以及电容C4。控制器U3 的引脚1与电容C3的一极板连接并接地,控制器U3的引脚2与光敏三极管VQ1的集电极、光敏三极管VQ2的集电极以及电容C4的一极板均相连,光敏三极管VQ1的发射极、光敏三极管VQ2的发射极、电容C4的另一极板均接地。本实施例中,控制器U3为贴片IC控制器,其型号为可为: OB2281MP,其中,引脚1(GND)接地、引脚2(FB)为反馈输入引脚、引脚3(PRT)为功能引脚、引脚4(Sense)为电流检测输入引脚、引脚5 (Vdd)接入电源,引脚6(Gate)为场效应管Q的栅极提供驱动电压。贴片IC控制器为现有技术,在此不再赘述。
本实施例中的过电压保护电路还包括与主控单元3连接的过流保护单元4,过流保护单元4包括电容C5、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15。电容C5、电阻R13、电阻R14、电阻R15并联,电阻 R11串联在并联的电容C5、电阻R13之间。具体地,电容C5的一极板、电阻R11的一端均与控制器U3的引脚4相连,电容C5的另一极板接地,电阻R11的另一端与阻R13、电阻R14、电阻R15的一端均相连,电阻R13、电阻R14、电阻R15的另一端以及电阻R12的一端均接地;电阻R12的一端通过一电阻R16与控制器U3的引脚6相连。过流保护单元4能够对电路中的过大电流进行调节,对电路增加进一步的保护,增加电路的安全性能。
本实施例的过压保护电路还包括与主控单元3连接的EMC单元5, EMC单元5包括压敏电阻MOV、电阻17、电阻18、电阻19、电阻20、电容C6以及电感LF1。电阻17与电阻R19串联,电阻R18与电阻R20串联,串联后均与压敏电阻MOV、电容C6并联。具体地,压敏电阻MOV 的一端与电阻R17的一端、电阻R18的一端、电容C6的一极板以及电感 LF1的输入正端均相连,该相连的节点通过一保险丝F连接电源的L端;压敏电阻MOV的另一端均与电阻R19的一端、电阻R20的一端、电容C6 的另一极板以及电感LF1的输入负端相连,该相连的节点通过导线连接电源的N端;电阻R17的一端与电阻R19的一端相连,电阻R18的一端与电阻R20的一端相连。进一步地,主控单元3、EMC单元5通过连接保护电路相连接,连接保护电路包括变压器T1、二极管D1、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R25。电阻R21的一端连接在电阻R17与R19 之间以及电阻R18与R20之间,其另一端与电阻R22的一端、控制器U3 的引脚5均相连;R22的另一端与电阻23的一端、电容C3的一极板均相连,电阻R23的另一端与二极管D1的负极相连,二极管D1的正极与变压器T1的引脚5、电阻R24的一端均相连;变压器T1的引脚2与电阻25 的一端相连并接地;控制器U3的引脚3连接在电阻R24与电阻R25之间。设置EMC单元5能够进一步保障本电路的电磁兼容性,抑制电网对电源的电磁干扰。连接保护电路对主控单元3的控制器U3电压进行调节与保护,以及对电路反接起到保护作用。
本实施例中,过电压保护电路还包括与主控单元3、过流保护单元4 以及EMC单元5均连接的功率转换单元6,该功率转换单元6将电源线上的脉冲直流电,通过变压器T2、晶体管D3、晶体管D4将输入市电转换为输出低压直流电,包括变压器T2、晶体管D2、晶体管D3、晶体管D4、晶体管D5、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29以及场效应管Q。具体地,场效应管Q的基极与电阻R12的一端、电阻R16的一端均相连,并通过电阻R16与控制器的引脚6相连,其源极与电阻R11、电阻R13、电阻R14、电阻R15一端均相连,其漏极与二极管D2的正极、变压器T2(原边)的引脚4均相连;二极管D2的负极与电阻R26的一端、电阻R27的一端均相连;电阻R26的另一端、电阻R27 的另一端与电阻R28一端、电容C7的一极板均相连,且电阻R26、电阻 R27之间还通过导线连通;电阻R28的另一端、电容C7的另一极板均与变压器T2(原边)的引脚1相连,变压器T2的引脚1通过电容C8接地;变压器T2(副边)的引脚6与二极管D3的正极、二极管D4的正极、电阻 R29的一端以及二极管D5的正极均相连;二极管D3的负极、二极管D4 的负极均与电容C9的一极板相连,C9的另一极板与电阻R29的一端、二极管D5的负极均相连。
进一步地,EMC单元5通过整流桥BD、电容12与功率转换单元6连接,整流桥BD的输入正极与电感LF1的输出正极相连,整流桥BD的输入负极与电感LF1的输出负极相连,整流桥BD的输出正极与电容C12的一极板、电阻R28的一端、电容C7的一极板以及变压器T2(原边)的引脚1均相连,整流桥BD的输出负极与电容C12的另一极板相连并接地。再者,功率转换单元6还通过电阻R30、电容C10、电容C11、电感LF2 连接一输出端。电阻R30、电容C10、电容C11并联。具体地,电阻R30 的一端与二极管D3的负极、二极管D4的负极、电容C9的一极板、电容 C10的一极板、电容C11的一极板、电感LF2的输入正极均相连,其另一端与变压器T2的引脚7、电容C10的另一极板、电容C11的另一极板、电容的输入负极均相连;电感LF2的输出正极、输出负极分别连接输出端的输出正极V+、输出负极V-;在电容C10、电容C11的连接间设有用于过电压保护单元1进行过压检测的待保护电压Vo。
具体实施方式为:当待保护电压Vo出现过电压时,发光二极管LED2 显示异常,检测线路R1、R2、发光二极管LED1构成的检测电路对待保护电压Vo进行异常检测,电流基准源U1的参考REF端提供参考电压,通过电阻R3、电阻R5对待保护电压Vo进行调节,并通过过电压保护输出单元 2的光耦合器发光二极管LED2、光敏三极管VQ2输入至控制器U3的引脚 2,并通过控制器U3的引脚4输出至过流保护单元4进行过流、在功率转换单元6中进行整流最终使得输出端的输出正极V+、输出负极V-的输出稳定在5%范围以内。
如图3-4所示,图3为增加过电压保护单元1的输出,图4为未增加过电压保护单元1的输出,参考输出为12.5V。从对比可以看出,增加了过电压保护单元1的输出Ch2最大为12.8V,电压最大幅度为3%,小于5%,即稳定输出落在参考电压的预设范围内,而未增加过电压保护单元1的输出Ch2最大为20.5V,电压最大幅度为180%,极容易烧毁负载电器,因此,本过电压保护电路的过电压保护效果显著。
综上所述,本实用新型通过光耦合器和电流基准源一起来检测并调节负载端出现过高电压,从而阻止输出电压超高破坏负载电器。本实用新型不引入采样电路和外部参考电压源,进而能有效降低成本,因此,本电路过电压保护效果明显,能有效降低成本,具备市场应用价值。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,本领域技术人员知悉,在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下,可以对这些特征和实施例进行各种改变或等同替换。另外,在本实用新型的教导下,可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不会脱离本实用新型的精神和范围。因此,本实用新型不受此处所公开的具体实施例的限制,所有落入本申请的权利要求范围内的实施例都属于本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种过电压保护电路,其特征在于,包括相互连接的过电压保护单元(1)与过电压保护输出单元(2),以及与所述过电压保护单元(1)、过电压保护输出单元(2)均连接的主控单元(3);
所述过电压保护单元(1)、过电压保护输出单元(2)均通过光耦合器与所述主控单元(3)耦合连接,所述过电压保护单元(1)设有一电流基准源U1,所述过电压保护输出单元(2)连接有一待保护电压Vo;
所述过电压保护单元(1)能够对所述待保护电压Vo进行过电压检测,并在所述电流基准源U1提供的参考电压作用下,将异常的所述待保护电压Vo调节至所述参考电压的预设范围内,调节后的所述待保护电压Vo通过所述电压保护输出单元传输至所述主控单元(3)。
2.根据权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述过电压保护单元(1)还包括发光二极管LED1、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4以及电阻R5;
所述发光二极管LED1的正极与所述电阻R1、电阻R2的一端均相连,其负极与所述电流基准源U1的负极、电阻R2的另一端、电阻R4的一端均相连;所述电流基准源U1的正极连接在所述电阻R5的一端,其参考端REF与所述电阻R5的另一端、电容C1的一极板、电阻R3的一端均相连;
所述电容C1的一极板与电阻R4的一端相连;电阻R1的一端与电阻R3的一端相连,其连接点接入所述待保护电压Vo。
3.根据权利要求2所述的过电压保护电路,其特征在于,所述过电压保护输出单元(2)包括发光二极管LED2、电流基准源U2、电容C2、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9以及电阻R10;
所述发光二极管LED2的正极与所述电阻R6、电阻R7的一端均相连,其负极与所述电阻R7的另一端、电阻R9的一端、电流基准源U2的负极均相连;所述电流基准源U2的正极与所述电阻R10的一端、电流基准源U1的正极均相连,其参考端REF与所述电阻R10的另一端、电容C2的一极板、电阻R8的一端均相连;
所述电容C2的一极板与所述电阻R9的一端相连;所述电阻R6的一端与所述电阻R8的一端相连,其连接点接入所述待保护电压Vo;
所述电流基准源U2的正极还设有一稳定输出源。
4.根据权利要求3所述的过电压保护电路,其特征在于,所述主控单元(3)包括控制器U3、与所述发光二极管LED1耦合的光敏三极管VQ1、与所述发光二极管LED2耦合的光敏三极管VQ2、电容C3以及电容C4;
所述控制器U3的引脚1与所述电容C3的一极板连接并接地,所述控制器U3的引脚2与所述光敏三极管VQ1的集电极、光敏三极管VQ2的集电极以及电容C4的一极板均相连,所述光敏三极管VQ1的发射极、光敏三极管VQ2的发射极、电容C4的另一极板均接地。
5.根据权利要求4所述的过电压保护电路,其特征在于,所述光耦合器包括第一光耦合器与第二光耦合器;所述发光二极管LED1、光敏三极管VQ1构成所述第一光耦合器;所述发光二极管LED2、光敏三极管VQ2构成所述第二光耦合器。
6.根据权利要求5所述的过电压保护电路,其特征在于,还包括与所述主控单元(3)连接的过流保护单元(4),所述过流保护单元(4)包括电容C5、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15;
所述电容C5的一极板、电阻R11的一端均与所述控制器U3的引脚4相连,所述电容C5的另一极板接地,所述电阻R11的另一端与所述阻R13、电阻R14、电阻R15的一端均相连,所述电阻R13、电阻R14、电阻R15的另一端以及所述电阻R12的一端均接地;
所述电阻R12的另一端通过一电阻R16与所述控制器U3的引脚6相连。
7.根据权利要求6所述的过电压保护电路,其特征在于,还包括与所述主控单元(3)连接的EMC单元(5),所述EMC单元(5)包括压敏电阻MOV、电阻17、电阻18、电阻19、电阻20、电容C6以及电感LF1;
所述压敏电阻MOV的一端与所述电阻R17的一端、电阻R18的一端、电容C6的一极板以及电感LF1的输入正端均相连,该相连的节点通过一保险丝F连接电源的L端;
所述压敏电阻MOV的另一端均与所述电阻R19的一端、电阻R20的一端、电容C6的另一极板以及电感LF1的输入负端相连,该相连的节点通过导线连接电源的N端;
所述电阻R17的一端与所述电阻R19的一端相连,所述电阻R18的一端与所述电阻R20的一端相连;
所述主控单元(3)、EMC单元(5)通过连接保护电路相连接,所述连接保护电路包括变压器T1、二极管D1、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R25;
所述电阻R21的一端连接在所述电阻R17与R19之间以及所述电阻R18与R20之间,其另一端与所述电阻R22的一端、控制器U3的引脚5均相连;
所述R22的另一端与所述电阻23的一端、电容C3的一极板均相连,所述电阻R23的另一端与所述二极管D1的负极相连,所述二极管D1的正极与所述变压器T1的引脚5、电阻R24的一端均相连;
所述变压器T1的引脚2与所述电阻25的一端相连并接地;
所述控制器U3的引脚3连接在所述电阻R24与电阻R25之间。
8.根据权利要求7所述的过电压保护电路,其特征在于,还包括与所述主控单元(3)、过流保护单元(4)以及EMC单元(5)均连接的功率转换单元(6),所述功率转换单元(6)包括变压器T2、晶体管D2、晶体管D3、晶体管D4、晶体管D5、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29以及场效应管Q;
所述场效应管Q的基极与所述电阻R12的一端、电阻R16的一端均相连,并通过所述电阻R16与所述控制器的引脚6相连,其源极与所述电阻R11、电阻R13、电阻R14、电阻R15一端均相连,其漏极与所述二极管D2的正极、变压器T2的引脚4均相连;
所述二极管D2的负极与所述电阻R26的一端、电阻R27的一端均相连;
所述电阻R26的另一端、电阻R27的另一端与所述电阻R28一端、电容C7的一极板均相连,且所述电阻R26、电阻R27之间还通过导线连通;
所述电阻R28的另一端、电容C7的另一极板均与所述变压器T2的引脚1相连,所述变压器T2的引脚1通过电容C8连接一稳定输出源;
所述变压器T2的引脚6与所述二极管D3的正极、二极管D4的正极、电阻R29的一端以及二极管D5的正极均相连;
所述二极管D3的负极、二极管D4的负极均与所述电容C9的一极板相连,所述C9的另一极板与所述电阻R29的一端、二极管D5的负极均相连。
9.根据权利要求8所述的过电压保护电路,其特征在于,所述EMC单元(5)通过整流桥BD、电容12与所述功率转换单元(6)连接,所述整流桥BD的输入正极与所述电感LF1的输出正极相连,所述整流桥BD的输入负极与所述电感LF1的输出负极相连,所述整流桥BD的输出正极与所述电容C12的一极板、电阻R28的一端、电容C7的一极板以及变压器T2的引脚1均相连,所述整流桥BD的输出负极与所述电容C12的另一极板相连并接地;
所述功率转换单元(6)还通过电阻R30、电容C10、电容C11、电感LF2连接一输出端;
所述电阻R30的一端与所述二极管D3的负极、二极管D4的负极、电容C9的一极板、电容C10的一极板、电容C11的一极板、电感LF2的输入正极均相连,其另一端与所述变压器T2的引脚7、电容C10的另一极板、电容C11的另一极板、电容的输入负极均相连;
所述电感LF2的输出正极、输出负极分别连接所述输出端的输出正极V+、输出负极V-;
在所述电容C10、电容C11的连接间设有用于所述过电压保护单元(1) 进行过压检测的所述待保护电压Vo。
10.根据权利要求1所述的过电压保护电路,其特征在于,所述参考电压的预设范围为:[参考电压*(1-5%),参考电压*(1+5%)]。
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