CN214585838U - 一种可实现mosfet器件最大额定功率老炼测试的结构 - Google Patents

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CN214585838U CN202120584004.4U CN202120584004U CN214585838U CN 214585838 U CN214585838 U CN 214585838U CN 202120584004 U CN202120584004 U CN 202120584004U CN 214585838 U CN214585838 U CN 214585838U
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刘少博
王大明
苏晓山
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Shenzhen Jihua Weite Electronic Co ltd
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Shenzhen Jihua Weite Electronic Co ltd
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Abstract

本实用新型公开一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，包括：金属底座、设置在所述金属底座上的导电板、设置在所述金属底座上侧的固定组件；所述导电板上设置有若干导线、测试位，所述导电板的两端上均设置有一豁口；所述豁口与所述测试位相连通，所述固定组件用于将待测试的MOSFET器件固定在所述导电板的测试位上。本实用新型可快速实现贴片封装式MOSFET器件的最大额定功率的老炼测试，且测量结果误差小，精度高。

Description

一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构
技术领域
本实用新型涉及电子器件领域，尤其涉及一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构。
背景技术
现有技术中，插件封装形式的MOSFET器件可以通过设备夹具夹住器件管脚并固定在试验设备散热片上来完成其最大额定功率的老炼测试，而贴片封装式的MOSFET器件的最大额定功率则无法通过相同的测试方法、测试设备完成老炼测试，若需进行测试则需进行焊接，导致无法实现贴片封装式的MOSFET器件最大额定功率的老炼测试。
因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术的不足，提供一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，解决现有技术中，无法实现贴片封装式的MOSFET器件最大额定功率的老炼测试的问题。
本实用新型的技术方案如下：一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，包括：金属底座、设置在所述金属底座上的导电板、设置在所述金属底座上侧的固定组件；所述导电板上设置有若干导线、测试位，所述导电板的两端上均设置有一豁口；所述豁口与所述测试位相连通，所述固定组件用于将待测试的MOSFET器件固定在所述导电板的测试位上。
测试时，将待测试的MOSFET器件放置在导电板的测试位上，通过固定组件进行固定，金属底座与老炼测试设备散热片之间涂满导热硅脂，通过导线将导电板与老炼测试设备连接，在老炼测试设备上设置能满足试验要求的输出功率，并以该输出功率为待测试的MOSFET器件持续通电，测试待测试的MOSFET器件的壳体温度在25℃至100℃之间任一温度点下的最大额定功耗PD，计算原理如下：
Figure BDA0002987311960000021
其中：Tjmax为待测试的MOSFET器件的最大壳温、TC为环境温度、Rthjc为待测试的MOSFET器件的热阻值，测试时间根据具体测试要求进行设定，完成测试后，对测试计算出的最大功率进行电压电流匹配，设定若干组测试条件(可满足温度要求)，在不同测试条件下，分别在导电板上的豁口处通过点温器对待测试的MOSFET器件的壳体温度进行测量，测试其是否满足设定的实验条件，若满足，则保持相同的测试条件持续进行测试，并测试过程中的参数进行监测计算，待测试的MOSFET器件未损坏即完成最大额定功率的老炼测试；本实用新型中的一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，可通过固定组件直接将待测试的MOSFET器件直接固定在导电板上，通过导电板进行导电、金属底座进行导热，直接外接老炼测试设备即可实现待测试的MOSFET器件的最大额定功耗PD的测量，方便测试过程的快速进行，且可直接在豁口处进行待测试的MOSFET器件壳温的测量，此过程的目的是矫正由于测试过程中金属底座存在热损耗所产生的误差，保证测试精度更高，从而实现贴片封装式MOSFET器件的最大额定功率的老炼测试，实用性强。
进一步地，所述的一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，还包括：设置在所述测试位上的导电片。待测试的MOSFET器件放置在导电片上，即导电片设置在待测试的MOSFET器件与导电板之间，使得待测试的MOSFET器件与导电板的接触更加紧密；另一方面，设置导电片可防止测试时，待测试的MOSFET器件对导电板的磨损，影响测试结果，保证测试结果精度较高。
进一步地，所述固定组件包括：固定板、设置在所述固定板上的固定螺丝。
进一步地，所述固定螺丝与所述金属底座螺纹连接。待测试的MOSFET器件放置在测试位上后，固定板固定住待测试的MOSFET器件，进一步通过固定螺丝将其固定在金属底座上，无需进行焊接操作，方便测试。
进一步地，所述导电板上有设置有三根导线、三个极性，且一根导线对应一个极性。导电板具有较好的导电性，具体可根据实际需求选择不同的导电板。
优选地，所述豁口为U形或V形。豁口设置为U形或V形，方便点温器进行待测试的MOSFET器件壳体温度的测量，提高测试效率，且方便生产加工。
优选地，所述金属底座的为铜块底座。
优选地，所述导电片为锡纸。
采用上述方案，本实用新型提供一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，可通过固定组件直接将待测试的MOSFET器件直接固定在导电板上，无需进行焊接，方便测试，可直接外接老炼测试设备即可实现待测试的MOSFET器件的最大额定功耗PD的测量，同时可直接在豁口处进行待测试的MOSFET器件壳温的测量，快速实现贴片封装式MOSFET器件的最大额定功率的老炼测试，测量结果误差小，精度高。
附图说明
图1为本实用新型的主视角度的结构示意图；
图2为本实用新型俯视角度的结构示意图；
图3为图2中A-A线的剖面图。
其中：金属底座1、导电板2、豁口20、导线21、固定组件3、固定板30、固定螺丝31、测试位4、导电片5、待测试的MOSFET器件6。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，对本实用新型进行详细说明。
请参照图1-图3，本实用新型提供一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，包括：金属底座1、设置在所述金属底座1上的导电板2、设置在所述金属底座1上侧的固定组件3、设置在所述测试位4上的导电片5；所述导电板2上设置有三根导线21、测试位4，所述导电板2的两端上均设置有一豁口20；所述豁口20与所述测试位4相连通，所述固定组件3用于将待测试的MOSFET器件6固定在所述导电板2的测试位4上。具体地，待测试的MOSFET器件6放置在导电片5上，可使待测试的MOSFET器件6与导电板2的接触更加紧密，且可防止测试时，待测试的MOSFET器件6对导电板2的磨损，防止其损伤，保证测试结果的准确度，具体地，所述导电片5为锡纸，采用锡纸可保证导电性能，实用性强；具体地，在本实施例中，所述豁口20为U形，所述金属底座1为铜块底座，采用铜块底座，导热性好，且价格便宜，有效控制生产成本。
具体地，在本实施例中，所述固定组件3包括：固定板30、设置在所述固定板30上的固定螺丝31；所述固定螺丝31与所述金属底座1螺纹连接。待测试的MOSFET器件6放置在测试位4上后，固定板30固定住待测试的MOSFET器件6，进一步通过固定螺丝31将其固定在金属底座1上，无需进行焊接操作，方便测试。所述导电板2上有设置有三根导线21、三个极性，且一根导线21对应一个极性，具体地，在本实施例中，所述导电板为导电PEEK板。
具体测试过程为：将待测试的MOSFET器件6放置在导电板2的测试位4上，通过固定组件3进行固定，金属底座1与老炼测试设备散热片之间涂满导热硅脂，通过导线21将导电板2与老炼测试设备连接，在老炼测试设备上设置能满足试验要求的输出功率为待测试的MOSFET器件6持续通电1小时，测试待测试的MOSFET器件6的壳体温度在25℃至100℃之间任一温度点下的最大额定功耗PD，计算原理如下：
Figure BDA0002987311960000051
其中：Tjmax为待测试的MOSFET器件6的最大壳温、TC为环境温度、Rthjc为待测试的MOSFET器件6的热阻值，完成测试后，对测试计算出的最大功率进行电压电流匹配，设定三组测试条件，在三组不同测试条件下，分别在导电板2上的豁口20处通过点温器对待测试的MOSFET器件6的壳体温度进行测量，测试其是否满足设定的实验条件，若满足，则保持相同的测试条件持续进行1小时的测试，并测试过程中的参数进行监测计算，待测试的MOSFET器件6未损坏即完成最大额定功率的老炼测试；可直接在豁口20处进行待测试的MOSFET器件6壳温的测量，此过程的目的是矫正由于测试过程中金属底座1存在热损耗所产生的误差，本实施例中采用铜块底座，误差在20度左右，同时导电板也存在接触问题，且采用其它材质的金属底座同样会存在温度误差的问题，因此需要进行误差矫正，以保证测试精度。
综上所述，本实用新型提供一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，可通过固定组件直接将待测试的MOSFET器件直接固定在导电板上，无需进行焊接，方便测试，可直接外接老炼测试设备即可实现待测试的MOSFET器件的最大额定功耗PD的测量，同时可直接在豁口处进行待测试的MOSFET器件壳温的测量，快速实现贴片封装式MOSFET器件的最大额定功率的老炼测试，测量结果误差小，精度高。
以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，其特征在于，包括：金属底座、设置在所述金属底座上的导电板、设置在所述金属底座上侧的固定组件；所述导电板上设置有若干导线、测试位，所述导电板的两端上均设置有一豁口；所述豁口与所述测试位相连通，所述固定组件用于将待测试的MOSFET器件固定在所述导电板的测试位上。
2.根据权利要求1所述的一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，其特征在于，还包括：设置在所述测试位上的导电片。
3.根据权利要求1所述的一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，其特征在于，所述固定组件包括：固定板、设置在所述固定板上的固定螺丝。
4.根据权利要求3所述的一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，其特征在于，所述固定螺丝与所述金属底座螺纹连接。
5.根据权利要求1所述的一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，其特征在于，所述导电板上有设置有三根导线、三个极性，且一根导线对应一个极性。
6.根据权利要求1所述的一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，其特征在于，所述豁口为U形或V形。
7.根据权利要求1所述的一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，其特征在于，所述金属底座的为铜块底座。
8.根据权利要求2所述的一种可实现MOSFET器件最大额定功率老炼测试的结构，其特征在于，所述导电片为锡纸。
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