CN214428756U - 一种带阻滤波器 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例公开了一种带阻滤波器。该带阻滤波器包括第一基板和第二基板；第一基板包括第一衬底基板、位于第一衬底基板一侧的第一金属层以及设置于第一金属层背离第一衬底基板一侧的第一键合引脚和第二键合引脚；第一金属层背离第一衬底基板一侧形成超材料结构；第二基板包括第二衬底基板、位于第二衬底基板一侧的第三键合引脚和第四键合引脚，以及连接第三键合引脚和第四键合引脚的第二金属层和第三金属层；第一键合引脚与第三键合引脚键合，第二键合引脚和第四键合引脚键合，以键合第一基板和第二基板。本实用新型实施例的技术方案，以实现提高调谐速度且损耗低，适用范围广泛，并实现集成电路的兼容性。

Description

一种带阻滤波器

技术领域

本实用新型实施例涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种带阻滤波器。

背景技术

人工材料具有独特的电磁特性，但在自然界中并不容易观察到，因此在理论上被维塞拉格假设为超材料。目前，超材料滤波器可以通过两种不同的方法来实现，一种是CL负载方式，另外一种是谐振式传输线方式。前者描绘了负载有串联叉指电容器和并联电感器的传输线，后者包括使用谐振型超材料结构。在这两种方法中，都实现了复合左右手(CRLH)传输线，其中的负折射率导致了围绕共振频率的后向波传播。谐振型方法比CL负载方法更可取，因为这种超材料结构中存在固有的谐振特性，导致滤波器的谐振频率周围出现急剧的截止。

基于上述超材料滤波器可能出现的问题，为动态调整超材料结构的响应特性，并增加超材料滤波器的实用性，则在超材料滤波器中加入可调谐性，一般来说通过可调谐微波组件利用不同的物理效应和材料来实现期望的调谐范围。但目前来说可调谐微波组件采用磁性部件通常需要大的控制功率并且体积庞大，采用液晶虽然具有低损耗，但调谐速度慢。因此，超材料滤波器的谐振频率可调谐性所面临的问题并未真正解决。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种带阻滤波器，以实现提高调谐速度且损耗低，适用范围广泛，并实现集成电路的兼容性。

本实用新型实施例提供了一种带阻滤波器，该带阻滤波器包括：

第一基板和第二基板；

所述第一基板包括第一衬底基板、位于所述第一衬底基板一侧的第一金属层以及设置于所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧的第一键合引脚和第二键合引脚；所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧形成超材料结构；所述超材料结构的高度为g₁，所述第一金属层的高度为g₂，g₁＜g₂；

所述第二基板包括第二衬底基板、位于所述第二衬底基板一侧的第三键合引脚和第四键合引脚，以及连接所述第三键合引脚和所述第四键合引脚的第二金属层和第三金属层；

所述第一键合引脚与所述第三键合引脚键合，所述第二键合引脚和所述第四键合引脚键合，以键合所述第一基板和所述第二基板。

进一步的，所述第一衬底基板包括第一介电层和位于所述第一介电层一侧的第一氧化层；

所述第二衬底基板包括第二介电层和位于所述第二介电层一侧的第二氧化层。

进一步的，所述第一氧化层包括第一氧化隔离层和第二氧化隔离层；

所述第一氧化隔离层设置于所述第一介电层靠近所述第一金属层一侧，所述第二氧化隔离层设置于所述第一氧化隔离层背离所述第一介电层一侧。

进一步的，所述超材料结构包括位于所述第一衬底基板一侧的接地层以及设置于所述接地层背离所述第一衬底基板一侧的信号层。

进一步的，所述带阻滤波器还包括隔离层；

所述隔离层设置于所述超材料结构背离所述第一衬底基板一侧，所述隔离层在所述超材料结构所在平面上的垂直投影与所述第二金属层和所述第三金属层在所述超材料结构所在平面上的垂直投影重叠。

进一步的，所述超材料结构背离所述第一衬底基板一侧形成嵌入谐振结构的共面波导；

所述谐振结构包括并联连接的第一电感、第一电容和第一电阻。

进一步的，所述第二金属层背离所述第二衬底基板一侧形成第一桥接器；

所述第三金属层背离所述第二衬底基板一侧形成第二桥接器。

进一步的，所述第一桥接器包括串联连接的第一桥电感、第一桥电容和第一桥电阻；

所述第二桥接器包括串联连接的第二桥电感、第二桥电容和第二桥电阻。

本实用新型实施例的技术方案，该带阻滤波器包括第一基板和第二基板；所述第一基板包括第一衬底基板、位于所述第一衬底基板一侧的第一金属层以及设置于所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧的第一键合引脚和第二键合引脚；所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧形成超材料结构；所述超材料结构的高度为g₁，所述第一金属层的高度为g₂，g₁＜g₂；所述第二基板包括第二衬底基板、位于所述第二衬底基板一侧的第三键合引脚和第四键合引脚，以及连接所述第三键合引脚和所述第四键合引脚的第二金属层和第三金属层；所述第一键合引脚与所述第三键合引脚键合，所述第二键合引脚和所述第四键合引脚键合，以键合所述第一基板和所述第二基板。解决了现有技术中实现期望的调谐范围不稳定且调谐速度慢的问题，以实现提高调谐速度且损耗低，适用范围广泛，并实现集成电路的兼容性。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的一种带阻滤波器的横截面结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的一种带阻滤波器键合前的立体结构示意图；

图3是本实用新型实施例提供的一种带阻滤波器的横截面结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的一种带阻滤波器的等效电路结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的一种带阻滤波器的俯视结构示意图；

图6是本实用新型实施例提供的一种带阻滤波器的制作方法的流程示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本实用新型具体实施例作进一步的详细描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。

本实用新型实施例提供了一种带阻滤波器，可适用于滤波器实现期望的可调谐范围。图1为本实用新型实施例提供的一种带阻滤波器的横截面结构示意图，图2为本实用新型实施例提供的一种带阻滤波器键合前的立体结构示意图，参见图1和图2，该带阻滤波器具体结构包括如下：

第一基板100和第二基板200；

所述第一基板100包括第一衬底基板110、位于所述第一衬底基板110一侧的第一金属层120以及设置于所述第一金属层120背离所述第一衬底基板110一侧的第一键合引脚130和第二键合引脚140；所述第一金属层120背离所述第一衬底基板110一侧形成超材料结构150；所述超材料结构150的高度为g₁，所述第一金属层的高度为g₂，g₁＜g₂；

所述第二基板200包括第二衬底基板210、位于所述第二衬底基板210一侧的第三键合引脚220和第四键合引脚230，以及连接所述第三键合引脚220和所述第四键合引脚230的第二金属层240和第三金属层250；

所述第一键合引脚130与所述第三键合引脚220键合，所述第二键合引脚140和所述第四键合引脚230键合，以键合所述第一基板100和所述第二基板200。

其中，第一衬底基板110为低介电常数、高电阻率硅基片，第一衬底基板110用于为第一金属层120提供支撑和保护的作用，同时为本实施例提供的带阻滤波器提供了机械稳定性。

在第一金属层120背离所述第一衬底基板110一侧形成镂空图形，即得到如图1所示的超材料结构150，在本实施例中，在超材料结构150中形成嵌入谐振结构的共面波导。

第二衬底基板210为低介电常数、高电阻率硅基片，第二衬底基板210用于为第三键合引脚220、第四键合引脚、第二金属层240和第三金属层250提供支撑和保护的作用。

继续参见图2，所述第一键合引脚130与所述第三键合引脚220键合，所述第二键合引脚140和所述第四键合引脚230键合，具体键合加工方式本实施例不作任何限制，可选的，可以通过将第一键合引脚130与所述第三键合引脚220粘合，第二键合引脚140和所述第四键合引脚230粘合，以通过微机械加工的方法键合所述第一基板100和所述第二基板200，得到本实施例提供的带阻滤波器。

继续参见图1，在所述第一基板100和所述第二基板200键合后，移除超材料结构150中共面波导中心线的下方和上方的第一衬底基板110和第二衬底基板210中的硅，共面波导是一种边缘耦合器件，在上述体积中移除硅后可形成虚拟空气基底，本实施例即为通过共面波导上嵌入的谐振结构、第二金属层240和第三金属层250，以及虚拟空气基底实现调谐范围在28GHz到32GHz范围13％且适用于Ka波段的可调谐带阻滤波器，下述对该带阻滤波器的设计制作进行进一步解释。

图3为本实用新型实施例提供的一种带阻滤波器的横截面结构示意图，参见图3，在上述实施例的基础上，所述第一衬底基板110包括第一介电层111和位于所述第一介电层111一侧的第一氧化层112；

所述第二衬底基板210包括第二介电层211和位于所述第二介电层211一侧的第二氧化层212。

其中，所述第一介电层111的材料可选用微机械硅衬底，还可以在第一介电层111远离第一氧化层112一侧形成氧化隔离层113，该氧化隔离层113用于保护微机械硅衬底。可选的，第一介电层111的厚度可以为275μm，氧化隔离层113可以采用现有制作工艺氧化二氧化硅，氧化隔离层113的厚度可以为1μm，本实施例对氧化隔离层113的具体制作工艺不作任何限制。

为了适应电子产品的薄型化趋势，第一衬底基板110的厚度可以为276μm，在具有良好的机械稳定性和保护性能的前提下，实现第一衬底基板110的纤薄化。

第二介电层211的材料可选用微机械硅衬底，还可以在第二介电层211远离第二氧化层212一侧形成氧化隔离层213，该氧化隔离层213用于保护微机械硅衬底。可选的，第二介电层211的厚度可以为275μm，氧化隔离层213可以采用现有制作工艺氧化二氧化硅，氧化隔离层213的厚度可以为1μm，本实施例对氧化隔离层213的具体制作工艺不作任何限制。

为了适应电子产品的薄型化趋势，第二衬底基板210的厚度可以为276μm，在具有良好的机械稳定性和保护性能的前提下，实现第二衬底基板210的纤薄化。

继续参见图3，在上述实施例的基础上，所述第一氧化层112包括第一氧化隔离层1121和第二氧化隔离层1122；

所述第一氧化隔离层1121设置于所述第一介电层111靠近所述第一金属层120一侧，所述第二氧化隔离层1122设置于所述第一氧化隔离层1121背离所述第一介电层111一侧。

在所述第一介电层111上通过热解法氧化形成所述第一氧化隔离层1121，第一氧化隔离层1121还可以通过其他工艺形成，在本实施例对第一氧化隔离层1121的制备工艺不做具体限制。

第一氧化隔离层1121用于防止谐振结构与第三金属层240和第四金属层250的短路，本实用新型中，第一氧化隔离层1121的材料采用二氧化硅，第一氧化隔离层1121的厚度为1μm。

在所述第一氧化隔离层1121背离所述第一介电层111一侧通过热丝化学气相沉积涂覆形成第二氧化隔离层1122，第二氧化隔离层1122还可以通过其他工艺形成，在本实施例对第一氧化隔离层1121的制备工艺不做具体限制。

第二氧化隔离层1122用于提供谐振结构的机械强度，本实用新型中，第二氧化隔离层1122的材料采用氮化硅，第二氧化隔离层1122的厚度为0.8μm。

继续参见图1，在上述实施例的基础上，所述超材料结构150包括位于所述第一衬底基板110一侧的接地层以及设置于所述接地层背离所述第一衬底基板110一侧的信号层。

继续参见图1和图2，在上述实施例的基础上，所述带阻滤波器还包括隔离层160；

所述隔离层160设置于所述超材料结构150背离所述第一衬底基板110一侧，所述隔离层160在所述超材料结构150所在平面上的垂直投影与所述第二金属层240和所述第三金属层250在所述超材料结构150所在平面上的垂直投影重叠。

其中，隔离层160可以采用溅射的工艺通过二氧化硅隔离器溅射在超材料结构150背离所述第一衬底基板110一侧，即共面波导中心，以防止两个电极在启动时短路。

隔离层160的材料可以采用二氧化硅，隔离层160的厚度为0.1μm。

图4为本实用新型实施例提供的一种带阻滤波器的等效电路结构示意图，参见图4和图1，在上述实施例的基础上，所述超材料结构150背离所述第一衬底基板110一侧形成嵌入谐振结构的共面波导；

所述谐振结构包括并联连接的第一电感L、第一电容C和第一电阻R。

其中，带阻滤波器的共面波导采用超材料结构作为频率选择几何体，参见图1，在第一衬底基板110移除的硅是从共面波导中心线和一部分共面波导接地层的下面/上面去除的，进而形成虚拟空气基底。

在本实施例中，谐振结构由一个CLR谐振回路组成，谐振结构用于在带阻滤波器对应的传输线路上提供分流负载。

由于超材料结构被蚀刻在共面波导的信号线上，因此，CLR储能器看起来与共面波导的传输线并联电容C_t串联。

继续参见图2，在上述实施例的基础上，所述第二金属层240背离所述第二衬底基板210一侧形成第一桥接器；

所述第三金属层250背离所述第二衬底基板210一侧形成第二桥接器。

其中，在本实施例中，带阻滤波器的共面波导采用超材料结构作为频率选择几何体，共面波导借助第二金属层240和第三金属层250实现可调谐性。

第一桥接器和第二桥接器是两个MEMS桥，用于提高带阻滤波器的品质因数。

继续参见图4，在上述实施例的基础上，所述第一桥接器包括串联连接的第一桥电感L_h、第一桥电容C_c和第一桥电阻R_b；

所述第二桥接器包括串联连接的第二桥电感L_b、第二桥电容C_c和第二桥电阻R_b。

具体的，第一桥接器和第二桥接器中的分流变阻器R_b用于改变任何给定输电线路的分流负载，其取决于第一桥接器和第二桥接器的执行状态。因此，当MEMS桥变阻器被分流放置在嵌入超材料结构的输电线路上时，器件的有效分流负载会发生变化，将导致不同作用状态下的共振频率发生变化。

继续参见图4，可以看出，超材料结构对分流阻抗的贡献是固定的。桥电容根据其在传输线上方的高度而变化，并改变传输线的总分流负载。

通过图4基本电路分析后，根据下式得到分流路径中的并联阻抗Z_sh，

其中，C_sh＝C_t+C_c和C_bu/bd是上、下状态的桥电容。

由于电桥根据不同的电容值被置于不同的工作状态，如果电容值被置为上状态的电容值，则电桥被置于上行状态，否则为下行状态。一般来说，电容值由MEMS桥开关控制。

进一步的，本实施例提供的带阻协调器的可调谐性由电桥电容C_b获得，为了获得较高的调谐范围，C_b应优于线路电容C_t和谐振器电容C_c的综合效应。因此，可调谐性是在第一桥接器和第二桥接器中变容二极管的帮助下实现的。

需要注意的是，第一桥接器和第二桥接器的尺寸主要由最终器件的静态(如驱动电压)和动态(如开关时间)开关要求决定。

第一桥接器和第二桥接器的标准纵横比在2到3的范围内，为共面波导上方2-3μm的桥高提供30–140fF范围内的直立电容。不同状态桥电容C_sh下的谐振频率(f_unloaded/f_{loaded_up}),随电桥容性负载的分数变化。

在本实施例中，谐振频率f_unloaded由不带第一桥接器和第二桥接器的变容二极管的超材料结构的谐振频率决定，而谐振频率f_{loaded_up}由变容二极管加载状态下的谐振频率决定(最大g₀＝3μm)，则可以得到下式，

通过上述谐振频率的公式可以清楚地看到，对于较高电容值C_sh，电桥的电容负载对超材料负载传输线几乎没有影响。

因此，为了减少C_t和C_c的影响，第一衬底基板110选择介电常数值较低的基板(理想情况下为空气)。通过有限元仿真表明，谐振频率下降了15-20GHz，当低介电常数基底上嵌入超材料的共面波导发生30-140fF的电容负载时，则将产生上述结果。因此，为了获得本实施例所提供的具有两个记忆特性的Ka波段可调谐带阻滤波器，低介电常数衬底上的无桥金属结构滤波器应在50-52GHz谐振。

另外需要说明的是，对于空载共面波导的阻抗的选择，由于50Ω特性阻抗将在加载谐振结构和两个MEMS桥后实现，则图4的等效电路可以明显看出，谐振结构负载将增加线路阻抗，而MEMS桥负载将减少线路阻抗。由于谐振结构位于低介电常数的基底上(在这种情况下近似为空气)，串联电容的组合电容效应比桥式电容小得多。因此，W/S/W对应于第一衬底基板110上的10/200/10μm导致64Ω的阻抗，空载共面波导阻抗需要保持在较高的50Ω。

图5为本实用新型实施例提供的一种带阻滤波器的俯视结构示意图，参见图5，可以看出，谐振结构由两个U型同心结构组成，由于超材料结构150在第一衬底基板110上与W/S/W对应配置的，且形成时被金属化，则谐振结构是从金属化物上蚀刻出来的。

继续参见图5，谐振结构是以共面波导的中心线为图案的，谐振结构的长度、谐振结构的宽度、环的宽度和环之间的间距分别为L、T、c和d。

继续参见图5和图3，在上述实施例的基础上，第一桥接器和第二桥接器悬浮在气隙为g₀的地方，其长度、宽度和厚度分别由l、b和t(厚度图中未示出)。移除第一衬底基板110和第二衬底基板210中的硅为了制造虚拟空气基板300，硅的去除发生在宽度为W_win和长度为L_win的两块基板上

进一步的，继续参见图5，在第二衬底基板210上开了一个窗口S，用于探测器件的特性。

在本实施例中，为了获得虚拟空气基底提出了硅的体微加工，由于本实施例的带阻滤波器的制造方法涉及两个键合的硅晶片，要对两个硅晶片进行微加工，同时为了计算用于微加工的窗口的尺寸，执行了保形映射。

对于共面波导的传输线，每单位长度的总电容是由第二衬底基板210和第一衬底基板110提供的电容之和。由于硅的电导率比空气的电导率大得多，所以可以假设穿过空气电介质的电场终止于硅壁，则由空气电介质引起的电容可以由一系列合适的构象来评估。

虚拟空气基底提供的电容是为不同宽度的微加工窗口(虚拟空气基底的宽度为W_win)计算的，对于虚拟空气基底的宽度对应于600μm的，虚拟空气基底提供的电容等于总空气基底提供的电容。

在选择了合适的共面波导配置之后，由谐振结构组成的超材料结构的中心频率(带负载)被选择为51GHz，则将导致对应于Ka波段频率的向上浮动，谐振结构的长度L取决于晶胞长度，且小于1459微米。由于CUSR的宽度主要由共面波导的中心线或接地层的宽度决定，因此，未对宽度进行参数分析。下表1列出了嵌入谐振结构的共面波导的最佳尺寸。

表1嵌入谐振结构的共面波导的最佳尺寸

考虑到两个相距400μm的MEMS桥，以便具有高品质因数和较小的滤波器带宽，此时对应的MEMS桥的最优尺寸参见下表2所示，MEMS桥在当前尺寸下将在所需的激励电压和开关时间之间取得平衡。

表2 MEMS桥的最优尺寸

本实用新型实施例提供的基于超材料结构的调谐范围在28GHz到32GHz范围内13％的可调谐带阻滤波器，其利用两片硅晶圆片制作谐振结构嵌入式共面波导和MEMS电桥，同时，为了增强嵌入谐振结构的共面波导上的MEMS桥的电容效应，去除了共面波导中心线下方的硅以及共面波导接地层的一部分，以创建虚拟空气基板。本实用新型实施例的技术方案同时给出了可调带阻滤波器的设计制造步骤细节，具有一定的可重复性，具体参见下述带阻滤波器的制作方法。

为了实现本实用新型实施例的带阻滤波器设计，为基于超材料嵌入谐振结构的共面波导创建虚拟空气基底。为了产生虚拟空气基底需要从大体积的衬底中去除硅，因此，体微加工是最合适的选择。对于单晶片工艺，MEMS桥可以在已经微加工的硅衬底上制造，硅衬底容纳嵌入谐振结构的共面波导，但是由于嵌入谐振结构的共面波导已经被微加工，任何后续的加工(如光刻、蚀刻等)都需要一个虚拟晶片。此外，为了通过体微机械加工来实现虚拟空气基底，金层的金属化可能由于长时间的蚀刻而被损坏。为了克服单晶片工艺的限制，本实用新型实施例提供了一种带阻滤波器的制作方法，具体步骤参见下述。

图6是本实用新型实施例提供的一种带阻滤波器的制作方法的流程示意图，本实施例可适用于滤波器实现期望的可调谐范围的情况，该带阻滤波器的制作方法具体包括如下步骤：

S610、提供第一衬底基板，在所述第一衬底基板一侧形成第一金属层。

其中，所述第一衬底基板包括第一介电层和位于所述第一介电层一侧的第一氧化层，所述第一氧化层包括第一氧化隔离层和第二氧化隔离层；所述第一氧化隔离层设置于所述第一介电层靠近所述第一金属层一侧，所述第二氧化隔离层设置于所述第一氧化隔离层背离所述第一介电层一侧。

第一衬底基板通过热解法氧化形成第一氧化隔离层，随后通过热丝化学气相沉积涂覆形成第二氧化隔离层，第一氧化隔离层和第二氧化隔离层为后续形成的谐振结构提供机械稳定性。

S620、在所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧的第一键合引脚和第二键合引脚；

其中，所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧形成超材料结构；所述超材料结构的高度为g₁，所述第一金属层的高度为g₂，g₁＜g₂。

具体的，用一层薄薄的Cr–Au作为种子层，在KAu(CN)₂中进行1μm的镀金，以获得谐振结构埋置共面波导的金属化，即得到形成超材料结构的第一金属层。

在谐振结构几何图形被图案化之后，共面波导的接地层的选择性镀金被完成到3.6微米的高度。此外，在不破坏真空的情况下，通过电子束蒸发顺序沉积Au-AuGe-Au(对应厚度分别为100nm-200nm-100nm)层的叠层，并通过剥离技术在谐振结构接地层上形成图案。其中，第一层蒸发的金目的是在降低电镀金的粗糙度，而最后一层蒸发的金用于防止AuGe共晶层的氧化。该叠层作为两个具有AuGe共晶(88％金；12％锗)具有大约360℃的熔化温度。

可以注意到，谐振结构信号层和接地层之间的高度差对应于3μm的桥高。

进一步的，所述带阻滤波器还包括隔离层；所述隔离层设置于所述超材料结构背离所述第一衬底基板一侧，所述隔离层在所述超材料结构所在平面上的垂直投影与所述第二金属层和所述第三金属层在所述超材料结构所在平面上的垂直投影重叠。

具体的，所述隔离层溅射在共面波导的中心，以防止两个电极在启动时短路。继续参见图5，可见所述隔离层在所述超材料结构所在平面上的垂直投影与所述第二金属层和所述第三金属层在所述超材料结构所在平面上的垂直投影重叠，并非完全重合，仅为部分对称式重叠。

第一基板包括所述第一衬底基板、所述第一金属层、所述第一键合引脚和所述第二键合引脚。

S630、提供第二衬底基板，在所述第二衬底基板一侧的第三键合引脚和第四键合引脚。

其中，所述第二衬底基板包括第二介电层和位于所述第二介电层一侧的第二氧化层。

具体的，第二氧化层被氧化形成，溅射铬-金，随后电镀金形成第二介电层，以获得第三键合引脚和第四键合引脚，随后对其进行图案化。

S640、形成连接所述第三键合引脚和所述第四键合引脚的第二金属层和第三金属层。

具体的，所述第二金属层背离所述第二衬底基板一侧形成第一桥接器，所述第三金属层背离所述第二衬底基板一侧形成第二桥接器。

第二基板包括所述第二衬底基板、所述第三键合引脚、所述第四键合引脚、所述第二金属层和所述第三金属层。

S650、键合所述第一键合引脚与所述第三键合引脚，键合所述第二键合引脚和所述第四键合引脚，以键合所述第一基板和所述第二基板。

继续参见图5，在所述第一基板和所述第二基板的背面开有尺寸与L_win和W_win相对应的窗口，用于后续的微加工，然后将所述第一基板和所述第二基板在晶片焊接机中正确对齐，以便在400℃下以1.5kN的接触力在20cm²的区域内进行2小时的键合。

进一步的，在键合所述第一基板和所述第二基板之后，还包括：

在所述第一基板背离所述第二基板的一侧形成第一凹槽，在所述第二基板背离所述第一基板的一侧形成第二凹槽。

具体的，将第一基板和第二基板的硅从共面波导中心线和共面波导的接地层的一部分分别去除，形成第一凹槽和第二凹槽，具体第一凹槽和第二凹槽的结构可参见图1，以形成虚拟空气基底，提高本实用新型实施例的带阻滤波器的电容效应，进一步可以得到在硅基板上使用超材料结构和MEMS桥的可调谐带阻滤波器。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (8)

1.一种带阻滤波器，其特征在于，包括：

第一基板和第二基板；

所述第一基板包括第一衬底基板、位于所述第一衬底基板一侧的第一金属层以及设置于所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧的第一键合引脚和第二键合引脚；所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧形成超材料结构；所述超材料结构的高度为g₁，所述第一金属层的高度为g₂，g₁＜g₂；

所述第二基板包括第二衬底基板、位于所述第二衬底基板一侧的第三键合引脚和第四键合引脚，以及连接所述第三键合引脚和所述第四键合引脚的第二金属层和第三金属层；

所述第一键合引脚与所述第三键合引脚键合，所述第二键合引脚和所述第四键合引脚键合，以键合所述第一基板和所述第二基板。

2.根据权利要求1所述的带阻滤波器，其特征在于，所述第一衬底基板包括第一介电层和位于所述第一介电层一侧的第一氧化层；

所述第二衬底基板包括第二介电层和位于所述第二介电层一侧的第二氧化层。

3.根据权利要求2所述的带阻滤波器，其特征在于，所述第一氧化层包括第一氧化隔离层和第二氧化隔离层；

所述第一氧化隔离层设置于所述第一介电层靠近所述第一金属层一侧，所述第二氧化隔离层设置于所述第一氧化隔离层背离所述第一介电层一侧。

4.根据权利要求1所述的带阻滤波器，其特征在于，所述超材料结构包括位于所述第一衬底基板一侧的接地层以及设置于所述接地层背离所述第一衬底基板一侧的信号层。

5.根据权利要求1所述的带阻滤波器，其特征在于，所述带阻滤波器还包括隔离层；

所述隔离层设置于所述超材料结构背离所述第一衬底基板一侧，所述隔离层在所述超材料结构所在平面上的垂直投影与所述第二金属层和所述第三金属层在所述超材料结构所在平面上的垂直投影重叠。

6.根据权利要求1所述的带阻滤波器，其特征在于，所述超材料结构背离所述第一衬底基板一侧形成嵌入谐振结构的共面波导；

所述谐振结构包括并联连接的第一电感、第一电容和第一电阻。

7.根据权利要求1所述的带阻滤波器，其特征在于，所述第二金属层背离所述第二衬底基板一侧形成第一桥接器；

所述第三金属层背离所述第二衬底基板一侧形成第二桥接器。

8.根据权利要求7所述的带阻滤波器，其特征在于，所述第一桥接器包括串联连接的第一桥电感、第一桥电容和第一桥电阻；

所述第二桥接器包括串联连接的第二桥电感、第二桥电容和第二桥电阻。

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