CN214539954U - 导体检测电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种导体检测电路，包括判断单元，判断单元的控制端口用于输入被测导体产生的检测信号，判断单元的第一端口接地，判断单元的第二端口连接第二电源；被测的金属导体作为接收天线，接收空间中的电磁波，若镀锡铜线与照明元器件焊牢，则二者构成的被测导体接收到的电磁波更为强烈，检测信号达到判断单元的导通阈值使其第一端口和第二端口导通，以判断镀锡铜线与照明元器件焊牢，若镀锡铜线与照明元器件虚焊，则检测信号无法达到判断单元的导通阈值，判断单元的第一端口和第二端口截止，以判断镀锡铜线与照明元器件虚焊。

Description

导体检测电路

技术领域

本实用新型涉及导体检测技术领域，尤其涉及一种导体检测电路。

背景技术

目前，部分照明元器件22上要焊接镀锡铜线21(如图4)，以便于后续加工，在镀锡铜线21焊接完毕后，需要检测镀锡铜线21是否焊牢，避免出现镀锡铜线21虚焊而导致在后续加工中意外脱落。在现有技术中，可供选用的传感器有接近开关、气缸碰撞检测传感器(即气缸碰撞到被测物体后，反馈碰撞信号，以检测出被测物体)等，但上述传感器对如同镀锡铜线21这类细小的金属零部件的检测并不可靠，镀锡铜线21无法给予上述传感器足够的触发力。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种导体检测电路，以解决现有的传感器无法检测细小的金属导体的问题。

本实用新型的目的采用如下技术方案实现：

一种导体检测电路，包括：

判断单元，所述判断单元的控制端口用于输入被测导体产生的检测信号，所述判断单元的第一端口接地，所述判断单元的第二端口连接第二电源；

所述检测信号达到所述判断单元的导通阈值时，所述判断单元的第一端口和第二端口导通；所述检测信号未达到所述判断单元的导通阈值时，所述判断单元的第一端口和第二端口截止。

在某些可选的实施例中，还包括：

放大单元，所述放大单元的控制端口用于输入所述被测导体产生的所述检测信号，所述放大单元的第一端口用于输出放大后的检测信号，所述放大单元的第二端口连接第一电源；

所述判断单元的控制端口输入所述放大后的检测信号。

在某些可选的实施例中，还包括压降检测单元，所述压降检测单元具有第一指示状态和第二指示状态；

所述判断单元的第一端口和第二端口导通所形成的电压降使所述压降检测单元处于所述第一指示状态，所述判断单元的第一端口和第二端口截止所形成的电压降使所述压降检测单元处于所述第二指示状态。

在某些可选的实施例中，还包括串联所述放大单元的第一端口和第二端口的灵敏度调节单元，所述灵敏度调节单元包括用于调节电阻值的可变电阻。

在某些可选的实施例中，所述放大单元包括第一三极管和第二三极管；

所述第一三极管的基极用于输入所述被测导体产生的所述检测信号，所述第一三极管的发射极连接所述第二三极管的基极，所述第一三极管的集电极连接所述第二三极管的集电极，所述第二三极管的发射极用于输出所述放大后的检测信号。

在某些可选的实施例中，还包括第二限流电阻，所述第二限流电阻用于限制流入所述判断单元的控制端口的电流。

在某些可选的实施例中，还包括串联所述判断单元的控制端口和第一端口的偏置电阻。

在某些可选的实施例中，所述压降检测单元包括并联连接的第一限流电阻和发光二极管，所述发光二极管具有所述第一指示状态和第二指示状态，所述第一指示状态为发光，所述第二指示状态为熄灭。

在某些可选的实施例中，所述灵敏度调节单元还包括第一旁路电阻，所述第一旁路电阻使所述放大单元具有静态电压。

在某些可选的实施例中，还包括用于对所述被测导体产生的所述检测信号进行耦合的耦合电容。

相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：

被测导体的一端与判断单元的控制端口连接，被测的金属导体作为接收天线，接收空间中的电磁波，若镀锡铜线与照明元器件焊牢，则二者构成的被测导体接收到的电磁波更为强烈，接收到电磁波的被测导体产生检测信号，检测信号达到判断单元的导通阈值使其第一端口和第二端口导通，以此判断出镀锡铜线与照明元器件焊牢，若镀锡铜线与照明元器件虚焊，则检测信号无法达到判断单元的导通阈值，使判断单元的第一端口和第二端口截止，以判断镀锡铜线与照明元器件虚焊。

附图说明

图1为实用新型的导体检测电路的结构框图；

图2为放大单元和判断单元的结构框图；

图3为实用新型的导体检测电路的电路图；

图4为被测导体的结构示意图。

主要元件符号说明：

图中：

10、判断单元；20、被测导体；21、镀锡铜线；22、照明元器件；30、放大单元；40、压降检测单元；50、灵敏度调节单元；60、整流滤波单元。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以用许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

结合图1至图3所示，示意性地显示了本实用新型的导体检测电路，包括放大单元30、判断单元10、压降检测单元40、灵敏度调节单元50和整流滤波单元60。

放大单元30的控制端口用于输入被测导体20产生的检测信号，放大单元30的第一端口用于输出放大后的检测信号，放大单元30的第二端口连接第一电源，第一电源为24V直流，为防止第一电源极性接反，放大单元30的第二端口和第一电源之间连接有正向二极管D1。其中，被测导体20(如镀锡铜线21或镀锡铜线21与照明元器件22构成的组合体)接触至放大单元30的控制端口，被测导体20可作为接收天线，用于接收空间中的电磁波，当然，为了将被测导体20接收的电磁波所产生的交流电耦合至放大单元30，该导体检测电路还包括与放大单元30的控制端口连接的耦合电容C1，被测导体20接收的电磁波所产生的交流电的正半周给耦合电容C1充电，负半周给耦合电容C1放电，如此往复，可看作有电流通过耦合电容C1，以此形成检测信号，并输入至放大单元30的控制端口。放大单元30接收到检测信号并放大形成放大后的检测信号，放大单元30在其第一端口输出放大后的检测信号。

结合图1和图3，判断单元10的控制端口用于输入放大后的检测信号，判断单元10的第一端口接地，判断单元10的第二端口连接第二电源，第二电源接图1、图2或图3中的负载端。具体地，当放大后的检测信号达到判断单元10的导通阈值时，判断单元10的第一端口和第二端口导通，则判断镀锡铜线21和照明元器件22已焊牢；反之，当放大后的检测信号未达到判断单元10的导通阈值时，判断单元10的第一端口和第二端口截止，则判断镀锡铜线21和照明元器件22虚焊。

判断单元10优选为第三三极管Q3，第三三极管Q3为开关三极管。当然，在其他可选的实施例中，判断单元10也可以是场效应管。

结合图3和图4所示，例如，当被测导体20形成特定的尺寸和/或形状时，如镀锡铜线21与照明元器件22焊牢形成上述的被测导体20，该合格的被测导体20接收到的电磁波更为强烈，其输入放大单元30的检测信号经放大单元30放大后形成达标的放大后的检测信号，该达标的放大后的检测信号达到判断单元10的导通阈值，判断单元10的第一端口和第二端口导通，由此可以判断镀锡铜线21和照明元器件22已经焊牢；当被测导体20未能形成特定的尺寸和/或形状时，如镀锡铜线21与照明元器件22虚焊，则镀锡铜线21单独作为被测导体20，该不合格的被测导体20接收到的电磁波相较于合格的被测导体20接收到的电磁波更弱，其输入放大单元30的检测信号经放大单元30放大后形成未达标的放大后的检测信号，该未达标的放大后的检测信号无法达到判断单元10的导通阈值，判断单元10的第一端口和第二端口截止，由此可以判断镀锡铜线21和照明元器件22虚焊。

放大单元30包括第一三极管Q1和第二三极管Q2，第一三极管Q1的基极用于输入检测信号，即第一三极管Q1的基极与耦合电容C1连接，第一三极管Q1的发射极连接第二三极管Q2的基极，第一三极管Q1的集电极连接第二三极管Q2的集电极，第二三极管Q2的发射极用于输出放大后的检测信号。放大单元30还包括第二旁路电阻R3，第二旁路电阻R3用于分流旁路静态工作电流。第一三极管Q1、第二三极管Q2和第二旁路电阻R3组成达林顿放大电路，以用于对检测信号进行放大并形成放大后的检测信号。

正是因为不同尺寸和/或形状的被测导体20所能接收到的电磁波强弱不同，该导体检测电路需要具备可调节检测灵敏度的单元，以适应不同尺寸和/或形状的被测导体20。导体检测电路还包括串联放大单元30的第一端口和第二端口的灵敏度调节单元50，灵敏度调节单元50包括用于调节电阻值的可变电阻RP，可变电阻RP可以是滑动变阻器。放大单元30的第一端口和第二端口之间的电压值越高，放大单元30对检测信号的放大能力越强，在对该导体检测电路进行调试时，将镀锡铜线21与照明元器件22焊牢形成的合格的被测导体20接触至耦合电容C1，并调节可变电阻RP，使判断单元10的第一端口和第二端口导通，再将镀锡铜线21与照明元器件22虚焊形成的不合格的被测导体20接触至耦合电容C1，此时判断单元10的第一端口和第二端口截止，则表明可变电阻RP完成检测灵敏度调试。

此外，灵敏度调节单元50还包括第一旁路电阻R2，第一旁路电阻R2与可变电阻RP串联，第一旁路电阻R2使放大单元30具有一定的静态电压，第一旁路电阻R2和可变电阻RP组成灵敏度调节单元50，灵敏度调节单元50串联连接第一三极管Q1的集电极和第二三极管Q2的发射极。

为了使用户直观地观察到判断单元10的导通状态和截止状态，导体检测电路还包括压降检测单元40，压降检测单元40包括并联连接的第一限流电阻R1和发光二极管LED，第一限流电阻R1用于限制电路负载电流；发光二极管LED具有第一指示状态和第二指示状态，第一指示状态为发光，第二指示状态为熄灭；判断单元10的第一端口和第二端口导通所形成的电压降使发光二极管LED处于第一指示状态(即发光二极管LED发光亮起)，判断单元10的第一端口和第二端口截止所形成的电压降使发光二极管LED(即发光二极管LED熄灭)处于第二指示状态。

优选的，导体检测电路还包括对放大后的检测信号进行整流滤波的整流滤波单元60，整流滤波单元60包括串联连接第二三极管Q2的发射极和判断单元10的控制端口的整流二极管D2,以及并联连接整流二极管D2的滤波储能电容C2。

优选的，导体检测电路还包括第二限流电阻R4，第二限流电阻R4用于限制流入判断单元10的控制端口的电流，第二限流电阻R4串联连接第二三极管Q2的发射极和判断单元10的控制端口。

优选的，导体检测电路还包括串联判断单元10的控制端口和第一端口的偏置电阻R5，偏置电阻R5用于辅助截止判断单元10以及释放滤波储能电容C2的电荷。

在某些可选的实施例中，可采用场效应管替代上述的第一三极管Q1和/或第二三极管Q2。

在某些可选的实施例中，可采用现有的运放芯片替代上述的放大单元30。

在某些可选的实施例中，可采用现有的非门芯片替代上述的判断单元10。

在某些可选的实施例中，也可将判断单元10的第一端口接地，第二端口连接电源，直接将被测导体20接触判断单元10的控制端口，也可实现对被测导体20的检测判断，只是使用场景较窄且判断灵敏度较上述的实施例低。

相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：

被测导体20的一端与放大单元30的控制端口连接，被测的金属导体作为接收天线，接收空间中的电磁波，若镀锡铜线21与照明元器件22焊牢，则二者构成的被测导体20接收到的电磁波更为强烈，接收到电磁波的被测导体20产生检测信号，检测信号达到判断单元10的导通阈值使其第一端口和第二端口导通，以此判断出镀锡铜线21与照明元器件22焊牢，若镀锡铜线21与照明元器件22虚焊，则检测信号无法达到判断单元10的导通阈值，使判断单元10的第一端口和第二端口截止，以判断镀锡铜线21与照明元器件22虚焊。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种导体检测电路，其特征在于，包括：

判断单元，所述判断单元的控制端口用于输入被测导体产生的检测信号，所述判断单元的第一端口接地，所述判断单元的第二端口连接第二电源；

所述检测信号达到所述判断单元的导通阈值时，所述判断单元的第一端口和第二端口导通；所述检测信号未达到所述判断单元的导通阈值时，所述判断单元的第一端口和第二端口截止。

2.根据权利要求1所述的导体检测电路，其特征在于，还包括：

放大单元，所述放大单元的控制端口用于输入所述被测导体产生的所述检测信号，所述放大单元的第一端口用于输出放大后的检测信号，所述放大单元的第二端口连接第一电源；

所述判断单元的控制端口输入所述放大后的检测信号。

3.根据权利要求1所述的导体检测电路，其特征在于，还包括压降检测单元，所述压降检测单元具有第一指示状态和第二指示状态；

所述判断单元的第一端口和第二端口导通所形成的电压降使所述压降检测单元处于所述第一指示状态，所述判断单元的第一端口和第二端口截止所形成的电压降使所述压降检测单元处于所述第二指示状态。

4.根据权利要求2所述的导体检测电路，其特征在于，还包括串联所述放大单元的第一端口和第二端口的灵敏度调节单元，所述灵敏度调节单元包括用于调节电阻值的可变电阻。

5.根据权利要求2所述的导体检测电路，其特征在于，所述放大单元包括第一三极管和第二三极管；

所述第一三极管的基极用于输入所述被测导体产生的所述检测信号，所述第一三极管的发射极连接所述第二三极管的基极，所述第一三极管的集电极连接所述第二三极管的集电极，所述第二三极管的发射极用于输出所述放大后的检测信号。

6.根据权利要求1所述的导体检测电路，其特征在于，还包括第二限流电阻，所述第二限流电阻用于限制流入所述判断单元的控制端口的电流。

7.根据权利要求1所述的导体检测电路，其特征在于，还包括串联所述判断单元的控制端口和第一端口的偏置电阻。

8.根据权利要求3所述的导体检测电路，其特征在于，所述压降检测单元包括并联连接的第一限流电阻和发光二极管，所述发光二极管具有所述第一指示状态和第二指示状态，所述第一指示状态为发光，所述第二指示状态为熄灭。

9.根据权利要求4所述的导体检测电路，其特征在于，所述灵敏度调节单元还包括第一旁路电阻，所述第一旁路电阻使所述放大单元具有静态电压。

10.根据权利要求1所述的导体检测电路，其特征在于，还包括用于对所述被测导体产生的所述检测信号进行耦合的耦合电容。

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