CN214959459U - 一种甚低频ndb发射机功率放大电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种甚低频NDB发射机功率放大电路，包括：输入端RF_in；滤波组件，包括滤波组一、滤波组二、滤波组三和滤波组四，滤波组一连接有传输电容C1且通过传输电容C1连接输入端RF_in；变压器组，变压器T1和变压器T2，变压器T1的一次侧连接滤波组三且二次侧连接滤波组二，变压器T2的一次侧连接滤波组四且二次侧连接有匹配电容C10和传输电容C11；功放组件，包括功率放大MOS管U1、功率放大MOS管U2和功率放大MOS管U3，功率放大MOS管U1的栅极连接滤波组一和传输电容C1，且漏极连接有反馈电阻R1后连接滤波组三。本实用新型电路简单、调试方便、输出功率大、频率响应好且稳定可靠。
Description
技术领域
本实用新型属于功放系统技术领域，具体涉及一种甚低频NDB发射机功率放大电路。
背景技术
无方向性信标(简称NDB)是国际民航组织标准的近程导航设备，其具体作用为引导飞机沿预定航线，完成从一个信标台到另一个信标台的飞行，引导飞机进、离场，完成进场着陆和离场飞行。
现有技术中，公知的NDB无方向信标机中的功率放大器功耗大、效率低、失真度大且体积大，不能满足甚低频功放高效率，响应快的要求。随着无线通信与航空交通的高速发展，越发需要一种体积小、效率高、调试方便且稳定可靠的功率放大器。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种甚低频NDB发射机功率放大电路，电路简单、调试方便、输出功率大、频率响应好、非线性失真小、稳定可靠。
本实用新型提供了如下的技术方案：
本申请提出一种甚低频NDB发射机功率放大电路，包括：
输入端RF_in；
滤波组件，包括滤波组一、滤波组二、滤波组三和滤波组四，所述滤波组一连接有传输电容C1且通过传输电容C1连接输入端RF_in；
变压器组，变压器T1和变压器T2，变压器T1的一次侧连接滤波组三且二次侧连接滤波组二，变压器T2的一次侧连接滤波组四且二次侧连接有匹配电容C10和传输电容C11；
功放组件，包括功率放大MOS管U1、功率放大MOS管U2和功率放大MOS管U3，所述功率放大MOS管U1的栅极连接滤波组一和传输电容C1，且漏极连接有反馈电阻R1后连接滤波组三，漏极还连接变压器T1的一次侧，所述功率放大MOS管U2的栅极连接有电阻R2后连接滤波组二和变压器T1的二次侧，且漏极连接变压器T2的一次侧和滤波组四，所述功率放大MOS管U3的栅极连接有电阻R3后连接变压器T1的二次侧，且漏极连接变压器T2的一次侧；
输出端RF_out，所述输出端RF_out连接传输电容C11。
优先地，所述功率放大MOS管U3的漏极连接有扼流圈L1且通过扼流圈L1连接滤波组四，所述扼流圈L1采用以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件。
优先地，所述滤波组一包括滤波电容C2和滤波电容C3，所述滤波电容C2一端连接滤波电容C3一端、Vgg端、传输电容C1远离输入端RF_in一端和功率放大MOS管的栅极，所述滤波电容C2另一端和滤波电容C3另一端均接地。
优先地，所述滤波组二包括滤波电容C4和滤波电容C5，所述滤波电容C4一端连接滤波电容C5一端、Vgg端、电阻R2和变压器T1的二次侧，所述滤波电容C4另一端和滤波电容C5另一端均接地。
优先地，所述滤波组三包括滤波电容C6和滤波电容C7，所述滤波电容C6一端连接滤波电容C7一端、VDD端、反馈电阻R1和变压器T1的一次侧，所述滤波电容C6另一端和滤波电容C7另一端均接地。
优先地，所述滤波组四包括滤波电容C8和滤波电容C9，所述滤波电容C8一端连接滤波电容C9一端、VDD端和扼流圈L1，所述滤波电容C8另一端和滤波电容C9另一端均接地。
优先地，所述变压器T1阻抗比为4/1，磁环匝数比为2/1。
优先地，所述变压器T2阻抗比为1/4，磁环匝数比为1/4。
优先地，所述匹配电容C10远离变压器T2一端接地。
本实用新型的有益效果是：体积小、效率高、电路简单、调试方便、输出功率大、频率响应好、非线性失真小、稳定可靠等优点，极大程度的减少所需元器件、降低了系统成本，增加了产品使用寿命，扩展了产品的应用场合。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
图1是本实用新型的电路连接示意图。
具体实施方式
本申请提出一种甚低频NDB发射机功率放大电路，包括：
如图1所示，输入端RF_in。
如图1所示，滤波组件，包括滤波组一、滤波组二、滤波组三和滤波组四，用于滤除干扰信号。滤波组一连接有传输电容C1且通过传输电容C1连接输入端RF_in。滤波组一包括滤波电容C2和滤波电容C3，滤波电容C2一端连接滤波电容C3一端、Vgg端、传输电容C1远离输入端RF_in一端和功率放大MOS管的栅极，滤波电容C2另一端和滤波电容C3另一端均接地。滤波组二包括滤波电容C4和滤波电容C5，滤波电容C4一端连接滤波电容C5一端、Vgg端、电阻R2和变压器T1的二次侧，滤波电容C4另一端和滤波电容C5另一端均接地。滤波组三包括滤波电容C6和滤波电容C7，滤波电容C6一端连接滤波电容C7一端、VDD端、反馈电阻R1和变压器T1的一次侧，滤波电容C6另一端和滤波电容C7另一端均接地。滤波组四包括滤波电容C8和滤波电容C9，滤波电容C8一端连接滤波电容C9一端、VDD端和扼流圈L1，滤波电容C8另一端和滤波电容C9另一端均接地。
如图1所示，变压器组，变压器T1和变压器T2，变压器T1阻抗比为4/1，磁环匝数比为2/1。变压器T2阻抗比为1/4，磁环匝数比为1/4。变压器T1的一次侧连接滤波组三且二次侧连接滤波组二，变压器T2的一次侧连接滤波组四且二次侧连接有匹配电容C10和传输电容C11，匹配电容C10远离变压器T2一端接地。
如图1所示，功放组件，包括功率放大MOS管U1、功率放大MOS管U2和功率放大MOS管U3，功率放大MOS管U1的栅极连接滤波组一和传输电容C1，且漏极连接有反馈电阻R1后连接滤波组三，漏极还连接变压器T1的一次侧，反馈电阻R1可通过输出信号的变压控制输入信号，便于进行调试。功率放大MOS管U2的栅极连接有电阻R2后连接滤波组二和变压器T1的二次侧，且漏极连接变压器T2的一次侧和滤波组四，功率放大MOS管U3的栅极连接有电阻R3后连接变压器T1的二次侧，且漏极连接变压器T2的一次侧。功率放大MOS管U3的漏极连接有扼流圈L1且通过扼流圈L1连接滤波组四，扼流圈L1采用以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件。
如图1所示，输出端RF_out，输出端RF_out连接传输电容C11。传输电容C1和C11为封装为1206 1uF的电容，使输出功率较大。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种甚低频NDB发射机功率放大电路，其特征在于：包括：
输入端RF_in；
滤波组件，包括滤波组一、滤波组二、滤波组三和滤波组四，所述滤波组一连接有传输电容C1且通过传输电容C1连接输入端RF_in；
变压器组，变压器T1和变压器T2，变压器T1的一次侧连接滤波组三且二次侧连接滤波组二，变压器T2的一次侧连接滤波组四且二次侧连接有匹配电容C10和传输电容C11；
功放组件，包括功率放大MOS管U1、功率放大MOS管U2和功率放大MOS管U3，所述功率放大MOS管U1的栅极连接滤波组一和传输电容C1，且漏极连接有反馈电阻R1后连接滤波组三，漏极还连接变压器T1的一次侧，所述功率放大MOS管U2的栅极连接有电阻R2后连接滤波组二和变压器T1的二次侧，且漏极连接变压器T2的一次侧和滤波组四，所述功率放大MOS管U3的栅极连接有电阻R3后连接变压器T1的二次侧，且漏极连接变压器T2的一次侧；
输出端RF_out，所述输出端RF_out连接传输电容C11。
2.根据权利要求1所述的甚低频NDB发射机功率放大电路，其特征在于：所述功率放大MOS管U3的漏极连接有扼流圈L1且通过扼流圈L1连接滤波组四，所述扼流圈L1采用以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件。
3.根据权利要求1所述的甚低频NDB发射机功率放大电路，其特征在于：所述滤波组一包括滤波电容C2和滤波电容C3，所述滤波电容C2一端连接滤波电容C3一端、Vgg端、传输电容C1远离输入端RF_in一端和功率放大MOS管的栅极，所述滤波电容C2另一端和滤波电容C3另一端均接地。
4.根据权利要求3所述的甚低频NDB发射机功率放大电路，其特征在于：所述滤波组二包括滤波电容C4和滤波电容C5，所述滤波电容C4一端连接滤波电容C5一端、Vgg端、电阻R2和变压器T1的二次侧，所述滤波电容C4另一端和滤波电容C5另一端均接地。
5.根据权利要求4所述的甚低频NDB发射机功率放大电路，其特征在于：所述滤波组三包括滤波电容C6和滤波电容C7，所述滤波电容C6一端连接滤波电容C7一端、VDD端、反馈电阻R1和变压器T1的一次侧，所述滤波电容C6另一端和滤波电容C7另一端均接地。
6.根据权利要求5所述的甚低频NDB发射机功率放大电路，其特征在于：所述滤波组四包括滤波电容C8和滤波电容C9，所述滤波电容C8一端连接滤波电容C9一端、VDD端和扼流圈L1，所述滤波电容C8另一端和滤波电容C9另一端均接地。
7.根据权利要求1所述的甚低频NDB发射机功率放大电路，其特征在于：所述变压器T1阻抗比为4/1，磁环匝数比为2/1。
8.根据权利要求7所述的甚低频NDB发射机功率放大电路，其特征在于：所述变压器T2阻抗比为1/4，磁环匝数比为1/4。
9.根据权利要求1所述的甚低频NDB发射机功率放大电路，其特征在于：所述匹配电容C10远离变压器T2一端接地。
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| CN202121422483.6U CN214959459U (zh) | 2021-06-24 | 2021-06-24 | 一种甚低频ndb发射机功率放大电路 |
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Family Applications (1)
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| GR01 | Patent grant | ||
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Denomination of utility model: A very low frequency NDB transmitter power amplifier circuit Effective date of registration: 20220725 Granted publication date: 20211130 Pledgee: Nanjing Bank Co.,Ltd. Nanjing Financial City Branch Pledgor: NANJING HANRUI MICROWAVE COMMUNICATION Co.,Ltd. Registration number: Y2022980011133 |
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| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |