CN214900188U - 一种电压瞬时释放电路及音箱 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及电压释放电路技术领域，尤其涉及一种电压瞬时释放电路，包括电源端V、控制端S、二极管D1、三极管Q1、三极管Q2、MOS管Q3、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8；本实用新型能够在电器产品关闭的时候将储存于电器产品内部的电压瞬时释放掉，能够很好地适用于各种具备大功率、高电压、储压时间长等特性的电器产品，能够延长电器产品的使用寿命，实用性强。

Description

一种电压瞬时释放电路及音箱

技术领域：

本实用新型涉及电压释放电路技术领域，尤其涉及一种电压瞬时释放电路及音箱。

背景技术：

随着社会的进步与技术的发展，电器产品的使用越来越普及，为了满足一些电器产品的使用需求，一些电器产品需要具备大功率、高电压、储压时间长等特性，如音箱等，而具备大功率、高电压、储压时间长等特性的电器产品在使用时普遍存在着一个通病，即该电器产品在关闭后，电器产品内部无法迅速地将电压进行释放且遗留有电压，如果电压在电器产品内遗留时间过长无疑会加快电器产品内的元器件的老化甚至损坏，影响电器产品的使用寿命。

实用新型内容：

本实用新型的目的就是针对现有技术存在的不足而提供一种电压瞬时释放电路，能够在电器产品关闭的时候将储存于电器产品内部的电压瞬时释放掉，能够很好地适用于各种具备大功率、高电压、储压时间长等特性的电器产品，能够延长电器产品的使用寿命，实用性强；

本实用新型还提供了一种音箱，能够在关闭的时候将储存于内部的电压瞬时释放掉，能够防止内部元器件的迅速老化甚至损坏，使用寿命长。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种电压瞬时释放电路，包括电源端V、控制端S、二极管D1、三极管Q1、三极管Q2、MOS管Q3、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8，所述电源端V经电阻R1后分为四路，其中第一路接MOS管Q3的源极，第二路接电阻R3，第三路接三极管Q1的发射极，第四路接电阻R2，MOS管Q3的漏极接地；所述电阻R3的另一端分为三路，其中第一路接MOS管Q3的栅极，第二路接三极管Q1的集电极，第三路经电阻R7后接地；所述电阻R2的另一端分为两路，其中第一路接三极管Q1的基极，第二路经电阻R4后接三极管Q2的集电极；所述三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极分为两路，其中一路接电阻R6，第二路经电阻R8后接地；所述电阻R6的另一端分为两路，其中一路经电阻R5后接二极管D1的负极，二极管D1的正极与控制端S相接，第二路与电容C1的正极相接，电容C1的负极接地。

对上述方案的进一步改进为，所述三极管Q1的型号为2N5401。

对上述方案的进一步改进为，所述三极管Q2的型号为2N5551。

对上述方案的进一步改进为，所述MOS管Q3的型号为IRFU9014。

对上述方案的进一步改进为，所述二极管D1的型号为1N4148。

对上述方案的进一步改进为，所述电阻R1为20Ω、电阻R2为100K、电阻R3为12.4K、电阻R4为15K、电阻R5为10Ω、电阻R6为6.8K、电阻R7为51K、电阻R8为22K。

对上述方案的进一步改进为，所述电容C1为33uF。

一种音箱，包括上述任意一项方案的一种电压瞬时释放电路。

本实用新型有益效果在于：本实用新型提供的一种电压瞬时释放电路，包括电源端V、控制端S、二极管D1、三极管Q1、三极管Q2、MOS管Q3、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8，所述电源端V经电阻R1后分为四路，其中第一路接MOS管Q3的源极，第二路接电阻R3，第三路接三极管Q1的发射极，第四路接电阻R2，MOS管Q3的漏极接地；所述电阻R3的另一端分为三路，其中第一路接MOS管Q3的栅极，第二路接三极管Q1的集电极，第三路经电阻R7后接地；所述电阻R2的另一端分为两路，其中第一路接三极管Q1的基极，第二路经电阻R4后接三极管Q2的集电极；所述三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极分为两路，其中一路接电阻R6，第二路经电阻R8后接地；所述电阻R6的另一端分为两路，其中一路经电阻R5后接二极管D1的负极，二极管D1的正极与控制端S相接，第二路与电容C1的正极相接，电容C1的负极接地；

当打开电器产品的电源后待控制端S的控制电压到来时，控制电压经二极管D1、电阻R5、电阻R6后到达三极管Q2的基极，三极管Q2由截止状态变为导通状态，当三极管Q2变为导通状态后，三极管Q1也由截止状态变为导通状态，当三极管Q1变为导通状态后，MOS管Q3的栅极为0V，即MOS管Q3处于截止状态，电源端V没有进行放电；当关闭电器产品时，由于控制端S的控制电压较小且掉电很快，当控制端S的控制电压掉到1V以下时，三极管Q2由导通状态变为截止状态，当三极管Q2变为截止状态后，三极管Q1也由导通状态变为截止状态，此时，电源端V经电阻R1后由电阻R3与电阻R7分压给MOS管Q3，使MOS管Q3由截止状态变为导通状态，电源端V经电阻R1、MOS管Q3后迅速放电，本实用新型能够在电器产品关闭的时候将储存于电器产品内部的电压瞬时释放掉，能够很好地适用于各种具备大功率、高电压、储压时间长等特性的电器产品，能够延长电器产品的使用寿命，实用性强。

附图说明：

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式：

实施例1，如图1所示，本实用新型的一种电压瞬时释放电路包括电源端V、控制端S、二极管D1、三极管Q1、三极管Q2、MOS管Q3、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8，所述电源端V经电阻R1后分为四路，其中第一路接MOS管Q3的源极，第二路接电阻R3，第三路接三极管Q1的发射极，第四路接电阻R2，MOS管Q3的漏极接地；所述电阻R3的另一端分为三路，其中第一路接MOS管Q3的栅极，第二路接三极管Q1的集电极，第三路经电阻R7后接地；所述电阻R2的另一端分为两路，其中第一路接三极管Q1的基极，第二路经电阻R4后接三极管Q2的集电极；所述三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极分为两路，其中一路接电阻R6，第二路经电阻R8后接地；所述电阻R6的另一端分为两路，其中一路经电阻R5后接二极管D1的负极，二极管D1的正极与控制端S相接，第二路与电容C1的正极相接，电容C1的负极接地；当打开电器产品的电源后待控制端S的控制电压到来时，控制电压经二极管D1、电阻R5、电阻R6后到达三极管Q2的基极，三极管Q2由截止状态变为导通状态，当三极管Q2变为导通状态后，三极管Q1也由截止状态变为导通状态，当三极管Q1变为导通状态后，MOS管Q3的栅极为0V，即MOS管Q3处于截止状态，电源端V没有进行放电；当关闭电器产品时，由于控制端S的控制电压较小且掉电很快，当控制端S的控制电压掉到1V以下时，三极管Q2由导通状态变为截止状态，当三极管Q2变为截止状态后，三极管Q1也由导通状态变为截止状态，此时，电源端V经电阻R1后由电阻R3与电阻R7分压给MOS管Q3，使MOS管Q3由截止状态变为导通状态，电源端V经电阻R1、MOS管Q3后迅速放电，本实用新型能够在电器产品关闭的时候将储存于电器产品内部的电压瞬时释放掉，能够很好地适用于各种具备大功率、高电压、储压时间长等特性的电器产品，能够延长电器产品的使用寿命，实用性强。

本实施例中的三极管Q1的型号为2N5401，三极管Q2的型号为2N5551，MOS管Q3的型号为IRFU9014，二极管D1的型号为1N4148，电阻R1为20Ω、电阻R2为100K、电阻R3为12.4K、电阻R4为15K、电阻R5为10Ω、电阻R6为6.8K、电阻R7为51K、电阻R8为22K，电容C1为33uF，本实用新型提供的电压瞬时释放电路整体电路结构简单、整体使用元器件较少、整体体积较小，且本实用新型提供的电压瞬时释放电路所用电子元器件均为现有通用元件，不仅容易实现，而且价格便宜，实用性较强，能够适用于多种使用场合。

实施例2，如图1所示，一种音箱，包括实施例1中所述的一种电压瞬时释放电路，能够在关闭的时候将储存于内部的电压瞬时释放掉，能够防止内部元器件的迅速老化甚至损坏，使用寿命长。

工作原理：

当打开电器产品的电源后待控制端S的控制电压到来时，控制电压经二极管D1、电阻R5、电阻R6后到达三极管Q2的基极，三极管Q2由截止状态变为导通状态，当三极管Q2变为导通状态后，三极管Q1也由截止状态变为导通状态，当三极管Q1变为导通状态后，MOS管Q3的栅极为0V，即MOS管Q3处于截止状态，电源端V没有进行放电；当关闭电器产品时，由于控制端S的控制电压较小且掉电很快，当控制端S的控制电压掉到1V以下时，三极管Q2由导通状态变为截止状态，当三极管Q2变为截止状态后，三极管Q1也由导通状态变为截止状态，此时，电源端V经电阻R1后由电阻R3与电阻R7分压给MOS管Q3，使MOS管Q3由截止状态变为导通状态，电源端V经电阻R1、MOS管Q3后迅速放电，本实用新型能够在电器产品关闭的时候将储存于电器产品内部的电压瞬时释放掉，能够很好地适用于各种具备大功率、高电压、储压时间长等特性的电器产品，能够延长电器产品的使用寿命，实用性强。

当然，以上所述仅是本实用新型的较佳实施方式，故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本实用新型专利申请范围内。

Claims (8)

1.一种电压瞬时释放电路，其特征在于：包括电源端V、控制端S、二极管D1、三极管Q1、三极管Q2、MOS管Q3、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8，所述电源端V经电阻R1后分为四路，其中第一路接MOS管Q3的源极，第二路接电阻R3，第三路接三极管Q1的发射极，第四路接电阻R2，MOS管Q3的漏极接地；所述电阻R3的另一端分为三路，其中第一路接MOS管Q3的栅极，第二路接三极管Q1的集电极，第三路经电阻R7后接地；所述电阻R2的另一端分为两路，其中第一路接三极管Q1的基极，第二路经电阻R4后接三极管Q2的集电极；所述三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极分为两路，其中一路接电阻R6，第二路经电阻R8后接地；所述电阻R6的另一端分为两路，其中一路经电阻R5后接二极管D1的负极，二极管D1的正极与控制端S相接，第二路与电容C1的正极相接，电容C1的负极接地。

2.根据权利要求1所述的一种电压瞬时释放电路，其特征在于：所述三极管Q1的型号为2N5401。

3.根据权利要求1所述的一种电压瞬时释放电路，其特征在于：所述三极管Q2的型号为2N5551。

4.根据权利要求1所述的一种电压瞬时释放电路，其特征在于：所述MOS管Q3的型号为IRFU9014。

5.根据权利要求1所述的一种电压瞬时释放电路，其特征在于：所述二极管D1的型号为1N4148。

6.根据权利要求1所述的一种电压瞬时释放电路，其特征在于：所述电阻R1为20Ω、电阻R2为100K、电阻R3为12.4K、电阻R4为15K、电阻R5为10Ω、电阻R6为6.8K、电阻R7为51K、电阻R8为22K。

7.根据权利要求1所述的一种电压瞬时释放电路，其特征在于：所述电容C1为33uF。

8.一种音箱，其特征在于：包括如权利要求1-7任意一项所述的一种电压瞬时释放电路。

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