CN214851919U - 过温过压欠压的led保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种过温过压欠压的LED保护电路，包括LED驱动电源，LED串并组，LED驱动电源经恒压模块电路输出稳定的电压给双电压比较器作为基准电压，基准电压包括过压的基准电压和欠压的基准电压，一电压采样电路对LED驱动电源采样送给双电压比较器，双电压比较器与电子开关电路连接，另一温度采样电路与温控电路连接，温控电路与一MOS管栅极连接，MOS管漏极与LED串并组负极连接，MOS管源极连接LED驱动电源负极，当电压采样电路的电压大于或小于过压基准电压或欠压基准电压时，双电压比较器输出控制信号给电子开关电路，切断LED驱动电源，当LED串并组温度高于设定温度时，温控电路输出占空比低的PWM脉冲，降低LED串并组电流，从而降低LED串并组功率。
Description
技术领域
本实用新型设计应用于LED过温、过压、欠压的保护电路。
背景技术
LED元器件作为LED照明产品的核心元器件，我们必须要保护好LED元器件。像UV照明、植物照明等特殊照明，LED元器件价格昂贵，额定工作温度低，如果LED工作温度超过额定温度值时，会降低LED的发光效率，产生严重的光衰，并造成LED永久性的损坏。人为误接高电压电源或工作电压异常时，会导致LED电路系统损坏。
发明内容
为解决现有LED设备存在的问题，本实用新型提供一种过温过压欠压的LED保护电路，包括LED驱动电源，LED串并组，LED驱动电源经恒压模块电路输出稳定的电压给双电压比较器作为基准电压，基准电压包括过压的基准电压和欠压的基准电压，一电压采样电路对LED驱动电源采样送给双电压比较器，双电压比较器与电子开关电路连接，另一温度采样电路与温控电路连接，温控电路与一MOS管栅极连接，MOS管漏极与LED串并组负极连接，MOS管源极连接LED驱动电源负极，当电压采样电路的电压大于或小于过压基准电压或欠压基准电压时，双电压比较器输出控制信号给电子开关电路，切断LED驱动电源；当LED串并组温度高于设定温度时，温控电路输出占空比低的PWM脉冲，降低LED串并组电流，从而降低LED串并组功率。
所述温度采样电路是采用一PTC热敏电阻对LED串并组温度采样，LED串并组温度变化，热敏电阻随温度变化阻值，经分压电阻分压后与一PWM芯片输入端连接。
所述温控电路是采用一PWM芯片，芯片输入是温度采样电路中分压电阻变化的电压，PWM芯片输出是占空比变化的PWM脉冲电压，PWM脉冲电压与MOS管栅极连接。
本实用新型的优点是，本实用新型设计提出的过温过压欠压的LED保护电路，随温度、电压自适应变化保护LED，线路结构相对简单，稳定性高。
附图说明
图1是本实用新型的实施例电路图；
图中标号说明：
1-LED串并组；2-过温保护模块；3-电压保护模块；4-恒压模块； U+、U- —LED电源正负极；CV — 稳压电压。
具体实施方式
请参阅附图所示，LED驱动电源U+经恒压模块电路4的稳压管D1、三极管Q1输出稳定的电压CV给双电压比较器LM1作为基准电压，基准电压包括过压的基准电压和欠压的基准电压，分别由分压电阻R2、R3、R4分压获得，一电压采样电路由电阻R5、R6对LED驱动电源U+分压获得，采样电压送给双电压比较器LM1，双电压比较器LM1输出与电子开关电路连接。
电子开关电路由二极管D3、D4通过分压电阻R14、R15分压送给三极管Q2基极，当电压采样电路的电阻R6分压的电压大于或小于过压基准电压或欠压基准电压时，双电压比较器LM1输出高电平，使二极管D3或D4导通，三极管Q2导通，使MOS管Q3截止，切断LED驱动电源。
所述温度采样电路是采用一热敏电阻PTC对LED串并组温度采样，热敏电阻PTC为正温度系数，LED串并组温度增加，热敏电阻PTC阻值增加，热敏电阻PTC随温度变化的阻值上的电压降，经分压电阻R8、R9、R10分压、精密稳压器D2后与PWM芯片GP9XXX输入端连接。
所述温控电路是采用PWM芯片GP9XXX，其输入，是热敏电阻PTC随温度变化的电压经分压电阻分压并经过精密稳压器后的电压，芯片GP9XXX的输出是占空比变化的PWM脉冲电压，该脉冲电压与MOS管 Q3栅极连接。
当LED串并组温度大于温度设定值时，热敏电阻PTC阻值增大，其压降增大，分压输给芯片GP9XXX的电压下降，芯片GP9XXX输出的PWM占空比下降，从而自动降低LED串并组的电流，即降低了LED串并组功率；当LED串并组温度低于温度设定值时，热敏电阻PTC阻值减小，分压LED串并组正常工作。
这里是本实用新型特别的用法，热敏电阻PTC与R8、R9、R10组成分压电阻群，当PTC温度降低阻值时，分压下降，则R8、R9、R10上的分压就上升，当超过临界电压时，只要R9、R10选择合适的阻值，就可以控制精密稳压器D2产生一个稳定的钳位电压，恒定输出给芯片GP9XXX，此时芯片就输出高占空比脉冲电压。当PTC温度升高阻值增大，分压上升，则R8、R9、R10上的分压就下降，当低于临界电压时，精密稳压器D2的钳位电压就无法形成，分压直接进入芯片GP9XXX，因分压较低，此时芯片就输出低占空比的脉冲电压。
Claims (3)
1.一种过温过压欠压的LED保护电路，包括LED驱动电源，LED串并组，其特征在于，LED驱动电源经恒压模块电路输出稳定的电压给双电压比较器作为基准电压，基准电压包括过压的基准电压和欠压的基准电压，一电压采样电路对LED驱动电源采样送给双电压比较器，双电压比较器与电子开关电路连接，另一温度采样电路与温控电路连接，温控电路与一MOS管栅极连接，MOS管漏极与LED串并组负极连接，MOS管源极连接LED驱动电源负极，当电压采样电路的电压大于或小于过压基准电压或欠压基准电压时，双电压比较器输出控制信号给电子开关电路，切断LED驱动电源，当LED串并组温度高于设定温度时，温控电路输出占空比低的PWM脉冲，降低LED串并组电流，从而降低LED串并组功率。
2.按权利要求1所述过温过压欠压的LED保护电路，其特征在于，所述温度采样电路是采用一热敏电阻对LED串并组温度采样，LED串并组温度变化，PTC热敏电阻随温度变化阻值，经分压电阻分压后与一PWM芯片输入端连接。
3.按权利要求1所述过温过压欠压的LED保护电路，其特征在于，所述温控电路是采用一PWM芯片，芯片输入是温度采样电路中分压电阻变化的电压，芯片输出是占空比变化的PWM脉冲电压，PWM脉冲电压与MOS管栅极连接。
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