CN214361844U - 一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚 - Google Patents
一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚 Download PDFInfo
- Publication number
- CN214361844U CN214361844U CN202120401268.1U CN202120401268U CN214361844U CN 214361844 U CN214361844 U CN 214361844U CN 202120401268 U CN202120401268 U CN 202120401268U CN 214361844 U CN214361844 U CN 214361844U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- graphite
- silicon carbide
- raw materials
- quality silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 55
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚。目前，所使用的坩埚在使用时将原料放入在坩埚内，原料外部和底部的加热较多，而中间位置处的原料加热不均匀，原料挥发效率较低，降低了原料的利用率。一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚，其组成包括：坩埚本体（1）和坩埚盖体（2），坩埚盖体扣合在坩埚本体的顶部，坩埚本体为柱形空心结构，且在坩埚本体的内部设置有一组直径和高度相同的石墨柱（3），一组石墨柱与坩埚本体为一体结构，坩埚本体的圆心位置垂直连接有石墨杆（4），石墨杆与坩埚盖体为一体结构，石墨杆与石墨网垂直连接。本实用新型应用于金属制造领域。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚。
背景技术
坩埚通常用于对液体或固体进行高温加热，它是熔化和精炼金属液体以及固液加热、反应的容器，是保证一些化学反应顺利进行重要装置。碳化硅作为倍受关注的新一代半导体材料，其晶体生长一般采用感应加热炉，碳化硅晶体在石墨坩埚内生长，通常将碳化硅原料置于坩埚的生长室下部。目前，所使用的坩埚在使用时将原料放入在坩埚内，原料外部和底部的加热较多，而中间位置处的原料加热不均匀，原料挥发效率较低，降低了原料的利用率。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚。
上述的目的通过以下的技术方案实现：
一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚，其组成包括：坩埚本体和坩埚盖体，所述的坩埚盖体扣合在坩埚本体的顶部，所述的坩埚本体为柱形空心结构，且在所述的坩埚本体的内部设置有一组直径和高度相同的石墨柱，一组所述的石墨柱与所述的坩埚本体为一体结构，所述的坩埚本体的圆心位置垂直连接有石墨杆，所述的石墨杆与所述的坩埚盖体为一体结构，所述的石墨杆与石墨网垂直连接。
所述的高质量碳化硅晶体生长用的坩埚，所述的坩埚盖下方设置有石墨挡环，所述的石墨挡环与所述的坩埚盖体为一体结构，所述的石墨挡环外环面与所述的坩埚本体的内壁贴合。
所述的高质量碳化硅晶体生长用的坩埚，所述的石墨杆上开设有插孔，所述的插孔内插入有钨丝，所述的钨丝弯制成U型结构。
所述的高质量碳化硅晶体生长用的坩埚，所述的坩埚本体和坩埚盖体为石墨材质坩埚。
本实用新型所达到的有益效果是：
1.本实用新型在使用时将原料放入到坩埚本体内，在感应加热炉的高温作用下，使放入到坩埚本体内的碳化硅原料在石墨坩埚内的生长室底部，使碳化硅晶体在坩埚本体内进行生长，由于坩埚本体内部均匀的设置有一组石墨柱，能够均匀的对坩埚本体内的原料进行加热，使原料挥发的更多，提高原料的利用率。
2.本实用新型具有结构简单、操作方便等特点，将坩埚盖体的平面结构设置带有石墨挡环的石墨坩埚盖体，通过坩埚盖体设置的凸起部分，能够嵌入到坩埚本体壁，使坩埚本体的密封性能提高。
3.本实用新型在坩埚本体内的原料上方设置有石墨网，石墨网穿过石墨杆，石墨杆的顶部与坩埚盖体连接，当坩埚盖体取出时，能够方便将石墨网从坩埚本体内取出，而在坩埚本体内设置的石墨网，能够防止在长晶过程中原料被带入晶体内部，影响晶体质量。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
附图1是本实用新型的结构示意图；
附图2是附图1的A-A剖视图；
附图3是坩埚盖体与石墨杆的连接示意图；
附图4是坩埚盖体的仰视图；
附图5是石墨网的结构示意图；
附图6是钨丝的结构示意图；
图中：1、坩埚本体，2、坩埚盖体，3、石墨柱，4、石墨杆，5、挡环，6、插孔，7、钨丝，8、石墨网。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
实施例1：
一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚，其组成包括：坩埚本体1和坩埚盖体2，所述的坩埚盖体扣合在坩埚本体的顶部，所述的坩埚本体为柱形空心结构，且在所述的坩埚本体的内部设置有一组直径和高度相同的石墨柱3，一组所述的石墨柱与所述的坩埚本体为一体结构，所述的坩埚本体的圆心位置垂直连接有石墨杆4，所述的石墨杆与所述的坩埚盖体为一体结构，所述的石墨杆与石墨网8垂直连接。
实施例2：
根据实施例1所述的高质量碳化硅晶体生长用的坩埚，所述的坩埚盖下方设置有石墨挡环5，所述的石墨挡环与所述的坩埚盖体为一体结构，所述的石墨挡环外环面与所述的坩埚本体的内壁贴合。
实施例3：
根据实施例1或2所述的高质量碳化硅晶体生长用的坩埚，所述的石墨杆上开设有插孔6，所述的插孔内插入有钨丝7，所述的钨丝弯制成U型结构。
实施例4：
根据实施例1或2或3所述的高质量碳化硅晶体生长用的坩埚，所述的坩埚本体和坩埚盖体为石墨材质坩埚。
Claims (4)
1.一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚，其组成包括：坩埚本体和坩埚盖体，其特征是：所述的坩埚盖体扣合在坩埚本体的顶部，所述的坩埚本体为柱形空心结构，且在所述的坩埚本体的内部设置有一组直径和高度相同的石墨柱，一组所述的石墨柱与所述的坩埚本体为一体结构，所述的坩埚本体的圆心位置垂直连接有石墨杆，所述的石墨杆与所述的坩埚盖体为一体结构，所述的石墨杆与石墨网垂直连接。
2.根据权利要求1所述的高质量碳化硅晶体生长用的坩埚，其特征是：所述的坩埚盖下方设置有石墨挡环，所述的石墨挡环与所述的坩埚盖体为一体结构，所述的石墨挡环外环面与所述的坩埚本体的内壁贴合。
3.根据权利要求1所述的高质量碳化硅晶体生长用的坩埚，其特征是：所述的石墨杆上开设有插孔，所述的插孔内插入有钨丝，所述的钨丝弯制成U型结构。
4.根据权利要求2所述的高质量碳化硅晶体生长用的坩埚，其特征是：所述的坩埚本体和坩埚盖体为石墨材质坩埚。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202120401268.1U CN214361844U (zh) | 2021-02-24 | 2021-02-24 | 一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202120401268.1U CN214361844U (zh) | 2021-02-24 | 2021-02-24 | 一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN214361844U true CN214361844U (zh) | 2021-10-08 |
Family
ID=77967462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202120401268.1U Active CN214361844U (zh) | 2021-02-24 | 2021-02-24 | 一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN214361844U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114059163A (zh) * | 2021-11-17 | 2022-02-18 | 宁波合盛新材料有限公司 | 碳化硅晶体生长坩埚及生长方法 |
| CN114645319A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-06-21 | 福建北电新材料科技有限公司 | 碳化硅晶体生长装置 |
| CN115893419A (zh) * | 2022-10-18 | 2023-04-04 | 宁波合盛新材料有限公司 | 一种碳化硅的制备方法和制备装置 |
-
2021
- 2021-02-24 CN CN202120401268.1U patent/CN214361844U/zh active Active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114059163A (zh) * | 2021-11-17 | 2022-02-18 | 宁波合盛新材料有限公司 | 碳化硅晶体生长坩埚及生长方法 |
| CN114645319A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-06-21 | 福建北电新材料科技有限公司 | 碳化硅晶体生长装置 |
| CN114645319B (zh) * | 2022-03-31 | 2023-09-26 | 福建北电新材料科技有限公司 | 碳化硅晶体生长装置 |
| CN115893419A (zh) * | 2022-10-18 | 2023-04-04 | 宁波合盛新材料有限公司 | 一种碳化硅的制备方法和制备装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN214361844U (zh) | 一种高质量碳化硅晶体生长用的坩埚 | |
| CN210974929U (zh) | 碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 | |
| CN208899038U (zh) | 一种光伏用排气石墨坩埚装置 | |
| KR101400883B1 (ko) | 고순도 금속산화물 나노 구조체 제조 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN110396723A (zh) | 一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用 | |
| CN101400834B (zh) | 硅单晶提拉装置 | |
| CN102660768A (zh) | 一种单晶硅炉用炭/炭复合材料坩埚的制备工艺 | |
| CN114941176B (zh) | 一种溶液法制备碳化硅单晶的热场设计及单晶生长方法 | |
| US5009862A (en) | Apparatus and process for growing crystals of semiconductor materials | |
| US4911895A (en) | Apparatus for growing crystals of semiconductor materials | |
| US20030084840A1 (en) | Crystal-pulling apparatus for pullig and growing a monocrystalline silicon ingot, and method therefor | |
| CN1265031C (zh) | 一种生长直拉硅单晶的重掺杂方法及掺杂装置 | |
| CN115974587B (zh) | 一种改良石墨坩埚及其制备方法与应用 | |
| CN219526866U (zh) | 坩埚结构和晶体生长设备 | |
| CN108468083A (zh) | 一种具有隐藏式加热器的半导体硅单晶炉 | |
| CN215404656U (zh) | 一种金属单晶制备装置 | |
| CN215668293U (zh) | 一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长设备 | |
| CN214115777U (zh) | 一种碳化硅单晶生长装置 | |
| CN106048728B (zh) | 一种生长高品质碳化硅晶须的方法 | |
| CN208517577U (zh) | 一种具有隐藏式加热器的半导体硅单晶炉 | |
| KR100530889B1 (ko) | 실리콘 카바이드 단결정 제조용 흑연 도가니 | |
| CN211036174U (zh) | 一种晶体生长装置 | |
| CN117305986B (zh) | 单晶碳化硅长晶原料、单晶碳化硅长晶方法及单晶碳化硅 | |
| WO2019097875A1 (ja) | 単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の引き上げ方法 | |
| CN218600265U (zh) | 碳化硅粉料合成坩埚 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231111 Address after: Building 3 and Building 4, No. 3088 Zhigu Fifth Street, Songbei District, Harbin City, Heilongjiang Province, 150000 Patentee after: Harbin Keyou Semiconductor Industry Equipment and Technology Research Institute Co.,Ltd. Address before: Room 302-2, building 16 (No. 1616, Chuangxin Road), Harbin Institute of technology coastal creative technology port and Internet of things technology R & D center, high tech Industrial Development Zone, Harbin, Heilongjiang Province Patentee before: Harbin Huaxing Soft Control Technology Co.,Ltd. |