CN214218456U - 一种半导体加工用纯化水制备装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种半导体加工用纯化水制备装置,包括纯化水制备系统,所述纯化水制备系统由预处理模块、主助力模块和后处理模块组成。本实用新型通过使用原水泵将把原水输送到预处理模块中的砂滤器内部,通过砂滤器内部的石英砂过滤层除去水中的悬浮状态的颗粒物质,通过活性炭过滤层起吸附作用,经过软化器后在通过高压泵将水源送入至主助力模块的内部,预处理后的水源,依次通过主助力模块中的保安过滤器、RO壳体、RO元件、EDI装置、混床和纯化水箱进行处理,主助力模块处理后的水源进入至后处理模块中,在通过纯化水泵将水源依次送入臭氧发生器、气液混器、紫外线灭菌器和精密过滤器内部进行处理。
Description
技术领域
本实用新型涉及纯化水制备技术领域,具体涉及一种半导体加工用纯化水制备装置。
背景技术
纯化水制备经过演变和发展,在制药生产企业和纯化水设备制造企业技术人员的努力下吸取国外先进的制水工艺,从单件、单台设备的制造、组装发展到目前使用的一套完整的纯化水制备流程,其可由五个部分组成:预处理(也称前处理装置)、初级除盐装置、深度除盐装置、后处理装置、纯化水输送分配系统。
现有市面上的纯化水制备系统无法有效地除去水中的杂质颗粒以及病原微生物,无法降低日常运行费用,且延长了混床树脂的使用周期,从而无法在减少再生时酸碱的用量的同时保证了纯化水出水的品质。
因此,发明一种半导体加工用纯化水制备装置来解决上述问题很有必要。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种半导体加工用纯化水制备装置,通过使用原水泵将把原水输送到预处理模块中的砂滤器内部,通过砂滤器内部的石英砂过滤层除去水中的悬浮状态的颗粒物质,当滤材孔径被堵塞后,可用反冲办法进行清洗再生,在通过第一水管进入至碳滤器内部,通过活性炭过滤层起吸附作用,能除去原水中的有机物、残氯等,活性炭吸附容量大,比表面积高,可把水中的有机物、游离的余氯、气味、色泽除去,经过软化器后在通过高压泵将水源送入至主助力模块的内部,预处理后的水源,依次通过主助力模块中的保安过滤器、RO壳体、RO元件、EDI装置、混床和纯化水箱进行处理,主助力模块处理后的水源进入至后处理模块中,通过纯化水泵将水源依次送入臭氧发生器、气液混器、紫外线灭菌器和精密过滤器内部进行处理,以解决技术中的上述不足之处。
为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体加工用纯化水制备装置,包括纯化水制备系统,所述纯化水制备系统由预处理模块、主助力模块和后处理模块组成,所述预处理模块包括原水泵,所述原水泵输出端设置有砂滤器,所述砂滤器内部设置有石英砂过滤层,所述石英砂过滤层的数量设置有两个,两个所述石英砂过滤层相匹配,所述砂滤器外壁一侧设置有碳滤器,所述碳滤器内部设置有活性炭过滤层,所述砂滤器输出端与碳滤器输入端之间设置有第一水管,所述碳滤器外壁一侧设置有软化器,所述碳滤器输出端与软化器输入端之间设置有第二水管,所述软化器输出端设置有高压泵;
所述主助力模块包括保安过滤器,所述高压泵输出端与保安过滤器输入端之间设置有第三水管,所述保安过滤器外壁一侧设置有RO壳体,所述保安过滤器输出端与RO壳体输入端之间设置有第四水管,所述RO壳体外壁一侧设置有RO元件,所述RO壳体输出端与RO元件输入端之间设置有第五水管,所述RO元件外壁一侧设置有EDI装置,所述RO元件输出端与EDI装置输入端之间设置有第六水管,所述EDI装置外壁一侧设置有混床,所述EDI装置输出端与混床输入端之间设置有第七水管,所述混床外壁一侧设置有纯化水箱,所述混床输出端与纯化水箱输入端之间设置有第八水管,所述纯化水箱输出端设置有纯化水泵。
优选的,所述后处理模块包括臭氧发生器,所述纯化水泵输出端与臭氧发生器输入端之间设置有第九水管。
优选的,所述臭氧发生器外壁一侧设置有气液混器,所述臭氧发生器输出端与气液混器输入端之间设置第一连接管。
优选的,所述气液混器外壁一侧设置有紫外线灭菌器,所述气液混器输出端与紫外线灭菌器输入端之间设置有第二连接管。
优选的,所述紫外线灭菌器外壁一侧设置有精密过滤器,所述紫外线灭菌器输出端与精密过滤器输入端之间设置有第三连接管。
优选的,所述精密过滤器输出端设置有出水管。
在上述技术方案中,本实用新型提供的技术效果和优点:
1、通过使用原水泵将把原水输送到预处理模块中的砂滤器内部,通过砂滤器内部的石英砂过滤层除去水中的悬浮状态的颗粒物质,当滤材孔径被堵塞后,可用反冲办法进行清洗再生,在通过第一水管进入至碳滤器内部,通过活性炭过滤层起吸附作用,能除去原水中的有机物、残氯等,活性炭吸附容量大,比表面积高,可把水中的有机物、游离的余氯、气味、色泽除去,经过软化器后在通过高压泵将水源送入至主助力模块的内部;
2、预处理后的水源,依次通过主助力模块中的保安过滤器、RO壳体、RO元件、EDI装置、混床和纯化水箱进行处理,RO壳体和RO元件反渗透装置据报导采用一级RO,能有效地除去水中的病原微生物,EDI装置在直流电场的直接作用下完成离子的定向迁移,从而除去水残余的离子,提高纯化水的电导率,不需添加任何化学药品,不发生对环境的污染,水的利用率高,可以连续制备纯化水;
3、主助力模块处理后的水源进入至后处理模块中,通过纯化水泵将水源依次送入臭氧发生器、气液混器、紫外线灭菌器和精密过滤器内部进行处理,臭氧发生器、气液混器和紫外线灭菌器依次对水源进行消毒,而精密过滤器为了防止砂滤器、碳滤器中的微小粒子流入反渗透膜而采取的一种精密过滤装置,可以有效地保证进水SDI值,从而保护膜元件不受损害。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的整体系统结构示意图;
图2为本实用新型预处理模块的整体结构示意图;
图3为本实用新型主助力模块的整体结构示意图;
图4为本实用新型后处理模块的整体结构示意图;
图5为本实用新型砂滤器的内部剖面结构示意图;
图6为本实用新型碳滤器的内部剖面结构示意图。
附图标记说明:
1、纯化水制备系统;2、预处理模块;3、主助力模块;4、后处理模块;5、原水泵;6、砂滤器;7、石英砂过滤层;8、碳滤器;9、第一水管;10、活性炭过滤层;11、软化器;12、第二水管;13、高压泵;14、第三水管;15、保安过滤器;16、RO壳体;17、第四水管;18、RO元件;19、第五水管;20、EDI装置;21、第六水管;22、混床;23、第七水管;24、纯化水箱;25、第八水管;26、纯化水泵;27、第九水管;28、臭氧发生器;29、气液混器;30、第一连接管;31、紫外线灭菌器;32、第二连接管;33、精密过滤器;34、第三连接管;35、出水管。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了如图1-6所示的一种半导体加工用纯化水制备装置,包括纯化水制备系统1,所述纯化水制备系统1由预处理模块2、主助力模块3和后处理模块4组成,所述预处理模块2包括原水泵5,所述原水泵5输出端设置有砂滤器6,所述砂滤器6内部设置有石英砂过滤层7,所述石英砂过滤层7的数量设置有两个,两个所述石英砂过滤层7相匹配,所述砂滤器6外壁一侧设置有碳滤器8,所述碳滤器8内部设置有活性炭过滤层10,所述砂滤器6输出端与碳滤器8输入端之间设置有第一水管9,所述碳滤器8外壁一侧设置有软化器11,所述碳滤器8输出端与软化器11输入端之间设置有第二水管12,所述软化器11输出端设置有高压泵13;
所述主助力模块3包括保安过滤器15,所述高压泵13输出端与保安过滤器15输入端之间设置有第三水管14,所述保安过滤器15外壁一侧设置有RO壳体16,所述保安过滤器15输出端与RO壳体16输入端之间设置有第四水管17,所述RO壳体16外壁一侧设置有RO元件18,所述RO壳体16输出端与RO元件18输入端之间设置有第五水管19,所述RO元件18外壁一侧设置有EDI装置20,所述RO元件18输出端与EDI装置20输入端之间设置有第六水管21,所述EDI装置20外壁一侧设置有混床22,所述EDI装置20输出端与混床22输入端之间设置有第七水管23,所述混床22外壁一侧设置有纯化水箱24,所述混床22输出端与纯化水箱24输入端之间设置有第八水管25,所述纯化水箱24输出端设置有纯化水泵26。
进一步的,在上述技术方案中,所述后处理模块4包括臭氧发生器28,所述纯化水泵26输出端与臭氧发生器28输入端之间设置有第九水管27,该结构有效说明了通过第九水管27使纯化水泵26将水源传入臭氧发生器28内部进行消毒处理。
进一步的,在上述技术方案中,所述臭氧发生器28外壁一侧设置有气液混器29,所述臭氧发生器28输出端与气液混器29输入端之间设置第一连接管30,该结构有效说明了通过第一连接管30使臭氧发生器28内部消毒后的水源进入至气液混器29中加工。
进一步的,在上述技术方案中,所述气液混器29外壁一侧设置有紫外线灭菌器31,所述气液混器29输出端与紫外线灭菌器31输入端之间设置有第二连接管32,该结构有效说明了通过第二连接管32使气液混器29内部的水源进入至紫外线灭菌器31内部进行二次消毒。
进一步的,在上述技术方案中,所述紫外线灭菌器31外壁一侧设置有精密过滤器33,所述紫外线灭菌器31输出端与精密过滤器33输入端之间设置有第三连接管34,该结构有效说明了通过第三连接管34将水源引入至精密过滤器33内部,精密过滤器33为了防止砂滤器6、碳滤器8中的微小粒子流入反渗透膜而采取的一种精密过滤装置,过滤介质的孔径为1μm~5μm,可以有效地保证进水SDI值,从而保护膜元件不受损害。
进一步的,在上述技术方案中,所述精密过滤器33输出端设置有出水管35,该结构有效说明了处理后的水源通过出水管35流出。
本实用工作原理:
参照说明书附图1-6,本装置在使用时,首先使用原水泵5将把原水输送到预处理模块2中的砂滤器6内部,通过砂滤器6内部的石英砂过滤层7除去水中的悬浮状态的颗粒物质,当滤材孔径被堵塞后,可用反冲办法进行清洗再生,在通过第一水管9进入至碳滤器8内部,通过活性炭过滤层10起吸附作用,能除去原水中的有机物、残氯等,活性炭吸附容量大,比表面积高,可达500~2000m2/g,可把水中的有机物、游离的余氯、气味、色泽除去,经过软化器11后在通过高压泵13将水源送入至主助力模块3的内部;
参照说明书附图1-6,本装置在使用时,预处理后的水源,依次通过主助力模块3中的保安过滤器15、RO壳体16、RO元件18、EDI装置20、混床22和纯化水箱24进行处理,RO壳体16和RO元件18反渗透装置据报导采用一级RO,能有效地除去水中的病原微生物,EDI装置20在直流电场的直接作用下完成离子的定向迁移,从而除去水残余的离子,提高纯化水的电导率,不需添加任何化学药品,不发生对环境的污染,水的利用率高,可以连续制备纯化水;
参照说明书附图1-6,本装置在使用时,主助力模块3处理后的水源进入至后处理模块4中,通过纯化水泵26将水源依次送入臭氧发生器28、气液混器29、紫外线灭菌器31和精密过滤器33内部进行处理,臭氧发生器28、气液混器29和紫外线灭菌器31依次对水源进行消毒,而精密过滤器33为了防止砂滤器6、碳滤器8中的微小粒子流入反渗透膜而采取的一种精密过滤装置,过滤介质的孔径为1μm~5μm,可以有效地保证进水SDI值,从而保护膜元件不受损害。
本实用新型使用到的标准零件均可以从市场上购买,异形件根据说明书的和附图的记载均可以进行订制,各个零件的具体连接方式均采用现有技术中成熟的螺栓、铆钉、焊接等常规手段,机械、零件和设备均采用现有技术中,常规的型号,加上电路连接采用现有技术中常规的连接方式,在此不再详述。
尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种半导体加工用纯化水制备装置,包括纯化水制备系统(1),其特征在于:所述纯化水制备系统(1)由预处理模块(2)、主助力模块(3)和后处理模块(4)组成,所述预处理模块(2)包括原水泵(5),所述原水泵(5)输出端设置有砂滤器(6),所述砂滤器(6)内部设置有石英砂过滤层(7),所述石英砂过滤层(7)的数量设置有两个,两个所述石英砂过滤层(7)相匹配,所述砂滤器(6)外壁一侧设置有碳滤器(8),所述碳滤器(8)内部设置有活性炭过滤层(10),所述砂滤器(6)输出端与碳滤器(8)输入端之间设置有第一水管(9),所述碳滤器(8)外壁一侧设置有软化器(11),所述碳滤器(8)输出端与软化器(11)输入端之间设置有第二水管(12),所述软化器(11)输出端设置有高压泵(13);
所述主助力模块(3)包括保安过滤器(15),所述高压泵(13)输出端与保安过滤器(15)输入端之间设置有第三水管(14),所述保安过滤器(15)外壁一侧设置有RO壳体(16),所述保安过滤器(15)输出端与RO壳体(16)输入端之间设置有第四水管(17),所述RO壳体(16)外壁一侧设置有RO元件(18),所述RO壳体(16)输出端与RO元件(18)输入端之间设置有第五水管(19),所述RO元件(18)外壁一侧设置有EDI装置(20),所述RO元件(18)输出端与EDI装置(20)输入端之间设置有第六水管(21),所述EDI装置(20)外壁一侧设置有混床(22),所述EDI装置(20)输出端与混床(22)输入端之间设置有第七水管(23),所述混床(22)外壁一侧设置有纯化水箱(24),所述混床(22)输出端与纯化水箱(24)输入端之间设置有第八水管(25),所述纯化水箱(24)输出端设置有纯化水泵(26)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体加工用纯化水制备装置,其特征在于:所述后处理模块(4)包括臭氧发生器(28),所述纯化水泵(26)输出端与臭氧发生器(28)输入端之间设置有第九水管(27)。
3.根据权利要求2所述的一种半导体加工用纯化水制备装置,其特征在于:所述臭氧发生器(28)外壁一侧设置有气液混器(29),所述臭氧发生器(28)输出端与气液混器(29)输入端之间设置第一连接管(30)。
4.根据权利要求3所述的一种半导体加工用纯化水制备装置,其特征在于:所述气液混器(29)外壁一侧设置有紫外线灭菌器(31),所述气液混器(29)输出端与紫外线灭菌器(31)输入端之间设置有第二连接管(32)。
5.根据权利要求4所述的一种半导体加工用纯化水制备装置,其特征在于:所述紫外线灭菌器(31)外壁一侧设置有精密过滤器(33),所述紫外线灭菌器(31)输出端与精密过滤器(33)输入端之间设置有第三连接管(34)。
6.根据权利要求5所述的一种半导体加工用纯化水制备装置,其特征在于:所述精密过滤器(33)输出端设置有出水管(35)。
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