CN214203618U - 基板检测装置及基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

公开基板检测装置及基板处理系统。根据一个实施例的基板处理系统可包括：处理液涂覆单元，其将处理液涂覆于基板；基板干燥单元，其用于对涂覆有处理液的基板进行干燥；基板移动单元，其从处理液涂覆单元中搬出基板，并将基板搬入基板干燥单元；第一检测部，其在从处理液涂覆单元中搬出基板的过程中，检测基板的处理液涂覆状态；以及第二检测部，其在将基板搬入基板干燥单元的过程中，检测基板的处理液涂覆状态。

Description

基板检测装置及基板处理系统
技术领域
下面实施例涉及一种基板检测装置及基板处理系统。
背景技术
在制造半导体元件时，需要包括研磨和抛光及清洗的CMP(化学机械研磨)作业。半导体元件形成为多层结构的形态，在基板层形成具有扩散区域的晶体管元件。在基板层，连接金属线被图案化，电连接于形成功能性元件的晶体管元件。如公知的一样，图案化的导电层用二氧化硅之类的绝缘材料与其他导电层绝缘。因为形成更多的金属层和与此相关的绝缘层，所以使得绝缘材料扁平的必要性增加。如果不能扁平化，在表面形态上出现很多变动，因此实质上更加难以制造追加的金属层。此外，金属线图案由绝缘材料形成，从而金属CMP作业去除过剩金属物。
CMP工艺包括通过研磨垫物理地使得基板表面磨损的过程。如果执行了通过研磨垫的磨损过程，则在基板的表面残留研磨液、研磨渣之类的副产物。为了去除残留在基板表面的副产物，执行将处理液喷射至基板表面的清洗过程。喷射至基板表面的处理液在自然干燥时产生留下痕迹的倾斜现象，因此执行通过超临界干燥工艺使得喷射了处理液的基板干燥的工艺。为了超临界工艺，需要在基板表面以设定的厚度涂覆处理液。但是，因为处理液在基板的表面持续蒸发，所以需要使得处理液的厚度在基板表面保持一定直到基板进入超临界工艺装置为止。
实用新型内容
一个实施例的目的在于，提供一种基板处理系统，在执行基板的干燥工艺的过程中，可以解决基板表面的处理液涂覆厚度不良。
一个实施例的目的在于，提供一种基板处理系统，对基板的处理工艺间表面的处理液厚度进行持续监控。
在根据一个实施例的对基板的处理液涂覆状态进行检测的基板检测装置中，基板检测装置配置在基板被移送的路径上，在基板移动的过程中，可以对基板的多个区域的处理液厚度依次进行检测。
作为一个侧面，基板检测装置可沿着与基板的移送方向垂直的路线划分多个区域，并且沿着基板的移送方向依次检测多个区域的处理液涂覆状态。
作为一个侧面，基板检测装置可包括第一检测部，其在从将处理液喷射到基板的处理液涂覆单元搬出基板的过程中，沿着基板的搬出方向，依次检测与基板的搬出方向垂直划分的基板的多个区域。
作为一个侧面，基板检测装置还可包括第二检测部，其在将基板搬入对涂覆有处理液的基板进行干燥的基板干燥单元的过程中，沿着基板的搬入方向，依次检测与基板的搬入方向垂直划分的基板的多个区域。
作为一个侧面，基板检测装置可包括：光源，其将光照射到基板移送路径上的特定位置；以及光传感器，其接收从基板反射过来的光，并从接收到的光中检测基板表面的处理液涂覆厚度。
作为一个侧面，基板检测装置还可包括控制部，其基于光传感器检测出的信息，分析基板多个区域各自的处理液涂覆厚度，并判断基板的处理液涂覆状态是否存在不良。
根据一个实施例的基板处理系统可包括：处理液涂覆单元，其将处理液涂覆到基板；基板干燥单元，其用于对涂覆有处理液的基板进行干燥；基板移动单元，其从处理液涂覆单元中搬出基板，并将基板搬入基板干燥单元；第一检测部，其在从处理液涂覆单元中搬出基板的过程中，检测基板的处理液涂覆状态；以及第二检测部，其在将基板搬入基板干燥单元的过程中，检测基板的处理液涂覆状态。
作为一个侧面，第一检测部及第二检测部可包括：光源，其朝向基板的被处理面照射光；以及光传感器，其检测从被处理面反射过来的反射光，并对涂覆于被处理面的处理液的厚度进行检测。
作为一个侧面，第一检测部及第二检测部可将基板的被处理面划分为多个区域，对划分的各个区域的处理液的厚度进行检测。
作为一个侧面，第一检测部可以以与基板的搬出方向垂直的形式划分多个区域，沿着基板的搬出方向对多个区域的处理液涂覆厚度依次进行检测。
作为一个侧面，第二检测部可以以与基板的搬入方向垂直的形式划分多个区域，沿着基板搬入方向对多个区域的处理液涂覆厚度依次进行检测。
作为一个侧面，基板处理系统还包括控制部，其基于第一检测部及第二检测部的检测信息，对基板的处理工艺进行控制，控制部设定基板的各个区域的处理液厚度的基准范围，当检测出的基板的各个区域的处理液厚度超出基准范围时，可判断基板的处理液涂覆状态为不良。
作为一个侧面，当判断通过第一检测部检测出来的基板的处理液涂覆状态为不良时，控制部可中止基板从处理液涂覆装置搬出至基板移动单元。
作为一个侧面，当判断通过第二检测部检测出来的基板的处理液涂覆状态为不良时，控制部可中止基板从基板移动单元搬入基板干燥单元。
作为一个侧面，当判断通过第一检测部及第二检测部检测出来的基板的处理液涂覆状态为不良时，控制部可以进行控制使得重新执行基板的处理液涂覆工艺。
根据一个实施例的基板处理方法可包括：处理液涂覆步骤，在第一工艺装置中将处理液涂覆于基板；第一检测步骤，对被处理面的处理液涂覆厚度进行检测，并对检测出来的处理液涂覆厚度是否属于正常范围进行判别；移动步骤，在第一检测步骤中判断处理液涂覆厚度为正常时，使得基板移动至第二工艺装置；第二检测步骤，在基板搬入第二工艺装置之前，对基板的处理液涂覆厚度是否属于正常范围进行判别。
作为一个侧面，还可包括检查第一工艺装置的状态的步骤，在第一检测步骤中判断处理液涂覆厚度为不良时，对执行处理液涂覆的第一工艺装置的状态进行检查。
作为一个侧面，还可包括处理液重新涂覆步骤，在第一检测步骤或者第二检测步骤中判断处理液涂覆厚度为不正常时，重新执行基板的处理液涂覆工艺。
作为一个侧面，第一检测步骤中，在基板从第一工艺装置搬出的过程中，可将基板划分为与搬出方向垂直的多个区域，对多个区域的处理液涂覆厚度依次进行检测。
作为一个侧面，第二检测步骤中，可将基板划分为与第二工艺装置的搬入方向垂直的多个区域，对多个区域的处理液涂覆厚度依次进行检测。
根据一个实施例的基板处理系统及方法，在执行基板的干燥工艺的过程中，可以解决基板表面的处理液涂覆厚度不良。
根据一个实施例的基板处理系统及方法，可持续监控基板的处理工艺间表面的处理液厚度。
根据一个实施例的基板处理系统及方法的效果并非限定于以上提及的，一般的技术人员可以从下面的记载明确理解到没有提及的其他效果。
附图说明
本说明书中附上的下面附图例示了本实用新型的优选实施例，与实用新型的详细说明一起，起到进一步理解本实用新型的技术思想的作用，因此不能解释为本实用新型仅限定于这样的附图中记载的事项。
图1是根据一个实施例的基板处理系统的模式图。
图2是根据一个实施例的基板处理系统的操作图。
图3是根据一个实施例的基板处理系统的操作图。
图4是根据一个实施例的基板处理系统的操作图。
图5是根据一个实施例的基板处理系统的操作图。
图6是根据一个实施例的基板处理方法的方框图。
图7是根据一个实施例的基板处理方法的顺序图。
标号说明
100：处理液涂覆单元
110：基板移动单元
120：基板干燥单元
130：第一检测部
140：第二检测部
具体实施方式
以下，通过示例性的附图详细说明实施例。值得注意的是，对各附图的构成要素添加了参照标号，即使在不同的附图上示出，但相同的构成要素也尽可能地使其具有相同的标号。另外，在说明实施例时，认为对相关公知构成或功能的具体说明妨碍了对实施例的理解时，省略其详细说明。
此外，在说明实施例的构成要素时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b) 之类的术语。这些术语仅用于将构成要素与其他构成要素区分开，并且相关构成要素的性质或次序或顺序等不受这些术语限制。在记载了某种构成要素“连接”、“结合”或“接入”至另一构成要素时，应理解为既可以是该构成要素直接连接于或接入于另一构成要素，也可以在各构成要素之间“连接”、“结合”或“接入”其他构成要素。
对于在任何一个实施例中包括的构成要素和包括共同性能的构成要素，可以在其他实施例中使用相同的名称加以说明。除非有相反的说明，否则任何一个实施例中记载的说明也可以适用于其他实施例，并且在重复范围内将省略具体说明。
图1是根据一个实施例的基板处理系统的模式图，图2是根据一个实施例的基板处理系统的操作图，图3是根据一个实施例的基板处理系统的操作图，图4是根据一个实施例的基板处理系统的操作图，图5是根据一个实施例的基板处理系统的操作图，图6是根据一个实施例的基板处理方法的方框图。
参照图1至图6，根据一个实施例的基板处理系统可使用于基板W的化学平坦化工艺 (CMP，化学机械研磨)。在用于干燥基板W的工艺过程中，基板处理系统对涂覆于基板 W的处理液F的厚度状态进行检测，从而可以控制基板W处理工艺，以便防止基板W出现不良。
通过基板处理系统对基板W进行处理，基板W可以是用于制造半导体装置的硅片。但是基板W的种类并非限定于此。例如，基板W也可以是LCD(液晶显示器)、PDP(等离子显示器)之类的平板显示装置(平板显示器，FPD)用玻璃。
基板处理系统可执行用于处理基板W的多个工艺。在多个工艺过程中，基板处理系统可以多次监控基板W表面的处理液F厚度。基板处理系统可包括处理液涂覆单元100、基板干燥单元120、基板移动单元110、第一检测部130、第二检测部140及控制部150。
处理液涂覆单元100可将处理液F涂覆于基板W表面。处理液涂覆单元100可包括旋转夹头、覆盖容器、喷射部及流体供给部(未示出)。
旋转夹头可以以使得基板W的被处理面朝向上部的形式支撑基板W。旋转夹头可以以支撑基板W的状态进行旋转操作。旋转夹头可夹紧基板W，以便防止被支撑的基板W在旋转过程中脱离。例如，旋转夹头可通过真空吸附方式吸附基板W的非研磨面，或者通过夹具之类的机械装置支撑基板W的边缘。
旋转夹头可以通过连接于下部的旋转马达进行旋转。旋转马达根据控制信号进行旋转，从而可以使得支撑于旋转夹头的基板W进行旋转。
根据如上所述的结构，喷射至基板W的处理液F在基板W的旋转过程中通过因基板W的旋转而产生的离心力沿着基板W的圆周方向飞散，从而可均匀地分散至基板W的被处理面整体。
在基板W的处理液F涂覆过程中，覆盖容器可防止向外部飞散的处理液F向处理液F涂覆装置外部排出。覆盖容器可设置为包围旋转夹头的周围。借助于覆盖容器可防止向基板W外部飞散的处理液F污染外部的其他设备或者处理液F涂覆装置周边。
虽然在附图中没有示出，但是旋转夹头及容器可沿着上下方向相对地进行升降操作。例如，在基板W的装载/卸载过程中，旋转夹头相对于容器进行相对升降，从而可使得基板W向容器外部露出。安装有基板W的情况，旋转夹头相对于容器进行相对下降，从而可使得基板W位于容器内部。
喷射部可包括喷嘴，其用于在安装于旋转夹头的基板W的被处理面涂覆处理液F。通过喷嘴喷射的流体，可适用例如超纯水、异丙醇、清洗液、冲洗液、干燥气体之类的各种处理液F。
喷射部从基板W的中心向边缘移动的同时，可向基板W的被处理面喷射处理液F。省略对此的说明。
基板干燥单元120可以对涂覆有处理液F的基板W的被处理面进行干燥。基板干燥单元120可包括用于插入基板W的处理空间。基板干燥单元120在处理空间形成高压，使得涂覆于基板W表面的处理液F变换为超临界状态，从而可以使得基板W的被处理面干燥。基板干燥单元120可适用用于干燥基板W的各种装置，省略对此的说明。
基板移动单元110可以在处理液涂覆单元100及基板干燥单元120之间使得处理对象基板W移动。基板移动单元110可以在第一位置从处理液涂覆单元100搬出基板W。基板移动单元110可以以对搬出的基板W进行支撑的状态从第一位置移动至第二位置。基板移动单元110可以在第二位置将基板W搬入基板干燥单元120。
在基板移动单元110使得基板W移动的过程中，涂覆于基板W的被处理面的处理液F可能自然蒸发或者向一个方向集中。换句话说，可能产生处理液F不均匀地涂覆于基板W的被处理面的现象。在这种情况下，当通过基板干燥单元120使得基板W干燥时，产生形成于基板W表面的图案塌陷的倾斜现象，从而可能制造不良状态的基板W。
基板W处理单元可通过第一检测部130及第二检测部140判断基板W的不良与否。第一检测部130及第二检测部140可在第一位置及第二位置分别对涂覆于基板W表面的处理液F的涂覆状态进行检测。例如，在基板W从处理液涂覆单元100搬出至基板移动单元110的过程中，第一检测部130可检测基板W表面的处理液F涂覆状态。相反，在基板W从基板移动单元110搬入基板干燥单元120的过程中，第二检测部140可检测基板W表面的处理液F 涂覆状态。换句话说，基板处理系统可通过第一检测部130及第二检测部140在基板W从处理液涂覆单元100向基板干燥单元120移动的过程中对涂覆于基板W表面的处理液F的状态进行区分并检测。
第一检测部130及第二检测部140可通过光检测对处理液F的涂覆状态进行检测。第一检测部130及第二检测部140可包括：光源，其朝向基板W的被处理面照射光；光传感器，其检测从被处理面反射过来的反射光，并对涂覆于被处理面的处理液F的厚度进行检测。
处理液F的折射率与空气的折射率不同，因此光传感器检测出来的光的波形可根据处理液F的厚度不同。光传感器可通过将反射光的波形与参考值相比较而对测定位置的处理液F的涂覆厚度进行检测。
第一检测部130及第二检测部140将基板W的被处理面划分为多个区域，可对划分的各个区域的处理液F厚度进行检测。例如，在通过基板移动单元110移动基板W的过程中，第一检测部130及第二检测部140朝向基板W照射光，并接收照射光的反射光，从而可沿着横穿基板W中心的路径对基板W的多个区域的处理液F涂覆厚度进行检测。
控制部150可基于第一检测部130及第二检测部140的检测信息对基板W的处理工艺进行控制。例如，控制部150设定基板W的各个区域的处理液F涂覆厚度的基准范围，可以将通过第一检测部130及第二检测部140检测出来的基板W的各个区域的处理液F厚度与基准范围相比较。当涂覆于基板W的处理液F厚度超出基准范围时，控制部150可判断基板W的处理液F涂覆状态为不良。
控制部150可对处理液涂覆单元100、基板移动单元110及基板干燥单元120的操作进行控制。当控制部150基于通过第一检测部130检测出来的结果判断基板的处理液F涂覆状态为不良时，可以中止基板从处理液F涂覆装置搬出至基板移动单元110。控制部150 可以以如下形式进行控制：使得基板W重新搬入处理液F涂覆装置，通过处理液F涂覆装置对基板W重新执行处理液F涂覆工艺。
此外，当控制部150判断通过第二检测部140检测出来的基板W的处理液F涂覆状态为不良时，则可中止基板W从基板移动单元110搬入基板干燥单元120。在此情况下，控制部150可使得基板W退回至处理液涂覆单元100，从而重新执行基板W的处理液F涂覆工艺，或控制基板移动单元110，以便将判断为处理液F涂覆不良的基板W搬出至外部装置。
下面，对基板处理系统的操作过程进行说明。
参照图2及图3，在基板W从处理液涂覆单元100搬出至基板移动单元110的过程中，基板处理系统可通过第一检测部130检测基板W的处理液F涂覆状态。
第一检测部130从固定的第一位置朝向基板W方向，例如向下侧照射光，可接收从基板W表面反射过来的反射光。在从处理液涂覆单元100搬出基板W的过程中，第一检测部130照射的光可沿着从基板W的边缘经过相反侧边缘的路径照射至基板W的多个区域。根据这样的过程，第一检测部130可检测对基板W的被处理面的多个区域的处理液F涂覆状态。当通过第一检测部130判断基板W表面的处理液F涂覆状态为不良时，控制部150可使得基板W退回至处理液涂覆单元100。相反，当通过第一检测部130判断基板W表面的处理液F涂覆状态为良好时，控制部150可通过基板移动单元110使得基板W移动至基板干燥单元120。
参照图4及图5，在基板W从基板移动单元110搬入基板干燥单元120的过程中，基板处理系统可通过第二检测部140检测对基板W的处理液F涂覆状态。
第二检测部140从固定的第二位置朝向基板W照射光，可接收从基板W表面反射过来的反射光。像第一检测部130一样，在基板从基板移动单元110搬入基板干燥单元120的过程中，第二检测部140沿着横穿基板W中心的路径向基板W的多个区域照射光，可接收反射过来的光。根据这样的过程，第二检测部140在基板W移动过程中可判断基板W表面的处理液F涂覆状态是否产生不良。当通过第二检测部140判断基板W表面的处理液F涂覆状态为不良时，控制部150可防止基板W搬入基板干燥单元120。根据基板W的处理液F不良信号，作业者可以识别到在基板W的移动过程中是否存在任何问题，例如，基板移动单元110的速度或移动路径上的环境状态的问题等。相反，当通过第二检测部140判断基板W表面的处理液F涂覆状态为良好时，则可使得基板W搬入基板干燥单元120。
整理的话，根据一个实施例的基板处理系统通过第一检测部130及第二检测部140在多个区域检测基板W的处理液F涂覆状态，从而可检测基板W的处理液F涂覆状态。尤其，按照基板W的各个工艺检测基板W的处理液F涂覆状态，从而可更加精确地检测到任何工艺是否具有不良要素。
图7是根据一个实施例的基板处理方法的顺序图。
参照图7，对根据一个实施例的基板处理方法进行说明。在说明基板处理方法时，省略与前面说明的记载重复的记载。此外，除非另有说明，否则基板处理系统的构成和相同名称的构成应理解为表示相同的构成。
基板处理方法可包括处理液涂覆步骤200、第一检测步骤210、第一工艺装置检查步骤230、移动步骤240、第二检测步骤250、移动机器人检查步骤270及干燥工艺执行步骤280。
处理液涂覆步骤200可以在第一工艺装置中执行。例如，第一工艺装置可以是将处理液涂覆于基板表面的处理液涂覆单元。在处理液涂覆步骤200中可以将用于执行干燥工艺的处理液涂覆于基板的被处理面。
在第一检测步骤210中可检测基板被处理面的处理液涂覆厚度。可以对从第一工艺装置搬出的基板执行第一检测步骤210。第一检测步骤210可对基板的各个区域的处理液涂覆厚度进行检测，通过检测出来的处理液厚度对处理液的涂覆状态正常与否220进行判别。
根据涂覆状态正常与否220的判别，处理液的涂覆厚度判别为不良的情况，可以对基板重新执行处理液涂覆步骤200。此外，可以执行对执行处理液涂覆的第一工艺装置的状态进行检查的步骤230。
相反，当判断基板的处理液涂覆厚度为正常时，可以进行基板移动步骤240。基板移动步骤240可以使得基板从第一工艺装置移动至执行基板的干燥工艺的第二工艺装置。
第二检测步骤250可对移动至第二工艺装置的基板被处理面的处理液涂覆厚度进行检测。可以对搬入第二工艺装置的基板执行第二检测步骤250。第二检测步骤250可以检测基板的各个区域的处理液涂覆厚度，通过检测出来的处理液厚度可以判别基板的涂覆状态正常与否260。
根据基板的涂覆状态正常与否260的判别，处理液的涂覆厚度判断为不良的情况，可重新执行对基板的处理液涂覆步骤200。此外，可执行对使得基板从第一工艺装置移动至第二工艺装置的基板移动机器人的状态进行检查的步骤270。
相反，当基板的处理液涂覆厚度判断为正常时，可进行干燥工艺执行步骤280。干燥工艺执行步骤280可通过第二工艺装置执行基板的干燥工艺，例如超临界干燥工艺。
如上所述，虽然通过限定的附图对实施例进行了说明，但如果是所属技术领域中具有通常知识的技术人员，可以从所述记载进行各种修改及变形。例如，通过与说明的方法不同的顺序执行说明的技术，及/或以与说明的方法不同的形态结合或者组合说明的结构、装置等构成要素，或即使被其他构成要素或者均等物代替或置换，也可以实现适当的结果。

Claims (15)

1.一种基板检测装置，检测基板处理液涂覆状态，其特征在于，
基板检测装置配置在基板被移送的路径上，并通过对基板表面进行光检测，将涂覆在基板表面的处理液的厚度划分为多个区域进行检测。
2.根据权利要求1所述的基板检测装置，其特征在于，
基板检测装置沿着与基板的移送方向垂直的路线划分多个区域，并且沿着基板的移送方向依次检测多个区域的处理液涂覆状态。
3.根据权利要求1所述的基板检测装置，其特征在于，包括:
第一检测部，其在从将处理液喷射到基板的处理液涂覆单元搬出基板的过程中，沿着基板的搬出方向，依次检测与基板的搬出方向垂直划分的基板的多个区域。
4.根据权利要求3所述的基板检测装置，其特征在于，还包括:
第二检测部，其在将基板搬入对涂覆有处理液的基板进行干燥的基板干燥单元的过程中，沿着基板的搬入方向，依次检测与基板的搬入方向垂直划分的基板的多个区域。
5.根据权利要求1所述的基板检测装置，其特征在于，包括：
光源，其将光照射到所述基板移送路径上的特定位置；以及
光传感器，其接收从基板反射过来的光，并从接收到的光中检测基板表面的处理液涂覆厚度。
6.根据权利要求5所述的基板检测装置，其特征在于，还包括：
控制部，其基于光传感器检测出的信息，分析基板多个区域各自的处理液涂覆厚度，并判断基板的处理液涂覆状态是否存在不良。
7.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
处理液涂覆单元，其将处理液涂覆于基板；
基板干燥单元，其用于对涂覆有处理液的基板进行干燥；
基板移动单元，其从处理液涂覆单元中搬出基板，并将基板搬入基板干燥单元；
第一检测部，其在从处理液涂覆单元中搬出基板的过程中，检测基板的处理液涂覆状态；以及
第二检测部，其在将基板搬入基板干燥单元的过程中，检测基板的处理液涂覆状态。
8.根据权利要求7所述的基板处理系统，其特征在于，第一检测部及第二检测部包括：
光源，其朝向基板的被处理面照射光；以及
光传感器，其检测从被处理面反射过来的反射光，并对涂覆于被处理面的处理液的厚度进行检测。
9.根据权利要求7所述的基板处理系统，其特征在于，
第一检测部及第二检测部将基板的被处理面划分为多个区域，并对划分的各个区域的处理液厚度进行检测。
10.根据权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于，
第一检测部以与基板的搬出方向垂直的形式划分多个区域，并沿着基板的搬出方向，对多个区域的处理液涂覆厚度依次进行检测。
11.根据权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于，
第二检测部以与基板的搬入方向垂直的形式划分多个区域，并沿着基板搬入方向，对多个区域的处理液涂覆厚度依次进行检测。
12.根据权利要求9所述的基板处理系统，其特征在于，还包括：
控制部，其基于第一检测部及第二检测部的检测信息，对基板的处理工艺进行控制，
控制部设定基板的各个区域的处理液厚度的基准范围，当检测出的基板的各个区域的处理液厚度超出基准范围时，判断基板的处理液涂覆状态为不良。
13.根据权利要求12所述的基板处理系统，其特征在于，
当判断通过第一检测部检测出来的基板的处理液涂覆状态为不良时，控制部中止基板从处理液涂覆装置搬出至基板移动单元。
14.根据权利要求12所述的基板处理系统，其特征在于，
当判断通过第二检测部检测出来的基板的处理液涂覆状态为不良时，控制部中止基板从基板移动单元搬入基板干燥单元。
15.根据权利要求12所述的基板处理系统，其特征在于，
当判断通过第一检测部及第二检测部检测出来的基板的处理液涂覆状态为不良时，控制部进行控制，使得重新执行基板的处理液涂覆工艺。
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