CN214480524U - 一种新型模拟开关 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种新型模拟开关，包括逻辑控制模块、主控模块和光耦，所述逻辑控制模块通过光耦模块连接主控模块，向逻辑控制模块供电，经过光耦隔离驱动后，控制主控模块中MOS管的通断，从而实现信号电路的开关。本实用新型通过在逻辑控制模块输入高电平或者低电平，控制MOS管的导通或断开，实现功率级的导通与关断，可有效保护后级电路，降低待机功耗；同时，加入了光耦模块，可实现隔离控制。

Description

一种新型模拟开关

技术领域

本实用新型涉及开关领域，尤其涉及一种新型模拟开关。

背景技术

模拟开关是模拟电路中经常使用的一种电路，在通信、雷达、计算机、自动控制、测量仪器等电子设备中，有广泛的应用。目前，常用按键开关需要机械动作进行开关，在某些场合，如水下以及一些高危场景，通过人为的去按开关的按钮进行目标物的开关，是具有一定的危险性的，其自动化控制程度也低；同时，现有模拟开关电路主要通过专用集成电路、光继电器等器件来实现，其待机功耗高，对后级电路保护效果较差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种新型模拟开关。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种新型模拟开关，包括逻辑控制模块、主控模块和光耦，所述逻辑控制模块通过光耦模块连接主控模块，向逻辑控制模块供电，经过光耦隔离驱动后，控制主控模块中MOS管的通断，从而实现信号电路的开关；

所述逻辑控制模块包括电阻R1、电容C4和稳压二极管D2，所述电阻R1的一端与电容C4连接，另一端与稳压二极管D2的负极连接；所述稳压二极管D2的正极与电容C4连接；

所述主控模块包括电容C1~C3、电阻R2、电阻R3、稳压二极管D1和MOS管Q1；所述电容C1一端与接地端连接，另一端与电源输入端连接；所述电容C2的一端分别与电阻R2、稳压二极管D1的正极和MOS管Q1栅极连接，另一端与电源输入端连接；所述电阻R2的一端分别与稳压二极管D1的正极和MOS管Q1的栅极连接，另一端与电源输入端连接；所述稳压二极管D1的负极与电源输入端连接，正极与MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q1的源极与电源输入端连接，MOS管Q1的漏极与电源输出端连接；所述电容C3的一端与电源输出端连接，另一端与接地端连接；所述电阻R3的一端分别与电容C2、电阻R2、稳压二极管D1的正极和MOS管Q1的栅极连接，另一端与光耦的连接；

所述光耦的1端分别与电阻R1和稳压二极管D2的负极连接；所述光耦的2端与稳压二极管D2正极连接，2端与稳压二极管D2之间设置有接地端接地；所述光耦的3端与接地端连接；所述光耦的4端与电阻R3连接。

其中，所述MOS管Q1为P型场效应晶体管。

其中，所述逻辑控制模块还包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端分别与电阻R1和电容C4连接，用于提供控制信号或者供电；所述第二输入端分别与电容C4和稳压二极管D2的正极连接，用于提供控制信号或接地。

其中，所述第一输入端为信号输入端，第二输入端为接地端时，向信号输入端输入高电平，MOS管导通，电源输出端，有输出；向信号输入端输入低电平，MOS管关断，电源输出端，无输出，实现正逻辑控制。

其中，所述第一输入端为供电端，第二输入端为信号输入端时，向信号输入端输入低电平，MOS管导通，电源输出端，有输出；向信号输入端输入高电平，MOS管关断，电源输出端，无输出，实现负逻辑控制。

本实用新型的有益效果：通过高低电平实现功率级导通与关断，可以有效保护后级电路，降低待机功耗，有光耦参与，可实现隔离控制。

附图说明

图1是本实用新型的正逻辑控制电路图。

图2是本实用新型的负逻辑控制电路图

图3是本实用新型的次边正逻辑控制电路图。

图4是本实用新型的次边负逻辑控制电路图。

具体实施方式

为了对本实用新型的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图说明本实用新型的具体实施方式。

实施例1，如图1所示，一种新型模拟开关，包括逻辑控制模块、主控模块和光耦，所述逻辑控制模块通过光耦模块连接主控模块，向逻辑控制模块供电，经过光耦隔离驱动后，控制主控模块中MOS管的通断，从而实现信号电路的开关；

所述逻辑控制模块包括电阻R1、电容C4和稳压二极管D2，所述电阻R1的一端与电容C4连接，另一端与稳压二极管D2的负极连接；所述稳压二极管D2的正极与电容C4连接；

所述主控模块包括电容C1~C3、电阻R2、电阻R3、稳压二极管D1和MOS管Q1；所述电容C1一端与接地端连接，另一端与电源输入端连接；所述电容C2的一端分别与电阻R2、稳压二极管D1的正极和MOS管Q1栅极连接，另一端与电源输入端连接；所述电阻R2的一端分别与稳压二极管D1的正极和MOS管Q1的栅极连接，另一端与电源输入端连接；所述稳压二极管D1的负极与电源输入端连接，正极与MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q1的源极与电源输入端连接，MOS管Q1的漏极与电源输出端连接；所述电容C3的一端与电源输出端连接，另一端与接地端连接；所述电阻R3的一端分别与电容C2、电阻R2、稳压二极管D1的正极和MOS管Q1的栅极连接，另一端与光耦的连接；

所述光耦的1端分别与电阻R1和稳压二极管D2的负极连接；所述光耦的2端与稳压二极管D2正极连接，2端与稳压二极管D2之间设置有接地端接地；所述光耦的3端与接地端连接；所述光耦的4端与电阻R3连接。

其中，所述MOS管Q1为P型场效应晶体管。

其中，所述逻辑控制模块还包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端分别与电阻R1和电容C4连接；所述第二输入端分别与电容C4和稳压二极管D2的正极连接。

其中，所述第一输入端为信号输入端，第二输入端为接地端时，向信号输入端输入高电平，MOS管导通，电源输出端，有输出；向信号输入端输入低电平，MOS管关断，电源输出端，无输出，实现正逻辑控制。

实施例2，如图2所示，一种新型模拟开关，包括逻辑控制模块、主控模块和光耦，所述逻辑控制模块通过光耦模块连接主控模块，向逻辑控制模块供电，经过光耦隔离驱动后，控制主控模块中MOS管的通断，从而实现信号电路的开关；

所述逻辑控制模块包括电阻R1、电容C4和稳压二极管D2，所述电阻R1的一端与电容C4连接，另一端与稳压二极管D2的负极连接；所述稳压二极管D2的正极与电容C4连接；

所述主控模块包括电容C1~C3、电阻R2、电阻R3、稳压二极管D1和MOS管Q1；所述电容C1一端与接地端连接，另一端与电源输入端连接；所述电容C2的一端分别与电阻R2、稳压二极管D1的正极和MOS管Q1栅极连接，另一端与电源输入端连接；所述电阻R2的一端分别与稳压二极管D1的正极和MOS管Q1的栅极连接，另一端与电源输入端连接；所述稳压二极管D1的负极与电源输入端连接，正极与MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q1的源极与电源输入端连接，MOS管Q1的漏极与电源输出端连接；所述电容C3的一端与电源输出端连接，另一端与接地端连接；所述电阻R3的一端分别与电容C2、电阻R2、稳压二极管D1的正极和MOS管Q1的栅极连接，另一端与光耦的连接；

所述光耦的1端分别与电阻R1和稳压二极管D2的负极连接；所述光耦的2端与稳压二极管D2正极连接；所述光耦的3端与接地端连接；所述光耦的4端与电阻R3连接。

其中，所述MOS管Q1为P型场效应晶体管。

其中，所述逻辑控制模块还包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端分别与电阻R1和电容C4连接；所述第二输入端分别与电容C4和稳压二极管D2的正极连接。

其中，所述第一输入端为供电端，第二输入端为信号输入端时，向信号输入端输入低电平，MOS管导通，电源输出端，有输出；向信号输入端输入高电平，MOS管关断，电源输出端，无输出，实现负逻辑控制。

实施例3，如图3所示，一种新型模拟开关，包括逻辑控制模块、主控模块和光耦，所述逻辑控制模块通过光耦模块连接主控模块，向逻辑控制模块供电，经过光耦隔离驱动后，控制主控模块中MOS管的通断，从而实现信号电路的开关；

所述逻辑控制模块包括电阻R1、电容C4和稳压二极管D2，所述电阻R1的一端与电容C4连接，另一端与稳压二极管D2的负极连接；所述稳压二极管D2的正极与电容C4连接；

所述主控模块包括电容C1~C3、电阻R2、电阻R3、稳压二极管D1和MOS管Q1；所述电容C1一端与接地端连接，另一端与电源输入端连接；所述电容C2的一端分别与电阻R2、稳压二极管D1的正极和MOS管Q1栅极连接，另一端与电源输入端连接；所述电阻R2的一端分别与稳压二极管D1的正极和MOS管Q1的栅极连接，另一端与电源输入端连接；所述稳压二极管D1的负极与电源输入端连接，正极与MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q1的源极与电源输入端连接，MOS管Q1的漏极与电源输出端连接；所述电容C3的一端与电源输出端连接，另一端与接地端连接；所述电阻R3的一端分别与电容C2、电阻R2、稳压二极管D1的正极和MOS管Q1的栅极连接，另一端与光耦的连接；

所述光耦的1端分别与电阻R1和稳压二极管D2的负极连接；所述光耦的2端与稳压二极管D2正极连接，所述光耦的3端与接地端连接；所述光耦的4端与电阻R3连接。

其中，光耦的2端与稳压二极管之间设置有接地端接地，以此体现光耦的隔离原边和副边不共地的电路。

其中，所述MOS管Q1为P型场效应晶体管。

其中，所述逻辑控制模块还包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端分别与电阻R1和电容C4连接；所述第二输入端分别与电容C4和稳压二极管D2的正极连接。

其中，所述第一输入端为信号输入端，第二输入端为接地端时，向信号输入端输入高电平，MOS管导通，电源输出端，有输出；向信号输入端输入低电平，MOS管关断，电源输出端，无输出。

其中，由于电路中有光耦参加，可实现控制信号的隔离，在开关电源中，可通过次边信号实现对原边输入的隔离控制，实现次边正逻辑控制。

实施例4，如图4所示，一种新型模拟开关，包括逻辑控制模块、主控模块和光耦，所述逻辑控制模块通过光耦模块连接主控模块，向逻辑控制模块供电，经过光耦隔离驱动后，控制主控模块中MOS管的通断，从而实现信号电路的开关；

所述逻辑控制模块包括电阻R1、电容C4和稳压二极管D2，所述电阻R1的一端与电容C4连接，另一端与稳压二极管D2的负极连接；所述稳压二极管D2的正极与电容C4连接；

所述主控模块包括电容C1~C3、电阻R2、电阻R3、稳压二极管D1和MOS管Q1；所述电容C1一端与接地端连接，另一端与电源输入端连接；所述电容C2的一端分别与电阻R2、稳压二极管D1的正极和MOS管Q1栅极连接，另一端与电源输入端连接；所述电阻R2的一端分别与稳压二极管D1的正极和MOS管Q1的栅极连接，另一端与电源输入端连接；所述稳压二极管D1的负极与电源输入端连接，正极与MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q1的源极与电源输入端连接，MOS管Q1的漏极与电源输出端连接；所述电容C3的一端与电源输出端连接，另一端与接地端连接；所述电阻R3的一端分别与电容C2、电阻R2、稳压二极管D1的正极和MOS管Q1的栅极连接，另一端与光耦的连接；

所述光耦的1端分别与电阻R1和稳压二极管D2的负极连接；所述光耦的2端与稳压二极管D2正极连接；所述光耦的3端与接地端连接；所述光耦的4端与电阻R3连接。

其中，所述MOS管Q1为P型场效应晶体管。

其中，所述逻辑控制模块还包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端分别与电阻R1和电容C4连接；所述第二输入端分别与电容C4和稳压二极管D2的正极连接。

其中，所述第一输入端为供电端，第二输入端为信号输入端时，向信号输入端输入低电平，MOS管导通，电源输出端，有输出；向信号输入端输入高电平，MOS管关断，电源输出端，无输出。

其中，由于电路中有光耦参加，可实现控制信号的隔离，在开关电源中，可通过次边信号实现对原边输入的隔离控制，实现次边负逻辑控制

本实用新型通过在逻辑控制模块输入高电平或者低电平，控制MOS管的导通或断开，实现功率级的导通与关断，可有效保护后级电路，降低待机功耗；同时，加入了光耦模块，可实现隔离控制。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护的范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (3)

1.一种新型模拟开关，其特征在于，包括逻辑控制模块、主控模块和光耦，所述逻辑控制模块通过光耦模块连接主控模块，向逻辑控制模块供电，经过光耦隔离驱动后，控制主控模块中MOS管的通断，从而实现信号电路的开关；

所述逻辑控制模块包括电阻R1、电容C4和稳压二极管D2，所述电阻R1的一端与电容C4连接，另一端与稳压二极管D2的负极连接；所述稳压二极管D2的正极与电容C4连接；

所述主控模块包括电容C1~C3、电阻R2、电阻R3、稳压二极管D1和MOS管Q1；所述电容C1一端与接地端连接，另一端与电源输入端连接；所述电容C2的一端分别与电阻R2、稳压二极管D1的正极和MOS管Q1栅极连接，另一端与电源输入端连接；所述电阻R2的一端分别与稳压二极管D1的正极和MOS管Q1的栅极连接，另一端与电源输入端连接；所述稳压二极管D1的负极与电源输入端连接，正极与MOS管Q1的栅极连接；所述MOS管Q1的源极与电源输入端连接，MOS管Q1的漏极与电源输出端连接；所述电容C3的一端与电源输出端连接，另一端与接地端连接；所述电阻R3的一端分别与电容C2、电阻R2、稳压二极管D1的正极和MOS管Q1的栅极连接，另一端与光耦的连接；

所述光耦的1端分别与电阻R1和稳压二极管D2的负极连接；所述光耦的2端与稳压二极管D2正极连接，2端与稳压二极管D2之间设置有接地端接地；所述光耦的3端与接地端连接；所述光耦的4端与电阻R3连接。

2.根据权利要求1所述的一种新型模拟开关，其特征在于，所述逻辑控制模块还包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端分别与电阻R1和电容C4连接，用于提供控制信号或者供电；所述第二输入端分别与电容C4和稳压二极管D2的正极连接，用于接地或提供控制信号。

3.根据权利要求1所述的一种新型模拟开关，其特征在于，所述MOS管Q1为P型场效应晶体管。

Images